JPH0380284B2

JPH0380284B2 -

Info

Publication number: JPH0380284B2
Application number: JP58170945A
Authority: JP
Inventors: Juji Imai
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1983-09-14
Filing date: 1983-09-14
Publication date: 1991-12-24
Also published as: JPS6061714A

Description

【発明の詳細な説明】（技術分野）本発明は、合焦検出装置、更に詳しくは、カメ
ラや顕微鏡等の光学装置の焦点状態を検出する合
焦検出装置に関する。

（従来技術）結像光学系によつて形成される物体像の合焦状
態を検出する方法としては、従来から、像の鮮明
度を検出する方法と、像の横ずれ状態を検出する
方法とが知られている。後者は、大幅なピンボケ
を合焦状態と誤認識して動作するようなことがな
い等の理由から前者よりも優れているが、反面、
一般的に、前者に較べて合焦精度が悪いので、こ
の点では前者の方が優れている。このように、上
記の２つの合焦検出方法は互いに相補的な関係に
あつて、それぞれに一長一短がある。このため、
本出願人は、両方の特長を生かして、像の鮮明度
と像の横ずれ状態を検出するようにした合焦検出
装置を先に提案した（特願昭57−114915号）。

一方、上記合焦検出装置にも採用されているよ
うに、像の横ずれ状態を検出することにより合焦
検出を行なう従来の装置においては、第１図に示
すように、受光センサー３を構成する２つの受光
素子群Ａ，Ｂからなる受光素子列は、カメラ、顕
微鏡等の結像レンズ１の光軸４に対して垂直に直
線状に配設されている。この種の合焦検出装置に
ついて少し説明すると、受光センサー３の受光素
子列中の受光素子群Ａの受光素子３₁−Ａ，…，
３_i−Ａ，…，３_o−Ａと、受光素子群Ｂの受光素
子３₁−Ｂ，…，３_i−Ｂ，…，３_o−Ｂとは順次交
互に配置されて受光素子群Ａ，Ｂの各１個の受光
素子同士が組み合わされて対をなしている。受光
センサー３の前方位置には、遮光度２ａとスリツ
ト２ｂを有する、横ずれ像発生手段としてのスト
ライプマスク２が受光素子列と同じく直線状に配
設されている。このストライプマスク２を結像レ
ンズ１からの光束が通過することによつて受光セ
ンサー３の受光面には非合焦時には２つの像がず
れた状態で形成される。

第２図は、上記第１図中の光軸付近に存在する
受光素子３_i−Ａと３_i−Ｂに着目した解析図であ
つて、さらに、この図によつて像の横ずれが起き
る原理を説明する。受光素子列３_i−Ａ，３_i−Ｂ
は結像レンズ１の開口部からの光を受光するが、
光がレンズ開口部のうちのどの部分を通過してき
たかによつてその光を受光する割合が異なる。結
像レンズ１の開口半径をｌとし、レンズ１の中心
から直径方向に変位Ｘをとり、位置Ｘを通る光に
対する受光素子３_i−Ａ，３_i−Ｂの受光する割合
をη（Ｘ）とすると、このη（Ｘ）は第３図に示す
ようになる。即ち、位置Ｘを通る光を受光素子３
_ｉ−Ａが受光する割合は特性線７_i−Ａで示され、
また受光素子３_i−Ｂが受光する割合は特性線７_i
−Ｂで示される。この場合、各受光素子３_i−Ａ，
３_i−Ｂはレンズ１の開口部全面からの光を受光
し、η（Ｘ）の分布形状はレンズ中心位置Ｘ＝０
に関して対称な形状となる。第３図中、８_i−Ａ，
８_i−Ｂは、それぞれ、特性線７_i−ＡとＸ軸，７_i
−ＢとＸ軸で囲まれる面積を２等分する線であ
り、その線８_i−Ａ，８_i−Ｂのレンズ１上の位置
５_i−Ａ，５_i−Ｂを通る光を、それぞれ受光素子
３_i−Ａ，３_i−Ｂに対する重心光と呼ぶことにす
ると、この重心光の光路は第２図中、６_i−Ａ，
６_i−Ｂで示されるものとなり、光路６_i−Ａ，６_i
−Ｂの重心光はそれぞれレンズ１の中心を挾んだ
上下部から光軸４を交叉してストライプマスク２
のスリツト２ｂを通り各受光素子３_i−Ａ，３_i−
Ｂに入射する。このことは、光軸４から離れた位
置に存在する他の受光素子に対しても同様であ
る。

