JPH0383291A - スイッチング・メモリ複合機能素子 - Google Patents
スイッチング・メモリ複合機能素子Info
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- JPH0383291A JPH0383291A JP1218822A JP21882289A JPH0383291A JP H0383291 A JPH0383291 A JP H0383291A JP 1218822 A JP1218822 A JP 1218822A JP 21882289 A JP21882289 A JP 21882289A JP H0383291 A JPH0383291 A JP H0383291A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、特に光信号によるスイッチングおよびメモ
リが可能な素子、例えば、メモリ素子、スイッチング素
子、視覚擬似素子、電子写真感光体等を始めとして広く
情報産業分野において用い得るスイッチング・メモリ複
合機能素子に関するものである。
リが可能な素子、例えば、メモリ素子、スイッチング素
子、視覚擬似素子、電子写真感光体等を始めとして広く
情報産業分野において用い得るスイッチング・メモリ複
合機能素子に関するものである。
従来の技術
光信号によるスイッチング機能を有する素子としては、
フォトトランジスタが良く知られているが、メモリ機能
は有していない。
フォトトランジスタが良く知られているが、メモリ機能
は有していない。
また、最近では、絶縁性有機薄膜層で導電層(または半
導体層)をサンドイッチし、一対の電極間に設けた構成
の光スイツチング素子が提案されている(特開昭83−
160385号公報)。しかし、この素子も、メモリ機
能を有しておらず、しかも、構造が複雑であり、製造コ
ストが高く、製造自体も困難であり、実用性に乏しい。
導体層)をサンドイッチし、一対の電極間に設けた構成
の光スイツチング素子が提案されている(特開昭83−
160385号公報)。しかし、この素子も、メモリ機
能を有しておらず、しかも、構造が複雑であり、製造コ
ストが高く、製造自体も困難であり、実用性に乏しい。
一方、従来、電子写真用感光体として、ポリビニルカル
バゾール/トリニトロフルオレノン、フタロシアニンな
どの有機系感光体が知られている。
バゾール/トリニトロフルオレノン、フタロシアニンな
どの有機系感光体が知られている。
これらの感光体は、光照射(画像投影)している間だけ
光の当たっている領域が低抵抗状態になることを利用し
たものである。ただ、光照射を止めれば、低抵抗状態が
解除されるので、潜像がメモリされる訳ではない、m像
がメモリできれば、1回の複写を行う毎に画像投影セす
る必要がなく、1回の画像投影で何度も繰り返し複写す
ることが可能になる。最近、上記の電子写真感光体にお
いて、Cu / T CN Qのもつメモリ機能を組み
合わせ潜像をメモリするようにし、1回の画像投影で複
数回の複写が行えるようにする方法が提案されている(
電子写真学会誌第24巻第86頁 1986年)。
光の当たっている領域が低抵抗状態になることを利用し
たものである。ただ、光照射を止めれば、低抵抗状態が
解除されるので、潜像がメモリされる訳ではない、m像
がメモリできれば、1回の複写を行う毎に画像投影セす
る必要がなく、1回の画像投影で何度も繰り返し複写す
ることが可能になる。最近、上記の電子写真感光体にお
いて、Cu / T CN Qのもつメモリ機能を組み
合わせ潜像をメモリするようにし、1回の画像投影で複
数回の複写が行えるようにする方法が提案されている(
電子写真学会誌第24巻第86頁 1986年)。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、この提案されている電子写真感光体は、
構成が複雑で製造が難しく、また、コストも高いことか
