JPH0382020A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用する化学気相成長
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来、この種の化学気相成長装置は第7図、第8図に示
すように構成されている。これを同図について説明する
と、第7図は処理室の断面図、第8図は処理室下部の平
面図で、同図において、1は被処理対象としての半導体
ウェハ、2は半導体ウェハ1に反応ガスAを供給するガ
スヘッド、3は半導体ウェハ1を保持し、ステージヒー
タ4によって加熱されているウェハステージ、7は反応
室内壁5に設けられ、排気Bを取るための排気口、Cは
反応ガスBの気相反応によって生じた反応生成物である
。
すように構成されている。これを同図について説明する
と、第7図は処理室の断面図、第8図は処理室下部の平
面図で、同図において、1は被処理対象としての半導体
ウェハ、2は半導体ウェハ1に反応ガスAを供給するガ
スヘッド、3は半導体ウェハ1を保持し、ステージヒー
タ4によって加熱されているウェハステージ、7は反応
室内壁5に設けられ、排気Bを取るための排気口、Cは
反応ガスBの気相反応によって生じた反応生成物である
。
このように構成きれた化学気相成長装置においては、予
めウェハステージ3上で加熱された半導体ウェハ1に対
して、ガスへラド2より反応ガスBを供給することによ
り、半導体ウェハ1上に反応生成膜(図示せず)を形成
することができる。
めウェハステージ3上で加熱された半導体ウェハ1に対
して、ガスへラド2より反応ガスBを供給することによ
り、半導体ウェハ1上に反応生成膜(図示せず)を形成
することができる。
ところで、この種の化学気相成長装置においては、反応
ガスBによって、半導体ウェハ1上に形成される反応生
成膜以外に、気相反応によって微細な粒子である反応生
成物Cが生じる。
ガスBによって、半導体ウェハ1上に形成される反応生
成膜以外に、気相反応によって微細な粒子である反応生
成物Cが生じる。
ところが、従来の化学気相成長装置においては、反応生
成物Cの半導体ウェハ1上への付着が多く、製品の歩留
り低下の原因となっていた。
成物Cの半導体ウェハ1上への付着が多く、製品の歩留
り低下の原因となっていた。
また反応生成物Cが反応室内壁5やガスヘッド2、ウェ
ハステージ3に付着し、付着量が多(なってくると生膜
条件に変化が生じたり、付着しているものより半導体ウ
ェハ1上への付着が生じる。
ハステージ3に付着し、付着量が多(なってくると生膜
条件に変化が生じたり、付着しているものより半導体ウ
ェハ1上への付着が生じる。
このために、定期的に装置を止めて、反応室内壁5など
に付着している反応生成物Cを除却しなければならず、
装置稼動率の低下を招いていた。
に付着している反応生成物Cを除却しなければならず、
装置稼動率の低下を招いていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、定期的に装置を止めて、反応室内壁などに付
着している反応生成物を除却するような必要がなく、装
置稼働率の低下を招くことのない化学気相成長装置を得
ることを目的とする。
たもので、定期的に装置を止めて、反応室内壁などに付
着している反応生成物を除却するような必要がなく、装
置稼働率の低下を招くことのない化学気相成長装置を得
ることを目的とする。
本発明に係る化学気相成長装置は、反応室内壁を反応ガ
スの温度以上、ウェハステージの温度以下に加熱保持し
、この反応室内壁とウェハステージの間の半導体ウェハ
を囲む位置に、加熱されていないリングを設け、上記反
応室内で反応ガスの気相反応により生じた反応生成物を
、前記リングに熱泳動によって付着させるようにしたも
のである。
スの温度以上、ウェハステージの温度以下に加熱保持し
、この反応室内壁とウェハステージの間の半導体ウェハ
を囲む位置に、加熱されていないリングを設け、上記反
応室内で反応ガスの気相反応により生じた反応生成物を
、前記リングに熱泳動によって付着させるようにしたも
のである。
本発明においては、高温の反応室内壁半導体ウェハと、
低温のリングとの熱匂配により、反応生成物の微粒子が
熱泳動で低温のリングに集まり付着するので、反応室内
壁、半導体ウェハに付着する反応生成物を減少でき、リ
ングを取り換える、またはリングの付着物除却機構を設
けることによって、反応生成物の除却が容易に行なえる
。
低温のリングとの熱匂配により、反応生成物の微粒子が
熱泳動で低温のリングに集まり付着するので、反応室内
壁、半導体ウェハに付着する反応生成物を減少でき、リ
ングを取り換える、またはリングの付着物除却機構を設
けることによって、反応生成物の除却が容易に行なえる
。
以下、本発明の一実施例を図について詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例による化学気相成長装置の反
応室を示す断面図、第2図はその反応室を示す平面図で
、両図以下において第7図、第8図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する0両図に
おいて、6は反応室内壁5を加熱するための壁面ヒータ
、8はガスへラド2とウェハステージ3.排気ロアの間
の半導体ウェハ1を囲む位置に断熱材で作られたリング
支持棒9によって保持されたリングである。
応室を示す断面図、第2図はその反応室を示す平面図で