第４図は、点光源１０からの光束のうち、受光
素子群Ａの受光素子３₁−Ａ，…，３_o−Ａおよび
受光素子群Ｂの受光素子３₁−Ｂ，…，３_o−Ｂに
対する重心光の光路６_i−Ａ，６_i−Ｂを示したも
のである。光路６_i−Ａ，６_i−Ｂが光軸４と交わ
る点が合焦位置P₀であり、同合焦位置P₀より結
像レンズ１がわ寄りの位置が後ピン位置P₁とな
り、結像レンズ１から遠去かる位置が前ピン位置
P₂となる。上記ストライプマスク２を有する受
光センサー３を後ピン位置P₁、合焦位置P₀、前
ピン位置P₂に置いたとき、受光センサー３の受
光面に形成される像パターンはそれぞれ第５図
Ａ，Ｂ，Ｃに示すようになる。即ち、受光センサ
ー３を後ピン位置P₁に置いた場合には、第５図
Ａに示すように受光素子群Ａ，Ｂの受光面に、像
が１２Ａ，１２Ｂのようにずれて形成され、ま
た、受光センサー３が合焦位置P₀にある場合に
は第５図Ｂに示すように像の横ずれがなく、受光
素子群Ａ，Ｂの受光面に１つに合致した像１２が
形成され、さらに、受光センサー３を前ピン位置
P₂に置いた場合には、第５図Ｃに示すように、
上記前ピン状態とは逆に、像１２Ａと１２Ｂとの
位置が入れ替つた状態で横ずれして形成される。

しかし、上記合焦検出装置のように、ストライ
プマスク２および受光素子群Ａ，Ｂを直線状に配
列した構成とした場合、光軸４を挾んでその近傍
に配置されている一対の受光素子３_i−Ａ，３_i−
Ｂについては、第６図に示すように、各受光素子
３_i−Ａ，３_i−Ｂより射出瞳を見込む角度が斜線
を施して示すように互いに等しいので、各受光素
子３_i−Ａ，３_i−Ｂはレンズ１の開口部からそれ
ぞれ同一光量の光を受けるが、光軸４から離れた
位置に存在する、例えば、一対の受光素子３_o−
Ａ，３_o−Ｂについては、第７図に示すように、
各受光素子３_o−Ａ，３_o−Ｂより射出瞳を見込む
角度が斜線を施して示すように互いにずれてお
り、このため、受光素子３_o−Ａ，３_o−Ｂはそれ
ぞれレンズ１の開口部から同一光量の光を受けな
いことになる。従つて、受光素子群Ａ，Ｂの光軸
４から離れた位置に存在する受光素子について
は、その光軸からの距離に応じて受光量のアンバ
ランスが生じる。このため、合焦時であつても、
上記受光素子群Ａ，Ｂ間の受光素子対において光
電変換出力が不平衡になる不具合が生じ、正しい
合焦検出が困難になつてしまう。

そこで、このような不具合を解消するものとし
て、従来、ストライプマスク等の横ずれ像発生手
段の前面に、補正用レンズを配設し、同レンズの
屈折力を利用することにより、上記の光量アンバ
ランスを補正する方法が知られているが、このよ
うな補正方法は、これを、例えば、一眼レフレツ
クスカメラに適用した場合、補正用レンズの最適
な屈折力が変換レンズの種類によつて異なるの
で、完全な光量アンバランスの補正は不可能であ
る。また、光学部品点数が増加することになるの
で、調整個所が増えてコスト高になり、さらに、
実装スペースが増大してカメラが大型になる等の
問題点を有していた。

（目的）本発明の目的は、上述した点に鑑み、補正用レ
ンズを用いることなく各対の受光素子に均一な光
束を入射させるようにして像の横ずれ状態を正確
に検出できるようにすると共に、像の鮮明度も同
時に検出できるようにした合焦検出装置を提供す
るにある。

（概要）本発明の合焦検出装置は、結像レンズの予定焦
平面を挾む前後の位置で、結像レンズの光軸を中
心とする円周上に、横ずれ像発生手段と受光素子
列とを一組ずつ配置してなるものである。

