JPH038765A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法Info
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- JPH038765A JPH038765A JP1143727A JP14372789A JPH038765A JP H038765 A JPH038765 A JP H038765A JP 1143727 A JP1143727 A JP 1143727A JP 14372789 A JP14372789 A JP 14372789A JP H038765 A JPH038765 A JP H038765A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title claims description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 abstract description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019603 Rh2O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- -1 5eOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910018162 SeO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004369 ThO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000473 manganese(VI) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N potassium monoxide Inorganic materials [K]O[K] NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
従来の技術
従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するSiCバリスタや、Z
nO系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するSiCバリスタや、Z
nO系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
1=(V/C)α
ここで、Iは電流、■は電圧、Cはバリスタ固有の定数
、αは電圧−電流非直線指数である。
、αは電圧−電流非直線指数である。
SiCバリスタのαは2〜7程度、ZnO系バリスタで
はαが50にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失tanδが5〜10%と大きい。
はαが50にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失tanδが5〜10%と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が5X104程度で、tanδが1%前後の半導
体コンデンサが利用されている。
誘電率が5X104程度で、tanδが1%前後の半導
体コンデンサが利用されている。
しかし、このような半導体コンデンサはサージなどによ
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさなくなったりする。
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさなくなったりする。
そこで最近になってSrTiO3を主成分とし、バリス
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるIC,L
SIなどの半導体素子の保護に利用されている。
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるIC,L
SIなどの半導体素子の保護に利用されている。
発明が解決しようとする課題
上記のSrTiO3を主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子は、ZnO系バリスタに比
べ誘電率が約10倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
サの両方の機能を有する素子は、ZnO系バリスタに比
べ誘電率が約10倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が大きく、バリスタ電圧が低
(、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを目的とするものである。
(、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、S r a
T i 03 (0.950≦h≦1.000)
(以下第1成分と呼ぶ)を90.000〜99.99
8mo 1%、Nb2O5,Ta205.WO3,Dy
2O3,Y2O3,La2O3,CeO2,Sm2O3
,P r6ONd203のうち少なくとも1種類以上(
以下第2成分と呼ぶ)を0.001〜5.000mo
1%。
T i 03 (0.950≦h≦1.000)
(以下第1成分と呼ぶ)を90.000〜99.99
8mo 1%、Nb2O5,Ta205.WO3,Dy
2O3,Y2O3,La2O3,CeO2,Sm2O3
,P r6ONd203のうち少なくとも1種類以上(
以下第2成分と呼ぶ)を0.001〜5.000mo
1%。
Al20z、5b203.Bad、BeO,Pb0゜B
2O3,Cr20v、Fe2O:+、CdO,に20゜
CaO,Co2O3,Cr2O3,Fe2O3,CdO
,K2O,CaO,Co2O3,CuO,Cu2O,L
i2O。
2O3,Cr20v、Fe2O:+、CdO,に20゜
CaO,Co2O3,Cr2O3,Fe2O3,CdO
,K2O,CaO,Co2O3,CuO,Cu2O,L
i2O。
L i F、MgO,MnO2,MnO3,Na2O。
NaF,NiO,Rh2O3,5eOx、Ag2O。
SiO2,S i C,S ro、T 1203.Th
02゜T i 02 、 V2O5,B 1203.
Z no、ZrO2゜SnO2のうち少なくとも1種類
以上(以下第3成分と呼ぶ)を0.001〜5.000
mo 1%含有してなる主成分100重量部と、SrT
iO360.000〜32.500mo 1%,SiO
240.000〜67.500mo 1%からなる1昆
合物を1200〜1300℃で焼成してなる添加物(以
下第4成分と呼ぶ)0.001〜10.000重量部と
からなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得ること
により問題を解決しようとするものである。
02゜T i 02 、 V2O5,B 1203.
