JPH04102378A - 発光ダイオード装置の製造方法 - Google Patents
発光ダイオード装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04102378A JPH04102378A JP2220364A JP22036490A JPH04102378A JP H04102378 A JPH04102378 A JP H04102378A JP 2220364 A JP2220364 A JP 2220364A JP 22036490 A JP22036490 A JP 22036490A JP H04102378 A JPH04102378 A JP H04102378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- emitting diode
- dicing
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000003550 marker Substances 0.000 abstract description 5
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 241000219310 Beta vulgaris subsp. vulgaris Species 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 235000021536 Sugar beet Nutrition 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はリード線のない略箱型をした発光ダイオード装
置に関する。
置に関する。
（ロ）従来の技術
近年リード線のないコンパクトな略箱型形状をした発光
ダイオード装置が提案されるようになった。これは例え
ば特公昭６０−４３０４０号公報の如く、第６図（基板
の平面図）と第７図（装置の断面図）に示されていた。
ダイオード装置が提案されるようになった。これは例え
ば特公昭６０−４３０４０号公報の如く、第６図（基板
の平面図）と第７図（装置の断面図）に示されていた。
これらの図に於て、甜脂から成る基板３１に複数の凹部
３２と四角状のスルーホール３３を樅と横に整列して形
成した。そしてメツキを施こした結果、凹部３２の底面
にそれぞれの端部３４と３５が位置し、基板３１の頂面
３６と側面３７を通り裏面３８までのびかつ延長方向が
反対となる第１の金属層３９と第２の金属層４０を形成
した。端部３４の上に固着された発光ダイオード４１と
端部３５を金属細線４２で接続し、凹部３２のみに透光
性樹脂４３を覆っていた。その後、横方向にＥ １Ｅ
＋ Ｅ ｓ・・・と縦方向にＦ、Ｆ、Ｆ、Ｆ、・・・と
ダイシングすると複数の発光ダイオード装置４４が完成
した。
３２と四角状のスルーホール３３を樅と横に整列して形
成した。そしてメツキを施こした結果、凹部３２の底面
にそれぞれの端部３４と３５が位置し、基板３１の頂面
３６と側面３７を通り裏面３８までのびかつ延長方向が
反対となる第１の金属層３９と第２の金属層４０を形成
した。端部３４の上に固着された発光ダイオード４１と
端部３５を金属細線４２で接続し、凹部３２のみに透光
性樹脂４３を覆っていた。その後、横方向にＥ １Ｅ
＋ Ｅ ｓ・・・と縦方向にＦ、Ｆ、Ｆ、Ｆ、・・・と
ダイシングすると複数の発光ダイオード装置４４が完成
した。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかして上述の装置では、基板３１からの取り数を多く
するために四角状のスルーホール３３の縦の長さｅは出
来るだけ小さく、例えば０．８ｒｇｍに、そして同様に
凹部３２同志の間隔ｆも０．８ｍｍに作製された。通常
用いるダイシング刃の幅は０．３ｍｍであるから、ダイ
シング刃の外側とスルーホール３３の内側との間隔ｇの
基準値は（０，８−０，３）／ ２ ＝０．２５ｍｍと
なる。そして成型品である基板３１の寸法精度は通常±
０．１ｍｍであり、Ｅ ｒ Ｅ ！ Ｅ ｓ・・・のダ
イシング寸法精度は±０．１５ｍｍ以上であるので、装
置の側面４５に於てダイシング刃が第１の金属層３９又
は第２の金属層４０を傷つけて導通不良となり易い。何
故ならば通常ダイシング装置は４０ｍｍの距離を視野に
持つ顕微鏡を備えて、基板３１上のマーカーに位置合せ
しながらダイシングする。しかし従来の装置の様に、四
角状のスルーホール３３は正確なマーカーを求めにくい
のでダイシング寸法精度は±０．１５ｍｍ以上と粗くな
った。
するために四角状のスルーホール３３の縦の長さｅは出
来るだけ小さく、例えば０．８ｒｇｍに、そして同様に
