JPH038103A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH038103A JPH038103A JP14251589A JP14251589A JPH038103A JP H038103 A JPH038103 A JP H038103A JP 14251589 A JP14251589 A JP 14251589A JP 14251589 A JP14251589 A JP 14251589A JP H038103 A JPH038103 A JP H038103A
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- ferrite
- oxide film
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はVTR,DATあるいはFDD等に用いられる
高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに
適したMIGタイプのヘッドに関する。
高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記録するのに
適したMIGタイプのヘッドに関する。
従来の技術
高密度磁気記録再生のために、記録媒体はその保磁力を
大きくすれば、また磁気ヘッドの方はその飽和(n束密
度を太き(すれば良いことが一般に知られている。現在
ffi気ヘッド材料として主流になっているフェライト
材料はその飽和磁束密度が50000auss程度であ
り、1oooOe以上の高保磁力を示すメタルテープに
使用すると磁気飽和が起こり、記録が十分に行われない
。そこでフェライト材料よりも飽和磁束密度の大きいセ
ンダスト合金やCo系アモルファス膜等を用いた磁気へ
ンドが実用化されつつある。そして磁気ヘッドの形とし
ては第2図に示すように主コアがフェライト2からなり
、ギヤ7ブ近傍のみが高飽和磁束密度材料の薄膜1から
なるMIGタイプのヘッドがある。このタイプのヘッド
では高飽和磁束密度材料の薄膜たとえばセンダスト膜と
フェライトの境界において、反応が起こるためにこの部
分から擬似信号が発生するという問題点がある。
大きくすれば、また磁気ヘッドの方はその飽和(n束密
度を太き(すれば良いことが一般に知られている。現在
ffi気ヘッド材料として主流になっているフェライト
材料はその飽和磁束密度が50000auss程度であ
り、1oooOe以上の高保磁力を示すメタルテープに
使用すると磁気飽和が起こり、記録が十分に行われない
。そこでフェライト材料よりも飽和磁束密度の大きいセ
ンダスト合金やCo系アモルファス膜等を用いた磁気へ
ンドが実用化されつつある。そして磁気ヘッドの形とし
ては第2図に示すように主コアがフェライト2からなり
、ギヤ7ブ近傍のみが高飽和磁束密度材料の薄膜1から
なるMIGタイプのヘッドがある。このタイプのヘッド
では高飽和磁束密度材料の薄膜たとえばセンダスト膜と
フェライトの境界において、反応が起こるためにこの部
分から擬似信号が発生するという問題点がある。
(例えば日本応用磁気学会誌Vo1.11.No2,1
987pp、105〜108) 発明が解決しようとする課題 磁気ヘッドを製造する場合、ギャップ形成はガラス融着
という方法が一般に用いられる。その場合、500°C
程度以上の熱処理が必要となる。この際に、主コアがフ
ェライトで、ギャップ近傍がセンダスト膜、Co系アモ
ルファス膜などの高飽和磁束密度材料膜からなるMIG
へンドにおいて、フェライトと上記高飽和磁束密度材料
との境界で反応が起こり、磁気的に非常に劣化した層が
発生する。その結果擬似信号が発生する。
987pp、105〜108) 発明が解決しようとする課題 磁気ヘッドを製造する場合、ギャップ形成はガラス融着
という方法が一般に用いられる。その場合、500°C
程度以上の熱処理が必要となる。この際に、主コアがフ
ェライトで、ギャップ近傍がセンダスト膜、Co系アモ
ルファス膜などの高飽和磁束密度材料膜からなるMIG
へンドにおいて、フェライトと上記高飽和磁束密度材料
との境界で反応が起こり、磁気的に非常に劣化した層が
発生する。その結果擬似信号が発生する。
具体的にはフェライト中の酸素と高飽和磁束密度膜との
間での酸化還元反応である。つまり両者の境界でフェラ