Z no、ZrO2゜SnO2のうち少なくとも1種類
以上(以下第3成分と呼ぶ)を0.001〜5.000
mo 1%含有してなる主成分100重量部と、SrT
iO360.000〜32.500mo 1%,SiO
240.000〜67.500mo 1%からなる1昆
合物を1200〜1300℃で焼成してなる添加物(以
下第4成分と呼ぶ)0.001〜10.000重量部と
からなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得ること
により問題を解決しようとするものである。
また、上記組成物を1100℃以上で焼成するバリスタ
の製造方法、あるいは上記組成物を1100℃以上で焼
成した後、還元性雰囲気中で1200℃以上で焼成し、
その後酸化性雰囲気中で900〜1300°Cで焼成す
るバリスタの製造方法を提案するものである。
の製造方法、あるいは上記組成物を1100℃以上で焼
成した後、還元性雰囲気中で1200℃以上で焼成し、
その後酸化性雰囲気中で900〜1300°Cで焼成す
るバリスタの製造方法を提案するものである。
作用
上記の発明において第1成分は主たる成分であり、第2
成分は主に第1成分の半導体化を促進する金属酸化物で
ある。また、第3成分は誘電率。
成分は主に第1成分の半導体化を促進する金属酸化物で
ある。また、第3成分は誘電率。
α、サージ耐量の改善に寄与するものであり、第4成分
はバリスタ電圧の低下、誘電率の改善に有効なものであ
る。特に、第4成分は融点が1230〜1250℃と比
較的低いため、融点前後の温度で焼成すると液相となり
、その他の成分の反応を促進すると共に粒子の成長を促
進する。そのため粒界部分に第3成分が偏析しやす(な
り、粒界が高抵抗化され易くなり、バリスタ機能および
コンデンサ機能が改善される。また、粒成長が促進され
るためバリスタ電圧が低(なり、粒径の均一性が向上す
るため特性の安定性がよくなり、特にサージ耐量が改善
されることとなる。
はバリスタ電圧の低下、誘電率の改善に有効なものであ
る。特に、第4成分は融点が1230〜1250℃と比
較的低いため、融点前後の温度で焼成すると液相となり
、その他の成分の反応を促進すると共に粒子の成長を促
進する。そのため粒界部分に第3成分が偏析しやす(な
り、粒界が高抵抗化され易くなり、バリスタ機能および
コンデンサ機能が改善される。また、粒成長が促進され
るためバリスタ電圧が低(なり、粒径の均一性が向上す
るため特性の安定性がよくなり、特にサージ耐量が改善
されることとなる。
実施例
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
まず、SrTiO3.5iOzを下記の第1表に示すよ
うに組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで20
8 r混合する。次に、乾燥した後、下記の第1表1こ
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで208 r粉砕した後、乾燥し、第4成分とする。
うに組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで20
8 r混合する。次に、乾燥した後、下記の第1表1こ
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで208 r粉砕した後、乾燥し、第4成分とする。
次いで、第1成分、第2成分、第3成分、第4成分を下
記の第1表に示した組成比になるように秤量し、ボール
ミルなどで24Hr混合した後、乾燥し、ポリビニルア
ルコールなどの有機バインダーを10wt%添加して造
粒した後、1 (t /cnf )のプレス圧力で10
φXi”(mm)の円板状に成形し、1000℃で10
Hr焼成し脱バインダーする。次に、第1表に示したよ
うに温度を種々変えて4Hr焼成(第1焼成〉し、その
後還元性雰囲気、例えばN2 :H2=9:1のガス中
で温度を種々変えて4Hr焼成(第2焼成)する。さら
にその後、酸化性雰囲気中で温度を種々変えて2 Hr
焼成(第3焼成)する。
記の第1表に示した組成比になるように秤量し、ボール
ミルなどで24Hr混合した後、乾燥し、ポリビニルア
ルコールなどの有機バインダーを10wt%添加して造
粒した後、1 (t /cnf )のプレス圧力で10
φXi”(mm)の円板状に成形し、1000℃で10
Hr焼成し脱バインダーする。次に、第1表に示したよ
うに温度を種々変えて4Hr焼成(第1焼成〉し、その
後還元性雰囲気、例えばN2 :H2=9:1のガス中
で温度を種々変えて4Hr焼成(第2焼成)する。さら
にその後、酸化性雰囲気中で温度を種々変えて2 Hr
焼成(第3焼成)する。
こうして得られた第1図および第2図に示す焼結体1の
両平面に外周を残すようにしてAgなどの導電性ペース
トをスクリーン印刷などにより塗布し、600℃、5m
1nで焼成し、電極2,3を形成する。次に、半田など
によりリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗装す