凹部３２同志の間隔ｆも０．８ｍｍに作製された。通常
用いるダイシング刃の幅は０．３ｍｍであるから、ダイ
シング刃の外側とスルーホール３３の内側との間隔ｇの
基準値は（０，８−０，３）／ ２ ＝０．２５ｍｍと
なる。そして成型品である基板３１の寸法精度は通常±
０．１ｍｍであり、Ｅ ｒ Ｅ ！ Ｅ ｓ・・・のダ
イシング寸法精度は±０．１５ｍｍ以上であるので、装
置の側面４５に於てダイシング刃が第１の金属層３９又
は第２の金属層４０を傷つけて導通不良となり易い。何
故ならば通常ダイシング装置は４０ｍｍの距離を視野に
持つ顕微鏡を備えて、基板３１上のマーカーに位置合せ
しながらダイシングする。しかし従来の装置の様に、四
角状のスルーホール３３は正確なマーカーを求めにくい
のでダイシング寸法精度は±０．１５ｍｍ以上と粗くな
った。
従って本発明はかかる欠点を解消するものであり、すな
わちダイシング寸法精度を±０．１ｍｍ以内に管理しダ
イシング時に金属層を傷つけることなく導通不良を起こ
さない発光ダイオード装置の製造方法を提供するもので
ある。
わちダイシング寸法精度を±０．１ｍｍ以内に管理しダ
イシング時に金属層を傷つけることなく導通不良を起こ
さない発光ダイオード装置の製造方法を提供するもので
ある。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は上述の課題を解決するために、縦と横に順次整
列した複数の凹部と六角形状のスルーホールを有する基
板に於て、第１の金属層と第２の金属層の少なくとも１
方の端部が前記凹部の底面に位置し、それぞれが前記基
板の頂面と前記スルーホールを通り互いに対向して裏面
に延びる様に形成する工程と、前記端部の上に発光ダイ
オードを固着し該発光ダイオードに配線処理し前記凹部
より広い範囲を透光性樹脂で覆う工程と、前記凹部の１
辺に平行になる様、前記六角形状のスルーホールの２つ
の頂点を順次結んで切断する工程を含む方法で発光ダイ
オード装置を製造するものである。
列した複数の凹部と六角形状のスルーホールを有する基
板に於て、第１の金属層と第２の金属層の少なくとも１
方の端部が前記凹部の底面に位置し、それぞれが前記基
板の頂面と前記スルーホールを通り互いに対向して裏面
に延びる様に形成する工程と、前記端部の上に発光ダイ
オードを固着し該発光ダイオードに配線処理し前記凹部
より広い範囲を透光性樹脂で覆う工程と、前記凹部の１
辺に平行になる様、前記六角形状のスルーホールの２つ
の頂点を順次結んで切断する工程を含む方法で発光ダイ
オード装置を製造するものである。
（ホ）作 用
上述の様に基板上の六角形状のスルーホールの２つの頂
点を順次結んで切断することにより、ダイシング寸法精
度を十分±０．１ｍｍ以内に管理することができる。
点を順次結んで切断することにより、ダイシング寸法精
度を十分±０．１ｍｍ以内に管理することができる。
（へ）実施例
最初に第１図乃至第３図に従い本発明の第１実施例を説
明する。第１図は基板の平面図、第２図は発光ダイオー
ド装置の平面図、第３図は第２図のＣＣ断面図である。
明する。第１図は基板の平面図、第２図は発光ダイオー
ド装置の平面図、第３図は第２図のＣＣ断面図である。
これらの図に於て１は液晶ポリマー等の高耐熱性樹脂か
ら成る基板である。
ら成る基板である。
基板１に於て平行に対になって縦と横に整列した複数の
凹部２と六角形状のスルーホール３を形成する。凹部２
の大きさは横１．８ｍｍ縦２．５ｍｍである。
凹部２と六角形状のスルーホール３を形成する。凹部２
の大きさは横１．８ｍｍ縦２．５ｍｍである。
そしてメツキにてバターニングされた結果、ＩＥＩの金
属層４の端部５が凹部２の底面に設けられ、基板１の頂
面６とスルーホール３を通り裏面７までのび、その延長
方向は中心方向を向いている。
属層４の端部５が凹部２の底面に設けられ、基板１の頂
面６とスルーホール３を通り裏面７までのび、その延長
方向は中心方向を向いている。
そして上述のパターニングの結果、第２の金属層８の端
部９が端部５と離れて凹部２の底面に設けられ、頂面６
とスルーホール３を通り裏面７までのび、その延長方向
は第１の金属層４と反対である。また六角形状のスルー
ホール３の大きさは横の長さａが１．８ｍｍで縦の長さ
ｂが０．８ｍｍである。
部９が端部５と離れて凹部２の底面に設けられ、頂面６
とスルーホール３を通り裏面７までのび、その延長方向
は第１の金属層４と反対である。また六角形状のスルー
ホール３の大きさは横の長さａが１．８ｍｍで縦の長さ
ｂが０．８ｍｍである。
その後、端部５の上に導電性接着剤を介して発光ダイオ
ード１０を固着する。発光ダイオード１０は例えば１辺
０．２−０．４ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの略さいころ状を