ら実用性に乏しい。
構成が複雑で製造が難しく、また、コストも高いことか
ら実用性に乏しい。
この発明は、上記の事情に鑑み、光信号によるスイッチ
ングおよびメモリの両機能を有するとともに、単純な材
料構成であり、かつ、単純な構造であって、しかも、製
造自体が容易で製造コストも低いスイッチング・メモリ
複合機能素子を提供することを課題とする。
ングおよびメモリの両機能を有するとともに、単純な材
料構成であり、かつ、単純な構造であって、しかも、製
造自体が容易で製造コストも低いスイッチング・メモリ
複合機能素子を提供することを課題とする。
課題を解決するための手段
前記課題を解決するため、請求項1記載のスイッチング
・メモリ複合素子は、スイッチング機能とメモ11機能
を有する薄膜が対向する一対の電極により挾まれてなり
、前記スイッチング機能は、前記電極に閾値電圧以上の
電圧が印加されると、前記薄膜が高抵抗状態から低抵抗
状態へと変化することで発揮され、前記閾値電圧は、光
照射状態では非光照射状態より低くなるようになってい
るとともに、前記メモリ機能は、前記薄膜が低抵抗状態
を少なくとも一定期間持続することで発揮され、前記低
抵抗状態を逆電圧印加により高抵抗状態に復帰すること
で解除されろようになっている。
・メモリ複合素子は、スイッチング機能とメモ11機能
を有する薄膜が対向する一対の電極により挾まれてなり
、前記スイッチング機能は、前記電極に閾値電圧以上の
電圧が印加されると、前記薄膜が高抵抗状態から低抵抗
状態へと変化することで発揮され、前記閾値電圧は、光
照射状態では非光照射状態より低くなるようになってい
るとともに、前記メモリ機能は、前記薄膜が低抵抗状態
を少なくとも一定期間持続することで発揮され、前記低
抵抗状態を逆電圧印加により高抵抗状態に復帰すること
で解除されろようになっている。
このような特性をもつ薄膜としては、例えば有機物薄膜
、具体的には、請求項2の発明の如く、鉛フタロシアニ
ンからなる薄膜であって、特に単斜晶系を多く含む結晶
構造を有するとともに、C軸が電極表面に平行な向きに
配向しているものが適している。
、具体的には、請求項2の発明の如く、鉛フタロシアニ
ンからなる薄膜であって、特に単斜晶系を多く含む結晶
構造を有するとともに、C軸が電極表面に平行な向きに
配向しているものが適している。
上記の有機物薄膜は、基本的に光導電性をもつとともに
結晶軸が特定の方向に揃って(配向し)いて、電気電導
に異方性をもっている。薄膜は電極(この電極が基材を
兼ねることもある)表面上に形成されるが、高導電結晶
軸を主として電極表面に平行となる向きに配向するよう
にするのである。もちろん、電圧(電界)は高導電結晶
軸と垂直の方向に印加することになる。
結晶軸が特定の方向に揃って(配向し)いて、電気電導
に異方性をもっている。薄膜は電極(この電極が基材を
兼ねることもある)表面上に形成されるが、高導電結晶
軸を主として電極表面に平行となる向きに配向するよう
にするのである。もちろん、電圧(電界)は高導電結晶
軸と垂直の方向に印加することになる。
作用
この発明において、機構は十分に詳かではないが、光信
号によるスイッチングおよびスイッチ状態のメモリがで
き、しかもメモリ状態の解除も可能である。
号によるスイッチングおよびスイッチ状態のメモリがで
き、しかもメモリ状態の解除も可能である。
実施例
以下に本発明の実施例を鉛フタロシアニン薄膜の場合を
例にとって、スイッチング機能およびメモリ機能に関し
詳しく説明する。
例にとって、スイッチング機能およびメモリ機能に関し
詳しく説明する。
光照射しない状態(暗状態)では、第1図に実線で示す
ように、印加電圧Vく閾値電圧vthである場合、薄膜
は高抵抗R,1状態を維持するが、印加電圧≧閾値電圧
vthとなった場合、薄膜は高抵抗R,状態から低抵抗
R3状態に変化する。つまりスイッチング機能が発揮さ
れるのである。−且、低抵抗R13状態に変化すると、
