JPH0382762A - 基板の反転装置 - Google Patents
基板の反転装置Info
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- JPH0382762A JPH0382762A JP1219528A JP21952889A JPH0382762A JP H0382762 A JPH0382762 A JP H0382762A JP 1219528 A JP1219528 A JP 1219528A JP 21952889 A JP21952889 A JP 21952889A JP H0382762 A JPH0382762 A JP H0382762A
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 194
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 20
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 208000037516 chromosome inversion disease Diseases 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 244000027321 Lychnis chalcedonica Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Registering Or Overturning Sheets (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Attitude Control For Articles On Conveyors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、真空槽内でスパッタリング等により成膜され
る基板を反転させる反転装置の改良に関する。
る基板を反転させる反転装置の改良に関する。
(従来の技術)
従来より、基板に成膜する成膜装置の一種として、真空
中でアルゴンガス等の不活性ガスの衝突により蒸発分子
を放出するターゲットを有する真空槽を備え、この真空
槽内に投入された基板にターゲットからの蒸発分子を付
着させることにより、基板の表面に成膜するようにした
スパッタリング装置はよく知られ、IC等の製造分野で
広く採用されている。
中でアルゴンガス等の不活性ガスの衝突により蒸発分子
を放出するターゲットを有する真空槽を備え、この真空
槽内に投入された基板にターゲットからの蒸発分子を付
着させることにより、基板の表面に成膜するようにした
スパッタリング装置はよく知られ、IC等の製造分野で
広く採用されている。
このようなスパッタリング装置において、基板の成膜処
理をいわゆるバッチ式で行う場合、基板の取出しの都度
、真空槽内から空気を抜いて真空状態にする必要があり
、その時間が長くかかることから、成膜処理の効率を上
げるためには、真空槽に投入する1回の基板の数を可能
なかぎり多くすることが望ましい。また、1枚のJJl
fについてみると、その一方の面を成膜した後、続いて
他方の面を成膜することがあり、さらにはその表裏面で
成膜の成分を変えることも考えられる。
理をいわゆるバッチ式で行う場合、基板の取出しの都度
、真空槽内から空気を抜いて真空状態にする必要があり
、その時間が長くかかることから、成膜処理の効率を上
げるためには、真空槽に投入する1回の基板の数を可能
なかぎり多くすることが望ましい。また、1枚のJJl
fについてみると、その一方の面を成膜した後、続いて
他方の面を成膜することがあり、さらにはその表裏面で
成膜の成分を変えることも考えられる。
そこで、従来、特開昭56−119770号公報に開示
されるものでは、真空槽内にモータ等により駆動回転す
る機枠を設けるとともに、その機枠の上下フランジ間に
基板(ワーク)を保持するホルダを回転自在に支持し、
このホルダの回転軸一端に1対のローラを回転軸と直交
方向に一定間隔をあけて取り付けるとともに、ホルダ回
転軸の一端に対応する側の真空槽壁部にローラをそれぞ
れ転勤可能に案内する2本のがイドレールを円周方向に
配設し、この2本のガイドレールを途中で交差させ、機
枠の回転に伴って基板を真空槽内の周縁で走行させると
ともに、機枠の1回転によりローラがガイドレールの交
差部を通過する毎に基板を反転させて、その表裏面が逆
に向(ようにすることにより、基板の表裏面を連続して
成膜できるようになされている。
されるものでは、真空槽内にモータ等により駆動回転す
る機枠を設けるとともに、その機枠の上下フランジ間に
基板(ワーク)を保持するホルダを回転自在に支持し、
このホルダの回転軸一端に1対のローラを回転軸と直交
方向に一定間隔をあけて取り付けるとともに、ホルダ回
転軸の一端に対応する側の真空槽壁部にローラをそれぞ
れ転勤可能に案内する2本のがイドレールを円周方向に
配設し、この2本のガイドレールを途中で交差させ、機
枠の回転に伴って基板を真空槽内の周縁で走行させると
ともに、機枠の1回転によりローラがガイドレールの交
差部を通過する毎に基板を反転させて、その表裏面が逆
に向(ようにすることにより、基板の表裏面を連続して
成膜できるようになされている。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、この従来のものでは、機枠が1回転して基板
が真空槽内を1周する毎に自動的に基板を反転できるも
のの、基板の反転角度は1806のみに限定されてしま
い、その他の角度で反転させるのは不可能であった。
が真空槽内を1周する毎に自動的に基板を反転できるも
のの、基板の反転角度は1806のみに限定されてしま
い、その他の角度で反転させるのは不可能であった。
しかも、基板は機枠の回転に伴って常に反転するので、
例えば基板の表面のみを続けて成膜した後、裏面の成膜
に移るということはできず、成膜のパターンが限定され
る。
例えば基板の表面のみを続けて成膜した後、裏面の成膜
に移るということはできず、成膜のパターンが限定され
る。
また、このため、基板の表裏面を異なった条件で成膜す
る場合には、基板の1周毎に蒸発源やシャッタを切り換
える必要があり、横進が複雑になるのは避けられ得ない
。
る場合には、基板の1周毎に蒸発源やシャッタを切り換
える必要があり、横進が複雑になるのは避けられ得ない
。
さらに、ローラをガイドレールによって案内しながら基
板を走行させるため、両者間のがたによリホルダが回転
軸回りに揺動して基板がぶれ、その結果、基板の安定し
た成膜が得られないという問題もある 本発明は斯かる諸点に鑑みてなされたもので、その目的
は、基板を上記ローラとガイドレールとは異なる所定の
反転機構で反転させるようにして、基板を任意の反転角
度でかつ真空槽内の周回と無関係に反転させるとともに
、走行特の基板のぶれをなくして基板を安定して成膜で
きるようにすることにある。
板を走行させるため、両者間のがたによリホルダが回転
軸回りに揺動して基板がぶれ、その結果、基板の安定し
た成膜が得られないという問題もある 本発明は斯かる諸点に鑑みてなされたもので、その目的
は、基板を上記ローラとガイドレールとは異なる所定の
反転機構で反転させるようにして、基板を任意の反転角
度でかつ真空槽内の周回と無関係に反転させるとともに
、走行特の基板のぶれをなくして基板を安定して成膜で
きるようにすることにある。
(課題を解決するための手段)
上記の目的を達成するために、請求項(1)に係る発明
では、ゼネバ機構(マルタクロス機構)を利用して基板