（実施例）以下、本発明を図示の実施例によつて説明す
る。第８図は、本発明の一実施例を示す合焦検出
装置を適用した一眼レフレツクスカメラの要部断
面図である。第８図において、一眼レフレツクス
カメラの撮影用結像レンズ１を透過した被写体光
は観察用ミラー２２によつて２分割され、同ミラ
ー２２で反射した一方の光はフオーカシングスク
リーン２３、ペンタプリズム２４からなるフアイ
ンダー光学系に導かれ、観察用ミラー２２の半透
鏡部２２ａを通過した他方の光は、この観察用ミ
ラー２２の背面に設けた合焦用ミラー２５によつ
て反射されて下方の合焦検出装置２６に導かれる
ようになつている。合焦検出装置２６は、光路分
割光学系２７と、この光路分割光学系２７の下面
に配置された横ずれ像発生光学系２８と、この横
ずれ像発生光学系２８の下面に配置された受光セ
ンサー２９とにより構成されている。光路分割光
学系２７は３つのプリズムを貼り合わせてなるも
ので、同貼り合せ面で、半透鏡面の光路分割面２
７ａと全反射面の光路分割面２７ｂが形成されて
いる。このため、光路分割光学系２７は、結像レ
ンズ１を通過した光束が光軸４に沿つて導かれ合
焦用ミラー２５で反射してこの光路分割光学系２
７に入射するとき、第１の光路分割面２７ａを透
過して横ずれ像発生光学系２８の第１のストライ
プマスク（横ずれ像発生手段）３１（第９図参
照）および受光センサー２９の第１の受光素子列
３３に入射する光に対して、この第１の光路分割
面２７ａで反射し、さらに、第２の光路分割面２
７ｂで反射して横ずれ像発生光学系２８の第２の
ストライプマスク（横ずれ像発生手段）３２（第
９図参照）および受光センサー２９の第２の受光
素子列３４に入射する光の光路長を確保するもの
である。横ずれ像発生光学系２８はガラス、高分
子フイルム等の透明基板２８ａ（第１０図Ａ参照）
上の左右に、それぞれ、蒸着或いは印刷等により
多数の遮光部を円環状に列べて第１、第２のスト
ライプマスク３１，３２が形成されてなる。受光
センサー２９は絶縁基板３０上の左右に、それぞ
れ、上記ストライプマスク３１，３２と対向する
位置において、多数の受光素子を円環状に列べて
第１、第２の受光素子列３３，３４が形成されて
なる。上記光路分割光学系２７の２つの光路分割
面２７ａ，２７ｂによつて、上記光軸４は２つの
平行した光軸４Ａと４Ｂとに分割されるが、この
分割後の一方の光軸４Ａは、上記第１のストライ
プマスク３１および第１の受光素子列３３の中心
に一致し、他方の光軸４Ｂは、上記第２のストラ
イプマスク３２および第２の受光素子列３４の中
心に一致している。従つて、光軸４Ａ，４Ｂから
それぞれ受光素子列３３，３４上の各受光素子へ
の距離が等しくなり、受光素子列３３，３４の各
受光素子には被写体から発した光束が均一に入射
するようになるので、後述のように、像の横ずれ
状態を検出することによつて行なう合焦検出が正
確に行なわれることになる。また、光軸４Ａに沿
つて第１の受光素子列３３の中心に至る光路長に
対して、光軸４Ｂに沿つて第２の受光素子列３４
の中心に至る光路長が長くなつているので、この
第１の受光素子列３３の受光面と、第２の受光素
子列３４の受光面とが、フイルム２１の撮影面と
光学的に共役な位置（予定焦平面）３５を挾み、
この予定焦平面３５から互いに光学的に等距離を
隔てた前後に位置するように、この合焦検出装置
２６の位置が定められている。即ち、結像レンズ
１を通過した光が予定焦平面３５に結像されると
きに、２つの受光素子列３３と３４に対する像の
鮮明度が一致して両素子列の受光量が等しくなる
ので、このとき、像の鮮明度による合焦検出が行
なわれるようになつている。

