JP2987531B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、詳
しくは、駆動回路系に温度補償回路をもたないアクティ
ブ・マトリクス型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置の主流は、今では、単純マ
トリクス方式のパネルからアクティブ・マトリクス方式
に移行している。そのことは大面積の液晶パネルへの要
望がＯＡ機器や液晶TVなどから出されているのに由来し
ている。そして、このアクティブ・マトリクス方式では
各画素ごとに能動素子を設ける手段が採られている。

【０００３】ところで、前記能動素子の一つとしてＭＩ
Ｍ素子が多く用いられている。これはスイッチングに良
好な非線形な電流-電圧特性を示すためである。ＭＩＭ
素子としては、従来より、ガラス板のような絶縁基板上
に下部電極としてＴａ、Ａｌ、Ｔｉ等の金属電極を設
け、その上に前記金属の酸化物又はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ
等からなる絶縁膜を設け、更にその上に、上部電極とし
てＡｌ、Ｃｒ等の金属電極を設けたものが知られてい
る。

【０００４】しかし、絶縁体（絶縁膜）に金属酸化物を
用いたＭＩＭ素子（特開昭５７−１９６５８９号、同６
１−２３２６８９号、同６２−６２３３３号等の公報に
記載）の場合、絶縁膜は下部電極の陽極酸化又は熱酸化
により形成されるため、工程が複雑であり、しかも高温
熱処理を必要とし（陽極酸化法でも不純物の除去等を確
実にするには、高温熱処理が必要である）、また膜制御
性（膜質及び膜厚の均一性及び再現性）に劣る上、基板
が耐熱材料に限られること、及び、絶縁膜は物性が一定
な金属酸化物からなること等から、デバイスの材料やデ
バイス特性を自由に変えることができず、設計上の自由
度が狭いという欠点がある。これはＭＩＭ素子を組込ん
だ液晶表示装置からの仕様を十分に満たすデバイスを設
計・作製することが極めて困難であることを意味してい
る。

【０００５】さらに、後述のごとく、比誘電率εrと素
子の急峻性βとにはβ∝１／√（εｒ）の関係があり、
εｒの値が高いと急峻性は小さくなってしまい高密度の
表示には不適となる、等の欠点を有している。

【０００６】また、絶縁膜にＳｉＯｘやＳｉＮｘを用い
たＭＩＭ素子（特開昭６１−２７５８１９号公報に記
載）の場合、絶縁膜はプラズマＣＶＤ法、スパッタ法等
の気相法で成膜するが、基板温度が通常３００℃程度必
要であるため、低コスト基板は使用できず、また大面積
化の際、基板温度分布のため膜厚、膜質が不均一になり
易いという欠点がある。また、これらの絶縁膜を合成す
る際には気相でなされることから、ダストが多く発生
し、膜のピンホールが多いため素子の歩留りが低下す
る。更には、膜ストレスが大きく、膜剥離が起こり、こ
の点からも素子の歩留りが低下する。

【０００７】一方、液晶材料には一般に閾値電圧の温度
特性があり、また、従来の能動素子における温度依存性
などのため、液晶表示装置には温度補償回路が必要であ
る。そして、通常この温度補償回路は駆動回路系の一部
を形成するように設計されている。例えば、市販されて
いるＴａ−Ｔａ₂Ｏ₃−ＩＴＯ構造のＭＩＭ素子の駆動回
路系に組込んだ液晶表示装置（ＬＣＤ）では、温度補償
係数が１２０ｍＶ／℃と可成の大きな値となる〔日本学
術振興情報科学用有機材料第１４２委員会Ａ部会（液晶
部会）第３７回研究会資料（６２．６．１１）〕。その
具体例の１つとして、温度補償センサーを用いた液晶表
示装置が特開昭５８−１７６６２２号公報にも記載され
ている。

【０００８】従来において、液晶表示装置の駆動回路系
に温度補償回路が形成されている理由は一般に次のよう
に考えられている。それには、液晶表示装置の動作原理
から説明を進めるのが理解しやすいと思われる。

【０００９】アクティブマトリックス液晶表示装置の動
作原理は、選択時に能動素子がＯＮ状態（抵抗が小さく
なる）となって電流が流れ液晶層に電荷がチャージさ
れ、次に、非選択時には能動素子がＯＦＦ状態（抵抗が
高くなる）となって液晶層の電荷を保持したままにし、
この短い選択時間中にデーターを書き込み、それ以外は
電荷を保持した状態になっていることである。

【００１０】だが、選択時間中の能動素子の抵抗の温度
特性が大きいとチャージされる電荷量が変化し、液晶層
に加わる実効電圧が変化する。そして、この実効電圧の
変化量が大きいと表示特性に悪影響を及ぼす。

【００１１】アクティブマトリックス液晶表示装置に通
常用いられている液晶材料は、階調表示、能動素子特性
から、おおよそ Ｖ₁₀＝１．６〜２．０（Ｖ） Ｖ₉₀−Ｖ₁₀＝０．８〜１．４（Ｖ）好ましくは１．０〜
１．４（Ｖ） （但しＶ₁₀，Ｖ₉₀はそれぞれ相対透過率が１０％，９０
％になる電圧である。） である。

【００１２】また、この表示装置の駆動電圧は、１／４
００以上のディュティー比にあって、図１３に示した等
価回路のａ点−ｂ点間で１０〜３６Ｖ程度とされてい
る。下限の１０Ｖより低いと液晶層に十分な電荷がチャ
ージされなくなる。図１４からも判るように、液晶層に
十分な電荷がチャージされないと透過率が低くなって表
示不能となってしまう。上限の３６Ｖは一般的なもので
Ｉ．Ｃ．の耐電圧で決まるものである。

【００１３】従って、能動素子の温度特性（活性化エネ
ルギー）が大きいと、何等かの原因で温度変化が生じた
時にコントラストの変化が生じ表示特性が悪化すること
になる。そのため、一般には、駆動回路系の一部に温度
補償回路を設けて、駆動電圧を変化させるといった手段
が採用されているのである。

