JPH04111484A - Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波発生方法 - Google Patents
Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波発生方法Info
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- JPH04111484A JPH04111484A JP23103990A JP23103990A JPH04111484A JP H04111484 A JPH04111484 A JP H04111484A JP 23103990 A JP23103990 A JP 23103990A JP 23103990 A JP23103990 A JP 23103990A JP H04111484 A JPH04111484 A JP H04111484A
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- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は高出力紫外線を必要とするレーザー化学、レー
ザーリソグラフィー、レーザー医療、バイオテクノロジ
ー分野等に用いるＮｄ ： ＹＡＧレーザーの第４高調
波発生方法に関するものである。
ザーリソグラフィー、レーザー医療、バイオテクノロジ
ー分野等に用いるＮｄ ： ＹＡＧレーザーの第４高調
波発生方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、レーザー化学、レーザーリソグラフィ、レーザー
医療、バイオテクノロジー分野等では、目的に応じて、
レーザービームから高調波を発生させて利用することが
行われており、この高調波発生の手順は第４図に示され
ている。
医療、バイオテクノロジー分野等では、目的に応じて、
レーザービームから高調波を発生させて利用することが
行われており、この高調波発生の手順は第４図に示され
ている。
第４図中、ｌはＮｄ ： ＹＡＧレーザ−（ネオジウム
ドープドヤグレーザ−）発振器、２はＣＤ＊Ａ結晶（Ｃ
３Ｉ）２ＡＳＯ４結晶）等よりなる第１の非線形光学結
晶、３はＢＢＯ結晶（β−ＢａＢ２０ａ結晶）、あるい
はＫＤ Ｐ結晶（ＫＤ２ＰＯ４結晶）等よりなる第２
の非線形光学結晶、４は６０″分散プリズムである。
ドープドヤグレーザ−）発振器、２はＣＤ＊Ａ結晶（Ｃ
３Ｉ）２ＡＳＯ４結晶）等よりなる第１の非線形光学結
晶、３はＢＢＯ結晶（β−ＢａＢ２０ａ結晶）、あるい
はＫＤ Ｐ結晶（ＫＤ２ＰＯ４結晶）等よりなる第２
の非線形光学結晶、４は６０″分散プリズムである。
前記第２の非線形光学結晶３にＢＢＯ結晶を用いる場合
には、該ＢＢＯ結晶の角度ψが０″に、また、位相整合
角θが４８″になるようにカットを行っている。
には、該ＢＢＯ結晶の角度ψが０″に、また、位相整合
角θが４８″になるようにカットを行っている。
また、第２の非線形光学結晶３にＫＤ Ｐ結晶を用い
る場合には、該ＫＤ Ｐ結晶の角度ψが４５°に、位
相整合角θが９０°になるようにカットを行っている。
る場合には、該ＫＤ Ｐ結晶の角度ψが４５°に、位
相整合角θが９０°になるようにカットを行っている。
なお、ψ、θとは次のような角度をいう。
すなわち、第３図に示す如く、結晶体の光の屈折率をｎ
Ｘ、ｎｙｓｎ７とした場合にｎＸくｎ１７＜ｎ７となる
Ｘ軸、ｙ軸、Ｚ軸を想定し、原点を通って任意の方向に
延びるベクトルのＸ−ｙ平面への射影がＸ軸となす角度
をψ、前記ベクトルの２軸となす角度をθとしている。
Ｘ、ｎｙｓｎ７とした場合にｎＸくｎ１７＜ｎ７となる
Ｘ軸、ｙ軸、Ｚ軸を想定し、原点を通って任意の方向に
延びるベクトルのＸ−ｙ平面への射影がＸ軸となす角度
をψ、前記ベクトルの２軸となす角度をθとしている。
上述の構成において、Ｎｄ ： ＹＡＧレーザー発振器
ｌより基本波（波長λ１＝１．０Ｂ４２Ｊｆｆｉ）を放
射すると、該基本波は第１の非線形光学結晶２に入射し
、 の関係に基づき、第１の非線形光学結晶２によって基本
波の一部から第２高調波（波長λ２−０．５ａ２１ｍ）