この状態が少なくとも一定期間持続する。つまりメモリ
機能が発揮されるのである。しかし、第1図にみるよう
に、逆電圧を印加すれば、低抵抗R3状態を元の高抵抗
凡l状態に強制的に復帰させられる。メモリ状態が解除
されるのである。
ように、印加電圧Vく閾値電圧vthである場合、薄膜
は高抵抗R,1状態を維持するが、印加電圧≧閾値電圧
vthとなった場合、薄膜は高抵抗R,状態から低抵抗
R3状態に変化する。つまりスイッチング機能が発揮さ
れるのである。−且、低抵抗R13状態に変化すると、
この状態が少なくとも一定期間持続する。つまりメモリ
機能が発揮されるのである。しかし、第1図にみるよう
に、逆電圧を印加すれば、低抵抗R3状態を元の高抵抗
凡l状態に強制的に復帰させられる。メモリ状態が解除
されるのである。
光照射状態では、薄膜が高抵抗状態から低抵抗状態に変
化する閾値電圧の値が非光照射状態の場合に比べて低い
。第1図に破線で示すように、印加電圧vく閾値電圧V
th’である場合、薄膜は高抵抗R2状態にある。た
だ、この高抵抗凡2状態は先の高抵抗R,状態に比べ抵
抗値は低くなっている。これは、光照射に伴いキャリア
発生があるからである。そして、光照射状態において、
印加電圧V≧閾値電圧V 1.h’となると、薄膜(の
光の当たっている領域)は高抵抗R2状態から低抵抗孔
4状態に変化する。−旦、低抵抗R4状態に変化すると
、この状態が一定期間持続する。しかし、第1図にみる
ように、逆電圧印加により、低抵抗R4状態を高抵抗状
態に強制的に復帰させることができる。勿論、ここで、
閾値電圧V ih’は閾値電圧Vthよりも低い電圧で
ある。
化する閾値電圧の値が非光照射状態の場合に比べて低い
。第1図に破線で示すように、印加電圧vく閾値電圧V
th’である場合、薄膜は高抵抗R2状態にある。た
だ、この高抵抗凡2状態は先の高抵抗R,状態に比べ抵
抗値は低くなっている。これは、光照射に伴いキャリア
発生があるからである。そして、光照射状態において、
印加電圧V≧閾値電圧V 1.h’となると、薄膜(の
光の当たっている領域)は高抵抗R2状態から低抵抗孔
4状態に変化する。−旦、低抵抗R4状態に変化すると
、この状態が一定期間持続する。しかし、第1図にみる
ように、逆電圧印加により、低抵抗R4状態を高抵抗状
態に強制的に復帰させることができる。勿論、ここで、
閾値電圧V ih’は閾値電圧Vthよりも低い電圧で
ある。
上のことから分かるように、この発明のスイッチング・
メモリ素子では、一対の電極にv th’以上〜vth
未満の電圧を印加し光信号を与えれば、高抵抗状態から
低抵抗状態への変化が起こると同時にこの変化が持続す
るという機能、すなわち、光スイツチ機能およびメモリ
機能が発揮される。
メモリ素子では、一対の電極にv th’以上〜vth
未満の電圧を印加し光信号を与えれば、高抵抗状態から
低抵抗状態への変化が起こると同時にこの変化が持続す
るという機能、すなわち、光スイツチ機能およびメモリ
機能が発揮される。
なお、低抵抗R4状態における抵抗値は、低抵抗R3状
態のそれに比べれば同じか低くなる。
態のそれに比べれば同じか低くなる。
このような特性の薄膜は、例えば、低次元導電異方性を
有する金属錯体、電荷移動錯体等でもって形成された薄
膜のうちに見られるが、勿論、これに限らないことはい
うまでもない。より具体的には、有機物は、フタロシア
ニンの金属錯体やポルフィリンの金属錯体等のような高
分子化合物の金属錯体、各種ドナーとアクセプターの組
み合わせ等で形成されるが、これに限らない。
有する金属錯体、電荷移動錯体等でもって形成された薄
膜のうちに見られるが、勿論、これに限らないことはい
うまでもない。より具体的には、有機物は、フタロシア
ニンの金属錯体やポルフィリンの金属錯体等のような高
分子化合物の金属錯体、各種ドナーとアクセプターの組
み合わせ等で形成されるが、これに限らない。
薄膜厚みは、0.01〜10μm程度、好ましくは0.