を反転させるようにする。
では、ゼネバ機構(マルタクロス機構)を利用して基板
を反転させるようにする。
具体的には、この発明では、側面にターゲット等の蒸発
源を有する真空槽と、該真空槽内に回転可能に支持され
、多数の基板を支持する回転部材とを有し、回転部材の
回転により基板を順次蒸発源に対向させて成膜するよう
にした成膜装置が前提である。
源を有する真空槽と、該真空槽内に回転可能に支持され
、多数の基板を支持する回転部材とを有し、回転部材の
回転により基板を順次蒸発源に対向させて成膜するよう
にした成膜装置が前提である。
そして、上記回転部材の外周に回転可能に支持され、基
板を保持する基板ホルダを設ける。さらに、この基板ホ
ルダの回転軸に回転一体に取り付けられ、外周縁に半径
方向中心側に延びる複数の係合溝が円周方向に所定間隔
をあけて形成されたゼネバと、真空槽の壁部の所定位置
に回転部材の回転中心と平行な回転中心をもって回転軸
回りに回転可能に支持され、この回転軸回りの回転によ
り上記ゼネバの各係合溝に順に係合して基板ホルダを所
定角度だけ回転させる反転ピンと、該反転ピンを回転駆
動するピン駆動手段とを設ける。
板を保持する基板ホルダを設ける。さらに、この基板ホ
ルダの回転軸に回転一体に取り付けられ、外周縁に半径
方向中心側に延びる複数の係合溝が円周方向に所定間隔
をあけて形成されたゼネバと、真空槽の壁部の所定位置
に回転部材の回転中心と平行な回転中心をもって回転軸
回りに回転可能に支持され、この回転軸回りの回転によ
り上記ゼネバの各係合溝に順に係合して基板ホルダを所
定角度だけ回転させる反転ピンと、該反転ピンを回転駆
動するピン駆動手段とを設ける。
また、請求項(2)に係る発明では、基板が反転動作を
しないときには確実に蒸発源に対向する位置に位置付け
られるようにするために、基板ホルダを基板が蒸発源に
対向するように所定の回転直置に位置決め保持するスト
ッパ手段を設ける。
しないときには確実に蒸発源に対向する位置に位置付け
られるようにするために、基板ホルダを基板が蒸発源に
対向するように所定の回転直置に位置決め保持するスト
ッパ手段を設ける。
(作用)
上記の構成により、請求項(1)に係る発明では、回転
部材が駆動されて回転するのに伴い、該回転部材に基板
ホルダを介して支持されている基板が真空槽内を周回し
、基板が蒸発源に対向した位置に移動したときに蒸発源
からの蒸発分子を受けて成膜される。そして、この成膜
処理において、基板を反転させるときには、予め反転ビ
ンをゼネバの周回軌跡上に位置付けておき、ゼネバが反
転ピンと交差する位置を移動するときにビン駆動手段に
より反転ピンを回転軸回りに回転させると、その反転ピ
ンはゼネバの係合溝に係合しなからゼネバを押して回転
させ、このことによりゼネバと回転一体の基板ホルダが
所定角度回転して基板が反転する。
部材が駆動されて回転するのに伴い、該回転部材に基板
ホルダを介して支持されている基板が真空槽内を周回し
、基板が蒸発源に対向した位置に移動したときに蒸発源
からの蒸発分子を受けて成膜される。そして、この成膜
処理において、基板を反転させるときには、予め反転ビ
ンをゼネバの周回軌跡上に位置付けておき、ゼネバが反
転ピンと交差する位置を移動するときにビン駆動手段に
より反転ピンを回転軸回りに回転させると、その反転ピ
ンはゼネバの係合溝に係合しなからゼネバを押して回転
させ、このことによりゼネバと回転一体の基板ホルダが
所定角度回転して基板が反転する。
その際、基板の反転角度はゼネバと反転ピンとの関係に
よって決定されるので、この関係を変えることで、基板
を任意の角度で反転させることができる。
よって決定されるので、この関係を変えることで、基板
を任意の角度で反転させることができる。
また、上記反転ピンをゼネバの周回軌跡上から離れた位
置に退避させれば、反転ピンはゼネバの係合溝に係合し
ないので、基板は反転せずにそのまま周回することとな
り、例えば基板の表面のみを続けて成膜した後、裏面を
成膜することも可能で、成膜のパターンを拡大すること
ができる。また、基板の表裏面を異なった条件で成膜す
る場合にも、基板の1周毎に蒸発源やシャッタを切り換
える必要はなく、構造を簡単にすることができる。
置に退避させれば、反転ピンはゼネバの係合溝に係合し
ないので、基板は反転せずにそのまま周回することとな
り、例えば基板の表面のみを続けて成膜した後、裏面を
成膜することも可能で、成膜のパターンを拡大すること
ができる。また、基板の表裏面を異なった条件で成膜す
る場合にも、基板の1周毎に蒸発源やシャッタを切り換
える必要はなく、構造を簡単にすることができる。
さらに、基板は真空槽内を周回中、ゼネバが反転ピンと
交差する1箇所のみで反転し、それ以外の部分では回転
軸回りに全く揺動しないので、基板がぶれることはなく
、基板を安定して成膜することができる。
交差する1箇所のみで反転し、それ以外の部分では回転
軸回りに全く揺動しないので、基板がぶれることはなく
、基板を安定して成膜することができる。
請求項(3に係る発明では、基板が蒸発源に対向するよ
うに基板ホルダがストッパ手段により所定回転位置に位
置決めされるので、基板は反転しない状態では常に蒸発
源に対向する位置に固定保持される;このことにより、
基板を蒸発源に確実に対向させて正確な成膜処理を行う
ことができるとともに、基板の不用意なぶれをなくして
、成膜をより一層安定させることができる。
うに基板ホルダがストッパ手段により所定回転位置に位
置決めされるので、基板は反転しない状態では常に蒸発
源に対向する位置に固定保持される;このことにより、
基板を蒸発源に確実に対向させて正確な成膜処理を行う
ことができるとともに、基板の不用意なぶれをなくして
、成膜をより一層安定させることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第8図及び第9図は本発明の第1実施例に係る成膜装置
としてのスパッタリング装置Aの全体構成を示し、1は
内部に真空チャンバ2を有する密閉円筒状の真空槽であ
る。この真空槽1の側壁1aには開口3.3が直径方向
に対向して形成され、この各開口3は開閉蓋4により気
密状態に閉塞されている。そして、上記一方の開閉M(
図で左側のもの)には、真空チャンバ2内に噴出ノズル
5から噴出されたアルゴンガスによりNI Cr分子を
放出する第1ターゲツトT1が、また他方の開閉蓋4(
同右側のもの)には同様に5i02分子を放出する第2
ターゲットT:がそれぞれ配設され、これらターゲット
T、、 T、は基板Wを成膜するための蒸発源を構成
している。また、上記開口3.3と直角な方向の側壁1
aには真空ポンプ(図示せず)に連通ずる排気口12が
開口されている。
としてのスパッタリング装置Aの全体構成を示し、1は
内部に真空チャンバ2を有する密閉円筒状の真空槽であ
る。この真空槽1の側壁1aには開口3.3が直径方向
に対向して形成され、この各開口3は開閉蓋4により気
密状態に閉塞されている。そして、上記一方の開閉M(
図で左側のもの)には、真空チャンバ2内に噴出ノズル
5から噴出されたアルゴンガスによりNI Cr分子を
放出する第1ターゲツトT1が、また他方の開閉蓋4(
同右側のもの)には同様に5i02分子を放出する第2
ターゲットT:がそれぞれ配設され、これらターゲット
T、、 T、は基板Wを成膜するための蒸発源を構成
している。また、上記開口3.3と直角な方向の側壁1
aには真空ポンプ(図示せず)に連通ずる排気口12が
開口されている。
上記真空チャンバ2内には回転部材としての基板治具6
がチャンバ2の中心と同心の鉛直上下方向の回転中心を
もって回転自在に支持されている。
がチャンバ2の中心と同心の鉛直上下方向の回転中心を