が発生する。
ｌより基本波（波長λ１＝１．０Ｂ４２Ｊｆｆｉ）を放
射すると、該基本波は第１の非線形光学結晶２に入射し
、 の関係に基づき、第１の非線形光学結晶２によって基本
波の一部から第２高調波（波長λ２−０．５ａ２１ｍ）
が発生する。
更に第２高調波と第１の非線形光学結晶２を透過した基
本波は第２の非線形光学結晶３に入射し、 の関係に基づき、第２の非線形光学結晶３によって第２
高調波の一部から第４高調波（波長λａ ＝ ０．２Ｂ
６μｓ）が発生し、該第４高調波と、第２の非線形光学
結晶３を透過した基本波及び第２高調波は６０６分散プ
リズム４に入射するとともに、該６０°分散プリズム４
によって分離され、分離された各高調波を所定の目的に
利用している。
本波は第２の非線形光学結晶３に入射し、 の関係に基づき、第２の非線形光学結晶３によって第２
高調波の一部から第４高調波（波長λａ ＝ ０．２Ｂ
６μｓ）が発生し、該第４高調波と、第２の非線形光学
結晶３を透過した基本波及び第２高調波は６０６分散プ
リズム４に入射するとともに、該６０°分散プリズム４
によって分離され、分離された各高調波を所定の目的に
利用している。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、第２の非線形光学結晶３にＫＤ Ｐ結晶を用
いた場合には、基本波よりも第２高調波のほうが、更に
第２高調波よりも第４高調波のほうが近紫外線領域に近
いため、前記ＫＤ Ｐ結晶は紫外光の自己吸収によっ
て熱影響を受け、位相整合条件が乱れて屈折率が変化し
、第２図に示す如く、Ｎｄ ： ＹＡＧレーザー発振器
１を起動させてから約２０分後には規格化出力が低下し
て光強度が０になるため、長時間安定した状態でＮｄ：
ＹＡＧレーザーの第４高調波を得ることができない。
いた場合には、基本波よりも第２高調波のほうが、更に
第２高調波よりも第４高調波のほうが近紫外線領域に近
いため、前記ＫＤ Ｐ結晶は紫外光の自己吸収によっ
て熱影響を受け、位相整合条件が乱れて屈折率が変化し
、第２図に示す如く、Ｎｄ ： ＹＡＧレーザー発振器
１を起動させてから約２０分後には規格化出力が低下し
て光強度が０になるため、長時間安定した状態でＮｄ：
ＹＡＧレーザーの第４高調波を得ることができない。
また、第２の非線形光学結晶３にＢＢＯ結晶を用いた場
合にも、前述したＫＤ Ｐ結晶と同様に紫外光の自己
吸収によって位相整合条件が乱れＫＤ Ｐ結晶程では
ないにしろ第２図に示す如＜Ｎｄ：ＹＡＧレーザー発振
器１を起動させてからの時間経過に伴って規格化出力が
低下するので、ＫＤ’″Ｐ結晶を用いた場２合と同様に
長時間安定した状態でＮｄ ： ＹＡＧレーザーの第４
高調波を得ることができない。
合にも、前述したＫＤ Ｐ結晶と同様に紫外光の自己
吸収によって位相整合条件が乱れＫＤ Ｐ結晶程では
ないにしろ第２図に示す如＜Ｎｄ：ＹＡＧレーザー発振
器１を起動させてからの時間経過に伴って規格化出力が
低下するので、ＫＤ’″Ｐ結晶を用いた場２合と同様に
長時間安定した状態でＮｄ ： ＹＡＧレーザーの第４
高調波を得ることができない。
このため、従来は第２の非線形光学結晶３を温度制御装
置によって加熱温度調整していたが、第２の非線形結晶
３を一定温度に保持するのは難しかった。
置によって加熱温度調整していたが、第２の非線形結晶
３を一定温度に保持するのは難しかった。
本発明は上記問題点を解決するもので、非線形光学結晶
の温度制御を行うことなくＮｄ：ＹＡＧレーザーの第４
高調波を長時間安定した状態で得られるようにすること
を目的としている。
の温度制御を行うことなくＮｄ：ＹＡＧレーザーの第４
高調波を長時間安定した状態で得られるようにすること
を目的としている。
［課題を解決するための手段］
本発明はＮｄ：ＹＡＧレーザー発振器の放射する基本波
を第１の非線形光学結晶に入射させて、該第１の非線形
光学結晶により基本波の一部から第２高調波を発生させ
、該第２高調波と第１の非線形光学結晶を透過した基本
波とを第２の非線形光学結晶に入射させて、該第２の非
線形光学結晶により基本波の一部と第２高調波の一部か
ら、第３高調波を発生させ、該第３高調波と、第２の非
線形光学結晶を透過した基本波及び第２高調波をＬｉＢ