1〜6μm程度の範囲であるが、これに限らない。
1〜6μm程度の範囲であるが、これに限らない。
この発明における有機物薄膜は、真空蒸着法、スパッタ
リング等の通常の薄膜形状により作ることができるが、
低次元(好ましくは一次元)導電方向が電極方面に対し
平行の方向となるように結晶が配向するよう膜形成の制
御を行う。
リング等の通常の薄膜形状により作ることができるが、
低次元(好ましくは一次元)導電方向が電極方面に対し
平行の方向となるように結晶が配向するよう膜形成の制
御を行う。
この発明のスイッチング・メモリ複合機能素子は、例え
ば、第3図にみるように、基板4上に有機物薄膜1の表
面側に上電極2が裏面側に下電極3がくるように配設さ
れている。8.9はリード線である。
ば、第3図にみるように、基板4上に有機物薄膜1の表
面側に上電極2が裏面側に下電極3がくるように配設さ
れている。8.9はリード線である。
基板4は、ガラス、セラミックス、プラスチック、金属
等からなる。勿論、これらに限らない。
等からなる。勿論、これらに限らない。
電極2.3は、Au、i Ag、C’u、Cr5Pts
Ni。
Ni。
Pb、Zn、Sn、あるいは、I’rOの如き透明導電
体、半導体等の単独物、あるいは、複数併用の合金また
は積層構造物からなる。勿論、これらに限らない。また
、電極2.3は同一材料で形成してもよいし、それぞれ
異なる材料で形成してもよい。なお、光信号を薄膜に照
射するために、例えば、電極2.3の少なくとも一方を
透明導電材からなる電圧とするか、あるいは、実効的に
透明となる薄さの電極とする。
体、半導体等の単独物、あるいは、複数併用の合金また
は積層構造物からなる。勿論、これらに限らない。また
、電極2.3は同一材料で形成してもよいし、それぞれ
異なる材料で形成してもよい。なお、光信号を薄膜に照
射するために、例えば、電極2.3の少なくとも一方を
透明導電材からなる電圧とするか、あるいは、実効的に
透明となる薄さの電極とする。
この発明において、上記のように高抵抗状態から低抵抗
状態に変化する機構は十分に詳かではないが、例えば、
以下のような機構であると推察している。もちろん、こ
の発明は、この機構説明により何ら制限を受けるもので
はない。
状態に変化する機構は十分に詳かではないが、例えば、
以下のような機構であると推察している。もちろん、こ
の発明は、この機構説明により何ら制限を受けるもので
はない。
第2図(a)にみるように、低次元導電有機物薄膜1は
、基板4表面に平行に高導電カラム7を有しており、例
えば、AがアクセプターでBがドナーであれば、これら
は交互積層形の電荷移動錯体であるが、Aが金属錯体で
Bが軸配位子であったり、A、B共に金属錯体であった
りしてもよい。もちろん、カラム7と垂直の方向は十分
に電気絶縁(高抵抗)状態にある。なお、薄M1の両面
には電極(図示省略)が形成されている。
、基板4表面に平行に高導電カラム7を有しており、例
えば、AがアクセプターでBがドナーであれば、これら
は交互積層形の電荷移動錯体であるが、Aが金属錯体で
Bが軸配位子であったり、A、B共に金属錯体であった
りしてもよい。もちろん、カラム7と垂直の方向は十分
に電気絶縁(高抵抗)状態にある。なお、薄M1の両面
には電極(図示省略)が形成されている。
しかしながら、カラム7に欠陥が存在したり、あるいは
、カラム7間に相互作用が存在し得る場合には、カラム
7と垂直の方向に電圧が印加されれば、電界の存在領域
Eには、第2図(b)にみるように、カラム7の相互作
用が誘起され、この領域の抵抗値が低くなる。相互作用
は、電界による電荷移動に伴って新たな電荷移動錯体が
形成される場合、あるいは、電界による分子回転でカラ
ム間に低次元カラムが新たに形成される場合等に基づく
ものと推察される。
、カラム7間に相互作用が存在し得る場合には、カラム
7と垂直の方向に電圧が印加されれば、電界の存在領域
Eには、第2図(b)にみるように、カラム7の相互作
用が誘起され、この領域の抵抗値が低くなる。相互作用
は、電界による電荷移動に伴って新たな電荷移動錯体が
形成される場合、あるいは、電界による分子回転でカラ
ム間に低次元カラムが新たに形成される場合等に基づく
ものと推察される。
これらの状態は一定の緩和時間(例えば、数時間〜1日
、あるいはそれ以上)の間は保たれ、低抵抗状態がメモ
リされることとなる。緩和時間が過ぎるか、逆電界(逆
電圧)をかければ元の高抵抗状態に戻る。
、あるいはそれ以上)の間は保たれ、低抵抗状態がメモ
リされることとなる。緩和時間が過ぎるか、逆電界(逆