【００１４】だが、駆動回路系の一部に温度補償回路を
組込むことは装置自体が複雑となり、コスト高をまねく
ことが避けられない。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、温度
依存性が少ない能動素子を使用して液晶パネルをアクテ
ィブマトリクス駆動させることにより、駆動回路系に温
度補償回路の組み込みを不必要なものとし、低コストで
かつ高密度・高コントラストが得られる高品質の液晶表
示装置を提供するものである。本発明の他の目的は、能
動素子が低温で作製できるため多種類の安価な基板が使
用でき、加えて、低電圧駆動が行ないうる液晶表示装置
を提供するものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、一対の透明基
板間に液晶材料を挟持してなり、かつ、少なくとも一方
の基板上に設けられた複数個の画素電極の各々に少なく
とも１つの能動素子が接続されているアクティブ・マト
リクス型液晶表示装置において、前記能動素子はその駆
動電圧時での活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下であ
り、かつ、駆動回路系には温度補償回路を有していない
ことを特徴としている。

【００１７】本発明者らは、これまで液晶表示装置につ
いて多くの研究を行なってきたが、能動素子として温
度依存性の小さなものが用いられば駆動回路系に温度補
償回路を設けることなく液晶表示素子をアクティブマト
リクス駆動させることが可能となり、そうした能動素
子としては駆動電圧時での活性化エネルギーが０．２ｅ
Ｖ以下であるようなものの使用が有利であること、等を
確めた。本発明はこれらに基づいてなされたものであ
る。

【００１８】以下に、本発明を添付の図面を参照しなが
らさらに詳細に説明する。

【００１９】そこで、まず、本発明でいう「活性化エネ
ルギー」から説明を進めることにする。一般にバンド伝
導を示す材料の活性化エネルギーＥａは式（１） σ＝σ₀ｅｘｐ（−Ｅａ／ＲＴ） ・・・（１） で定義される。活性化エネルギーＥａは、電気伝導度σ
の温度依存性アレニウスプロット（σ ｖｔ １／Ｔプロ
ット）の傾きから求めることができる。この活性化エネ
ルギーは各材料固有の特性を表わすものである。

【００２０】本発明においての活性化エネルギーは、Ｉ
−Ｖ特性が非線形特性をもっている為、各印加電圧時の
能動素子の電流値の温度依存性をとり、アレニウス・プ
ロット（Ｉ ｖｔ １／Ｔプロット）を行ない、その傾き
から活性化エネルギーを求め、それを各印加電圧時の活
性化エネルギーとした。従って、ここでいう能動素子の
活性化エネルギーとは各印加電圧での電流値の温度依存
性を表わす値であり、式（１）で定義されている活性化
エネルギーと同一なものでない。

【００２１】図１１に能動素子の活性化エネルギーと印
加電圧依存性との関係を示した。これから判るように、
高電界においては印加電圧が高くなるほど活性化エネル
ギーが小さくなる。一方、低電界においてオーミック特
性を示す範囲においては式（１）で定義されている活性
化エネルギーと同じとなる。

【００２２】能動素子に使用されている活性層の活性化
エネルギーは式（１）での活性化エネルギーであり、本
発明でいう能動素子の活性化エネルギーとは異なるが、
図１１に示したように、活性層の活性化エネルギーと本
発明の能動素子の活性化エネルギーとは関係が深く、活
性層の活性化エネルギーが小さいと能動素子の活性化エ
ネルギーも小さくなる傾向がある。

【００２３】本発明の硬質炭素膜を用いたＭＩＭ素子で
は、硬質炭素膜の活性化エネルギーが低く、かつ、ＭＩ
Ｍ素子の活性化エネルギーも小さいため、他の材料を使
用したＭＩＭ素子に比べ温度変化が小さく、温度補償回
路を持たずに液晶パネルを駆動するのに有利である。

【００２４】表１に能動素子のＯＮ時の活性化エネルギ
ー（Ｅａ）と、室温２５℃を基準にして温度変化した時
の電流値変化（Ｉｔ／Ｉｏ）及び抵抗値変化（Ｒｔ／Ｒ
ｏ）を示した。活性化エネルギー（Ｅａ）が０．２ｅＶ
以下の場合、電流変化は±２８％以内であることがわか
る。

【００２５】

【表１−１】

【表１−２】

【表１−３】

【表１−４】

【００２６】図１２（ａ）は例えば基準温度Ｔｏの時に
液晶層に印加される電圧Ｖｏを表わしており、波形の斜
線の部分（Ａで示した）は液晶層に加わる実際の電圧
（実効電圧）である。図１２（ｂ）は、この液晶層に印
加される選択時の電圧が△Ｖ増加したときの液晶層に加
わる電圧波形（Ｂで示した）を表わしたものである。こ
れらの図の比較から、△Ｖが増えた分だけしか実効電圧
が増加していないことが判る（実効電圧の増加分＝Ｂ−
Ａである）。例えば、液晶層にかかる電圧（印加電圧）
が５０％増えたとしても実効電圧は５０％増加すること
はなく数％〜１０数％増加するだけである。

【００２７】能動素子のＯＮ時の±１０℃の環境変化に
起因するその能動素子（ＭＩＭ素子）の抵抗値の変化が
３０％程度であると、これを液晶層の前記（Ｖ₉₀−
Ｖ₁₀）に比較すると２〜５％程度であり、表示特性に影
響をほとんど及ぼさない。しかし、ＭＩＭ素子の温度に
よる抵抗値の変化が３０％より大きくなると、実効電圧
の変化がこれ以上特に１０％以上になり表示への影響は
大きく階調表示が難しくなる。こうした場合に、ＭＩＭ
素子に温度による抵抗変化を相殺するための補償回路が
必要となる。

【００２８】通常の使用方法における環境温度変化は±
１０〜２０℃程度であるから、この温度変化範囲内でＭ
ＩＭ素子の抵抗変化が３０％以内であれば良好な液晶表
示が行なえることになる。これ以上（±２０％以上）の
変化と使用開始時には、駆動電圧とバイアス比を設定し
直せねばならない。