５０５結晶よりなる第３の非線形光学結晶に入射させて
、該第３の非線形光学結晶により基本波の一部と第３高
調波の一部から第４高調波を発生させるものである。
を第１の非線形光学結晶に入射させて、該第１の非線形
光学結晶により基本波の一部から第２高調波を発生させ
、該第２高調波と第１の非線形光学結晶を透過した基本
波とを第２の非線形光学結晶に入射させて、該第２の非
線形光学結晶により基本波の一部と第２高調波の一部か
ら、第３高調波を発生させ、該第３高調波と、第２の非
線形光学結晶を透過した基本波及び第２高調波をＬｉＢ
５０５結晶よりなる第３の非線形光学結晶に入射させて
、該第３の非線形光学結晶により基本波の一部と第３高
調波の一部から第４高調波を発生させるものである。
［作 用］
Ｎｄ ： ＹＡＧレーザー発振器を起動させて基本波を
放射すると、該基本波は第１の非線形光学結晶に入射し
て、該第１の非線形光学結晶により基本波の一部から第
２高調波が発生し、また、残りの基本波は第１の非線形
光学結晶を透過する。
放射すると、該基本波は第１の非線形光学結晶に入射し
て、該第１の非線形光学結晶により基本波の一部から第
２高調波が発生し、また、残りの基本波は第１の非線形
光学結晶を透過する。
第２高調波、及び第１の非線形光学結晶を透過した基本
波は、第２の非線形光学結晶に入射して、該第２の非線
形光学結晶により基本波の一部と第２高調波の一部から
第３高調波が発生し、また、基本波、第２高調波の残り
は第２の非線形光学結晶を透過する。
波は、第２の非線形光学結晶に入射して、該第２の非線
形光学結晶により基本波の一部と第２高調波の一部から
第３高調波が発生し、また、基本波、第２高調波の残り
は第２の非線形光学結晶を透過する。
第３高調波、及び第２の非線形光学結晶を透過した基本
波、第２高調波は、第３の非線形光学結晶に入射して、
該第３の非線形光学結晶により基本波の一部と第３高調
波の一部から、第４高調波が発生し、また、基本波、第
３高調波の残り、及び第２高調波は第３の非線形光学結
晶を透過する。
波、第２高調波は、第３の非線形光学結晶に入射して、
該第３の非線形光学結晶により基本波の一部と第３高調
波の一部から、第４高調波が発生し、また、基本波、第
３高調波の残り、及び第２高調波は第３の非線形光学結
晶を透過する。
本発明においては、近紫外線領域に近い第３高調波が入
射し、且つ第４高調波を放射する第３の非線形光学結晶
を、紫外光の自己吸収が少なく、位相整合条件の温度許
容幅の広いＬｉＢ５０ｓ結晶により構成しているので、
第３の非線形光学結晶が熱影響を受けて位相整合条件が
乱れ、屈折率が変化して光強度の低下が非常に少なく、
第３の非線形光学結晶の温度制御を行わなくても長時間
安定した状態でＮｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波を得
ることができる。
射し、且つ第４高調波を放射する第３の非線形光学結晶
を、紫外光の自己吸収が少なく、位相整合条件の温度許
容幅の広いＬｉＢ５０ｓ結晶により構成しているので、
第３の非線形光学結晶が熱影響を受けて位相整合条件が
乱れ、屈折率が変化して光強度の低下が非常に少なく、
第３の非線形光学結晶の温度制御を行わなくても長時間
安定した状態でＮｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波を得
ることができる。
［実 施 例］
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図は本発明の方法を実施する装置の一例であり、図
中、１はＮｄ：ＹＡＧレーザー発振器、４は６０＠分散
プリズム、５は第１の非線形光学結晶、６は第２の非線
形光学結晶、７は第３の非線形光学結晶を示す。
中、１はＮｄ：ＹＡＧレーザー発振器、４は６０＠分散
プリズム、５は第１の非線形光学結晶、６は第２の非線
形光学結晶、７は第３の非線形光学結晶を示す。
Ｎｄ ： ＹＡＧレーザー発振発振器数射する基本波（
λ１＝ １．０Ｅｉ４２Ｊａｌ）を、ＢＢＯ結晶の角度
をψ−〇″、θ−４８″にカットした第１の非線形光学
結晶５に入射し得るようにし、該第１の非線形光学結晶