ここで、上記合焦検出装置２６におけるストラ
イプマスク３１と受光素子列３３の詳細な位置関
係を第１１，１２図に示す。受光素子列３３は受
光センサー２９の絶縁基板３０上に光軸４Ａを中
心として2n個の受光素子が円環状に配列されて
なる。そして、配列方向に１つおきの受光素子３
３_i−Ａ，３３_i+1−Ａ，…により受光素子群３３
−Ａが構成され、この受光素子群３３−Ａの各受
光素子に隣り合う１つおきの受光素子３３_i−Ｂ，
３３_i+1−Ｂ，…により受光素子群３３−Ｂが構
成されている。ストライプマスク３１は前述した
ようにガラス、高分子フイルム等の透明基板２８
ａ上に、同じく光軸４Ａを中心として上記受光素
子列３３と同一円周上にｎ個の遮光部３１₁〜３
１_oが形成されていて、各遮光部間にはスリツト
３１ａが形成されている。そして、各遮光部３１
_１〜３１_o間のスリツト３１ａに対向した位置で
は、それぞれ、受光素子対を形成する受光素子３
３₁−Ａと３３₁−Ｂ，３３₂−Ａと３３₂−Ｂ，
…，３３_o−Ａと３３_o−Ｂが配置されている。受
光素子対３３₁−Ａ；３３₁−Ｂ，…，３３_o−
Ａ；３３_o−Ｂの一部はスリツト３１ａを挾んで
隣り合う２つの遮光部によつて遮光されるように
なつている。

次に、上記円環状のストライプマスタ３１およ
び受光素子列３３を用いた場合の横ずれ像の発生
原理について説明する。結像レンズ１からの光束
がストライプマスク３１を通じて受光素子列３３
に入射されると、ストライプマスク３１の遮光部
が円環状に配置されているので、同ストライプマ
スク３１のスリツト３１ａを光が通過することに
より、受光素子列３３の受光素子群３３−Ａと受
光素子群３３−Ｂに対して、非合焦時には、被写
体像がずれた状態で投影され、合焦時にはこのず
れがなくなつて一つの像に合致する。これを、結
像レンズ１を通過する光と受光素子列３３の受光
面の各位置とを対応させて説明すると、第１３図
Ａ〜Ｄに示す結像レンズ１の開口部上の位置４０
_ｉ−Ａ，４０_i−Ｂ，４０_j−Ａ；４０_j−Ｂ，４０_k
−Ａ；４０_k−Ｂ，４０_l−Ａ；４０_l−Ｂは、それ
ぞれ第１１図に示す受光素子列３３の受光素子３
３_i−Ａ；３３_i−Ｂ，３３_j−Ａ；３３_j−Ｂ，３３
_ｋ−Ａ；３３_k−Ｂ；３３_l−Ａ；３３_l−Ｂに対す
る重心光の通る位置（重心光位置）である。例え
ば、今、受光素子列３３の下端の受光素子３３_i
−Ａと３３_i−Ｂに注目すると、このうち右側の
受光素子３３_i−Ａは、第１３図Ａに示すように、
結像レンズ１の開口部領域を図示の濃度に比例し
た受光割合で受光し、レンズ光軸４より左半分
の、重心光位置４０_i−Ａを中心とした領域を通
過する光を主として受光することとなり、また、
この受光素子３３_i−Ａと対をなす左側の受光素
子３３_i−Ｂは、レンズ光軸４より右半分の重心
光装置４０_i−Ｂを中心とした領域を通過する光
を主として受光することとなる。また、受光素子
列３３の右端の受光素子３３_j−Ａと３３_j−Ｂに
注目すると、このうち、上側の受光素子３３_j−
Ａは、第１３図Ｂに示すように、結像レンズ１の
開口部領域を図示の濃度に比例した受光割合で受
光してレンズ光軸４より下半分の、重心光位置４
０_j−Ａを中心とした領域を通過する光を主とし
て受光し、また、下側の受光素子３３_j−Ｂは、
レンズ光軸４より上半分の、重心光位置４０_j−
Ｂを中心とした領域を通過する光を主として受光
する。同様に、受光素子列３３の上端の左側の受
光素子３３_k−Ａと右側の受光素子３３_k−Ｂは、
第１３図Ｃに示すように、それぞれレンズ光軸４
より右半分の、重心光位置４０_k−Ａを中心とし
た領域の光、光軸４より左半分の、重心光位置４
０_k−Ｂを中心とした領域の光を、主として受光
し、受光素子列３３の左端の下側の受光素子３３
_ｌ−Ａと上側の受光素子３３_l−Ｂは、第１３図Ｄ
に示すように、それぞれ、光軸４より上半分の、
重心光位置４０_l−Ａを中心とした領域の光、光
軸４より下半分の、重心光位置４０_l−Ｂを中心
とした領域の光を、主として受光する。