る。このようにして得られた素子の特性を下記の第2表
に示す。
両平面に外周を残すようにしてAgなどの導電性ペース
トをスクリーン印刷などにより塗布し、600℃、5m
1nで焼成し、電極2,3を形成する。次に、半田など
によりリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗装す
る。このようにして得られた素子の特性を下記の第2表
に示す。
なお、見掛は誘電率はIKHzでの静電容量から計算し
たものであり、αは a = 1 / L o g (V+omA/ V+m
A )(ただし、VlmA、VlomAは1mA、10
mAの電流を流した時に素子の両端にかかる電圧である
。)で評価した。また、サージ耐量はパルス性の電流を
印加した後のV 1 m Aの変化率が±10%以内で
ある時の最大のパルス性電流値により評価している。
たものであり、αは a = 1 / L o g (V+omA/ V+m
A )(ただし、VlmA、VlomAは1mA、10
mAの電流を流した時に素子の両端にかかる電圧である
。)で評価した。また、サージ耐量はパルス性の電流を
印加した後のV 1 m Aの変化率が±10%以内で
ある時の最大のパルス性電流値により評価している。
(以 下 余 白 )
また、第1成分の5raTi03のaの範囲を規定した
のは、aが1.000よりも太き(なると格子欠陥が発
生しに(いため半導体化が促進されず、V mAが高
くなりすぎて特性が劣化し、方0.950より小さくな
るとTi過剰になりすぎてTiO2の結晶が生成し、組
織が不均一になり特性が劣化するためである。さらに、
第2成分は0.001mo 1%未満では効果を示さず
、5、000mol%を越えると粒界に偏析して粒界の
高抵抗化を抑制し、粒界に第2相を形成するため特性が
劣化するものである。また、第3成分はO,OO1mo
l%未満では効果を示さず、5、000mo 1%を超
えると粒界に偏析して第2相を形成するため特性が劣化
するものである。
のは、aが1.000よりも太き(なると格子欠陥が発
生しに(いため半導体化が促進されず、V mAが高
くなりすぎて特性が劣化し、方0.950より小さくな
るとTi過剰になりすぎてTiO2の結晶が生成し、組
織が不均一になり特性が劣化するためである。さらに、
第2成分は0.001mo 1%未満では効果を示さず
、5、000mol%を越えると粒界に偏析して粒界の
高抵抗化を抑制し、粒界に第2相を形成するため特性が
劣化するものである。また、第3成分はO,OO1mo
l%未満では効果を示さず、5、000mo 1%を超
えると粒界に偏析して第2相を形成するため特性が劣化
するものである。
また、第4成分はSrTiO3とSiO2の2成分系の
相図のなかでMg5rO360.000〜32.500
mol%、5iCh 40.000〜67.500m
ol%の範囲内のものは最も融点の低い領域の物質であ
り、その範回外では融点が高(なるものである。また、
第4成分の添加量は、0.001重量部未満では効果を
示さず、10.000!量部を越えると粒界の抵抗は高
(なるが粒界の幅が厚くなるため、静電容量が小さくな
ると共にVl mAが高くなり、サージに対して弱(な
るものである。また、第4成分の焼成温度を規定したの
は、低融点の第4成分が合成される温度が1200℃以
上であるためである。そして、第1焼成の温度を規定し
たのは、第4成分の融点が1230〜1250℃である
ため、1100℃以上の温度で焼成すると第4成分が液
相に近い状態になって焼結が促進されるためであり、1
100℃未満では第4成分の液相焼結効果がないためで
ある。また、第2焼成の温度を規定したのは、1200
°C未満では第1焼成後の焼結体が十分に還元されず、
バリスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである
。さらに、第3焼成の温度を規定したのは、900℃未
満では粒界の高抵抗化が十分に進まないため、Vl m
Aが低くなりすぎバリスタ特性が劣化するためであり、
1300℃を越えると静電容量が小さくなりすぎコンデ
ンサ特性が劣化するためである。また、第1焼成の雰囲
気は酸化性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果があ
ることを確認した。
相図のなかでMg5rO360.000〜32.500
mol%、5iCh 40.000〜67.500m
ol%の範囲内のものは最も融点の低い領域の物質であ
り、その範回外では融点が高(なるものである。また、
第4成分の添加量は、0.001重量部未満では効果を
示さず、10.000!量部を越えると粒界の抵抗は高
(なるが粒界の幅が厚くなるため、静電容量が小さくな
ると共にVl mAが高くなり、サージに対して弱(な
るものである。また、第4成分の焼成温度を規定したの
は、低融点の第4成分が合成される温度が1200℃以
上であるためである。そして、第1焼成の温度を規定し
たのは、第4成分の融点が1230〜1250℃である
ため、1100℃以上の温度で焼成すると第4成分が液
相に近い状態になって焼結が促進されるためであり、1