なしたＧａＰ、 ＧａＡｓＰ等がらできている。そして
この発光ダイオード１０と端部９を金属細線１１により
配線処理をする。この発光ダイオード１０と金属層ａｌ
ｌｌのみならず、凹部２より広い範囲の頂面６をエポキ
シ樹脂等がら成る透光性樹脂１２で覆う。
ード１０を固着する。発光ダイオード１０は例えば１辺
０．２−０．４ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの略さいころ状を
なしたＧａＰ、 ＧａＡｓＰ等がらできている。そして
この発光ダイオード１０と端部９を金属細線１１により
配線処理をする。この発光ダイオード１０と金属層ａｌ
ｌｌのみならず、凹部２より広い範囲の頂面６をエポキ
シ樹脂等がら成る透光性樹脂１２で覆う。
その後、凹部２の１辺に平行な六角形状のスルーホール
３の２つの頂点を順次マーカーとしてダイシング装置の
顕微鏡で位置合せしながらｒ基板１の横方向にＡ 、Ａ
、Ａ 、・・・とダイシングする。そして縦方向にＢ
、Ｂ、Ｂ３Ｂ、・・・とダイシングして発光ダイオード
装置】３を完成する。発光ダイオード装置１３は側面に
台形状の四部１４を有する。四部の寸法、すなわちダイ
シングによる切断面から凹の底面までの間隔Ｃの基準値
は、ダイシング刃の幅が０．３■だから、（０，８−０
，３）／ ２ ＝０．２５ｍｍである。基板ｌの寸法精
度を±０．１＋ｎｍとしても、ダイシングは頂点をマー
カーにしているのでダイシング寸法精度は高く±０．１
ｍｍ以内に管理できる。
３の２つの頂点を順次マーカーとしてダイシング装置の
顕微鏡で位置合せしながらｒ基板１の横方向にＡ 、Ａ
、Ａ 、・・・とダイシングする。そして縦方向にＢ
、Ｂ、Ｂ３Ｂ、・・・とダイシングして発光ダイオード
装置】３を完成する。発光ダイオード装置１３は側面に
台形状の四部１４を有する。四部の寸法、すなわちダイ
シングによる切断面から凹の底面までの間隔Ｃの基準値
は、ダイシング刃の幅が０．３■だから、（０，８−０
，３）／ ２ ＝０．２５ｍｍである。基板ｌの寸法精
度を±０．１＋ｎｍとしても、ダイシングは頂点をマー
カーにしているのでダイシング寸法精度は高く±０．１
ｍｍ以内に管理できる。
また従来の装置では、透光性樹脂が凹部のみを覆ってい
たので透光性樹脂と金属層の熱膨張率の違いにより両者
の界面４６に於て、透光性樹脂の剥離が生じた。そのた
め、本実施例では、透光性樹脂１２を凹部２より広い範
囲に覆っているので透光性樹脂１２の密着性は向上し剥
離しなくなる。
たので透光性樹脂と金属層の熱膨張率の違いにより両者
の界面４６に於て、透光性樹脂の剥離が生じた。そのた
め、本実施例では、透光性樹脂１２を凹部２より広い範
囲に覆っているので透光性樹脂１２の密着性は向上し剥
離しなくなる。
次に第４図（基板の平面図）に従い本発明の第２実施例
を説明する。この図に従い、基板１５に於て平行に対に
なって縦と横に整列した複数の凹部２と六角形状のスル
ーホール３を形成し、Ｖ字溝１６を所定の間隔で縦に（
すなわちスルーホールの整列方向と直交して）ストライ
プ状に形成する。Ｖ字溝１６は幅が０．４−０．５ｍｍ
であり、深さが０．１−０．３ｍｍである。第１実施例
と同じパターニングと配線処理と樹脂モールドをして、
横方向にＡ １Ａ ＊ Ａ ｓ・・・とダイシングする
。
を説明する。この図に従い、基板１５に於て平行に対に
なって縦と横に整列した複数の凹部２と六角形状のスル
ーホール３を形成し、Ｖ字溝１６を所定の間隔で縦に（
すなわちスルーホールの整列方向と直交して）ストライ
プ状に形成する。Ｖ字溝１６は幅が０．４−０．５ｍｍ
であり、深さが０．１−０．３ｍｍである。第１実施例
と同じパターニングと配線処理と樹脂モールドをして、
横方向にＡ １Ａ ＊ Ａ ｓ・・・とダイシングする
。
そして基板１５のＶ字溝１６の頂点をマーカーとしてダ
イシング装置の顕微鏡で位置合せしながら、縦方向にＤ
１Ｄ ＊ Ｄ ｓ Ｄ 、・・・とダイシングして複
数の発光ダイオード装置１７（図示せず）が完成する。
イシング装置の顕微鏡で位置合せしながら、縦方向にＤ
１Ｄ ＊ Ｄ ｓ Ｄ 、・・・とダイシングして複
数の発光ダイオード装置１７（図示せず）が完成する。
従来の装置では、基板の縦方向にマーカーがないので適
正な位置で等間隔にダイシングすることができなかった
ので、凹部と側面との間の肉厚を一定に維持できなかっ
た。そのため、本実施例では基板の縦方向に設けたＶ字
溝１６の頂点をマーカーにすることにより、ダイシング
寸法精度を±０．１ｍｍ以内に管理することができて、
等間隔にダイシングすることができる。
正な位置で等間隔にダイシングすることができなかった
ので、凹部と側面との間の肉厚を一定に維持できなかっ
た。そのため、本実施例では基板の縦方向に設けたＶ字