５によって基本波の一部から発生する第２高調波（λ２
−０．５３２１ｇＩｌ） 、及び第１の非線形光学結晶
５を透過した残りの基本波を、ＬｉＢ５０５結晶の角度
をψ−３７．８” 、θ−９０°にカットした第２の非
線形光学結晶６に入射し得るようにし、該第２の非線形
光学結晶６によって基本波の一部と第２高調波の一部と
から発生する第３高調波（λ３−０．３５４７μｍ）と
、第２の非線形光学結晶６を透過した残りの基本波及び
第２高調波とを、ＬｉＢ５０ｓ結晶の角度をψ−６０．
７＠、θ−９０″にカットした第３の非線形光学結晶７
に入射し得るようにし、該第３の非線形光学結晶７によ
って基本波の一部及び第３高調波の一部から発生する第
４高調波（λａ ＝ ０．２６６ｕＲ）と、第３の非線
形光学結晶７を透過した残りの基本波、第２高調波、第
３高調波とを６０＠分散プリズム４に入射し得るように
する。
λ１＝ １．０Ｅｉ４２Ｊａｌ）を、ＢＢＯ結晶の角度
をψ−〇″、θ−４８″にカットした第１の非線形光学
結晶５に入射し得るようにし、該第１の非線形光学結晶
５によって基本波の一部から発生する第２高調波（λ２
−０．５３２１ｇＩｌ） 、及び第１の非線形光学結晶
５を透過した残りの基本波を、ＬｉＢ５０５結晶の角度
をψ−３７．８” 、θ−９０°にカットした第２の非
線形光学結晶６に入射し得るようにし、該第２の非線形
光学結晶６によって基本波の一部と第２高調波の一部と
から発生する第３高調波（λ３−０．３５４７μｍ）と
、第２の非線形光学結晶６を透過した残りの基本波及び
第２高調波とを、ＬｉＢ５０ｓ結晶の角度をψ−６０．
７＠、θ−９０″にカットした第３の非線形光学結晶７
に入射し得るようにし、該第３の非線形光学結晶７によ
って基本波の一部及び第３高調波の一部から発生する第
４高調波（λａ ＝ ０．２６６ｕＲ）と、第３の非線
形光学結晶７を透過した残りの基本波、第２高調波、第
３高調波とを６０＠分散プリズム４に入射し得るように
する。
上述の構成において、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー発振器Ｉを
起動させて基本波（λ＋ −１，０８４２ｍ）を放射す
ると、該基本波は第１非線形光学結晶５に入射して、該
第１の非線形光学結晶５により基本波の一部から前記式
（１）の関係に基づき第２高調波（λ２−０．５３２１
Ｊａｌ）が発生し、また、基本波の残りは第１の非線形
光学結晶５を透過する。
起動させて基本波（λ＋ −１，０８４２ｍ）を放射す
ると、該基本波は第１非線形光学結晶５に入射して、該
第１の非線形光学結晶５により基本波の一部から前記式
（１）の関係に基づき第２高調波（λ２−０．５３２１
Ｊａｌ）が発生し、また、基本波の残りは第１の非線形
光学結晶５を透過する。
第２高調波、及び第１の非線形光学結晶５を透過した基
本波は、第２の非線形光学結晶６に入射して、該第２の
非線形光学結晶６により基本波の一部と第２高調波の一
部から の関係に基づき、ｉ３高調波（λ３−．０．３５４７ｎ
）が発生し、また、基本波、第２高調波の残りは第２の
非線形光学結晶６を透過する。
本波は、第２の非線形光学結晶６に入射して、該第２の
非線形光学結晶６により基本波の一部と第２高調波の一
部から の関係に基づき、ｉ３高調波（λ３−．０．３５４７ｎ
）が発生し、また、基本波、第２高調波の残りは第２の
非線形光学結晶６を透過する。
第３高調波、及び第２の非線形光学結晶６を透過した基
本波、第２高調波は、第３の非線形光学結晶７に入射し
て、該第３の非線形光学結晶７により基本波の一部と第
３高調波の一部かの関係に基づき、第４高調波（λ４−
０．２６６７ｍ）が発生し、また、基本波、第３高調波
の残り、及び第２高調波は第３の非線形光学結晶７を透
過する。
本波、第２高調波は、第３の非線形光学結晶７に入射し
て、該第３の非線形光学結晶７により基本波の一部と第
３高調波の一部かの関係に基づき、第４高調波（λ４−
０．２６６７ｍ）が発生し、また、基本波、第３高調波
の残り、及び第２高調波は第３の非線形光学結晶７を透
過する。
更に、第４高調波、及び第３の非線形光学結晶７を透過
した残りの基本波、第２高調波、第３高調波は、６０＠