、両図以下において第7図、第8図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する0両図に
おいて、6は反応室内壁5を加熱するための壁面ヒータ
、8はガスへラド2とウェハステージ3.排気ロアの間
の半導体ウェハ1を囲む位置に断熱材で作られたリング
支持棒9によって保持されたリングである。
このように構成された化学気相成長装置においては、壁
面ヒータ6により、反応ガスAの温度以上、ウェハステ
ージ3の温度以下に加熱保持された反応室内壁5.半導
体ウェハ1と、加熱されていないリング8との熱匂配に
より、反応生成物Cが熱泳動でリング8に付着し、反応
室内壁5.半導体ウェハ1に付着する反応生成物Cの数
を減少させることができる。また、このリング8に付着
した反応生成物Cは、リング8を取り換えることにより
容易に除却することができる。
面ヒータ6により、反応ガスAの温度以上、ウェハステ
ージ3の温度以下に加熱保持された反応室内壁5.半導
体ウェハ1と、加熱されていないリング8との熱匂配に
より、反応生成物Cが熱泳動でリング8に付着し、反応
室内壁5.半導体ウェハ1に付着する反応生成物Cの数
を減少させることができる。また、このリング8に付着
した反応生成物Cは、リング8を取り換えることにより
容易に除却することができる。
なお、上記実施例においては、リング8を半導体ウェハ
lと同心円で、断面形状を円形としたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、他の形状であってもよく、
その材質1個数、支持の方法も任意である。
lと同心円で、断面形状を円形としたが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、他の形状であってもよく、
その材質1個数、支持の方法も任意である。
また、本実施例においては、半導体ウェハlと同心円状
のウェハステージ39反応室内壁5を示したが、ウェハ
ステージ31反応室内壁5とも半導体ウェハ1と同心円
形状でなくてもよく、ガスへラド2の形状、構造も任意
である。
のウェハステージ39反応室内壁5を示したが、ウェハ
ステージ31反応室内壁5とも半導体ウェハ1と同心円
形状でなくてもよく、ガスへラド2の形状、構造も任意
である。
さらにまた、本発明における排気ロアの形状、数、配置
、ウェハステージ39反応室壁5の加熱方法、反応室内
の各部の配置構成は、上述した実施例に限定されるもの
でないのは勿論である。
、ウェハステージ39反応室壁5の加熱方法、反応室内
の各部の配置構成は、上述した実施例に限定されるもの
でないのは勿論である。
以下、本発明の第2の実施例を図について詳細に説明す
る。
る。
第1図は本発明の第2の実施例による化学気相成長装置
の反応室を示す断面図、第3図はその反応室を示す平面
図で、両図以下において第7図。
の反応室を示す断面図、第3図はその反応室を示す平面
図で、両図以下において第7図。
第8図と同一の部材については同一の符号を付し1、詳
細な説明は省略する。同図において、6は反応室内壁5
を加熱するための壁面ヒータ、10は内部に冷却水りを
循環させる導水管、11は導水管10の表面を覆う管カ
バー、12は管カバー11の両端に取り付けられて、連
結されているシリンダ13の動きによって導水管10上
を移動し、管カバー11を引っ張るカバー引合金、14
は管カバー12を囲むように配置されているブラシブロ
ックである。
細な説明は省略する。同図において、6は反応室内壁5
を加熱するための壁面ヒータ、10は内部に冷却水りを
循環させる導水管、11は導水管10の表面を覆う管カ
バー、12は管カバー11の両端に取り付けられて、連
結されているシリンダ13の動きによって導水管10上
を移動し、管カバー11を引っ張るカバー引合金、14
は管カバー12を囲むように配置されているブラシブロ
ックである。
また第4図は導水管10.管カバー11を示す断面図、
第5図、第6図は導水管10.管カバー11、ブラシブ
ロック14を示す断面図で、15はブラシブロック14
の内側に付けられたブラシである。
第5図、第6図は導水管10.管カバー11、ブラシブ
ロック14を示す断面図で、15はブラシブロック14
の内側に付けられたブラシである。
このように構成された化学気相成長装置においては、壁
面ヒータ6により、反応ガスAの温度以上、ウェハステ
ージ3の温度以下に加熱保持された反応室内壁5.半導
体ウェハ1と、冷却水りによって低温に保持されている
導水管lOとの熱匂配により、反応生成物Cが熱泳動で
導水管10の表面を覆う管カバー11に付着するので、
反応室内壁5.半導体ウェハ1等に付着する反応生成物
Cの量を減少させるここができる。
面ヒータ6により、反応ガスAの温度以上、ウェハステ
ージ3の温度以下に加熱保持された反応室内壁5.半導
体ウェハ1と、冷却水りによって低温に保持されている
導水管lOとの熱匂配により、反応生成物Cが熱泳動で
導水管10の表面を覆う管カバー11に付着するので、
反応室内壁5.半導体ウェハ1等に付着する反応生成物
Cの量を減少させるここができる。
また、反応生成物Cが付着した管カバー11は、エアシ
リンダ13に取り付けられたカバー引き金12により、
導水管11の表面を伝わって反応室外へ引き出される。
リンダ13に取り付けられたカバー引き金12により、
導水管11の表面を伝わって反応室外へ引き出される。
この時に第5図に示されるようにブラシブロック14が