溝１６の頂点をマーカーにすることにより、ダイシング
寸法精度を±０．１ｍｍ以内に管理することができて、
等間隔にダイシングすることができる。
次に第５図（発光ダイオード装置の断面図）に従い本発
明の第３実施例を説明する。第２の金属層１８の端部１
９を頂面６の上に設け、金属細線２０により発光ダイオ
ード１０と第２の金属層１８の端部１９を結線する。そ
の他の部品及び製造方法は第１実施例と同じである。
明の第３実施例を説明する。第２の金属層１８の端部１
９を頂面６の上に設け、金属細線２０により発光ダイオ
ード１０と第２の金属層１８の端部１９を結線する。そ
の他の部品及び製造方法は第１実施例と同じである。
そして従来の装置では凹部の底面に第１の金属層の端子
および第２の金属層の端子を設けるのでｈ寸法で示され
る底面は広い面積となり、発光面積が広くなるので狭指
向性が得られない。そのため本実施例では凹部２の底面
に第１の金属層４の端部５を設ければ良いので、６寸法
で示される底面の面積は従来よりも小さくできる。従っ
て、その他の寸法が従来と同じであれば、従来より発光
面積が狭くなり狭指向性が得られる。
および第２の金属層の端子を設けるのでｈ寸法で示され
る底面は広い面積となり、発光面積が広くなるので狭指
向性が得られない。そのため本実施例では凹部２の底面
に第１の金属層４の端部５を設ければ良いので、６寸法
で示される底面の面積は従来よりも小さくできる。従っ
て、その他の寸法が従来と同じであれば、従来より発光
面積が狭くなり狭指向性が得られる。
（ト）発明の効果
上述の様に、基板上に設けた六角形状のスルーホールの
２つの頂点を順次マーカーとしてダイシングするのでダ
イシング寸法精度は±０．１ｍｍ以内に管理することが
できる。その結果ダイシング時に金属層を傷つけること
がないので導通不良を防止できる。
２つの頂点を順次マーカーとしてダイシングするのでダ
イシング寸法精度は±０．１ｍｍ以内に管理することが
できる。その結果ダイシング時に金属層を傷つけること
がないので導通不良を防止できる。
そして透光性樹脂を凹部より広い範囲に覆っているので
透光性樹脂と金属層の密着性が向上し、透光性樹脂の剥
離が防止できる。その結果、両者の隙間からの不純物等
の侵入による発光ダイオードの損傷を防止し、発光ダイ
オード装置の寿命が長くなる。
透光性樹脂と金属層の密着性が向上し、透光性樹脂の剥
離が防止できる。その結果、両者の隙間からの不純物等
の侵入による発光ダイオードの損傷を防止し、発光ダイ
オード装置の寿命が長くなる。
さらに、基板の縦方向に設けた７字溝の頂点をマーカー
にすることにより、ダイシング寸法精度を±０．１ｍｍ
以内に管理することができる。その結果、等間隔にダイ
シングできるので凹部と側面との間の肉厚を一定に維持
することができ、発光ダイオード装置の均一強度が確保
でき、こわれにくくなる。
にすることにより、ダイシング寸法精度を±０．１ｍｍ
以内に管理することができる。その結果、等間隔にダイ
シングできるので凹部と側面との間の肉厚を一定に維持
することができ、発光ダイオード装置の均一強度が確保
でき、こわれにくくなる。
そして第２の金属層の端部を基板の頂面に設は凹部の底
面に第１の金属層の端部および発光ダイオードを設ける
ことにより、凹部の底面の面積を小さくできるので、発
光面積が小さくなり狭指向性が要求される需要を満足さ
せることができる。
面に第１の金属層の端部および発光ダイオードを設ける
ことにより、凹部の底面の面積を小さくできるので、発
光面積が小さくなり狭指向性が要求される需要を満足さ
せることができる。
第１図は本発明の第１実施例に於ける基板の平面図、第
２図はそれの発光ダイオード装置の平面図、第３図は第
２図のＣＣ断面図、第４図は本発明の第２実施例に於け
る基板の平面図、第５図は本発明の第３実施例に於ける
発光ダイオード装置の断面図、第６図は従来の装置に於
ける基板の平面図、第７図はそれの発光ダイオード装置
の断面図である。 １．１５・・・基板、２・・・凹部、３・・・スルーホ
ール。 ４・・・第１の金属層、５・・・第１の金属層の端部。 ６・・・頂面、７・・・裏面、８．１８・・・第２の金
属層。 ９、 ド。 １９・・・第２の金属層の端部、１０・・・発光ダイオ
−１２・・・透光性樹脂、１３・・・発光ダイオード装
置。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣（外２名） 第４図
２図はそれの発光ダイオード装置の平面図、第３図は第
２図のＣＣ断面図、第４図は本発明の第２実施例に於け
る基板の平面図、第５図は本発明の第３実施例に於ける
発光ダイオード装置の断面図、第６図は従来の装置に於
ける基板の平面図、第７図はそれの発光ダイオード装置
の断面図である。 １．１５・・・基板、２・・・凹部、３・・・スルーホ