もって回転自在に支持されている。
この基板治具6は、第3図にも示すように、チャンバ2
内上下部に上下に対向配置された同じ形状の上部及び下
部円板7,8と、この両円板7.8をその半径方向中間
部で同心一体向に連結する6本の連結ロッド9.9.・
・・とを備え、この6本の連結ロッド9,9.・・・を
取り囲むように防着板10が張り巡らされている。上記
上部円板7の中心部には上方に延びる上部支持軸11が
回転一体に取り付けられ、この上部支持軸11は真空槽
1の上壁1bに図示しないベアリングを介して回転自在
に支持されている。一方、下部円板8の下方には下部円
板8よりも小径の円板13が同心状に配置され、この円
板13の中心部には上記上部支持軸11と同心位置を下
方に延びる円筒状の下部支持軸14が回転一体に取り付
けられ、この下部支持軸11は真空槽1の底壁1Cを貫
通してその中間部で底壁ICにベアリング15を介して
回転自在に支持されている。そして、上記円板13の外
周部と下部円板8とは円周方向の4等分位置で連結ボル
ト16,16.・・・及び仔性部材17.17゜・・・
を介して回転一体に連結されており、円板13によって
両円板7,8、連結ロッド9,9.・・・等を弾性支持
するようにしている。
内上下部に上下に対向配置された同じ形状の上部及び下
部円板7,8と、この両円板7.8をその半径方向中間
部で同心一体向に連結する6本の連結ロッド9.9.・
・・とを備え、この6本の連結ロッド9,9.・・・を
取り囲むように防着板10が張り巡らされている。上記
上部円板7の中心部には上方に延びる上部支持軸11が
回転一体に取り付けられ、この上部支持軸11は真空槽
1の上壁1bに図示しないベアリングを介して回転自在
に支持されている。一方、下部円板8の下方には下部円
板8よりも小径の円板13が同心状に配置され、この円
板13の中心部には上記上部支持軸11と同心位置を下
方に延びる円筒状の下部支持軸14が回転一体に取り付
けられ、この下部支持軸11は真空槽1の底壁1Cを貫
通してその中間部で底壁ICにベアリング15を介して
回転自在に支持されている。そして、上記円板13の外
周部と下部円板8とは円周方向の4等分位置で連結ボル
ト16,16.・・・及び仔性部材17.17゜・・・
を介して回転一体に連結されており、円板13によって
両円板7,8、連結ロッド9,9.・・・等を弾性支持
するようにしている。
また、真空槽lの底壁1c下面には公転モータ18が取
付固定されている。この公転モータ18の出力軸18a
は上方に突出し、該出力軸18aにはギヤ18bが回転
一体に取り付けられ、このギヤ18bは上記下部支持軸
14に取り付けたギヤ19に中間ギヤ20を介して駆動
連結されており、公転モータ18の作動により下部支持
軸14を介して基板治具6を回転させるようにしている
。
付固定されている。この公転モータ18の出力軸18a
は上方に突出し、該出力軸18aにはギヤ18bが回転
一体に取り付けられ、このギヤ18bは上記下部支持軸
14に取り付けたギヤ19に中間ギヤ20を介して駆動
連結されており、公転モータ18の作動により下部支持
軸14を介して基板治具6を回転させるようにしている
。
上記基板治具6の外周部には12の基板ホルダ34.3
4.・・・がそれぞれホルダ取付治具21によって取付
支持されている。上記各ホルダ取付冶具21は、上部円
板7の′外周縁部にその円周方向の12等分位置に鉛直
上下方向の回転中心をもって回転自在に支持されたホル
ダ吊り部材22と、下部円板8の外周縁部に上記ホルダ
吊り部材22と対応した位置に鉛直上下方向の回転中心
をもって回転自在に支持されたホルダ支持部材27とを
備えている。上記ホルダ吊り部材22は上部円板7にベ
アリング23を介して回転自在に支持された回転軸24
と、該回転軸24の下端に一体に連設され、水平方向に
延びるホルダ同定ピン25が取り付けられた吊下げ部2
6とからなる。一方、ホルダ支持部材27は下部円板8
にベアリング28を介して回転自在に支持された回転軸
2つと、該回転軸2つの上端に一体に連設された支持部
30と、該支持部30にボルト31によって一体的に固
定され、支持部30との間に構法のホルダ係合凹部32
を形成する係合片33とからなる。そして、各ホルダ吊
り部材22と該吊り部材22に対応するホルダ支持部材
27との間に、多数の矩形基板W、 W、・・・を保持
するための基板ホルダ34が掛は渡されるようになって
おり、この構造により基板ホルダ34は基板治具6にそ
の外周縁で回転軸24.29を介して回転自在に支持さ
れている。
4.・・・がそれぞれホルダ取付治具21によって取付
支持されている。上記各ホルダ取付冶具21は、上部円
板7の′外周縁部にその円周方向の12等分位置に鉛直
上下方向の回転中心をもって回転自在に支持されたホル
ダ吊り部材22と、下部円板8の外周縁部に上記ホルダ
吊り部材22と対応した位置に鉛直上下方向の回転中心
をもって回転自在に支持されたホルダ支持部材27とを
備えている。上記ホルダ吊り部材22は上部円板7にベ
アリング23を介して回転自在に支持された回転軸24
と、該回転軸24の下端に一体に連設され、水平方向に
延びるホルダ同定ピン25が取り付けられた吊下げ部2
6とからなる。一方、ホルダ支持部材27は下部円板8
にベアリング28を介して回転自在に支持された回転軸
2つと、該回転軸2つの上端に一体に連設された支持部
30と、該支持部30にボルト31によって一体的に固
定され、支持部30との間に構法のホルダ係合凹部32
を形成する係合片33とからなる。そして、各ホルダ吊
り部材22と該吊り部材22に対応するホルダ支持部材
27との間に、多数の矩形基板W、 W、・・・を保持
するための基板ホルダ34が掛は渡されるようになって
おり、この構造により基板ホルダ34は基板治具6にそ
の外周縁で回転軸24.29を介して回転自在に支持さ
れている。
上記各基板ホルダ34は、第5図〜第7図に拡大詳ホす
るように、上板34a及び下板34bと、該両板34a
、34bの左右両測部同士及び中央部同士をそれぞれ連
結する3つの連結板34C134C1・・・とを有する
長方形状の枠部材からなり、上記各連結板34Cには板
状のカバー35がビス36によって着脱可能に取り付け
られている。そして、ホルダ34の表裏面においてそれ
ぞれ隣り合う連結板34 c、 34 c間に複数の
基板W、 W。
るように、上板34a及び下板34bと、該両板34a
、34bの左右両測部同士及び中央部同士をそれぞれ連
結する3つの連結板34C134C1・・・とを有する
長方形状の枠部材からなり、上記各連結板34Cには板
状のカバー35がビス36によって着脱可能に取り付け
られている。そして、ホルダ34の表裏面においてそれ
ぞれ隣り合う連結板34 c、 34 c間に複数の
基板W、 W。
・・・を上下に並べ、この各基板Wを側縁部にてカバー
35によって連結板34cとの間に挟持することで、複
数の基板W、 W、・・・を基板ホルダ34に保持する
ようにしている。尚、基板Wは正方形状のものと長方形
状のものと2種類あり、同じ社類のものが上下に並べら
れて取り付けられる。
35によって連結板34cとの間に挟持することで、複
数の基板W、 W、・・・を基板ホルダ34に保持する
ようにしている。尚、基板Wは正方形状のものと長方形
状のものと2種類あり、同じ社類のものが上下に並べら
れて取り付けられる。
さらに、上記基板ホルダ34の上板34aには、上記ホ
ルダ吊り部材22のホルダ固定ピン25に係合される吊
下げ孔37が貫通形成されている。
ルダ吊り部材22のホルダ固定ピン25に係合される吊
下げ孔37が貫通形成されている。
この吊下げ孔37はホルダ固定ピン25のヘッド部25