電圧)をかければ元の高抵抗状態に戻る。
また、光照射を行う場合、光により生じたキャリアの存
在により、絶縁方向の抵抗値が低くなり、これに伴い、
閾値電圧の低下がもたらされるのであろつと推察される
。
在により、絶縁方向の抵抗値が低くなり、これに伴い、
閾値電圧の低下がもたらされるのであろつと推察される
。
以下、更に詳しく説明する。
〈実施例1〉
洗浄処理したガラス基板を用い、これに、幅1間のスト
ライブ状下電極を形成した。この下電極は、2層積層構
成であって、下層が真空蒸着法により形成された厚み3
00大のOr層、上層が蒸着法により形成された厚み約
eooXのA、u層である。
ライブ状下電極を形成した。この下電極は、2層積層構
成であって、下層が真空蒸着法により形成された厚み3
00大のOr層、上層が蒸着法により形成された厚み約
eooXのA、u層である。
そして、この下電極上に厚み約5000’hの鉛フタロ
シアニン薄膜を積層形成した。この薄膜形成は、ガラス
基板を略常温状態にし、10 Torrの真空雰囲気
下、1’h7SEcの蒸着速度で行った。っいで、鉛フ
タロシアニン薄膜の上に幅1 mmのストライブ状上電
極を下電極に交差するようにして形成1〜だ。この上電
極は蒸着法により形成された厚み約600大のAu層の
単層構成である。
シアニン薄膜を積層形成した。この薄膜形成は、ガラス
基板を略常温状態にし、10 Torrの真空雰囲気
下、1’h7SEcの蒸着速度で行った。っいで、鉛フ
タロシアニン薄膜の上に幅1 mmのストライブ状上電
極を下電極に交差するようにして形成1〜だ。この上電
極は蒸着法により形成された厚み約600大のAu層の
単層構成である。
このようにして完成したスイッチング・メモリ複合機能
素子の鉛フタロシアニン薄膜をX線回折分析したところ
、C軸が電極表面と平行の向きに配向していることが確
認された。
素子の鉛フタロシアニン薄膜をX線回折分析したところ
、C軸が電極表面と平行の向きに配向していることが確
認された。
続いて、このスイッチング・メモリ複合機能素子の上下
電極に電圧を印加して動作を調べたところ以下の通った
なった。
電極に電圧を印加して動作を調べたところ以下の通った
なった。
スイッチング機能に関しては、非光照射状態(暗状態)
では高抵抗状態におけろ比抵抗が約109Ω−α、閾値
電圧が約20V、低抵抗状態におt:lる比抵抗が約1
0Ω−硼となり、光照射下では第1図6に示すように閾
値電圧約10Vで低抵抗状態(ON状態)になった。こ
の低抵抗状態継続時間は24時間以上あり、逆バイアス
をかけると元のOFF (高抵抗)状態に復帰した。
では高抵抗状態におけろ比抵抗が約109Ω−α、閾値
電圧が約20V、低抵抗状態におt:lる比抵抗が約1
0Ω−硼となり、光照射下では第1図6に示すように閾
値電圧約10Vで低抵抗状態(ON状態)になった。こ
の低抵抗状態継続時間は24時間以上あり、逆バイアス
をかけると元のOFF (高抵抗)状態に復帰した。
〈実施例2〉
続いて、他の実施例について説明する。
実施例1と同様、洗浄処理したガラス基板を用い、これ
に、幅11110ストライプ状下電極を形成した。この
下電極は2層積層構戊であって、下層が真空蒸着法によ
り形成された厚み300大の0「層、上層が蒸着法によ
り形成された厚み約6ooXのA u層である。
に、幅11110ストライプ状下電極を形成した。この
下電極は2層積層構戊であって、下層が真空蒸着法によ
り形成された厚み300大の0「層、上層が蒸着法によ
り形成された厚み約6ooXのA u層である。
そして、この下電極付ガラス基板を、直径10(1mの
)l型ガラス管上部に設置するとともに、H型ガラス管
の底部にそれぞれp−クロラニル粉末、テトラチオフル
バレン粉末を入れ、ロータリーポンプで減圧雰囲気とす
るとともに、窒素ガスを導入した状態で50〜100℃
に加熱した。目視で基板表面を観察しつつ、窒素ガスお
よび加熱温度の調整を行い、電極表面に厚み1μmの薄
膜を形成した。この後、真空ペルジャー中に基板を置い
て、実施例1と同様、上電極を形成した。
)l型ガラス管上部に設置するとともに、H型ガラス管
の底部にそれぞれp−クロラニル粉末、テトラチオフル
バレン粉末を入れ、ロータリーポンプで減圧雰囲気とす
るとともに、窒素ガスを導入した状態で50〜100℃
に加熱した。目視で基板表面を観察しつつ、窒素ガスお
よび加熱温度の調整を行い、電極表面に厚み1μmの薄
膜を形成した。この後、真空ペルジャー中に基板を置い
て、実施例1と同様、上電極を形成した。