ール。 ４・・・第１の金属層、５・・・第１の金属層の端部。 ６・・・頂面、７・・・裏面、８．１８・・・第２の金
属層。 ９、 ド。 １９・・・第２の金属層の端部、１０・・・発光ダイオ
−１２・・・透光性樹脂、１３・・・発光ダイオード装
置。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣（外２名） 第４図
Claims (1)
- （１）縦と横に順次整列した複数の凹部と六角形状のス
ルーホールを有する基板に於て、第１の金属層と第２の
金属層の少なくとも１方の端部が前記凹部の底面に位置
し、それぞれが前記基板の頂面と前記スルーホールを通
り互いに対向して裏面に延びる様に形成する工程と、前
記端部の上に発光ダイオードを固着し該発光ダイオード
に配線処理し前記凹部より広い範囲を透光性樹脂で覆う
工程と、前記凹部の１辺に平行になる様、前記六角形状
のスルーホールの２つの頂点を順次結んで切断する工程
を含む発光ダイオード装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220364A JPH04102378A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220364A JPH04102378A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04102378A true JPH04102378A (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=16749981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2220364A Pending JPH04102378A (ja) | 1990-08-21 | 1990-08-21 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04102378A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5670797A (en) * | 1994-12-06 | 1997-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compact light-emitting device with sealing member and light-transmitting resin seal |
| JP2002064226A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-02-28 | Agilent Technol Inc | 光 源 |
| US6686609B1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-02-03 | Ultrastar Limited | Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same |
| JP2005183993A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Lumileds Lighting Us Llc | Ｌｅｄパッケージ組立体 |
| WO2023008158A1 (ja) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 株式会社日立ハイテク | 吸光光度測定装置およびそれを備えた生化学分析装置 |
-
1990
- 1990-08-21 JP JP2220364A patent/JPH04102378A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5670797A (en) * | 1994-12-06 | 1997-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compact light-emitting device with sealing member and light-transmitting resin seal |
| US5814837A (en) * | 1994-12-06 | 1998-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compact light-emitting device with sealing member |