aを挿通可能な大径部37aと、該大径部37a上半を
切り欠いてなり、ビン25の本体のみを挿通可能な小径
部37bとで構成されており、第6図に示す如く、基板
ホルダ34の下板34b下端をE記ホルダ支持部材27
における係合凹部32に嵌押しながら、吊下げ孔37の
大径部37aにホルダ固定ピン25のヘッド部25aを
押通させ、次いで、基板ホルダ34全体を押し下げて吊
下げ孔37の小径部37bに固定ビン25を嵌め込み、
しかる後、固定ビン25を螺動締結することにより、基
板ホルダ34をホルダ吊り部材22及びホルダ支持部材
27間に取付固定するようにしている。
aを挿通可能な大径部37aと、該大径部37a上半を
切り欠いてなり、ビン25の本体のみを挿通可能な小径
部37bとで構成されており、第6図に示す如く、基板
ホルダ34の下板34b下端をE記ホルダ支持部材27
における係合凹部32に嵌押しながら、吊下げ孔37の
大径部37aにホルダ固定ピン25のヘッド部25aを
押通させ、次いで、基板ホルダ34全体を押し下げて吊
下げ孔37の小径部37bに固定ビン25を嵌め込み、
しかる後、固定ビン25を螺動締結することにより、基
板ホルダ34をホルダ吊り部材22及びホルダ支持部材
27間に取付固定するようにしている。
上記各ホルダ支持部材27の回転軸29は下部円板8を
貫通してその下側に延び、その下端部には上側から順に
フランジ状のストッパ部材38及びゼネバ43が回転一
体に取付同定されている。
貫通してその下側に延び、その下端部には上側から順に
フランジ状のストッパ部材38及びゼネバ43が回転一
体に取付同定されている。
そして、第4図に示すように、上記ストッパ部材38外
周縁の所定位置、詳しくは上記ホルダ取付治具21によ
り支持されている基板ホルダ34と上下方向に対応する
位置には直径方向に対向する1対の係合凹部38a、3
8aが切欠形成されている。また、下部円板8の下面に
は上記ストッパ部材38よりも円板8の中心側側方に2
本の支持ボルト39.39が突出状態で植設され、この
支持ボルト39.39にはストッパ部材38に向かって
互いに平行に延びる阪ばね40,40が支持されている
。この各板ばね40の先端はストッパ部+438の外周
側方に延び、その先端にはストッパ部材38の凹部38
aに係合するローラ41が「11転可能に取り付けられ
ており、板ばね40の(lit性によりローラ41をス
トッパ部材38のI’l!1部38aに押し付けて係合
させることにより、基板ホルダ34をその表裏面の複数
の基板W、 W、・・・が第1又は第2ターゲツト71
、 T、、つまり真空+!!!11の側壁1aに平
行に対向するように所定回転位置に位置決め保持するス
トッパ機構42が構成されている。
周縁の所定位置、詳しくは上記ホルダ取付治具21によ
り支持されている基板ホルダ34と上下方向に対応する
位置には直径方向に対向する1対の係合凹部38a、3
8aが切欠形成されている。また、下部円板8の下面に
は上記ストッパ部材38よりも円板8の中心側側方に2
本の支持ボルト39.39が突出状態で植設され、この
支持ボルト39.39にはストッパ部材38に向かって
互いに平行に延びる阪ばね40,40が支持されている
。この各板ばね40の先端はストッパ部+438の外周
側方に延び、その先端にはストッパ部材38の凹部38
aに係合するローラ41が「11転可能に取り付けられ
ており、板ばね40の(lit性によりローラ41をス
トッパ部材38のI’l!1部38aに押し付けて係合
させることにより、基板ホルダ34をその表裏面の複数
の基板W、 W、・・・が第1又は第2ターゲツト71
、 T、、つまり真空+!!!11の側壁1aに平
行に対向するように所定回転位置に位置決め保持するス
トッパ機構42が構成されている。
一方、第1図及び第2図にも示すように、上記ゼネバ4
3の外周縁にはその外周縁から中心部に向かって切り欠
いてなる所定深さの4つの係合溝44.44.・・・が
円周方向に等間隔(90°間隔)をあけて形成されてい
る。また、真空槽1の底壁1Cには上記排気口12に対
応する位置に回転軸45が底壁ICを貫通した状態でベ
アリング46により回転自在に支持されている。この回
転軸45の上端には所定の大きさ及び形状を有する三角
板からなる反転レバー47がその1つの隅角部にて回転
一体に取り付けられ、この反転レバー47の残り2つの
隅角部には上方に突出する第1及び第2の反転ピン48
.49が取付固定され、第1反転ピン48の回転軸45
の軸心からの距離は第2反転ピン49よりも長くされて
いる。この各反転ピン48.49は上端に上記ゼネバ4
3の係合溝44.44.・・・に係合する係合部48a
、49aを有している。そして、上記ゼネバ43及び反
転ピン48.49により、第2図に示す如く、両反転ビ
ン48.49がゼネバ43の周回軌跡と交差する反転位
置にある状態において、基板治具6の回転により各ゼネ
バ43が真空冶1の側壁1aの排気口12に対応する反
転ステージSに移動したとき、それと同期して回転軸4
5を1回転させて反転レバー47を回転させ、第1及び
第2反転ピン48.49をそれぞれゼネバ43の隣り合
う2つの係合溝44.44に順に係合させなからゼネバ
43及びそれと一体の基板ホルダ34を所定角度(18
0”)だけ回転させることにより、基板ホルダ34の表
裏面を反転させるようにした基板反転機構51が構成さ
れている。尚、上記両反転ビン48.49をゼネバ43
の周回軌跡と交差しないチャンバ2中心側の退避位置(
第2図で仮想線にて示す位置)に位置付けたどきには、
ピン48.49をゼネバ43の係合溝44.44と係合
させず、基板ホルダ34の反転を行わないようにしてい
る。
3の外周縁にはその外周縁から中心部に向かって切り欠
いてなる所定深さの4つの係合溝44.44.・・・が
円周方向に等間隔(90°間隔)をあけて形成されてい
る。また、真空槽1の底壁1Cには上記排気口12に対
応する位置に回転軸45が底壁ICを貫通した状態でベ
アリング46により回転自在に支持されている。この回
転軸45の上端には所定の大きさ及び形状を有する三角
板からなる反転レバー47がその1つの隅角部にて回転
一体に取り付けられ、この反転レバー47の残り2つの
隅角部には上方に突出する第1及び第2の反転ピン48
.49が取付固定され、第1反転ピン48の回転軸45
の軸心からの距離は第2反転ピン49よりも長くされて
いる。この各反転ピン48.49は上端に上記ゼネバ4
3の係合溝44.44.・・・に係合する係合部48a
、49aを有している。そして、上記ゼネバ43及び反
転ピン48.49により、第2図に示す如く、両反転ビ
ン48.49がゼネバ43の周回軌跡と交差する反転位
置にある状態において、基板治具6の回転により各ゼネ
バ43が真空冶1の側壁1aの排気口12に対応する反
転ステージSに移動したとき、それと同期して回転軸4
5を1回転させて反転レバー47を回転させ、第1及び
第2反転ピン48.49をそれぞれゼネバ43の隣り合
う2つの係合溝44.44に順に係合させなからゼネバ
43及びそれと一体の基板ホルダ34を所定角度(18
0”)だけ回転させることにより、基板ホルダ34の表
裏面を反転させるようにした基板反転機構51が構成さ
れている。尚、上記両反転ビン48.49をゼネバ43
の周回軌跡と交差しないチャンバ2中心側の退避位置(
第2図で仮想線にて示す位置)に位置付けたどきには、
ピン48.49をゼネバ43の係合溝44.44と係合
させず、基板ホルダ34の反転を行わないようにしてい
る。
上記回転軸45の下端はピン駆動手段としての基板反転
モータ52に駆動連結されており、このモータ52の作
動により反転ビン48.49を回転軸45回りに1回転