100℃未満では第4成分の液相焼結効果がないためで
ある。また、第2焼成の温度を規定したのは、1200
°C未満では第1焼成後の焼結体が十分に還元されず、
バリスタ特性、コンデンサ特性共に劣化するためである
。さらに、第3焼成の温度を規定したのは、900℃未
満では粒界の高抵抗化が十分に進まないため、Vl m
Aが低くなりすぎバリスタ特性が劣化するためであり、
1300℃を越えると静電容量が小さくなりすぎコンデ
ンサ特性が劣化するためである。また、第1焼成の雰囲
気は酸化性雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果があ
ることを確認した。
なお、第2成分としては、上記実施例で挙げた成分以外
にSm2O3,P rso++、Nd2O5を用いるこ
とができ、かつ2種類以上を組み合せて上記範囲内の添
加量で用いてもよいものである。また、第3成分として
は、上記実施例で挙げた成分以外にBad、PbO,B
203 、Cab。
にSm2O3,P rso++、Nd2O5を用いるこ
とができ、かつ2種類以上を組み合せて上記範囲内の添
加量で用いてもよいものである。また、第3成分として
は、上記実施例で挙げた成分以外にBad、PbO,B
203 、Cab。
CuO,Li20.LiF、Na20.NaF。
Rh2O3、SeO2,S io2.S ro。
ThO2,Ti0z 、を用いることができ、かつ第2
成分と同様に2種類以上を組合せて上述した範囲内の添
加量で用いてもよいものである。さらに、上記実施例で
はこれら添加物の組合せについては一部のみ示している
が、その他の組合せでも同様の効果が得られることが確
認された。
成分と同様に2種類以上を組合せて上述した範囲内の添
加量で用いてもよいものである。さらに、上記実施例で
はこれら添加物の組合せについては一部のみ示している
が、その他の組合せでも同様の効果が得られることが確
認された。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、粒子径が大きいた
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが大きく、粒
子径のばらつきが小さいことからサージ電流が素子に均
一に流れるため、サージ耐量が大きくなるという効果が
得られる。
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが大きく、粒
子径のばらつきが小さいことからサージ電流が素子に均
一に流れるため、サージ耐量が大きくなるという効果が
得られる。
第1図は本発明による素子を示す上面図、第2図は本発
明による素子を示す断面図である。 1・・・・・・焼結体、2,3・・・・・・電極。
明による素子を示す断面図である。 1・・・・・・焼結体、2,3・・・・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)Sr_aTiO_3(0.950≦a≦1.00
0)を90.000〜99.998mol%,Nb_2
O_5,Ta_2O_5,WO_3,Dy_2O_3,
Y_2O_3,La_2O_3,CeO_2,Sm_2
O_3,Pr_6O_1_1,Nd_2O_3のうち少
なくとも1種類以上を0.001〜5.000mol%
,Al_2O_3,Sb_2O_3,BaO,BeO,
PbO,B_2O_3,Cr_2O_3,Fe_2O_
3,CdO,K_2O,CaO,Co_2O_3,Cu
O,Cu_2O,Li_2O,LiF,MgO,MnO
_2,MoO_3,Na_2O,NaF,NiO,Rh
_2O_3,SeO_2,Ag_2O,SiO_2,S
iC,SrO,Tl_2O_3,ThO_2,TiO_
2,V_2O_5,Bi_2O_3,ZnO,ZrO_
2,SnO_2のうち少なくとも1種類以上を0.00
1〜5.000mol%含有してなる主成分100重量
部と、SrTiO_3 60.000〜32.500mol%,SiO_240
.000〜67.500mol%からなる混合物を12
00℃以上で焼成してなる添加物0.001〜10.0
00重量部とからなることを特徴とする電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物。 (2)Sr_aTiO_3(0.950≦a≦1.00
0)を90.000〜99.998mol%,Nb_2
O_5,Ta_2O_5,WO_3,Dy_2O_3,
Y_2O_3,La_2O_3,CeO_2,Sm_2
O_3,Pr_6O_1_1,Nd_2O_3のうち少
なくとも1種類以上を0.001〜5.000mol%
,Al_2O_3,Sb_2O_3,BaO,BeO,
PbO,B_2O_3,Cr_2O_3,Fe_2O_
3,CdO,K_2O,CaO,Co_2O_3,Cu
O,Cu_2O,Li_2O,LiF,MgO,MnO
_2,MoO_3,Na_2O,NaF,NiO,Rh
_2O_3,SeO_2,Ag_2O,SiO_2,S
iC,SrO,Tl_2O_3,ThO_2,TiO_
2,V_2O_5,Bi_2O_3,ZnO,ZrO_
2,SnO_2のうち少なくとも1種類以上を0.00
