JPH0382020A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH0382020A JPH0382020A JP21990789A JP21990789A JPH0382020A JP H0382020 A JPH0382020 A JP H0382020A JP 21990789 A JP21990789 A JP 21990789A JP 21990789 A JP21990789 A JP 21990789A JP H0382020 A JPH0382020 A JP H0382020A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用する化学気相成長
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来、この種の化学気相成長装置は第７図、第８図に示
すように構成されている。これを同図について説明する
と、第７図は処理室の断面図、第８図は処理室下部の平
面図で、同図において、１は被処理対象としての半導体
ウェハ、２は半導体ウェハ１に反応ガスＡを供給するガ
スヘッド、３は半導体ウェハ１を保持し、ステージヒー
タ４によって加熱されているウェハステージ、７は反応
室内壁５に設けられ、排気Ｂを取るための排気口、Ｃは
反応ガスＢの気相反応によって生じた反応生成物である
。
すように構成されている。これを同図について説明する
と、第７図は処理室の断面図、第８図は処理室下部の平
面図で、同図において、１は被処理対象としての半導体
ウェハ、２は半導体ウェハ１に反応ガスＡを供給するガ
スヘッド、３は半導体ウェハ１を保持し、ステージヒー
タ４によって加熱されているウェハステージ、７は反応
室内壁５に設けられ、排気Ｂを取るための排気口、Ｃは
反応ガスＢの気相反応によって生じた反応生成物である
。
このように構成きれた化学気相成長装置においては、予
めウェハステージ３上で加熱された半導体ウェハ１に対
して、ガスへラド２より反応ガスＢを供給することによ
り、半導体ウェハ１上に反応生成膜（図示せず）を形成
することができる。
めウェハステージ３上で加熱された半導体ウェハ１に対
して、ガスへラド２より反応ガスＢを供給することによ
り、半導体ウェハ１上に反応生成膜（図示せず）を形成
することができる。
ところで、この種の化学気相成長装置においては、反応
ガスＢによって、半導体ウェハ１上に形成される反応生
成膜以外に、気相反応によって微細な粒子である反応生
成物Ｃが生じる。
ガスＢによって、半導体ウェハ１上に形成される反応生
成膜以外に、気相反応によって微細な粒子である反応生
成物Ｃが生じる。
ところが、従来の化学気相成長装置においては、反応生
成物Ｃの半導体ウェハ１上への付着が多く、製品の歩留
り低下の原因となっていた。
成物Ｃの半導体ウェハ１上への付着が多く、製品の歩留
り低下の原因となっていた。
また反応生成物Ｃが反応室内壁５やガスヘッド２、ウェ
ハステージ３に付着し、付着量が多（なってくると生膜
条件に変化が生じたり、付着しているものより半導体ウ
ェハ１上への付着が生じる。
ハステージ３に付着し、付着量が多（なってくると生膜
条件に変化が生じたり、付着しているものより半導体ウ
ェハ１上への付着が生じる。
このために、定期的に装置を止めて、反応室内壁５など
に付着している反応生成物Ｃを除却しなければならず、
装置稼動率の低下を招いていた。
に付着している反応生成物Ｃを除却しなければならず、
装置稼動率の低下を招いていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、定期的に装置を止めて、反応室内壁などに付
着している反応生成物を除却するような必要がなく、装
置稼働率の低下を招くことのない化学気相成長装置を得
ることを目的とする。
たもので、定期的に装置を止めて、反応室内壁などに付
着している反応生成物を除却するような必要がなく、装
置稼働率の低下を招くことのない化学気相成長装置を得
ることを目的とする。
本発明に係る化学気相成長装置は、反応室内壁を反応ガ
スの温度以上、ウェハステージの温度以下に加熱保持し
、この反応室内壁とウェハステージの間の半導体ウェハ
を囲む位置に、加熱されていないリングを設け、上記反
応室内で反応ガスの気相反応により生じた反応生成物を
、前記リングに熱泳動によって付着させるようにしたも
のである。
スの温度以上、ウェハステージの温度以下に加熱保持し
、この反応室内壁とウェハステージの間の半導体ウェハ
を囲む位置に、加熱されていないリングを設け、上記反
応室内で反応ガスの気相反応により生じた反応生成物を
、前記リングに熱泳動によって付着させるようにしたも
のである。
本発明においては、高温の反応室内壁半導体ウェハと、
低温のリングとの熱匂配により、反応生成物の微粒子が
熱泳動で低温のリングに集まり付着するので、反応室内
壁、半導体ウェハに付着する反応生成物を減少でき、リ
ングを取り換える、またはリングの付着物除却機構を設
けることによって、反応生成物の除却が容易に行なえる
。
低温のリングとの熱匂配により、反応生成物の微粒子が
熱泳動で低温のリングに集まり付着するので、反応室内
壁、半導体ウェハに付着する反応生成物を減少でき、リ
ングを取り換える、またはリングの付着物除却機構を設
けることによって、反応生成物の除却が容易に行なえる
。
以下、本発明の一実施例を図について詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例による化学気相成長装置の反
応室を示す断面図、第２図はその反応室を示す平面図で