させて基板ホルダ34を反転させるようにしている。
モータ52に駆動連結されており、このモータ52の作
動により反転ビン48.49を回転軸45回りに1回転
させて基板ホルダ34を反転させるようにしている。
尚、第3図、第8図及び第9図中、53は基板治具6と
ターゲットTI 、T:との間に配設されたンヤッタで
、このシャッタ53の上部は基板冶具6の上部支持軸1
1の周りに配設した円筒状の回転軸54に支持され、こ
の回転軸54は真空槽1外部のシャッタ駆動部55に駆
動連結されており、このシャッタ駆動部55によりシャ
ッタ53を回動させるようにしている。また、第8図中
、58は対向電極、59は加熱ヒータ、60はヒータパ
ネルである。
ターゲットTI 、T:との間に配設されたンヤッタで
、このシャッタ53の上部は基板冶具6の上部支持軸1
1の周りに配設した円筒状の回転軸54に支持され、こ
の回転軸54は真空槽1外部のシャッタ駆動部55に駆
動連結されており、このシャッタ駆動部55によりシャ
ッタ53を回動させるようにしている。また、第8図中
、58は対向電極、59は加熱ヒータ、60はヒータパ
ネルである。
次に、上記実施例の作動について説明する。
基板W、W、・・・をスパッタリング装置Aにより成膜
する場合、予め、基板ホルダ34,34.・・・の各々
にそれぞれ2種類の基板W、 W、・・・を取り付けて
保持する。そして、公転モータ18の駆動により基板治
具6を所定角度ずつ回転させながら、上記基板W、 W
、・・・が保持された基板ホルダ34゜34、・・・を
真空槽1の各開口3から真空チャンバ2内に挿入して、
順にホルダ取付治具21のホルダ吊り部材22と該吊り
部材22に対応するホルダ支持部材27との間に掛は渡
した状態で取り付ける。この取付けの際、基板ホルダ3
4の下板34b下端を上記ホルダ支持部材27における
係合凹部32に嵌挿しながら、吊下げ孔37の大径部3
7aにホルダ固定ピン25のへ・ンド部25aを押通さ
せ、次いで、基板ホルダ34全体を押し下げて吊下げ孔
37の小径部37bに固定ピン25を嵌め込み、しかる
後、固定ピン25を螺動締結することにより、基板ホル
ダ34がホルダ吊り部材22及びホルダ支持部材27に
取付固定される。
する場合、予め、基板ホルダ34,34.・・・の各々
にそれぞれ2種類の基板W、 W、・・・を取り付けて
保持する。そして、公転モータ18の駆動により基板治
具6を所定角度ずつ回転させながら、上記基板W、 W
、・・・が保持された基板ホルダ34゜34、・・・を
真空槽1の各開口3から真空チャンバ2内に挿入して、
順にホルダ取付治具21のホルダ吊り部材22と該吊り
部材22に対応するホルダ支持部材27との間に掛は渡
した状態で取り付ける。この取付けの際、基板ホルダ3
4の下板34b下端を上記ホルダ支持部材27における
係合凹部32に嵌挿しながら、吊下げ孔37の大径部3
7aにホルダ固定ピン25のへ・ンド部25aを押通さ
せ、次いで、基板ホルダ34全体を押し下げて吊下げ孔
37の小径部37bに固定ピン25を嵌め込み、しかる
後、固定ピン25を螺動締結することにより、基板ホル
ダ34がホルダ吊り部材22及びホルダ支持部材27に
取付固定される。
このことにより各基板ホルダ34は基板治具6め外周縁
に上下回転軸24.29を介して回転自在に支持され、
下側回転軸2つに取り付けたゼネノく43と一体的に回
転するようになる。
に上下回転軸24.29を介して回転自在に支持され、
下側回転軸2つに取り付けたゼネノく43と一体的に回
転するようになる。
その場合、上記の如く、基板ホルダ34の下板34b下
端をホルダ支持部材27の係合四部32に嵌押しながら
吊下げ孔37をホルダ固定ピン25に係止させ、しかる
後、該固定ピン25を螺動締結することにより、基板ホ
ルダ34が取付固定されるので、基板ホルダ34をワン
タッチ操作により容易に基板治具6に取り付けることが
できる。
端をホルダ支持部材27の係合四部32に嵌押しながら
吊下げ孔37をホルダ固定ピン25に係止させ、しかる
後、該固定ピン25を螺動締結することにより、基板ホ
ルダ34が取付固定されるので、基板ホルダ34をワン
タッチ操作により容易に基板治具6に取り付けることが
できる。
また、上記基板ホルダ34はその表面又は裏面が真空槽
1の側壁1aと平行になるように回転位置が位置付けら
れる。この位置では、ストッパ機構42における板ばね
40,40の弾性によりその先端のローラ41,41が
それぞれストッパ部材38外周の凹部38a、38aに
押圧状態で係合し、このことにより基板ホルダ34がそ
の表裏面の複数の基板W、 W、・・・を真空#fjl
の側壁1aに平行に対向させるように位置決めされて固
定保持される。
1の側壁1aと平行になるように回転位置が位置付けら
れる。この位置では、ストッパ機構42における板ばね
40,40の弾性によりその先端のローラ41,41が
それぞれストッパ部材38外周の凹部38a、38aに
押圧状態で係合し、このことにより基板ホルダ34がそ
の表裏面の複数の基板W、 W、・・・を真空#fjl
の側壁1aに平行に対向させるように位置決めされて固
定保持される。
上記基板治具6に全ての基板ホルダ34,34゜・・・
が取り付けられた後、各開口3を開閉蓋4により閉塞し
、真空ポンプにより真空チャンバ2内を真空状態にする
。この真空チャンバ2内の真空度が所定値に達すると、
公転モータ18の作動により基板治具6を回転させて基
板ホルダ34上の基板W、 W、・・・を真空チャンバ
2内で周回走行させるとともに、それと同時に、アルゴ
ンガスを噴出ノズル5から噴出させて第1ターゲツトT
1からNi Cr分子を放出させ、又は第2ターゲツト
T二から5I02分子を放出させ、これら金属化合物の
分子を基板W、W、・・・に付着させて成膜処理を行う
。
が取り付けられた後、各開口3を開閉蓋4により閉塞し
、真空ポンプにより真空チャンバ2内を真空状態にする
。この真空チャンバ2内の真空度が所定値に達すると、
公転モータ18の作動により基板治具6を回転させて基
板ホルダ34上の基板W、 W、・・・を真空チャンバ
2内で周回走行させるとともに、それと同時に、アルゴ
ンガスを噴出ノズル5から噴出させて第1ターゲツトT
1からNi Cr分子を放出させ、又は第2ターゲツト
T二から5I02分子を放出させ、これら金属化合物の
分子を基板W、W、・・・に付着させて成膜処理を行う
。
その際、上記各基板ホルダ34はストッパ機構42によ
り常に真空槽1の側壁1aと平行となるように固定保持
されるので、その基板ホルダ34上の基板W、W、 ・
・・は常にターゲットT、、’r!に対し正確に対向す
る位置に保たれる。このことにより、基板Wをターゲッ
トTI、T、に確実に対向させて正確な成膜処理を行う
ことができるとともに、基板Wの不用意なぶれをなくし
て安定した成膜を得ることができる。
り常に真空槽1の側壁1aと平行となるように固定保持
されるので、その基板ホルダ34上の基板W、W、 ・
・・は常にターゲットT、、’r!に対し正確に対向す
る位置に保たれる。このことにより、基板Wをターゲッ
トTI、T、に確実に対向させて正確な成膜処理を行う
ことができるとともに、基板Wの不用意なぶれをなくし
て安定した成膜を得ることができる。
そして、基板Wを反転させる場合には、基板反転機構5
1の第1及び第2ピン48.49を上記基板ホルダ34
と回転一体のゼネバ43の周回軌跡上の反転位置に位置
付けておき、ゼネバ43がピン48.49と交差する反
転ステージSに移動したときに、基板反転モータ52を
ON作動させて反転レバー47を回転軸45回りに90
″回転させる。この反転レバー47の回転に伴い、上記