【００２９】表１からも判るように環境温度変化が±１
０℃（２５℃を基準とした）のとき、良好な液晶表示を
得るためのＭＩＭ素子の抵抗変化（すなわち３０％以下
の抵抗変化）を実現させる為にはＥａが０．２ｅＶ以下
にするのが良く、この場合（Ｅａ≦０．２＝ｅＶ）で
は、温度補償回路を必要としない液晶駆動が実現でき
る。従って、本発明においてＥａが０．２ｅＶ以下が望
ましいが０．１ｅＶ以下がより望ましい。

【００３０】本発明の液晶表示装置は、前記のように、
能動素子の活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下となるよ
うなものとすることによって、能動素子を含む駆動回路
系には温度補償回路を有することなく構成されてなるも
のである。

【００３１】そこで、本発明に係る能動素子のうち、導
体−絶縁膜−導体からなるＭＩＭから説明を進めること
にする。本発明においては、その中でも絶縁膜に硬質炭
素膜を用いたＭＩＭ素子の使用が最も有利である。

【００３２】ここでのＭＩＭ素子における絶縁膜は、炭
素原子及び水素原子を主要な組織形成元素としては非晶
質及び微結晶の少なくとも一方を含む硬質炭素膜（ｉ−
Ｃ膜、ダイヤモンド状炭素膜、アモルファスダイヤモン
ド膜、ダイヤモンド薄膜とも呼ばれる)からなってい
る。

【００３３〕硬質炭素膜の一つの特長は気相成長膜
であるがために、後述するように、その諸物性が製膜条
件によって広範囲に制御できることである。従って、絶
縁膜といってもその抵抗値は半絶縁体から絶縁体までの
領域をカバーしており、この意味では前記のＭＩＭ素子
は、特開昭６１−２７５８１９号公報に記載されている
ところのＭＳＩ素子（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉ−Ｉｎｓｕ
ｌａｔｏｒ）や、ＳＩＳ（半導体−絶縁体−半導体から
なる素子であり、ここでの半導体は不純物を高濃度でド
ープさせたものである）等を含めて位置付けられるもの
である。 【００３４】図１、図２により能動素子（ＭＩＭ素子)
及びこれを用いた液晶表示装置の作製について述べる。

【００３５】図１は画像電極４がＭＩＭ素子５に接続さ
れている様子を表わしたものである。このものは、ま
ず、図示されていない透明基板（ガラス板、プラスチッ
ク板、フレキシブルな高分子フィルムなど絶縁性のも
の)上に、画素電極用透明電極材料を蒸着、スパッタリ
ング等の方法で堆積し、所定のパターンにパターニング
して画素電極４を形成し、次に、蒸着、スパッタリング
等の方法で下部電極用導体薄膜を形成し、ウェット又は
ドライエッチングにより所定のパターンにパターニング
して下部電極となる第１導体７とし、その上にプラズマ
ＣＶＤ法、イオンビーム法等により硬質炭素膜２を被覆
後、ドライエッチング、ウェットエッチング又はレジス
トを用いるリフトオフ法により所定のパターンにパター
ンニングして絶縁膜とし、次にその上に蒸着、スパッタ
リング等の方法によりバスライン用導体薄膜を被覆し、
所定のパターンにパターニングしてバスライン（共通電
極)となる第２導体６を形成し、最後に下部電極７の不
必要部分を除去し、透明電極パターンを露出させ、画素
電極４とする。この場合、ＭＩＭ素子（能動素子)５の
構成はこれに限られるものではなく、ＭＩＭ素子の作成
後、最上層に透明電極を設けたもの、透明電極が上部又
は下部電極を兼ねた構成のもの、下部電極の側面にＭＩ
Ｍ素子を形成したもの等、種々の変形が可能である。

【００３６】ここで下部電極、上部電極及び透明電極の
厚さは通常、夫々数百〜数千Å、数百〜数千Å、数百〜
数千Åの範囲である。硬質炭素膜の厚さは１００〜８０
００Å、望ましくは２００〜５０００Å、さらに望まし
くは３００〜４０００Åの範囲である。

【００３７】基板がプラスチック或いは高分子フィルム
の場合、従来においては、その耐熱性の点から能動素子
を用いたアクティブマトリクス装置の作製が非常に困難
であった。しかし、硬質炭素膜は室温程度の基板温度で
良質な膜の作製が可能であり、プラスチック基板におい
ても作製が可能であり、非常に有効な画質向上手段であ
る。

【００３８】続いて、このＭＩＭ素子の材料について説
明する。

【００３９】下部電極となる第１導体７の材料として
は、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔｉ、
Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ、ＩＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓ
ｎＯ₂などの種々の導電体が使用される。

【００４０】バスラインとなる第２導体６の材料として
は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｗ、Ｔｅ、Ｔｏ、ＩＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂種々の導電体が使用されるが、Ｉ−Ｖ
特性の安定性及び信頼性が特に優れている点からＮｉ、
Ｐｔ、Ａｇが好ましい。絶縁膜として硬質炭素膜２を用
いたＭＩＭ素子は電極の種類を変えても対称性が変化せ
ず、またｌｎＩ∝√ｖの関係からプールフレンケル型の
伝導をしていることが判る。また、この事からこの種の
ＭＩＭ素子の場合、上部電極と下部電極との組合せをど
のようにしてもよいことが判る。しかし、硬質炭素膜と
電極との密着力や界面状態により素子特性（Ｉ−Ｖ特
性）の劣化及び変化が生じる。これらを考慮すると、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ａｇの使用が望ましい。