このように、受光素子群３３−Ａと３３−Ｂと
からなる円環状の受光素子列３３のうち、対の関
係にある２つの受光素子に対する重心位置は常に
レンズ光軸４に関して対称な位置にあり、同群３
３−Ａ或いは３３−Ｂの受光素子間においては配
列位置に従い対応する重心位置も円周方向に移動
している。従つて、各受光素子は円周上の位置に
対応して横ずれした像を受光し、全体として円周
方向にずれた像を検出することになる。即ち、受
光素子群３３−Ａと３３−Ｂによつて得られる像
パターンは、非合焦状態に応じて光軸４Ａを中心
として時計方向或いは反時計方向に回転した横ず
れを生じ、合焦時には２つの像パターンが一致す
る。

上記ストライプマスク３１および受光素子列３
３に並設されたストライプマスク３２および受光
素子列３４についても、上述した横ずれ像の発生
が全く同様にして行なわれる。

そして、この２つの円環状の受光素子列３３お
よび３４の受光面は予定焦平面３５を挾んで同焦
平面から光学的に等距離の位置に存在しているこ
とから、合焦時には（予定焦平面に被写体像が結
像された時には）、受光素子列３３の受光素子出
力と受光素子列３４の受光素子出力とが一致する
ことになり、像の鮮明度による合焦検出をも行な
うことができる。

例えば、受光素子列３３の受光素子群３３−Ａ
の出力をAn、受光素子群３３−Ｂの出力をBnと
し、その受光素子列３３上に投影される像の鮮明
度を表わす評価関数F₁として、 F₁＝｜（An＋Bn）−（A_o+1＋B_o+1）｜MAX……(1) を用い、同様に、受光素子列３４上に投影される
像の鮮明度を表わす評価関数をF₂とすると、そ
のF₁およびF₂は像の鮮明度を表わす評価関数で
あるから、第１４図Ａに示したように、各受光素
子列３３，３４上に投影像が結像したとき、評価
値がピーク値となるようにそれぞれ変化する。

一方、受光素子列３３上の像の横ずれを表わす
評価関数F₃として、たとえば F₃＝Σ（｜A_o+1−B_o-1｜−A_o−B_o+1｜） ……(2) を用い、同様にして、受光素子列３４上の像の横
ずれを表わす評価関数をF₄とすると、F₃，F₄は
第１４図Ｂに示すように、上記像の鮮明度検出方
式による評価関数F₁，F₂の各ピーク値の位置で
は、像に横ずれを生じないので、零の値となり、
この位置から外れると横ずれを生じ、非合焦状態
の方向に応じて正負の符号が反転する曲線とな
る。従つて、前ピン、後ピンの非合焦方向につい
ては、上記(2)式の評価関数F₃，F₄を演算し、そ
のF₃，F₄が同符号のときには両符号の正、負に
よつて判断し、F₃，F₄が異符号のときには前記
(1)式による評価関数F₁，F₂を用いて非合焦方向
と合焦を判定するようにすれば、像の鮮明度によ
る合焦検出方式と像の横ずれによる合焦検出方式
との各長所を取り入れた正確な合焦検出を行なう
ことができる。

なお、上記２組のストライプマスク３１，３２
および受光素子列３３，３４は必ずしも上記実施
例のように完全な円環状に配列する必要はない。

例えば、第１５図および第１６図Ａ，Ｂに示し
た合焦検出装置５６においては、横ずれ像発生光
学系５８の透明基板５８ａ上に形成された２つの
ストライプマスク６１，６２は大きな円周の一部
を描くように円弧状に遮光部を配列してなるもの
で、ストライプマスク６１と６２の円弧は同一円
弧形状であり、かつ平行している。そして、この
横ずれ発生光学系５８の下に配設された受光セン
サー５９の基板６０上の２つの受光素子列６３，
６４もそれぞれ上記ストライプマスク６１，６２
と重なり合う円弧形状の位置に配列されている。
上記第１のストライプマスク６１と受光素子列６
３が形成する円弧は共に、光軸４を中心とする円
周上にある。このため、円弧状のストライプマス
ク６１および受光素子列６３は光軸４から等距離
の位置にあり、光軸４から離れた光路を通る光束
は光路分割光学系５７の第１の光路分割面５７ａ
を透過して第１の受光素子列６３のいずれの位置
にも受光量のアンバランスを生ずることなく均等
な光量で入射する。第１の光路分割面５７ａを反
射した光束はこの光路分割面５７ａと平行した傾
斜面の第２の光路分割面５７ｂを反射して、同じ
く第２の円弧状のストライプマスク６２および受
光素子列６４に向うので、この第２の受光素子列
６４のいずれにも均等な光量が受光される。そし
て、この合焦検出装置５６においても、前記実施
例と同様に、第１の受光素子列６３と第２の受光
素子列６４とが予定合焦平面３５を挾んで光学的
に等距離隔てた位置に配置されており、像の鮮明
度による合焦検出も行なわれるようになつてい
る。この合焦検出装置５６は、並設される２組の
ストライプマスクおよび受光素子列を円弧状にし
ているので、前記合焦検出装置２６に比較して小
型に構成することができる。