、導水管10の方に押し付けられ、ブラシ15によって
管カバー11に付着している反応生成物Cが除却される
。管カバー11は導水管10の反応室内にある部分の長
さの2倍以上あり、初めはモの半分が反応室内に入って
おり、エアシリンダ13の動きによって反応室内にあっ
た管カバー11はブラシブロック14で付着している反
ゐ生成物Cを除却されつつ、反応室外へ引き出され、初
めに反応室外にあった部分が反応室内へ入る。管カバー
11が反応室内に入る時には、第6図に示されるように
ブラシブロック14が開き、ブラシ15は管カバー11
に触れない、管カバー11の反応室内にあった半分と反
応室内にあった半分が入れ換わると、エアシリンダ13
は逆の動きをして、再び両者を入れ換える働きをし、連
続的に管カバー11に付着した反応生成物を除却するこ
とができる。
、導水管10の方に押し付けられ、ブラシ15によって
管カバー11に付着している反応生成物Cが除却される
。管カバー11は導水管10の反応室内にある部分の長
さの2倍以上あり、初めはモの半分が反応室内に入って
おり、エアシリンダ13の動きによって反応室内にあっ
た管カバー11はブラシブロック14で付着している反
ゐ生成物Cを除却されつつ、反応室外へ引き出され、初
めに反応室外にあった部分が反応室内へ入る。管カバー
11が反応室内に入る時には、第6図に示されるように
ブラシブロック14が開き、ブラシ15は管カバー11
に触れない、管カバー11の反応室内にあった半分と反
応室内にあった半分が入れ換わると、エアシリンダ13
は逆の動きをして、再び両者を入れ換える働きをし、連
続的に管カバー11に付着した反応生成物を除却するこ
とができる。
なお、上記実施例においては導水管lOの中に冷却水り
を流したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
冷却水に代って冷却ガスであってもよい。
を流したが、本発明はこれに限定されるものではなく、
冷却水に代って冷却ガスであってもよい。
また、上記実施例においては導水管10が一本の例を示
したが、導水管は2本以上であってもよく、その配置1
戒は任意である。また管カバー11を引き出す機構とし
てエアシリンダ13を用いる例を示したが、これに代竺
てボールネジなどの別の機構を用いてもよく、管カバー
11に付着した反応生成物Cを除却するためのブラシブ
ロック14、及びブラシ15に代って別の除却機構を設
けてもよい。
したが、導水管は2本以上であってもよく、その配置1
戒は任意である。また管カバー11を引き出す機構とし
てエアシリンダ13を用いる例を示したが、これに代竺
てボールネジなどの別の機構を用いてもよく、管カバー
11に付着した反応生成物Cを除却するためのブラシブ
ロック14、及びブラシ15に代って別の除却機構を設
けてもよい。
さらにまた、本発明におけるガスヘッド2.ウェハステ
ージ3.排気ロア、反応室内壁5等の形状、配置IN威
及びウェハステージ31反応室内壁5の加熱方法等は、
上述した実施例に限定されるものではないのは勿論であ
る。
ージ3.排気ロア、反応室内壁5等の形状、配置IN威
及びウェハステージ31反応室内壁5の加熱方法等は、
上述した実施例に限定されるものではないのは勿論であ
る。
以上説明したように、本発明によれば、反応室内壁を反
応ガスの温度以上、ウェハステージの温度以下に加熱保
持し、この反応室内壁とウェハステージの間の半導体ウ
ェハを囲む位置に、加熱されていないリングを設けたの
で、高温の反応室内壁、半導体ウニ八k、低温のリング
との熱の配により、反磨虫或物の微粒子は熱泳動で低温
のリングに集まり付着することとなり、反心室内壁、半
導体ウェハに付着する反応生成物を減少できるいまたリ
ングを取り換えるか、あるいはリングとしての管の付着
物除却機構を設けるここによって、反応生成物の除却を
容易に行なえる効果がある。
応ガスの温度以上、ウェハステージの温度以下に加熱保
持し、この反応室内壁とウェハステージの間の半導体ウ
ェハを囲む位置に、加熱されていないリングを設けたの
で、高温の反応室内壁、半導体ウニ八k、低温のリング
との熱の配により、反磨虫或物の微粒子は熱泳動で低温
のリングに集まり付着することとなり、反心室内壁、半
導体ウェハに付着する反応生成物を減少できるいまたリ
ングを取り換えるか、あるいはリングとしての管の付着
物除却機構を設けるここによって、反応生成物の除却を
容易に行なえる効果がある。
第1図は本発明の一実施例による化学気相成長装置の反
応室を示す断面図、第2図、第3図はそれぞれ本発明の
第1.第2の実施例による化学気相成長装置の反応室の
平面図、第4図は第3図における導水管を示す断面図、
第5図、第6図は第3図における導水管とブラシブロッ
クの断面図、第7図、第8図は従来の化学気相成長装置
の反応室を示す断面図及び平面図である。 1・・・半導体ウェハ、2・・・ガスヘッド、3・・・
ウェハステージ、4・・・ステージヒータ、5・・・反
応室内壁、6・・・壁面ヒータ、7・・・排気口、8・
・・リング、9・・・リング支持棒、10・・・導水管
、11・・・管カバー、12・・・カバー引き金、13
・・・エアシリンダ、14・・・ブラシブロック、15
・・・ブラシ、A・・・反応ガス、B・・・排気、C・
・・反応生成物、D・・・冷却水。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
応室を示す断面図、第2図、第3図はそれぞれ本発明の
第1.第2の実施例による化学気相成長装置の反応室の