イト中の酸素がフェライトから高飽和磁束密度膜の方に
移動する。このためフェライト中に非常に酸素が欠乏し
た部分が発生する。
間での酸化還元反応である。つまり両者の境界でフェラ
イト中の酸素がフェライトから高飽和磁束密度膜の方に
移動する。このためフェライト中に非常に酸素が欠乏し
た部分が発生する。
電磁変換特性を調べた結果、擬似信号出力は酸素が拡散
した高飽和磁束密度膜の方から発生するのではなく、フ
ェライト中の酸素欠乏部分から発生することが判明した
。
した高飽和磁束密度膜の方から発生するのではなく、フ
ェライト中の酸素欠乏部分から発生することが判明した
。
このような擬似信号の発生は磁気ヘッドの特性に致命的
であり、この信号を抑えることが必要である。
であり、この信号を抑えることが必要である。
課題を解決するための手段
高飽和磁束密度材料膜とフェライトの境界に両者の反応
を防止する薄膜(以下、反応防止M)を非常に薄く形成
する。このことにより両者の境界で発生していた擬似信
号出力を大幅に低減する。
を防止する薄膜(以下、反応防止M)を非常に薄く形成
する。このことにより両者の境界で発生していた擬似信
号出力を大幅に低減する。
反応を防止する膜は酸化に対して非常に安定であること
が必要であることから、それ自身で非常に安定な材料た
とえば酸化物、もしくは貴金属系材料5高融点材料があ
る。またこの部分のI!!厚が非常に大きいとこの部分
がギャップになる可能性があるのでできるだけ小さくす
ることが必要である。
が必要であることから、それ自身で非常に安定な材料た
とえば酸化物、もしくは貴金属系材料5高融点材料があ
る。またこの部分のI!!厚が非常に大きいとこの部分
がギャップになる可能性があるのでできるだけ小さくす
ることが必要である。
作用
この技術的手段の作用は次のようになる。
高飽和磁束密度材料膜とフェライトの境界にフェライト
から酸素の流出を防ぐ膜を形成する。このことにより5
00 ’C程度以上の熱処理を施してもフェライトから
の酸素流出が抑えられ、両者の境界で発生していた擬似
信号出力を大幅に低減することが可能となった。
から酸素の流出を防ぐ膜を形成する。このことにより5
00 ’C程度以上の熱処理を施してもフェライトから
の酸素流出が抑えられ、両者の境界で発生していた擬似
信号出力を大幅に低減することが可能となった。
実施例
以下本発明の一実施例の磁気ヘッドについて図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
第1図は本発明の磁気ヘッドの一例である。
(実施例1)
ギャップ近傍にセンダスト合金M1を用い、それ以外の
け路はフェライト2を、また両者の境界にTiの酸化物
膜4が50人形成されたMIGタイプのヘッドである。
け路はフェライト2を、また両者の境界にTiの酸化物
膜4が50人形成されたMIGタイプのヘッドである。
センダスト合金fill!1の膜厚はIQIImであり
、3はガラス、5はギャップである。従来例では、主信
号に対して一10dB(0,13MHz)あった擬似信
号出力が上記の反応防止膜を用いることにより一31c
lB(0,13MHz)に減少した。
、3はガラス、5はギャップである。従来例では、主信
号に対して一10dB(0,13MHz)あった擬似信
号出力が上記の反応防止膜を用いることにより一31c
lB(0,13MHz)に減少した。
第3図に反応防止膜の膜厚(Tiの酸化物膜)と擬似信
号出力(0,13M Hz)の関係を示す。この図から
Tiの酸化物の1121’には50人の時に擬似信号出
力が最小C−31,d B)になることがわかる。また
膜厚が20人から300人の間で擬似信号出力が主信号
に対して一25dB以下となる。50人の時に最小とな
る理由は、ギャップ長と信号出力の関係から、Tiの酸
化物の膜厚が大きくなると、この部分からの信号が大き
くなり、つまりIU(以信号が大きくなり、一方膜厚が
小さくなるほどフェライトとセンダスト膜との反応が十
分に抑えられな(なり擬似信号が大きくなる。これらの
効果の最小となるのが50人ということである。
号出力(0,13M Hz)の関係を示す。この図から
Tiの酸化物の1121’には50人の時に擬似信号出
力が最小C−31,d B)になることがわかる。また
膜厚が20人から300人の間で擬似信号出力が主信号
に対して一25dB以下となる。50人の時に最小とな