このスイッチング・メモリ複合機能素子の上下電極に実
施例1と同様に直流電圧を印加して動作を調べたところ
、非光照射状態(暗状態)においては、高抵抗状態にお
ける比抵抗が約1o Ω−1、閾値電圧が約66v、低
抵抗状態におけろ比抵抗が約10Ω−備を示し、た。ま
た光照射状態では高抵抗状態における比抵抗が約10Ω
−α、閾値電圧が約60Vでスイッチ1〜た。この場合
も低抵抗状態継続時間は24時間以上であり、逆バイア
スをかけることにより元の高抵抗の状態に復帰した。
施例1と同様に直流電圧を印加して動作を調べたところ
、非光照射状態(暗状態)においては、高抵抗状態にお
ける比抵抗が約1o Ω−1、閾値電圧が約66v、低
抵抗状態におけろ比抵抗が約10Ω−備を示し、た。ま
た光照射状態では高抵抗状態における比抵抗が約10Ω
−α、閾値電圧が約60Vでスイッチ1〜た。この場合
も低抵抗状態継続時間は24時間以上であり、逆バイア
スをかけることにより元の高抵抗の状態に復帰した。
く参考例〉
続いて、参考例について説明する。この発明のスイッチ
ング・メモリ複合機能素子では、一対の電極が薄膜を挾
むかたちとなっている。この参考例は、電極が薄膜を両
側から挾むかたちでなく、薄膜の同じ一側に並んだ状態
となっている。
ング・メモリ複合機能素子では、一対の電極が薄膜を挾
むかたちとなっている。この参考例は、電極が薄膜を両
側から挾むかたちでなく、薄膜の同じ一側に並んだ状態
となっている。
実施例1と同様の洗浄処理済ガラス基板を用い、表面に
幅1關の櫛歯状に入り組むストライブ状電極2本を間隔
0.02mmをあけて形成した。この電極は実施例1と
同様、C「下層とA、u上層からなる。ついで、実施例
1と同様にして鉛フタロシアニン薄膜を積層形成した。
幅1關の櫛歯状に入り組むストライブ状電極2本を間隔
0.02mmをあけて形成した。この電極は実施例1と
同様、C「下層とA、u上層からなる。ついで、実施例
1と同様にして鉛フタロシアニン薄膜を積層形成した。
この鉛フタロシアニン薄膜も、実施例1と同様、電極表
面と平行の向きにC軸が配向していた。
面と平行の向きにC軸が配向していた。
しかしながら、このスイッチング・メモリ複合機能素子
は、100Vの電圧を印加しても低抵抗状態へ変化しな
かった。100vの電圧を印加した状態で光照射したが
、やはり1桁程度導電性が高く九り、光照射を止めると
直ちにもとの抵抗値に戻った。単なる光導電性を示すた
けであり、スイッチング機能もメモリ機能も有していな
いのであるO 発明の効果 この発明のスイッチング・メモリ複合機能素子は、光信
号によるスイッチングおよびスイッチ状態のメモリがで
き、しかも、メモリ状態の解除も可能であり、優れた高
機能素子である。しかも、例えば、鉛フタロシアニン薄
膜を一対の電極で挾んでなるという単純な材料構成と単
純な構造で事足るとともに、通常の薄膜形成技術で容易
かつ低コストで製造することができるため、極めて実用
性に富む。
は、100Vの電圧を印加しても低抵抗状態へ変化しな
かった。100vの電圧を印加した状態で光照射したが
、やはり1桁程度導電性が高く九り、光照射を止めると
直ちにもとの抵抗値に戻った。単なる光導電性を示すた
けであり、スイッチング機能もメモリ機能も有していな
いのであるO 発明の効果 この発明のスイッチング・メモリ複合機能素子は、光信
号によるスイッチングおよびスイッチ状態のメモリがで
き、しかも、メモリ状態の解除も可能であり、優れた高
機能素子である。しかも、例えば、鉛フタロシアニン薄
膜を一対の電極で挾んでなるという単純な材料構成と単
純な構造で事足るとともに、通常の薄膜形成技術で容易
かつ低コストで製造することができるため、極めて実用
性に富む。
第1図は、この発明のスイッチング・メモリ複合機能素
子における印加電圧−電流特性をあられすグラフ、第2
図(a)、(b)は、このスイッチング・メモリ複合機
能素子の薄膜における導電機構を説明するための模式的
断面図、第3図は、この発明のスイッチング・メモリ複
合機能素子の一実施例をあられす断面図である。 1・・・有機物薄膜、2・・・上電極、3・・・下電極
、4・・・基材、 11 R2・・・高抵抗、 R3、 R4・・・低抵抗。
子における印加電圧−電流特性をあられすグラフ、第2
図(a)、(b)は、このスイッチング・メモリ複合機
能素子の薄膜における導電機構を説明するための模式的
断面図、第3図は、この発明のスイッチング・メモリ複
合機能素子の一実施例をあられす断面図である。 1・・・有機物薄膜、2・・・上電極、3・・・下電極