平面図、第4図は第3図における導水管を示す断面図、
第5図、第6図は第3図における導水管とブラシブロッ
クの断面図、第7図、第8図は従来の化学気相成長装置
の反応室を示す断面図及び平面図である。 1・・・半導体ウェハ、2・・・ガスヘッド、3・・・
ウェハステージ、4・・・ステージヒータ、5・・・反
応室内壁、6・・・壁面ヒータ、7・・・排気口、8・
・・リング、9・・・リング支持棒、10・・・導水管
、11・・・管カバー、12・・・カバー引き金、13
・・・エアシリンダ、14・・・ブラシブロック、15
・・・ブラシ、A・・・反応ガス、B・・・排気、C・
・・反応生成物、D・・・冷却水。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)反応ガスによって生成膜が形成される半導体ウェ
ハを枚葉で処理する反応室と、 前記反応室内に半導体ウェハを保持、加熱するステージ
と、 このステージと間隔を持って対向し、半導体ウェハに反
応ガスを供給するガスヘッドと、 反応室内壁に設けられた排気口とを有する化学気相成長
装置において、 上記反応室内壁を反応ガスの温度以上、ステージの温度
以下に加熱保持し、 この反応室内壁と上記ステージの間の半導体ウェハを囲
む位置に、上記反応室内壁温度以下に保持されるリング
を設け、 上記反応室内で反応ガスの気相反応により生じた反応生
成物を、前記リングに熱泳動によって付着させるように
したことを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21990789A JPH0382020A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21990789A JPH0382020A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0382020A true JPH0382020A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16742898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21990789A Pending JPH0382020A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0382020A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786170A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式ホットウォール処理装置及びそのクリーニング方法 |
US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
JP2010103444A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び装置 |
US20110097495A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-04-28 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing with chiller plate |
US20110200749A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Kunihiko Suzuki | Film deposition apparatus and method |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21990789A patent/JPH0382020A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0786170A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式ホットウォール処理装置及びそのクリーニング方法 |
US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
JP2010103444A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法及び装置 |
US8475602B2 (en) | 2008-10-27 | 2013-07-02 | Toyko Electron Limited | Substrate cleaning method and apparatus |
US20110097495A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-04-28 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing with chiller plate |
US20110200749A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Kunihiko Suzuki | Film deposition apparatus and method |
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