第1及び第2反転ピン48.49がそれぞれゼネバ43
の隣り合う2つの係合?M44.44に順に係合しなが
ら回転し、このことによりゼネバ43がストッパ機構4
2の停止保持力に抗して所定角度(180@)だけ回転
して、それと一体の基板ホルダ34が反転し、それまで
チャンバ2中心側にあった基板W、 W、・・・がチャ
ンバ2外側を向き、その基板W、 W、・・・が成膜さ
れる。
1の第1及び第2ピン48.49を上記基板ホルダ34
と回転一体のゼネバ43の周回軌跡上の反転位置に位置
付けておき、ゼネバ43がピン48.49と交差する反
転ステージSに移動したときに、基板反転モータ52を
ON作動させて反転レバー47を回転軸45回りに90
″回転させる。この反転レバー47の回転に伴い、上記
第1及び第2反転ピン48.49がそれぞれゼネバ43
の隣り合う2つの係合?M44.44に順に係合しなが
ら回転し、このことによりゼネバ43がストッパ機構4
2の停止保持力に抗して所定角度(180@)だけ回転
して、それと一体の基板ホルダ34が反転し、それまで
チャンバ2中心側にあった基板W、 W、・・・がチャ
ンバ2外側を向き、その基板W、 W、・・・が成膜さ
れる。
また、このような基板Wの反転を停にする場合には、上
記基板反転モータ52を作動させて基板反転機構51の
反転ピン48.49をゼネバ43の周回軌跡上から離れ
た退避位置に位置付ける。
記基板反転モータ52を作動させて基板反転機構51の
反転ピン48.49をゼネバ43の周回軌跡上から離れ
た退避位置に位置付ける。
この退避位置では、ゼネバ43が反転ステージSに近付
いてもその係合溝44.44にピン48゜49は係合せ
ず、基板ホルダ34は反転されずにそのまま周回するこ
ととなる。
いてもその係合溝44.44にピン48゜49は係合せ
ず、基板ホルダ34は反転されずにそのまま周回するこ
ととなる。
したがって、この実施例の場合、基板ホルダ34の反転
又はその停止の切換えを自在に行うことができるため、
上記の如く基板ホルダ34の一側の基板W、 W、・・
・のみを続けて成膜した後、基板ホルダ34の反転によ
り反対側の基板W、W、・・を成膜することも可能で、
成膜のパターンを拡大することができる。また、基板ホ
ルダ34両側の基板W、W、・・・を異なった条件で成
膜する場合にも、M 、IN Wの1周毎にターゲット
TI、T、やシャッタ53を切り換える必要はなく、構
造を簡単にすることができる。
又はその停止の切換えを自在に行うことができるため、
上記の如く基板ホルダ34の一側の基板W、 W、・・
・のみを続けて成膜した後、基板ホルダ34の反転によ
り反対側の基板W、W、・・を成膜することも可能で、
成膜のパターンを拡大することができる。また、基板ホ
ルダ34両側の基板W、W、・・・を異なった条件で成
膜する場合にも、M 、IN Wの1周毎にターゲット
TI、T、やシャッタ53を切り換える必要はなく、構
造を簡単にすることができる。
また、各基板ホルダ34は真空チャンバ2内を周回中、
ゼネバ43がピン48.49と交差する反転ステージS
の1箇所のみで反転し、それ以外の部分では回転?d1
24.,29回りに全く揺動しないので、基板Wがぶれ
ることはなく、延板Wを安定して成膜することができる
。
ゼネバ43がピン48.49と交差する反転ステージS
の1箇所のみで反転し、それ以外の部分では回転?d1
24.,29回りに全く揺動しないので、基板Wがぶれ
ることはなく、延板Wを安定して成膜することができる
。
さらに、基板ホルダ34の反転によりその表裏面の基板
W、W、・・・を成膜することができるので、2面の基
板ホルダ34の使用により2而成膜が可能となり、基板
ホルダが反転しない構造のスパッタリング装置に比べ、
−度に2倍の数の基板W。
W、W、・・・を成膜することができるので、2面の基
板ホルダ34の使用により2而成膜が可能となり、基板
ホルダが反転しない構造のスパッタリング装置に比べ、
−度に2倍の数の基板W。
W、・・・を成膜処理でき、成膜効率を向上させること
ができる。
ができる。
第10図及び第11図は本発明の第2実施例を示しく尚
、第1実施例と同じ部分については同じ符号を付してそ
の詳細な説明は省略する)、上記実施例では基板ホルダ
34を180°回転させるようにしたのに対し、120
0だけ回転させて3面処理を行うようにしたものである
。
、第1実施例と同じ部分については同じ符号を付してそ
の詳細な説明は省略する)、上記実施例では基板ホルダ
34を180°回転させるようにしたのに対し、120
0だけ回転させて3面処理を行うようにしたものである
。
すなわち、この実施例では、第11図に示す如く、ホル
ダ取付治具21は、3辺の側面にそれぞれホルダ固定ビ
ン25. 25.・・・が取り付けられた三角板状の吊
下げ部26′をHするホルダ吊り部材22′と、上記吊
下げ部26′と同じ三角板状の支持部30′を有するホ
ルダ支持部材27′とからなり、上記各ホルダ吊り部材
22′の吊下げ部26′とホルダ支持部材27′の支持
部30′とは上下に対応するようにJ(通の回転軸56
によって一体的に連結固定されている。そして、上記支
持部30’の3辺の側面にはそれぞれ支持部30’ と
の間に湾状のホルダ係合凹部32’、32′、・・・を
形成する係合片33,33.・・・が取り付けられてお
り、ホルダ支持部材27′の固定ピン25.25.・・
・とホルダ支持部材27’、27・・・の係合凹部32
’ 32’ ・・・との間に3つの基板ホルダ34
’ 、34’ ・・・が掛は渡されるようになされて
いる。また、上記基板ホルダ34′は、上記実施例とは
異なり、その−面のみに複数の基板W、 W、・・・を
取付保持するようになっている。
ダ取付治具21は、3辺の側面にそれぞれホルダ固定ビ
ン25. 25.・・・が取り付けられた三角板状の吊
下げ部26′をHするホルダ吊り部材22′と、上記吊
下げ部26′と同じ三角板状の支持部30′を有するホ
ルダ支持部材27′とからなり、上記各ホルダ吊り部材
22′の吊下げ部26′とホルダ支持部材27′の支持
部30′とは上下に対応するようにJ(通の回転軸56
によって一体的に連結固定されている。そして、上記支
持部30’の3辺の側面にはそれぞれ支持部30’ と
の間に湾状のホルダ係合凹部32’、32′、・・・を
形成する係合片33,33.・・・が取り付けられてお
り、ホルダ支持部材27′の固定ピン25.25.・・
・とホルダ支持部材27’、27・・・の係合凹部32
’ 32’ ・・・との間に3つの基板ホルダ34
’ 、34’ ・・・が掛は渡されるようになされて
いる。また、上記基板ホルダ34′は、上記実施例とは
異なり、その−面のみに複数の基板W、 W、・・・を
取付保持するようになっている。
また、第10図に示す如く、ホルダ取付治具21の回転
軸56下端に取り付けられるゼネバ43′は、その外周
縁に3つの係合m44.44.・・・が固層方向に等間
隔(120@間隔)をあけて形成されている。また、真
空II!11の底壁1cに回転自在に支持されている回
転軸45の上端には置板からなる反転レバー47′がそ
の一端部にて回転一体に取り付けられ、この反転レバー
47′の他端部に上記ゼネバ43′の係合溝44,44
.・・に係合する1つの反転ピン50が取付固定されて
おり、反転ビン50がゼネバ43′の周回軌跡と交差す
る反転位置にある状態において、各ゼネバ43′が反転
ステージSに移動したとき、それと開明して回転軸45
を90′回転させて反転レバー47′を回転させ、反転
ビン50をゼネバ43′の1つの係合溝44に係合させ
なからゼネバ43′及びそれと一体の3つの基板ホルダ
34′34′、・・・を120°だけ回転させるように
した基板反転機構51′が構成されている。