、両図以下において第７図、第８図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する０両図に
おいて、６は反応室内壁５を加熱するための壁面ヒータ
、８はガスへラド２とウェハステージ３．排気ロアの間
の半導体ウェハ１を囲む位置に断熱材で作られたリング
支持棒９によって保持されたリングである。
応室を示す断面図、第２図はその反応室を示す平面図で
、両図以下において第７図、第８図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する０両図に
おいて、６は反応室内壁５を加熱するための壁面ヒータ
、８はガスへラド２とウェハステージ３．排気ロアの間
の半導体ウェハ１を囲む位置に断熱材で作られたリング
支持棒９によって保持されたリングである。
このように構成された化学気相成長装置においては、壁
面ヒータ６により、反応ガスＡの温度以上、ウェハステ
ージ３の温度以下に加熱保持された反応室内壁５．半導
体ウェハ１と、加熱されていないリング８との熱匂配に
より、反応生成物Ｃが熱泳動でリング８に付着し、反応
室内壁５．半導体ウェハ１に付着する反応生成物Ｃの数
を減少させることができる。また、このリング８に付着
した反応生成物Ｃは、リング８を取り換えることにより
容易に除却することができる。
面ヒータ６により、反応ガスＡの温度以上、ウェハステ
ージ３の温度以下に加熱保持された反応室内壁５．半導
体ウェハ１と、加熱されていないリング８との熱匂配に
より、反応生成物Ｃが熱泳動でリング８に付着し、反応
室内壁５．半導体ウェハ１に付着する反応生成物Ｃの数
を減少させることができる。また、このリング８に付着
した反応生成物Ｃは、リング８を取り換えることにより
容易に除却することができる。
なお、上記実施例においては、リング８を半導体ウェハ
ｌと同心円で、断面形状を円形としたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、他の形状であってもよく、
その材質１個数、支持の方法も任意である。
ｌと同心円で、断面形状を円形としたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、他の形状であってもよく、
その材質１個数、支持の方法も任意である。
また、本実施例においては、半導体ウェハｌと同心円状
のウェハステージ３９反応室内壁５を示したが、ウェハ
ステージ３１反応室内壁５とも半導体ウェハ１と同心円
形状でなくてもよく、ガスへラド２の形状、構造も任意
である。
のウェハステージ３９反応室内壁５を示したが、ウェハ
ステージ３１反応室内壁５とも半導体ウェハ１と同心円
形状でなくてもよく、ガスへラド２の形状、構造も任意
である。
さらにまた、本発明における排気ロアの形状、数、配置
、ウェハステージ３９反応室壁５の加熱方法、反応室内
の各部の配置構成は、上述した実施例に限定されるもの
でないのは勿論である。
、ウェハステージ３９反応室壁５の加熱方法、反応室内
の各部の配置構成は、上述した実施例に限定されるもの
でないのは勿論である。
以下、本発明の第２の実施例を図について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の第２の実施例による化学気相成長装置
の反応室を示す断面図、第３図はその反応室を示す平面
図で、両図以下において第７図。
の反応室を示す断面図、第３図はその反応室を示す平面
図で、両図以下において第７図。
第８図と同一の部材については同一の符号を付し１、詳
細な説明は省略する。同図において、６は反応室内壁５
を加熱するための壁面ヒータ、１０は内部に冷却水りを
循環させる導水管、１１は導水管１０の表面を覆う管カ
バー、１２は管カバー１１の両端に取り付けられて、連
結されているシリンダ１３の動きによって導水管１０上
を移動し、管カバー１１を引っ張るカバー引合金、１４
は管カバー１２を囲むように配置されているブラシブロ
ックである。
細な説明は省略する。同図において、６は反応室内壁５
を加熱するための壁面ヒータ、１０は内部に冷却水りを
循環させる導水管、１１は導水管１０の表面を覆う管カ
バー、１２は管カバー１１の両端に取り付けられて、連
結されているシリンダ１３の動きによって導水管１０上
を移動し、管カバー１１を引っ張るカバー引合金、１４
は管カバー１２を囲むように配置されているブラシブロ
ックである。
また第４図は導水管１０．管カバー１１を示す断面図、
第５図、第６図は導水管１０．管カバー１１、ブラシブ
ロック１４を示す断面図で、１５はブラシブロック１４
の内側に付けられたブラシである。
第５図、第６図は導水管１０．管カバー１１、ブラシブ
ロック１４を示す断面図で、１５はブラシブロック１４
の内側に付けられたブラシである。
このように構成された化学気相成長装置においては、壁
面ヒータ６により、反応ガスＡの温度以上、ウェハステ
ージ３の温度以下に加熱保持された反応室内壁５．半導
体ウェハ１と、冷却水りによって低温に保持されている
導水管ｌＯとの熱匂配により、反応生成物Ｃが熱泳動で
導水管１０の表面を覆う管カバー１１に付着するので、
反応室内壁５．半導体ウェハ１等に付着する反応生成物
Ｃの量を減少させるここができる。
面ヒータ６により、反応ガスＡの温度以上、ウェハステ
ージ３の温度以下に加熱保持された反応室内壁５．半導
体ウェハ１と、冷却水りによって低温に保持されている
導水管ｌＯとの熱匂配により、反応生成物Ｃが熱泳動で
導水管１０の表面を覆う管カバー１１に付着するので、
反応室内壁５．半導体ウェハ１等に付着する反応生成物
Ｃの量を減少させるここができる。
また、反応生成物Ｃが付着した管カバー１１は、エアシ
リンダ１３に取り付けられたカバー引き金１２により、