分散プリズム４に入射して、該６０°分散プリズム４に
より、基本波、第２高調波、第３高調波、第４高調波に
分離される。
した残りの基本波、第２高調波、第３高調波は、６０＠
分散プリズム４に入射して、該６０°分散プリズム４に
より、基本波、第２高調波、第３高調波、第４高調波に
分離される。
本発明においては、近紫外線領域に近い第３高調波が入
射し、且つ第４高調波を放射する第３の非線形光学結晶
７を、紫外光の自己吸収が少なく、位相整合条件の許容
温度幅の広いＬｉ８３０５結晶により形成しているので
、第３の非線形光学結晶７が熱影響を受けて位相整合条
件が乱れ、屈折率が変化して光強度の低下が非常に少な
く、第３の非線形光学結晶７の温度制御を行わなくても
第２図に示すように長時間安定した状態でＮｄ ： Ｙ
ＡＧレーザーの第４高調波を得ることができる。
射し、且つ第４高調波を放射する第３の非線形光学結晶
７を、紫外光の自己吸収が少なく、位相整合条件の許容
温度幅の広いＬｉ８３０５結晶により形成しているので
、第３の非線形光学結晶７が熱影響を受けて位相整合条
件が乱れ、屈折率が変化して光強度の低下が非常に少な
く、第３の非線形光学結晶７の温度制御を行わなくても
第２図に示すように長時間安定した状態でＮｄ ： Ｙ
ＡＧレーザーの第４高調波を得ることができる。
なお、本発明のＮｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波発生
方法は、上述の実施例にのみ限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加
え得ることは勿論である。
方法は、上述の実施例にのみ限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加
え得ることは勿論である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のＮｄ ： ＹＡＧレーザ
ーの第４高調波発生方法によれば、下記の如き種々の優
れた効果を奏し得る。
ーの第４高調波発生方法によれば、下記の如き種々の優
れた効果を奏し得る。
（１）近紫外線領域に近い第３高調波が入射し、且つ第
４高調波を放射する第３の非線形光学結晶を、紫外光の
自己吸収が少なく、位相整合条件の許容温度幅の広いＬ
ｉＢ５０ｓ結晶により構成しているので、第３の非線形
光学結晶が熱影響を受けて位相整合条件が乱れ、屈折率
が変化して光強度の低下が非常に少なく、第３の非線形
光学結晶の温度制御を行わなくても長時間安定した状態
でＮｄ ： ＹＡＧレーザーの第４高調波を得ることが
できる。
４高調波を放射する第３の非線形光学結晶を、紫外光の
自己吸収が少なく、位相整合条件の許容温度幅の広いＬ
ｉＢ５０ｓ結晶により構成しているので、第３の非線形
光学結晶が熱影響を受けて位相整合条件が乱れ、屈折率
が変化して光強度の低下が非常に少なく、第３の非線形
光学結晶の温度制御を行わなくても長時間安定した状態
でＮｄ ： ＹＡＧレーザーの第４高調波を得ることが
できる。
■ 第２高調波は、第２、第３の非線形光学結晶を透過
し、第３高調波は第３の非線形光学結晶を透過するので
、Ｎｄ ： ＹＡＧレーザーの基本波及び第２、第３、
第４高調波の４波長を同時に得ることができる。
し、第３高調波は第３の非線形光学結晶を透過するので
、Ｎｄ ： ＹＡＧレーザーの基本波及び第２、第３、
第４高調波の４波長を同時に得ることができる。
第１図は本発明の方法を実施する装置の一例を示す概念
図、第２図はＮｄ ：ＹＡＧレーザーの第４高調波を波
長変換する非線形光学結晶の光強度の安定性を示すグラ
フ、第３図は非線形光学結晶の位相整合角の概念図、第
４図は従来のＮｄ ： ＹＡＧレーザー装置の一例を示
す概念図である。 図中、ｌはＮｄ ： ＹＡＧレーザー発振器、５は第１
の非線形光学結晶、６は第２の非線形光学結晶、７はＷ
！３の非線形光学結晶を示す。 賀浄ｅ５Ａぐ
図、第２図はＮｄ ：ＹＡＧレーザーの第４高調波を波
長変換する非線形光学結晶の光強度の安定性を示すグラ
フ、第３図は非線形光学結晶の位相整合角の概念図、第
４図は従来のＮｄ ： ＹＡＧレーザー装置の一例を示
す概念図である。 図中、ｌはＮｄ ： ＹＡＧレーザー発振器、５は第１