る理由は、ギャップ長と信号出力の関係から、Tiの酸
化物の膜厚が大きくなると、この部分からの信号が大き
くなり、つまりIU(以信号が大きくなり、一方膜厚が
小さくなるほどフェライトとセンダスト膜との反応が十
分に抑えられな(なり擬似信号が大きくなる。これらの
効果の最小となるのが50人ということである。
この場合、Tiの酸化物膜の代わりにTaの酸化物膜、
もしくはZrの酸化物膜、もしくはNbの酸化物膜が用
いられても同様の効果が得られる。
もしくはZrの酸化物膜、もしくはNbの酸化物膜が用
いられても同様の効果が得られる。
(実施例2)
ギャップ近傍にCO系アモルファス合金膜1を用い、そ
れ以外の磁路はフェライト2を、また両者の境界にTi
の酸化物膜4が50人形成されたMJGタイプのヘッド
である。この例ではセンダスト合金膜1fflの膜厚を
15μmとしている。従来例では、主信号に対して−1
2d B(0,13MHz)あった擬似信号出力が」二
記の反応防止11々を用いることにより−30d B
(0,13MHz)に減少しだ。
れ以外の磁路はフェライト2を、また両者の境界にTi
の酸化物膜4が50人形成されたMJGタイプのヘッド
である。この例ではセンダスト合金膜1fflの膜厚を
15μmとしている。従来例では、主信号に対して−1
2d B(0,13MHz)あった擬似信号出力が」二
記の反応防止11々を用いることにより−30d B
(0,13MHz)に減少しだ。
第4図に反応防止膜の膜厚(Tiの酸化′!!IJ膜)
と擬似信号出力(0,13Ml、(z)の関係を示す。
と擬似信号出力(0,13Ml、(z)の関係を示す。
この図からTiの酸化物の膜厚は50人の時に擬似信号
出力が最小130dB)になることがわかる。また膜厚
が20人から300人の間で1疑イ以信号出力が主信号
に対して一25dB以下となる。
出力が最小130dB)になることがわかる。また膜厚
が20人から300人の間で1疑イ以信号出力が主信号
に対して一25dB以下となる。
50人の時に最小となる理由は先はど(1)の説明で述
べた通りである。
べた通りである。
この場合、Tiの酸化物膜の代わりにSiの酸化物膜、
もしくはA1の酸化物膜、もしくはTaの酸化物膜、も
しくはZrの酸化物膜、もしくはNbの酸化物膜が用い
られても同様の効果が得られる。
もしくはA1の酸化物膜、もしくはTaの酸化物膜、も
しくはZrの酸化物膜、もしくはNbの酸化物膜が用い
られても同様の効果が得られる。
(実施例3)
ギャップ近傍にFcGa51Ru膜1を用い、それ以外
の磁路はフェライト2を、また両者の境界にTiの酸化
物膜4が50人形成されたMIGタイプのヘッドである
。この例ではFeGa51Ru膜1の膜厚を6μmとし
ている。従来例では、−14dB(0,13M Hz)
あった擬似信号出力がt記の反応防止膜を用いることに
より−32d B(0,13MHz)に減少した。
の磁路はフェライト2を、また両者の境界にTiの酸化
物膜4が50人形成されたMIGタイプのヘッドである
。この例ではFeGa51Ru膜1の膜厚を6μmとし
ている。従来例では、−14dB(0,13M Hz)
あった擬似信号出力がt記の反応防止膜を用いることに
より−32d B(0,13MHz)に減少した。
第5図に反応防止膜(Tiの酸化物膜)の膜厚と擬似信
号出力(0,13Ml(z)の関係を示す。この図から
Tiの酸化物の膜厚は50人の時に擬似信号出力が最小
(−28dB)になることがわかる。また膜厚が20人
から400人の間で擬似信号出力が主信号に対して一2
5dB以下となる。
号出力(0,13Ml(z)の関係を示す。この図から
Tiの酸化物の膜厚は50人の時に擬似信号出力が最小
(−28dB)になることがわかる。また膜厚が20人
から400人の間で擬似信号出力が主信号に対して一2
5dB以下となる。
50人の時に最小となる理由は先はど(1)の説明で述
べた通りである。
べた通りである。
この場合、Tiの酸化物膜の代わりにSiの酸化物膜、
もしくはAlの酸化物膜、もしくはTaの酸化物膜、も
しくはZrの酸化物膜、もしくはNbの酸化物膜が用い
られても、またFeGa51Ru膜の代わりに窒化鉄膜
もしくは炭化鉄膜もしくはFeSn系膜等を用いても同
様の効果が得られる。
もしくはAlの酸化物膜、もしくはTaの酸化物膜、も
しくはZrの酸化物膜、もしくはNbの酸化物膜が用い