導水管１１の表面を伝わって反応室外へ引き出される。
リンダ１３に取り付けられたカバー引き金１２により、
導水管１１の表面を伝わって反応室外へ引き出される。
この時に第５図に示されるようにブラシブロック１４が
、導水管１０の方に押し付けられ、ブラシ１５によって
管カバー１１に付着している反応生成物Ｃが除却される
。管カバー１１は導水管１０の反応室内にある部分の長
さの２倍以上あり、初めはモの半分が反応室内に入って
おり、エアシリンダ１３の動きによって反応室内にあっ
た管カバー１１はブラシブロック１４で付着している反
ゐ生成物Ｃを除却されつつ、反応室外へ引き出され、初
めに反応室外にあった部分が反応室内へ入る。管カバー
１１が反応室内に入る時には、第６図に示されるように
ブラシブロック１４が開き、ブラシ１５は管カバー１１
に触れない、管カバー１１の反応室内にあった半分と反
応室内にあった半分が入れ換わると、エアシリンダ１３
は逆の動きをして、再び両者を入れ換える働きをし、連
続的に管カバー１１に付着した反応生成物を除却するこ
とができる。
、導水管１０の方に押し付けられ、ブラシ１５によって
管カバー１１に付着している反応生成物Ｃが除却される
。管カバー１１は導水管１０の反応室内にある部分の長
さの２倍以上あり、初めはモの半分が反応室内に入って
おり、エアシリンダ１３の動きによって反応室内にあっ
た管カバー１１はブラシブロック１４で付着している反
ゐ生成物Ｃを除却されつつ、反応室外へ引き出され、初
めに反応室外にあった部分が反応室内へ入る。管カバー
１１が反応室内に入る時には、第６図に示されるように
ブラシブロック１４が開き、ブラシ１５は管カバー１１
に触れない、管カバー１１の反応室内にあった半分と反
応室内にあった半分が入れ換わると、エアシリンダ１３
は逆の動きをして、再び両者を入れ換える働きをし、連
続的に管カバー１１に付着した反応生成物を除却するこ
とができる。
なお、上記実施例においては導水管ｌＯの中に冷却水り
を流したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
冷却水に代って冷却ガスであってもよい。
を流したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
冷却水に代って冷却ガスであってもよい。
また、上記実施例においては導水管１０が一本の例を示
したが、導水管は２本以上であってもよく、その配置１
戒は任意である。また管カバー１１を引き出す機構とし
てエアシリンダ１３を用いる例を示したが、これに代竺
てボールネジなどの別の機構を用いてもよく、管カバー
１１に付着した反応生成物Ｃを除却するためのブラシブ
ロック１４、及びブラシ１５に代って別の除却機構を設
けてもよい。
したが、導水管は２本以上であってもよく、その配置１
戒は任意である。また管カバー１１を引き出す機構とし
てエアシリンダ１３を用いる例を示したが、これに代竺
てボールネジなどの別の機構を用いてもよく、管カバー
１１に付着した反応生成物Ｃを除却するためのブラシブ
ロック１４、及びブラシ１５に代って別の除却機構を設
けてもよい。
さらにまた、本発明におけるガスヘッド２．ウェハステ
ージ３．排気ロア、反応室内壁５等の形状、配置ＩＮ威
及びウェハステージ３１反応室内壁５の加熱方法等は、
上述した実施例に限定されるものではないのは勿論であ
る。
ージ３．排気ロア、反応室内壁５等の形状、配置ＩＮ威
及びウェハステージ３１反応室内壁５の加熱方法等は、
上述した実施例に限定されるものではないのは勿論であ
る。
以上説明したように、本発明によれば、反応室内壁を反
応ガスの温度以上、ウェハステージの温度以下に加熱保
持し、この反応室内壁とウェハステージの間の半導体ウ
ェハを囲む位置に、加熱されていないリングを設けたの
で、高温の反応室内壁、半導体ウニ八ｋ、低温のリング
との熱の配により、反磨虫或物の微粒子は熱泳動で低温
のリングに集まり付着することとなり、反心室内壁、半
導体ウェハに付着する反応生成物を減少できるいまたリ
ングを取り換えるか、あるいはリングとしての管の付着
物除却機構を設けるここによって、反応生成物の除却を
容易に行なえる効果がある。
応ガスの温度以上、ウェハステージの温度以下に加熱保
持し、この反応室内壁とウェハステージの間の半導体ウ
ェハを囲む位置に、加熱されていないリングを設けたの
で、高温の反応室内壁、半導体ウニ八ｋ、低温のリング
との熱の配により、反磨虫或物の微粒子は熱泳動で低温
のリングに集まり付着することとなり、反心室内壁、半
導体ウェハに付着する反応生成物を減少できるいまたリ
ングを取り換えるか、あるいはリングとしての管の付着
物除却機構を設けるここによって、反応生成物の除却を
容易に行なえる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による化学気相成長装置の反
応室を示す断面図、第２図、第３図はそれぞれ本発明の
第１．第２の実施例による化学気相成長装置の反応室の
平面図、第４図は第３図における導水管を示す断面図、
第５図、第６図は第３図における導水管とブラシブロッ
クの断面図、第７図、第８図は従来の化学気相成長装置
の反応室を示す断面図及び平面図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・ガスヘッド、３・・・
ウェハステージ、４・・・ステージヒータ、５・・・反
応室内壁、６・・・壁面ヒータ、７・・・排気口、８・
・・リング、９・・・リング支持棒、１０・・・導水管
、１１・・・管カバー、１２・・・カバー引き金、１３
・・・エアシリンダ、１４・・・ブラシブロック、１５
・・・ブラシ、Ａ・・・反応ガス、Ｂ・・・排気、Ｃ・