1〜5.000mol%含有してなる主成分100重量
部と、SrTiO_3 60.000〜32.500mol%,SiO_240
.000〜67.500mol%からなる混合物を12
00℃以上で焼成してなる添加物0.001〜10.0
00重量部とからなる組成物を1100℃以上で焼成し
たことを特徴とするバリスタの製造方法。 (3)Sr_aTiO_3(0.950≦a≦1.00
0)を90.000〜99.998mol%,Nb_2
O_5,Ta_2O_5,WO_3,Dy_2O_3,
Y_2O_3,La_2O_3,CeO_2,Sm_2
O_3,Pr_6O_1_1,Nd_2O_3のうち少
なくとも1種類以上を0.001〜5.000mol%
,Al_2O_3,Sb_2O_3,BaO,BeO,
PbO,B_2O_3,Cr_2O_3,Fe_2O_
3,CdO,K_2O,CaO,Co_2O_3,Cu
O,Cu_2O,Li_2O,LiF,MgO,MnO
_2,MoO_3,Na_2O,NaF,NiO,Rh
_2O_3,SeO_2,Ag_2O,SiO_2,S
iC,SrO,Tl_2O_3,ThO_2,TiO_
2,V_2O_5,Bi_2O_3,ZnO,ZrO_
2,SnO_2のうち少なくとも1種類以上を0.00
1〜5.000mol%含有してなる主成分100重量
部と、SrTiO_3 60.000〜32.500mol%,SiO_240
.000〜67.500mol%からなる混合物を12
00℃以上で焼成してなる添加物0.001〜10.0
00重量部とからなる組成物を1100℃以上で焼成し
た後、還元性雰囲気中で1200℃以上で焼成し、その
後酸化性雰囲気中で900〜1300℃で焼成したこと
を特徴とするバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1143727A JPH038765A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1143727A JPH038765A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH038765A true JPH038765A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15345598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1143727A Pending JPH038765A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH038765A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994029236A1 (en) * | 1993-06-09 | 1994-12-22 | The United States Of America, Represented By The | NOVEL CERAMIC FERROELECTRIC COMPOSITE MATERIAL - BSTO-MgO |
US5427988A (en) * | 1993-06-09 | 1995-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ceramic ferroelectric composite material - BSTO-MgO |
US5569632A (en) * | 1994-06-30 | 1996-10-29 | Korea Institute Of Science And Technology | Compositions of high frequency dielectrics |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1143727A patent/JPH038765A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994029236A1 (en) * | 1993-06-09 | 1994-12-22 | The United States Of America, Represented By The | NOVEL CERAMIC FERROELECTRIC COMPOSITE MATERIAL - BSTO-MgO |
US5427988A (en) * | 1993-06-09 | 1995-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ceramic ferroelectric composite material - BSTO-MgO |
US5569632A (en) * | 1994-06-30 | 1996-10-29 | Korea Institute Of Science And Technology | Compositions of high frequency dielectrics |
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