の非線形光学結晶、６は第２の非線形光学結晶、７はＷ
！３の非線形光学結晶を示す。 賀浄ｅ５Ａぐ
Claims (1)
- １）Ｎｄ：ＹＡＧレーザー発振器の放射する基本波を第
１の非線形光学結晶に入射させて、該第１の非線形光学
結晶により基本波の一部から第２高調波を発生させ、該
第２高調波と第１の非線形光学結晶を透過した基本波と
を第２の非線形光学結晶に入射させて、該第２の非線形
光学結晶により基本波の一部と第２高調波の一部から、
第３高調波を発生させ、該第３高調波と、第２の非線形
光学結晶を透過した基本波及び第２高調波をＬｉＢ＿３
Ｏ＿５結晶よりなる第３の非線形光学結晶に入射させて
、該第３の非線形光学結晶により基本波の一部と第３高
調波の一部から第４高調波を発生させることを特徴とす
るＮｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波発生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23103990A JPH04111484A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23103990A JPH04111484A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波発生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111484A true JPH04111484A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16917320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23103990A Pending JPH04111484A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの第４高調波発生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111484A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7126745B2 (en) | 1998-03-11 | 2006-10-24 | Nikon Corporation | Method of irradiating ultraviolet light onto an object |
| US7848381B2 (en) | 2008-02-15 | 2010-12-07 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Multiple-wavelength tunable laser |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP23103990A patent/JPH04111484A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7126745B2 (en) | 1998-03-11 | 2006-10-24 | Nikon Corporation | Method of irradiating ultraviolet light onto an object |
| US7277220B2 (en) | 1998-03-11 | 2007-10-02 | Nikon Corporation | Ultraviolet laser apparatus and exposure apparatus using same |
| US7848381B2 (en) | 2008-02-15 | 2010-12-07 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Multiple-wavelength tunable laser |
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