られても、またFeGa51Ru膜の代わりに窒化鉄膜
もしくは炭化鉄膜もしくはFeSn系膜等を用いても同
様の効果が得られる。
(実施例4)
ギヤノブ近傍にセンダスト膜1を用い、それ以外の磁路
はフェライト2を、また両者の境界にIr4が50人形
成されたMIGタイプのヘッドである。この例ではセン
ダスト膜lの膜厚を10μmとしている。なお3はガラ
スである。従来例では、−10dB (0,13MHz
)あった擬似信号出力が上記の反応防止膜を用いること
により一28dB(0,13Mセ)に減少した。
はフェライト2を、また両者の境界にIr4が50人形
成されたMIGタイプのヘッドである。この例ではセン
ダスト膜lの膜厚を10μmとしている。なお3はガラ
スである。従来例では、−10dB (0,13MHz
)あった擬似信号出力が上記の反応防止膜を用いること
により一28dB(0,13Mセ)に減少した。
第6図に反応防止膜(Ir膜)の膜厚と擬似信号出力(
0,13Mt(z)の関係を示す。この図からlrの膜
厚は50人の時に擬似信号出力が最小(−28dB)に
なることがわかる、また膜厚が20人から300人の間
で擬似信号出力が主信号に対して〜25dB以下となる
。50人の時に最小となる理由は先はど(1)の説明で
述べた通りである。
0,13Mt(z)の関係を示す。この図からlrの膜
厚は50人の時に擬似信号出力が最小(−28dB)に
なることがわかる、また膜厚が20人から300人の間
で擬似信号出力が主信号に対して〜25dB以下となる
。50人の時に最小となる理由は先はど(1)の説明で
述べた通りである。
この場合、Irの代わりにRu、Rh、PdAg、Ta
、W、Re、Os、PL、Au、I rのうち1種類も
しくは2種類似上の合金膜を用いて、またセンダスト膜
の代わりにCo系アモルファス膜、Fe系合金膜、窒化
鉄膜、FeSn系合金膜等を用いても同様の効果が得ら
れる。
、W、Re、Os、PL、Au、I rのうち1種類も
しくは2種類似上の合金膜を用いて、またセンダスト膜
の代わりにCo系アモルファス膜、Fe系合金膜、窒化
鉄膜、FeSn系合金膜等を用いても同様の効果が得ら
れる。
発明の効果
本発明による磁気ヘッドにより、例えばVTR。
DAT、FDD用へンドに従来より低コストのMIGタ
イプヘッドが利用でき、記録効率の優れた磁気ヘッドを
今までに比べて歩留り良く製造できる。
イプヘッドが利用でき、記録効率の優れた磁気ヘッドを
今までに比べて歩留り良く製造できる。
第1図は本発明の磁気ヘッドの斜視図、第2図は従来の
磁気ヘッドの斜視図、第3図〜第6図は本発明の磁気へ
ンドの反応防止膜の膜厚と擬似信号出力の関係図である
。 1・・・・・・センダスト合金膜、2・・・・・・フェ
ライト、3・・・・・・ガラス、4・・・・・・Tiの
酸化物膜、5・・・・・・ギヤノフ−
磁気ヘッドの斜視図、第3図〜第6図は本発明の磁気へ
ンドの反応防止膜の膜厚と擬似信号出力の関係図である
。 1・・・・・・センダスト合金膜、2・・・・・・フェ
ライト、3・・・・・・ガラス、4・・・・・・Tiの
酸化物膜、5・・・・・・ギヤノフ−
Claims (4)
- (1)主コアがフェライトで、ギャップ近傍が高飽和磁
束密度のセンダスト膜からなるMIGヘッドの、フェラ
イトとセンダスト膜の境界に、Tiの酸化物膜、もしく
はTaの酸化物膜、もしくはZrの酸化物膜、もしくは
Nbの酸化物膜が20Åから300Å形成されているこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - (2)主コアがフェライトで、ギャップ近傍が高飽和磁
束密度のCo系アモルファス膜からなるMIGヘッドの
、フェライトとアモルファス膜の境界に、Siの酸化物
膜、もしくはAlの酸化物膜、もしくはTiの酸化物膜
、もしくはTaの酸化物膜、もしくはZrの酸化物膜、
もしくはNbの酸化物膜が20Åから300Å形成され
ていることを特徴とする磁気ヘッド。 - (3)主コアがフェライトで、ギャップ近傍が高飽和磁
束密度のFe系合金膜、窒化鉄膜、炭化鉄膜からなるM
IGヘッドの、フェライトと上記高飽和磁束密度膜の境
界に、Siの酸化物膜、もしくはAlの酸化物膜、もし
くはTiの酸化物膜、もしくはTaの酸化物膜、もしく
はZrの酸化物膜、もしくはNbの酸化物膜が20Åか
ら400Å形成されていることを特徴とする磁気ヘッド