| US5882949A (en) * | 1994-12-06 | 1999-03-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of making compact light-emitting device with sealing member |
| JP2002064226A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-02-28 | Agilent Technol Inc | 光 源 |
| US6686609B1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-02-03 | Ultrastar Limited | Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same |
| JP2005183993A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Lumileds Lighting Us Llc | Ｌｅｄパッケージ組立体 |
| WO2023008158A1 (ja) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 株式会社日立ハイテク | 吸光光度測定装置およびそれを備えた生化学分析装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4967146A (en) | Semiconductor chip production and testing processes | |
| TWI447961B (zh) | 發光二極體封裝體 | |
| US4951119A (en) | Lead frame for semiconductor devices | |
| US20070018123A1 (en) | Surface mount type photo-interrupter and method for manufacturing the same | |
| EP1473776A2 (en) | Solid-state imaging device and method for producing the same | |
| JPH04102378A (ja) | 発光ダイオード装置の製造方法 | |
| US3577631A (en) | Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture | |
| JPS59185306A (ja) | 光集積回路の実装法 | |
| JPH03160768A (ja) | 同じ電子部品のアレーで混成回路装置を作製する方法 | |
| JPH0936432A (ja) | 横発光型ｌｅｄおよびその製造方法 | |
| JPH07326797A (ja) | 側面発光型の半導体発光装置を製造する方法 | |
| JPH065926A (ja) | チップ形発光ダイオード | |
| JP3139613B2 (ja) | 表面実装型半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JP2000196153A (ja) | チップ電子部品およびその製造方法 | |
| US3794883A (en) | Process for fabricating ge:hg infrared detector arrays and resulting article of manufacture | |
| KR100808644B1 (ko) | 표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법 | |
| JPH0422351B2 (ja) | ||
| JPH0793338B2 (ja) | ミニモールド型ｌｅｄの製造方法 | |
| JPH02260598A (ja) | 立体配線板の製造方法 | |
| JPH0685327A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH06283751A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS587886A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP7194518B2 (ja) | 電子部品、電子部品の製造方法、電子装置 | |
| JPH05218507A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS62291037A (ja) | 半導体チツプのダイボンデイング方法 |