【００４１】このＭＩＭ素子の電流−電圧特性は図３の
ように示され、近似的には以下に示すような伝導式で表
わされる。 Ｉ＝κｅｘｐ（β√Ｖ） ・・・（２） Ｉ：電流 Ｖ：印加電圧 κ：導電係数 β：プールフレンケル係数 κ＝(ｎμｑ／ｄ)・ｅｘｐ(−Ф／ｋＴ)∝(１／ρｄ)（Ｔ＝一定）・・・（３） β＝(１/ｋＴ)・√(ｑ³／πε₁ε₀d)∝(１／√(ε₁d))（Ｔ＝一定）・・・（４） ｎ：キャリヤ密度 μ：キャリヤモビリティ ｑ：電子の電荷 Ф：トラップ 深さ ρ：比抵抗 ｄ：硬質炭素膜の厚さ ｋ：ボルツマン定数 Ｔ：雰囲気 温度 ε₁：硬質炭素膜の誘電率 ε₀：真空誘電率

【００４２】硬質炭素膜を形成するためには有機化合物
ガス、特に炭化水素ガスが用いられる。これら原料にお
ける相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要
はなく、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経
て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能
である。

【００４３】原料ガスとしての炭化水素ガスについて
は、例えば、ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₁₀等のパラ
フィン系炭化水素、Ｃ₂Ｈ₄等のオレフィン系炭化水素、
アセチレン系炭化水素、ジオレフィン系炭化水素、さら
には芳香族炭化水素などすべての炭化水素を少なくとも
含むガスが使用可能である。さらに、炭化水素以外で
も、例えば、アルコール類、ケトン類、エーテル類、エ
ステル類、ＣＯ、ＣＯ₂等、少なくとも炭素元素を含む
化合物であれば使用可能である。

【００４４】これら原料ガスからの硬質炭素膜の形成方
法としては、成膜活性種が直流、低周波、高周波、或い
はマイクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプ
ラズマ状態を経て形成される方法が好ましいが、より大
面積化、均一性向上、低温製膜の目的で、低圧下で堆積
を行なうため、磁界効果を利用する方法がさらに好まし
い。もっとも、高温における熱分解によっても活性種を
形成できる。

【００４５】その他にも、イオン化蒸着法、或いはイオ
ンビーム蒸着法等により生成されるイオン状態を経て硬
質炭素膜が形成されてもよいし、真空蒸着法、或いはス
パッタリング法等により生成される中性粒子から形成さ
れてもよいし、さらには、これらの組み合わせにより製
膜がなされてもよい。

【００４６】こうして作製される硬質炭素膜の堆積条件
の一例はプラズマＣＶＤ法の場合、概ね次の通りであ
る。 ＲＦ出力：０．１〜５０Ｗ／ｃｍ² 圧 力：１０^-3〜１０Ｔｏｒｒ 堆積温度：室温〜９５０℃（このような広い範囲を採用
できるが、好ましくは室温〜３００℃であり、更に好ま
しくは室温〜１５０℃である。)

【００４７】このプラズマ状態により原料ガスがラジカ
ルとイオンとに分解され反応することによって、基板上
に炭素原子Ｃと水素原子Ｈとからなるアモルファス（非
晶質）及び微結晶質（結晶の大きさは数１０Å〜数μ
ｍ）の少なくとも一方を含む硬質炭素膜が堆積する。硬
質炭素膜の諸特性を表２に示す。

【００４８】

【表２】 注）測定法； 比 抵 抗（ρ）：コプレナー型セルによるＩ−Ｖ特
性より求める。 光学的バンドギャップ（Ｅｇｏｐｔ）：分光特性から吸
収係数（α）を求め、√（αｈν）＝Ｂ（ｈν−Ｅｇｏ
ｐｔ）の関係式より決定する。 膜中水素量（Ｃ(Ｈ)）：赤外吸収スペクトルから２９０
０ｃｍ^-1付近のピークを積分し、吸収断面積Ａをかけて
求める。ＣＨ＝Ａ・∫α（ｗ）／ｗ・ｄｗ ＳＰ³／ＳＰ²比：赤外吸収スペクトルを、ＳＰ³，ＳＰ²
にそれぞれ帰属されるガウス関数に分解し、その面積比
より求める。 ビッカース硬度（Ｈ）：マイクロビッカース計による。 屈 折 率（ｎ）：エリプソメーターによる。 欠 陥 密 度 ：ＥＳＲによる。

【００４９】こうして形成される硬質炭素膜はＩＲ吸収
法及びラマン分光法による分析の結果、夫々、図４及び
図５に示すように炭素原子がＳＰ³の混成軌道とＳＰ²の
混成軌道とを形成した原子間結合が混在していることが
明らかになっている。ＳＰ³結合とＳＰ²結合との比率
は、ＩＲスペクトルをピーク分離することで概ね推定で
きる。ＩＲスペクトルには、２８００〜３１５０ｃｍ^-1
に多くのモードのスペクトルが重なって測定されるが、
夫々の波数に対応するピークの帰属は明らかになってお
り、図６の如くガウス分布によってピーク分離を行な
い、夫々のピーク面積を算出し、その比率を求めればＳ
Ｐ³／ＳＰ²比を知ることができる。また、Ｘ線及び電子
線回折分析によればアモルファス状態（ａ−Ｃ：Ｈ）あ
るいは数１０Å〜数μｍ程度の微結晶粒を含むアモルフ
ァス状態にあることが判っている。

【００５０】一般に量産に適しているプラズマＣＶＤ法
の場合には、ＲＦ出力が小さいほど膜の比抵抗値および
硬度が増加し、低圧力なほど活性種の寿命が増加するた
めに基板温度の低温化、大面積での均一化が図れ、か
つ、比抵抗及び硬度が増加する傾向が認められる。更
に、低圧力ではプラズマ密度が減少するため、磁場閉じ
込め効果を利用する方法は、比抵抗の増加には特に効果
的である。

【００５１】さらに、この方法は常温〜１５０℃程度の
比較的低い温度条件でも同様に良質の硬質炭素膜を形成
できるという特徴を有しているため、ＭＩＭ素子製造プ
ロセスの低温化には最適である。従って、使用する基板
材料（絶縁性透明基板材料）の選択自由度が広がり、基
板温度をコントロールし易いために大面積に均一な膜が
得られるという特長をもっている。