軸56下端に取り付けられるゼネバ43′は、その外周
縁に3つの係合m44.44.・・・が固層方向に等間
隔(120@間隔)をあけて形成されている。また、真
空II!11の底壁1cに回転自在に支持されている回
転軸45の上端には置板からなる反転レバー47′がそ
の一端部にて回転一体に取り付けられ、この反転レバー
47′の他端部に上記ゼネバ43′の係合溝44,44
.・・に係合する1つの反転ピン50が取付固定されて
おり、反転ビン50がゼネバ43′の周回軌跡と交差す
る反転位置にある状態において、各ゼネバ43′が反転
ステージSに移動したとき、それと開明して回転軸45
を90′回転させて反転レバー47′を回転させ、反転
ビン50をゼネバ43′の1つの係合溝44に係合させ
なからゼネバ43′及びそれと一体の3つの基板ホルダ
34′34′、・・・を120°だけ回転させるように
した基板反転機構51′が構成されている。
尚、第10図中、57は基板治具6の上部及び下部円板
7,8の外周縁間において隣り合うホルダ取付治具21
,21間位置に配設された連結部材で、これは真空槽1
の側壁1aに向いている基板ホルダ34′の基板W、
W、・・・がターゲットT1、T2に対し影にならない
ように板状のもので構成されている。
7,8の外周縁間において隣り合うホルダ取付治具21
,21間位置に配設された連結部材で、これは真空槽1
の側壁1aに向いている基板ホルダ34′の基板W、
W、・・・がターゲットT1、T2に対し影にならない
ように板状のもので構成されている。
したがって、この実施例では、基板Wを反転させる場合
、基板治具6の回転によりゼネバ43′が反転ステージ
Sに移動したとき、それに伴って反転レバー47′を9
0”回転させると、その反転ピン50がゼネバ43′の
1つの係合溝44に出入しながら回転し、このことによ
りゼネバ43′が120°回転して3つの基板ホルダ3
4′34′、・・・が反転し、その位置が切り換えられ
る。
、基板治具6の回転によりゼネバ43′が反転ステージ
Sに移動したとき、それに伴って反転レバー47′を9
0”回転させると、その反転ピン50がゼネバ43′の
1つの係合溝44に出入しながら回転し、このことによ
りゼネバ43′が120°回転して3つの基板ホルダ3
4′34′、・・・が反転し、その位置が切り換えられ
る。
また、基板ホルダ34′を反転させないときには、反転
ピン50を退避位置に位置付ければよい。よって、この
実施例でも上記第1実施例と同様の作用効果を奏するこ
とができる。
ピン50を退避位置に位置付ければよい。よって、この
実施例でも上記第1実施例と同様の作用効果を奏するこ
とができる。
特に、この場合、上記実施例の如き2而戊膜でなくて、
基板ホルダ34′の反転によりその3面の基板W、 W
、・・・を成膜することができるので、3而成膜が可能
となり、基板ホルダが反転しない構造のスパッタリング
装置に比べ、−度に3倍の基板W、W、・・・を成膜処
理でき、成膜効率をさらに向上させることができる。
基板ホルダ34′の反転によりその3面の基板W、 W
、・・・を成膜することができるので、3而成膜が可能
となり、基板ホルダが反転しない構造のスパッタリング
装置に比べ、−度に3倍の基板W、W、・・・を成膜処
理でき、成膜効率をさらに向上させることができる。
尚、上記実施例では、各基板Wについてみるとその一面
のみを成膜するようにしたが、本発明は各基板の表裏両
面を成膜する場合にも適用でき、基板を自在に反転させ
ることができる。
のみを成膜するようにしたが、本発明は各基板の表裏両
面を成膜する場合にも適用でき、基板を自在に反転させ
ることができる。
また、上記実施例では、2而戊膜及び3面成膜の場合で
あるが、4面以上の多面成膜も可能である。しかし、そ
の場合、隣接する基板ホルダ34゜34の反転時の干渉
を避けるためのデッドスペースが大きくなり、スペース
上のロスが大きいので、3面成膜を限度とするのが好ま
しい。
あるが、4面以上の多面成膜も可能である。しかし、そ
の場合、隣接する基板ホルダ34゜34の反転時の干渉
を避けるためのデッドスペースが大きくなり、スペース
上のロスが大きいので、3面成膜を限度とするのが好ま
しい。
さらに、本発明はスパッタリング装置人以外の成膜装置
にも適用できるのは勿論のことである。
にも適用できるのは勿論のことである。
(発明の効果)
以上説明した如く、請求項(1)記載の発明によると、
真空槽内で基板を周回させて成膜するようにした成膜装
置において、基板を保持する基板ホルダの回転軸にゼネ
バを取り付ける一方、真空槽の壁部にゼネバの係合溝に
出入してゼネバを所定角度回転させる反転ピンを設け、
このピンとゼネバとによ゛って基板を所定角度だけ反転
させるようにしたことにより、基板を真空槽内での周回
と無関係に自在に反転制御でき、基板の表裏面を異なっ
た条件で成膜して異種成膜を容易にかつ節1iな構造で
実現することができるとともに、基板をf′F、f:r
。
真空槽内で基板を周回させて成膜するようにした成膜装
置において、基板を保持する基板ホルダの回転軸にゼネ
バを取り付ける一方、真空槽の壁部にゼネバの係合溝に
出入してゼネバを所定角度回転させる反転ピンを設け、
このピンとゼネバとによ゛って基板を所定角度だけ反転
させるようにしたことにより、基板を真空槽内での周回
と無関係に自在に反転制御でき、基板の表裏面を異なっ
た条件で成膜して異種成膜を容易にかつ節1iな構造で
実現することができるとともに、基板をf′F、f:r
。
の反転角度で反転できるので、3面以上の基板ホルダの
使用により多面成膜を可能として、−度に多数の基板を
成膜処理でき、成膜効率を向上させることができる。さ
らには走行時の基板のぶれをなくして成膜性能を向上さ
せることができる。
使用により多面成膜を可能として、−度に多数の基板を
成膜処理でき、成膜効率を向上させることができる。さ
らには走行時の基板のぶれをなくして成膜性能を向上さ
せることができる。
また、請求項(2)に係る発明によると、基板が蒸発源
に対向するように基板ホルダを所定回転位置に位置決め
保持するストッパ手段を設けたことにより、基板を反転
しない状態で常に蒸発源に対向する位置に位置付けるこ
とができ、基板を蒸発源に確実に対向させて正確な成膜
処理を行うことができるとともに、基板の不用意なぶれ
をなくして、成膜をより一層安定させることができる。
に対向するように基板ホルダを所定回転位置に位置決め
保持するストッパ手段を設けたことにより、基板を反転
しない状態で常に蒸発源に対向する位置に位置付けるこ
とができ、基板を蒸発源に確実に対向させて正確な成膜
処理を行うことができるとともに、基板の不用意なぶれ
をなくして、成膜をより一層安定させることができる。
第1図〜第9図は本発明の第1実施例を示し、第1図は
基板反転機構の拡大正面断面図、第2図は同平面図、第
3図は払板冶ニーLの正面断面図、第4図は第3図のT
V−IV線断面図、第5図は基板ホルダの拡大正面図、
第6図は同側面図、第7図は同甲面図、第8図は真空冷
壁部を破断して示すスパッタリング装置の正面図、第9
図は同平面図である。第10区及び第11図は本発明の
第2実施例を示し、第10図は第2図相当図、第11図
はホルダ取付治具の斜視図である。 A・・・スパッタリング装置(成膜装置)1・・・真空
槽 2・・・真空チャンバ T、、T2・・・ターゲット(蒸発源)6・・・基板治
具(回転部材) 18・・・公転モータ 21.21’ ・・・ホルダ取付治具 34.34’・・・基板ホルダ 38・・・ストッパ部材 40・・・板ばね 42・・・ストッパ機構 43・・・ゼネバ 44・・・係合溝 45・・・回転軸 47、47’・・・反転レバー 48.49.50・・・反転ピン 51.51’ ・・・基板反転ml詐)52・・・基板