。 - (4)主コアがフェライトで、ギャップ近傍がセンダス
ト膜、アモルファス膜、Fe系合金膜、窒化鉄膜等の高
飽和磁束密度材料膜からなる MIGヘッドの、フェライトと上記高飽和磁束密度材料
膜の境界に、Ru、Rh、Pd、Ag、Ta、W、Re
、Os、Ir、Pt、Auのうち1種類もしくは2種類
似上の合金膜が20Åから300Å形成されていること
を特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14251589A JPH038103A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14251589A JPH038103A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH038103A true JPH038103A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15317150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14251589A Pending JPH038103A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH038103A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8424613B2 (en) | 2010-02-19 | 2013-04-23 | UTECO, Inc. | Aerator for zero turn lawn equipment |
US9700806B2 (en) | 2005-08-22 | 2017-07-11 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device |
US10137365B2 (en) | 2005-08-24 | 2018-11-27 | Nintendo Co., Ltd. | Game controller and game system |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP14251589A patent/JPH038103A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9700806B2 (en) | 2005-08-22 | 2017-07-11 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device |
US10155170B2 (en) | 2005-08-22 | 2018-12-18 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device with holding portion detachably holding an electronic device |
US10238978B2 (en) | 2005-08-22 | 2019-03-26 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device |
US10661183B2 (en) | 2005-08-22 | 2020-05-26 | Nintendo Co., Ltd. | Game operating device |
US10137365B2 (en) | 2005-08-24 | 2018-11-27 | Nintendo Co., Ltd. | Game controller and game system |
US11027190B2 (en) | 2005-08-24 | 2021-06-08 | Nintendo Co., Ltd. | Game controller and game system |
US8424613B2 (en) | 2010-02-19 | 2013-04-23 | UTECO, Inc. | Aerator for zero turn lawn equipment |
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