【００５２】また、硬質炭素膜の構造、物性等は表２に
示したように、広範囲に制御可能であるため、デバイス
特性を自由に設計できる利点もある。

【００５３】さらには、膜の誘電率も２〜６と従来ＭＩ
Ｍ素子に使用されていたＴａ₂Ｏ₅，Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＮｘ
と比較して小さいため、同じ電気容量をもった素子を作
る場合、素子サイズが大きくてすむので、それほど微細
加工を必要とせず、歩留まりが向上する（駆動条件の関
係からＬＣＤとＭＩＭ素子との容量比はＣ(ＬＣＤ)：Ｃ
(ＭＩＭ)＝１０：１程度必要である）。

【００５４】また、前述したように素子急峻性β∝１／
√（εｄ）であるため、誘電率εが小さければ急峻性は
大きくなり、オン電流Ｉｏｎとオフ電流Ｉｏｆｆとの比
が大きくとれるようになる。このため、より低デューテ
ィ比でのＬＣＤ駆動が可能となり、高密度のＬＣＤが実
現できる。さらに、硬質炭素膜の硬度が高いため、液晶
材料封入時のラビング工程による損傷が少なく、この点
からも歩留まりが向上する。以上の点を鑑みるに、硬質
炭素膜を使用することで、低コスト、階調性（カラー
化）、高密度のＬＣＤが実現できる。

【００５５】さらに、この硬質炭素膜は炭素原子及び水
素原子の他に、周期律表第ＩＩＩ族元素、同第ＩＶ族元
素、同第Ｖ族元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金
属元素、窒素原子、酸素原子、カルコゲン系元素又はハ
ロゲン原子を構成元素として含んでいてもよい。構成元
素の１つとして周期律表第ＩＩＩ族元素、同じく第Ｖ元
素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、窒素原
子又は酸素原子を導入したものは硬質炭素膜の膜厚をノ
ンドープのものに比べて約２〜３倍に厚くすることがで
き、また、これにより素子作製時のピンホールの発生を
防止すると共に、素子の機械的強度を飛躍的に向上する
ことができる。更に、窒素原子又は酸素原子の場合は以
下に述べるような周期律表第ＩＶ族元素等の場合と同じ
ような効果がある。

【００５６】同様に、周期律表第ＩＶ族元素、カルコゲ
ン系元素又はハロゲン元素を導入したものは硬質炭素膜
の安定性が飛躍的に向上すると共に、膜の硬度も改善さ
れることも相まって高信頼性の素子が作製できる。これ
らの効果が得られるのは第ＩＶ族元素及びカルコゲン系
元素の場合は硬質炭素膜中に存在する活性な２重結合を
減少させるからである。

【００５７】また、ハロゲン元素の場合は、１）水素に
対する引抜き反応により原料ガスの分解を促進して膜中
にダングリングボンドを減少させ、２）成膜過程でハロ
ゲン元素ＸがＣ−Ｈ結合中の水素を引抜いてこれと置換
し、Ｃ−Ｘ結合として膜中に入り、結合エネルギーを増
大させる（Ｃ−Ｈ間及びＣ−Ｘ間の結合エネルギーはＣ
−Ｘ間に方が大きい）からである。

【００５８】これらの元素を膜の構成元素とする為に
は、原料ガスとしては炭化水素ガス及び水素の他に、膜
中に周期律表第ＩＩＩ族元素、同第ＩＶ族元素、同第Ｖ
族元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、窒
素原子、酸素原子、カルコゲン系元素又はハロゲン原子
を含有させるために、これらの元素又は原子を含む化合
物（又は分子）（以降これらを「他の化合物」というこ
とがある）のガスが用いられる。

【００５９】ここで周期律表第ＩＩＩ族元素を含む化合
物としては、例えばＢ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、Ｂ₂Ｈ₆、ＢＣ
ｌ₃、ＢＢｒ₃、ＢＦ₃、Ａｌ（Ｏ−ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₃、（Ｃ
Ｈ₃）₃Ａｌ、（Ｃ₂Ｈ₅）₃Ａｌ、（ｉ−Ｃ₄Ｈ₉）₃Ａｌ、
ＡｌＣｌ₃、Ｇａ（Ｏ−ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₃、（ＣＨ₃）₃Ｇ
ａ、（Ｃ₂Ｈ₅）₃Ｇａ、ＧａＣｌ₃、ＧａＢｒ₃、（Ｏ−
ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₃、Ｉｎ、（Ｃ₂Ｈ₅）₃Ｉｎ等がある。

【００６０】周期律表第ＩＶ族元素を含む化合物として
は、例えばＳｉＨ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、Ｓｉ₃Ｈ₈、（Ｃ₂Ｈ₅）₃
ＳｉＨ、ＳｉＦ₄、ＳｉＨ₂Ｃｌ₂、Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₄、
Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄、Ｓｉ（ＯＣ₃Ｈ₇）₄、ＧｅＣｌ₄、
ＧｅＨ₄、Ｇｅ（ＯＣ₂Ｈ₅）₄、Ｇｅ（Ｃ₂Ｈ₅）₄、（Ｃ
Ｈ₃）₄Ｓｎ、（Ｃ₂Ｈ₅）₄Ｓｎ、ＳｎＣｌ₄等がある。

【００６１】周期律表第Ｖ族元素を含む化合物として
は、例えば、ＰＨ₃、ＰＦ₃、ＰＦ₅、ＰＣｌ₂Ｆ₃、ＰＣ
ｌ₂Ｆ、ＰＣｌ₃、ＰＢｒ₃、ＰＯ（ＯＣＨ₃）₃、Ｐ（Ｃ₂
Ｈ₅）₃、ＰＯＣｌ₃、ＡｓＨ₃、ＡｓＣｌ₃、ＡｓＢｒ₃、
ＡｓＦ₃、ＡｓＦ₅、ＡｓＣｌ₃、ＳｂＨ₃、ＳｂＦ₃、Ｓ
ｂＣｌ₃、Ｓｂ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃等がある。