、4・・・基材、 11 R2・・・高抵抗、 R3、 R4・・・低抵抗。
Claims (1)
- (1)スイッチング機能とメモリ機能を有する薄膜が対
向する一対の電極により挾まれてなり、前記スイッチン
グ機能は、前記電極に閾値電圧以上の電圧が印加される
と、前記薄膜が高抵抗状態から低抵抗状態へと変化する
ことで発揮され、前記閾値電圧は、光照射状態では非光
照射状態より低くなるようになつているとともに、前記
メモリ機能は、前記薄膜が低抵抗状態を少なくとも一定
期間持続することで発揮され、前記低抵抗状態を逆電圧
印加により高抵抗状態に復帰することで解除されるスイ
ッチング・メモリ複合機能素子。(2)薄膜が鉛フタロ
シアニン薄膜である請求項1記載のスイッチング・メモ
リ複合機能素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1218822A JPH0383291A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | スイッチング・メモリ複合機能素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1218822A JPH0383291A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | スイッチング・メモリ複合機能素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0383291A true JPH0383291A (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=16725892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1218822A Pending JPH0383291A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | スイッチング・メモリ複合機能素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0383291A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6352395B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-03-05 | Nikken Kosakusho Works Ltd. | Tool holder and tool holder attachment mechanism |
JP2007000809A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 臭気性イオウ化合物除去装置 |
JP2007201435A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
WO2013038815A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | イメージセンサーおよび放射線画像撮影装置 |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1218822A patent/JPH0383291A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6352395B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-03-05 | Nikken Kosakusho Works Ltd. | Tool holder and tool holder attachment mechanism |
JP2007000809A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 臭気性イオウ化合物除去装置 |
JP2007201435A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
WO2013038815A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | イメージセンサーおよび放射線画像撮影装置 |
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