反転モータ(ピン駆動手段)W・・・基板 S・・・反転ステージ 第2図 第1 図 第4 図 鳴 5− 第3図
基板反転機構の拡大正面断面図、第2図は同平面図、第
3図は払板冶ニーLの正面断面図、第4図は第3図のT
V−IV線断面図、第5図は基板ホルダの拡大正面図、
第6図は同側面図、第7図は同甲面図、第8図は真空冷
壁部を破断して示すスパッタリング装置の正面図、第9
図は同平面図である。第10区及び第11図は本発明の
第2実施例を示し、第10図は第2図相当図、第11図
はホルダ取付治具の斜視図である。 A・・・スパッタリング装置(成膜装置)1・・・真空
槽 2・・・真空チャンバ T、、T2・・・ターゲット(蒸発源)6・・・基板治
具(回転部材) 18・・・公転モータ 21.21’ ・・・ホルダ取付治具 34.34’・・・基板ホルダ 38・・・ストッパ部材 40・・・板ばね 42・・・ストッパ機構 43・・・ゼネバ 44・・・係合溝 45・・・回転軸 47、47’・・・反転レバー 48.49.50・・・反転ピン 51.51’ ・・・基板反転ml詐)52・・・基板
反転モータ(ピン駆動手段)W・・・基板 S・・・反転ステージ 第2図 第1 図 第4 図 鳴 5− 第3図
Claims (2)
- (1)側面に蒸発源を有する真空槽と、該真空槽内に回
転可能に支持され、多数の基板を支持する回転部材とを
有し、回転部材の回転により基板を順次蒸発源に対向さ
せて成膜するようにした成膜装置において、上記回転部
材の外周に回転可能に支持され、基板を保持する基板ホ
ルダと、該基板ホルダの回転軸に回転一体に取り付けら
れ、外周縁に半径方向中心側に延びる複数の係合溝が円
周方向に所定間隔をあけて形成されたゼネバと、真空槽
の壁部の所定位置に上記回転部材の回転中心と平行な回
転中心をもって回転軸回りに回転可能に支持され、回転
軸回りの回転により上記ゼネバの各係合溝に順に係合し
て基板ホルダを所定角度だけ回転させる反転ピンと、該
反転ピンを回転駆動するピン駆動手段とを備えたことを
特徴とする基板の反転装置。 - (2)基板ホルダを基板が蒸発源に対向するように所定
回転位置に位置決め保持するストッパ手段が設けられて
いることを特徴とする請求項(1)記載の基板の反転装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1219528A JPH0382762A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 基板の反転装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1219528A JPH0382762A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 基板の反転装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0382762A true JPH0382762A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16736894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1219528A Pending JPH0382762A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 基板の反転装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0382762A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007100123A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kyocera Kinseki Corp | 真空蒸着装置 |
JP2008147186A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 導光バッファ板を有するバックライトユニット |
CN103911586A (zh) * | 2013-01-04 | 2014-07-09 | 台积太阳能股份有限公司 | 在光伏器件涂覆有金属的玻璃上形成吸收层的方法和*** |
CN109468606A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-03-15 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种真空可180°翻转镀膜夹具 |
CN112877667A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-06-01 | 安徽工业大学 | 一种真空镀膜中样品翻转装置 |
CN117089816A (zh) * | 2023-08-22 | 2023-11-21 | 苏州佑伦真空设备科技有限公司 | 一种基片可选择翻面的镀锅结构 |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1219528A patent/JPH0382762A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007100123A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kyocera Kinseki Corp | 真空蒸着装置 |
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JP4691543B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2011-06-01 | サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド. | 導光バッファ板を有するバックライトユニット |
CN103911586A (zh) * | 2013-01-04 | 2014-07-09 | 台积太阳能股份有限公司 | 在光伏器件涂覆有金属的玻璃上形成吸收层的方法和*** |
US9929304B2 (en) | 2013-01-04 | 2018-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for forming absorber layer on metal coated glass for photovoltaic devices |
CN109468606A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-03-15 | 福建福晶科技股份有限公司 | 一种真空可180°翻转镀膜夹具 |
CN112877667A (zh) * | 2021-01-11 | 2021-06-01 | 安徽工业大学 | 一种真空镀膜中样品翻转装置 |
CN117089816A (zh) * | 2023-08-22 | 2023-11-21 | 苏州佑伦真空设备科技有限公司 | 一种基片可选择翻面的镀锅结构 |
CN117089816B (zh) * | 2023-08-22 | 2024-03-29 | 苏州佑伦真空设备科技有限公司 | 一种基片可选择翻面的镀锅结构 |
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