【００６２】アルカリ金属原子を含む化合物としては、
例えばＬｉＯ−ｉ−Ｃ₃Ｈ₇、ＮａＯ−ｉ−Ｃ₃Ｈ₇、ＫＯ
−ｉ−Ｃ₃Ｈ₇等がある。

【００６３】アルカリ土類金属原子を含む化合物として
は、例えばＣａ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、Ｍｇ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、
（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｍｇ等がある。

【００６４】窒素原子を含む化合物としては例えば窒素
ガス、アンモニア等の無機化合物、アミノ基、シアノ基
等の官能基を有する有機化合物及び窒素を含む複素環等
がある。

【００６５】酸素原子を含む化合物としては、例えば酸
素ガス、オゾン、水（水蒸気）、過酸化水素、一酸化炭
素、二酸化炭素、亜酸化炭素、一酸化窒素、二酸化窒
素、三酸化二窒素、五酸化二窒素、三酸化窒素等の無機
化合物、水酸基、アルデヒド基、アシル基、ケトン基、
ニトロ基、ニトロソ基、スルホン基、エーテル結合、エ
ステル結合、ペプチド結合、酸素を含む複素環等の官能
基或いは結合を有する有機化合物、更には金属アルコキ
シド等が挙げられる。

【００６６】カルコゲン系元素を含む化合物としては、
例えばＨ₂Ｓ、（ＣＨ₃）（ＣＨ₂）₄Ｓ（ＣＨ₂）₄Ｃ
Ｈ₃、ＣＨ₂＝ＣＨＣＨ₂ＳＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂、Ｃ₂Ｈ₅Ｓ
Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₂Ｈ₅ＳＣＨ₃、チオフェン、Ｈ₂Ｓｅ、（Ｃ₂
Ｈ₅）₂Ｓｅ、Ｈ₂Ｔｅ等がある。

【００６７】またハロゲン元素を含む化合物としては、
例えば弗素、塩素、臭素、沃素、弗化水素、弗化塩素、
弗化臭素、弗化沃素、塩素水素、塩化臭素、塩化沃素、
臭化水素、臭化沃素、沃化水素等の無機化合物、ハロゲ
ン化アルキル、ハロゲン化アリール、ハロゲン化スチレ
ン、ハロゲン化ポリメチレン、ハロホルム等の有機化合
物が用いられる。

【００６８】図７は液晶の閾値電圧と透過率の温度依存
性との関係を示したグラフである。図７から判るよう
に、雰囲気温度が上がれば閾値電圧が下がる。従って、
一般には温度補償回路が必要である。液晶の温度補償係
数は３〜２０ｍＶ／℃程度である。硬質炭素膜の温度補
償係数はＯＮ時（１６Ｖ印加時）で１０〜４０ｍＶ／℃
とかなり小さいことが判った。しかし、係数の符号が同
じ為、液晶の温度係数とのたし算となり大きな値になる
と考えられたが、ＯＦＦ抵抗も温度変化によって変化す
る為に単純に評価できない。

【００６９】前記式（３）及び（４）よりβ、κは雰囲
気温度とトラップ深さφ（活性化エネルギーＥａ）とに
より変化することが判る。図８にκと加わる実効電圧の
一例を示した。いま、素子特性を図８の実線にしたと
き、例えば温度が上った場合、前記（３）及び（４）か
らβが小さくκが大きくなることがわかる。図８でいえ
ば右方向に動くと考えてよい。このことから、温度が上
がった場合液晶の閾値電圧と、液晶層に加わる実効電圧
が下がることが判る。先に記述したように、硬質炭素膜
を用いたＭＩＭ素子の特性は、硬質炭素膜の特性から広
く制御することが可能であり、各液晶材料ごとに反応し
たＭＩＭ特性を利用することができる。

【００７０】従って、β、κの値及びκの温度依存性を
制御することにより液晶の温度特性と、液晶層に加わる
実効電圧の整合が可能となり温度補償回路を使用しなく
ても表示能力が変化しないことが判る。

【００７１】図９は活性化エネルギーＥａの印加電圧依
存性を示したものである。この図から判るように、印加
電圧が大きくなるほど活性化エネルギーは小さくなって
いる。これは電圧印加によってフェルミレベルが実効的
に浅くなっているためと考えられる。また、印加電圧が
大きくなるほどＩｏｎの温度依存性が小さくなることを
意味している。実際、ＭＩＭ素子のＩ−Ｖ特性温度依存
性を示した図１０では印加電圧が増加するほどＩｏｎの
温度による変化が小さくなっている。

【００７２】本発明者らは、これら現象を総合的に検討
した結果、ＯＮ時活性化エネルギーの異なる能動素子を
用い、雰囲気温度変化による表示特性の変化を調べたと
ころ、駆動電圧印加時の能動素子の活性化エネルギーが
０．２ｅＶ以下であれば、表示特性上殆んど変化がな
く、温度補償回路を必要としないことを確めた。この活
性化エネルギーは表示がより多階調例えば３２、６４、
２５６階調表示になっても変わらず、また能動素子、液
晶材料の温度依存性等に殆ど影響されないが、小さい方
が有効である。従って、能動素子の駆動電圧印加時の活
性化エネルギーは望ましくは０．１５ｅＶ以下、より望
ましくは０．１ｅＶ以下である。

【００７３】なお、本発明における能動素子はＭＩＭ素
子に限られるわけではなく、ａ−Ｓｉ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
等を用いたＴＦＴ素子や絶縁層として硬質炭素膜、Ｓｉ
Ｎｘ、ＳｉＣ、Ｔａ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃などを用いたＭＩＭ
素子（中でも絶縁層として硬質炭素膜を用いたＭＩＭ素
子急峻性にすぐれているため低電圧での駆動が可能であ
る点でその使用が効果的であることは既述のとおりであ
る）、ＭＳＩ素子や、ＰＩＮダイオード、バックトウバ
ックダイオード、バリスタ等を用いることができる。