・・反応生成物、Ｄ・・・冷却水。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
応室を示す断面図、第２図、第３図はそれぞれ本発明の
第１．第２の実施例による化学気相成長装置の反応室の
平面図、第４図は第３図における導水管を示す断面図、
第５図、第６図は第３図における導水管とブラシブロッ
クの断面図、第７図、第８図は従来の化学気相成長装置
の反応室を示す断面図及び平面図である。 １・・・半導体ウェハ、２・・・ガスヘッド、３・・・
ウェハステージ、４・・・ステージヒータ、５・・・反
応室内壁、６・・・壁面ヒータ、７・・・排気口、８・
・・リング、９・・・リング支持棒、１０・・・導水管
、１１・・・管カバー、１２・・・カバー引き金、１３
・・・エアシリンダ、１４・・・ブラシブロック、１５
・・・ブラシ、Ａ・・・反応ガス、Ｂ・・・排気、Ｃ・
・・反応生成物、Ｄ・・・冷却水。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）反応ガスによって生成膜が形成される半導体ウェ
ハを枚葉で処理する反応室と、 前記反応室内に半導体ウェハを保持、加熱するステージ
と、 このステージと間隔を持って対向し、半導体ウェハに反
応ガスを供給するガスヘッドと、 反応室内壁に設けられた排気口とを有する化学気相成長
装置において、 上記反応室内壁を反応ガスの温度以上、ステージの温度
以下に加熱保持し、 この反応室内壁と上記ステージの間の半導体ウェハを囲
む位置に、上記反応室内壁温度以下に保持されるリング
を設け、 上記反応室内で反応ガスの気相反応により生じた反応生
成物を、前記リングに熱泳動によって付着させるように
したことを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21990789A JPH0382020A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21990789A JPH0382020A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382020A true JPH0382020A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16742898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21990789A Pending JPH0382020A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382020A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786170A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式ホットウォール処理装置及びそのクリーニング方法 |
| US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
| JP2010103444A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び装置 |
| US20110097495A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-04-28 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing with chiller plate |
| US20110200749A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Kunihiko Suzuki | Film deposition apparatus and method |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21990789A patent/JPH0382020A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786170A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式ホットウォール処理装置及びそのクリーニング方法 |
| US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
| JP2010103444A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び装置 |
| US8475602B2 (en) | 2008-10-27 | 2013-07-02 | Toyko Electron Limited | Substrate cleaning method and apparatus |
| US20110097495A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-04-28 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing with chiller plate |
| US20110200749A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Kunihiko Suzuki | Film deposition apparatus and method |
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