【００７４】実際に、本発明の液晶表示装置をつくるに
は、まず透明基板１上に共通電極４用の透明基体たとえ
ばＩＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｓｉ、ＳｎＯ₂、Ｉ
ｎ₂Ｏ₃等をスパッタリング、蒸着等の方法で数百Åから
数μｍ厚に堆積させ、ストライプ状にパターニングして
共通電極４とする。この共通電極４’に設けた透明基板
１と先に例えばＭＩＭ素子５をマトリックス状に設けた
透明基板１との各々の表面にポリイミドの様な配向材８
を付け、ラビング処理を行ない、シール材を取付け、ギ
ャップ材９を入れてギャップを一定にし、液晶３を封入
して液晶表示装置とすればよい（図１）。

【００７５】

【実施例】次に実施例を示すが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。 実施例１ 透明基板にはパイレックス基板を用いた。次に、ＩＴＯ
を約８００Å厚にマグネトロンスパッタ法を用い堆積さ
せた。次いで、パターン化して画素電極を形成した。

【００７７】続いて、能動素子として硬質炭素膜を使用
したＭＩＭ素子を以下のようにして設けた。まず、基板
の画素電極上にＡｌを蒸着法により約１０００Å厚に堆
積後、パターン化して下部電極を形成した。その上に、
絶縁膜として硬質炭素膜をプラズマＣＶＤ法により約１
１００Å厚に堆積後、ドライエッチングによりパターン
化した。更に、各硬質炭素絶縁膜上にＮｉを蒸着法によ
り約１０００Å厚に堆積後、パターン化して上部電極を
形成した。

【００７８】他方の透明基板（対向基板）としてのＰＥ
Ｓ基板上にＩＴＯをスパッタリング法により約１０００
Å厚に堆積し、ストライプ状にパターン化して共通画素
電極を形成した。さらに、その共通画素電極とは反対側
にカラーフィルターを設けた。

【００７９】両基板の上に配向膜としてポリイミド膜を
形成し、ラビング処理を行なった。

【００８０】これらの基板を各画素電極側を内側にして
対向させ、ギャップ材を介して貼合せ、更にこうして形
成されたセル内に市販の液晶材料を封入することにより
カラー液晶表示装置を作った。

【００８１】この時、ＭＩＭ素子に用いた硬質炭素の成
膜条件は、 圧 力：０．０３５Ｔｏｒｒ ＣＨ₄ 流量：１０ＳＣＣＭ ＲＦパワー：０．２Ｗ／ｃｍ² 温 度：室温 である。また、このＭＩＭ素子の印加電圧１２Ｖでの活
性化エネルギーＥａは０．１２ｅＶであった。

【００８２】この表示装置を雰囲気温度０〜６０℃まで
変化させ駆動したところ、なんら表示能力変化は見られ
なかった。

【００８３】実施例２ 透明基板にはパイレックス基板を用いた。次に、画素電
極としてＩＴＯを約１０００Å厚にＥ．Ｂ．蒸着法によ
り堆積させた後、パターニングを行なった。次に、下部
電極としてＡｌを蒸着法により約１５００Å厚に堆積さ
せた後、パターニングした。

【００８４】続いて、硬質炭素膜をプラズマＣＶＤ法で
約９００Å厚に堆積させた後、ドライエッチングにより
パターン化した。更に、上部電極としてＮｉをＥ．Ｂ．
蒸着法により約１５００Å厚に堆積させた後、パターニ
ングした。

【００８５】他方の透明基板（対向基板）としてパイレ
ックス基板にＩＴＯをスパッタリング法により約１００
０Å厚に堆積後、ストライプ状にパターン化して共通画
素電極を形成した。

【００８６】両基板の上に配向膜としてポリイミド膜を
形成しラビング処理を行なった。

【００８７】これらの基板を各画素電極側を内側にして
対向させ、ギャップ材を介して貼合せ、更にこうして形
成されたセル内に市販の液晶材料を封入することにより
液晶表示装置を作った。この際、カラーフィルターを付
けてカラー表示とした。

【００８８】なおこの時、ＭＩＭ素子に用いた硬質炭素
の成膜条件は、 圧 力：０．０５Ｔｏｒｒ ＣＨ₄ 流量：２０ＳＣＣＭ ＲＦパワー：０．８Ｗ／ｃｍ² 温 度：１００℃ である。また、このMIM素子の印加電圧１６Ｖでの活性
化エネルギーＥａは０．０９ｅＶであった。

【００８９】この表示装置を雰囲気温度が０〜６０℃ま
で変化させ駆動したところ、なんら表示能力に変化は見
られなかった。

【００９０】実施例３ 一方の透明基板としてのパイレックス基板上に次のよう
にしてＭＩＭ素子を設けた。まず、Ｃｒをスパッタリン
グ法により約１０００Å厚に堆積後、パターン化して下
部共通電極を形成した。その上に、ＳｉＨ₄及びＮＨ₃を
用いＰ−ＣＶＤ法により約８５０Å厚のＳｉＮｘ膜を形
成後、パターン化して絶縁膜を形成した。更にその上
に、Crを約２０００Å厚に蒸着後、パターン化して上部
電極とした。

【００９１】こうして形成されたＭＩＭ素子上にＩＴＯ
をスパッタリング法で約５００Å厚に堆積後、パターン
化して画素電極とした。

【００９２】対向基板としてパイレックス基板を用い
た。ＩＴＯをスパッタリング法で約５００Å厚に堆積
後、ストライプ状にパターン化して共通画素電極を形成
した。

【００９３】これらの基板を実施例１と同様にギャップ
材を介して貼合せた後、市販の液晶材料を封入すること
により液晶表示装置を作った。

【００９４】ＳｉＮｘ膜の成膜条件は、 圧 力：０．０７ＴｏｒｒＳｉＨ _４ 流量：１５ＳＣＣＭ ＲＦパワー：１Ｗ／ｃｍ^２ 温 度：２８０℃ である。また、このＭＩＭ素子の印加電圧１８Ｖでの活
性化エネルギーＥａは０．１８ｅＶであった。

【００９５】この表示装置を雰囲気温度が０〜６０℃ま
で変化させ駆動したところ、表示能力に変化はみられな
かった。

【００９６】実施例４ 一方の透明基板として石英基板上に能動素子としてＴＦ
Ｔを形成した。その形成法は次の通りである。まず基板
上にｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層を減圧ＣＶＤ法により基板温
度８５０℃で約１０００Å厚に堆積せしめ、その上に約
３０００Å厚のＳｉＯ₂からなるゲート絶縁膜を形成
し、その上に約１０００Å厚のｐｏｌｙ−Ｓｉからなる
ゲート電極を形成し、更にその上にＡｌを約３０００Å
厚に堆積させてソース・ドレイン電極を形成した。層間
絶縁膜は約８０００Å厚のＳｉＯ₂膜で形成した。ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ活性層への不純物拡散は塗布式不純物拡散材
を用いて行なったが、イオン注入等による方法でも可能
である。ＴＦＴ作成後、ＩＴＯをスパッタリング法によ
る約８００Å厚に堆積後、パターン化して画素電極を形
成した。

【００９７】次に対向基板としてプラスチックフィルム
上に約８００Å厚のＩＴＯ共通画素電極を形成した。

【００９８】これらの基板を実施例１と同様にギャップ
材を介して貼合せた後、市販の液晶材料を封入すること
により液晶表示装置を作った。この時２０Ｖ印加での活
性化エネルギー（Ｅａ）は０．１ｅＶであった。

【００９９】実施例５ 透明基板にはプラスチック基板を用い、この基板上にＩ
ＴＯを約１０００Åマグネトロンスパッタ法を用い堆積
させた。次いでパターン化して画素電極を形成した。続
いて、パターン化して画素電極を形成した。

【０１００】次に能動素子として硬質炭素膜を使用した
MIM素子を以下の様に設けた。

【０１０１】まず、基板の画素電極上に、Ａｌを蒸着法
により約６００Å厚に堆積後、パターン化して下部電極
を形成した。その上に絶縁膜として硬質炭素膜をプラズ
マＣＶＤ法により約１２００Å厚に堆積後、ドライエッ
チングによりパターン化した。

【０１０２】更に各硬質炭素絶縁膜上にＮＩを蒸着法に
より約１０００Å厚に堆積後、パターン化して上部電極
を形成した。

【０１０３】次に、他方の透明基板（対向基板）として
フレキシブルプラスチックフィルム基板上にＩＴＯをス
パッタリング法により約１０００Å厚に堆積し、ストラ
イプ状にパターン化して共通画素電極を形成した。さら
に共通画素電極を設けた逆の表面にカラーフィルターを
設けた。

【０１０４】次に両基板の上に配向膜としてポリイミド
膜を形成し、ラビング処理を行なった。

【０１０５】続いて、これらの基板を各画素電極側を内
側にして対向させ、ギャップ材を介して貼合せ、更にこ
うして形成されたセル内に市販の液晶材料を封入するこ
とによりカラー液晶表示装置を作った。

【０１０６】この時ＭＩＭ素子に用いた硬質炭素の成膜
条件は、 圧 力：０．０４Ｔｏｒｒ ＣＨ₄ 流量：１０ＳＣＣＭ ＲＦパワー：０．５Ｗ／ｃｍ² 温 度：室温 である。

【０１０９】この時、印加電圧１８Ｖでの活性化エネル
ギー（Ｅａ）は０．０８ｅＶであった。

【０１０８】

【発明の効果】本発明に係る液晶表示装置によれば、下
記のような効果がもたらされる。 １）温度特性の小さな能動素子を用いることにより、駆
動回路系に温度補償回路が必要でなくなる。また、液晶
表示装置をアクティブマトリックス駆動することが可能
であり、この為、安価で高精細な装置をつくることがで
きる。 ２）能動素子に特に絶縁層に硬質炭素膜を用いたＭＩＭ
素子を用いるようにすれば、安価な基板を使用すること
ができ、しかも、その素子特性の急峻性がすくれている
ため低電圧での駆動が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＭＩＭ素子と画像電極とが連続している状態を
表わした図である。

【図２】液晶表示装置の一部切欠斜視図である。

【図３】本発明で用いられる能動素子のうちのＭＩＭ素
子の電流-電圧特性図である。

【図４】硬質炭素膜の性質を説明するための図である。

【図５】硬質炭素膜の性質を説明するための図である。

【図６】硬質炭素膜の性質を説明するための図である。

【図７】電圧の温度特性と透過率との関係を示したグラ
フである。

【図８】導電係数と液晶層に加わる実効電圧との関係を
測定したグラフである。

【図９】本発明に係る能動素子の活性化エネルギー印加
電圧依存性を表わしたグラフである。

【図１０】本発明に係る能動素子のＩ−Ｖ特性温度依存
性を表わしたグラフである。

【図１１】能動素子の活性化エネルギーと印加電圧依存
性との関係を示したグラフである。

【図１２】（ａ）は基準温度（Ｔｏ）の時に液晶層に印
加される電圧Ｖｏを表わしたグラフである。 （ｂ）は電圧が△Ｖ増加した時に液晶層に印加される実
効電圧を表わしたグラフである。

【図１３】表示装置の等価回路図である。

【図１４】液晶層の相対的透過率と駆動電圧との関係を
表わしたグラフである。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ 硬質炭素膜 ３ 液晶 ， ４ 画素電極 ５ 能動素子(MIM素子) ６ 共通電極 ７ 下部電極 ８ 配向膜 ９ ギャップ材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 近藤 均 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (72)発明者 太田 英一 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平２−275924（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−181917（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−164925（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−40929（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−40930（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−176622（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G02F 1/136 510

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の透明基板間に液晶材料を挟持して
   なり、かつ、少なくとも一方の基板上に設けられた複数
   個の画素電極の各々に少なくとも１つの能動素子が接続
   されているアクティブ・マトリクス型液晶表示装置にお
   いて、前記能動素子はその駆動電圧時での活性化エネル
   ギーが０．２ｅＶ以下であり、かつ、駆動回路系には温
   度補償回路を有していないことを特徴とする液晶表示装
   置。