さらに、２組のストライプマスクと受光素子列
を、第１７図Ａ，Ｂに示すように、無駄なスペー
スを生ずることのないように配置することにより
小型で精度の高い合焦検出装置とすることができ
る。第１７図Ａ，Ｂに示す合焦検出装置７６にお
いては、短円柱状に形成された光路分割光学系７
７の第１の光路分割面７７ａおよび第２の光路分
割面７７ｂは円錐台体の外周面形状を呈してい
て、両分割面の上下端が同心円状になるように配
置されている。この光路分割光学系７７の下面に
配置される横ずれ像発生光学系７８の透明基板７
８ａ上の第１のストライプマスク８１および第２
のストライプマスク８２も上記光路分割面７７ａ
および７７ｂに対応して同心円状に形成され、さ
らに、この横ずれ像発生光学系７８の下面に配置
される受光センサー７９についても、絶縁基板８
０上に、同じく、同心円状に受光素子列８３およ
び８４が形成されている。

このため、光軸４はこの合焦検出装置７６の中
心に、即ち、同心円状に配置された２つの受光素
子列８３と８４の中心を通る。光軸４から離れた
光路を通る光束は、光路分割光学系７７の第１の
光路分割面７７ａを透過して第１の受光素子列８
３に入射し、第１の光路分割面７７ａで反射した
光束はこの光路分割面７７ａと平行した傾斜面の
第２の光路分割面７７ｂを反射して放射状に外方
に向い、第２の受光素子列８４に入射する。この
ように、円環状のストライプマスク８１と８２お
よび受光素子列８３と８４を同心状に配置するこ
とにより合焦検出装置７６はさらに小型に構成す
ることができる。

なお、上記各実施例では横ずれ像発生手段とし
て、ストライプマスクを用いているが、これに限
らず、微小角臨界プリズムアレイやフライアイレ
ンズ等を用いて本発明を構成することができる。

（効果）以上述べたように、本発明によれば、２組の横
ずれ像発生手段および受光素子列を光軸を中心と
した円周上に形成し、各組の横ずれ像発生手段と
受光素子列を予定焦平面を挾んだ前後に配置して
いるので、被写体からの光束を各受光素子列上に
均一に入射させることができて像の横ずれによる
合焦検出を高精度に行なうことができると共に、
像の鮮明度による合焦検出も行なうことができ
て、より一層、正確な合焦検出動作を行なうこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の合焦検出装置の一例を説明す
るための概略構成を示す拡大断面図、第２図は、
上記第１図中の光軸付近における重心光の光路の
解析図、第３図は、レンズ径方向変位に対する光
軸付近の受光素子の受光割合を示す特性図、第４
図は、結像レンズによる点光源の結像位置と受光
位置との関係を示すための図、第５図Ａ，Ｂ，Ｃ
はそれぞれ上記第４図の各受光位置における像の
形成状態を示す図、第６図は、光軸付近に配され
る２つの受光素子の受光量を説明するための拡大
断面図、第７図は、一対の受光素子間に光量アン
バランスが生じているときの、光軸から離れた２
つの受光素子の受光量を説明するための拡大断面
図、第８図は、本発明の一実施例を示す合焦検出
装置を適用した一眼レフレツクスカメラの要部断
面図、第９図は、上記第８図中の合焦検出装置の
斜視図、第１０図ＡおよびＢは、上記第８図中の
合焦検出装置の断面図および平面図、第１１図
は、上記第８図中の合焦検出装置におけるストラ
イプマスクおよび受光素子列の配置パターンを示
す拡大平面図、第１２図は、上記第１１図中の
−線に沿う断面図、第１３図Ａ〜Ｄは、そ
れぞれ各位置の受光素子に対するレンズ開口部の
重心光位置を示す受光パターン図、第１４図Ａ，
Ｂは、それぞれ像の鮮明度検出方式および像の横
ずれ検出方式による焦点状態に対する評価関数を
表わす線図、第１５図は、本発明の他の実施例を
示す合焦検出装置の斜視図、第１６図ＡおよびＢ
は、上記第１５図に示す合焦検出装置の断面図お
よび平面図、第１７図ＡおよびＢは、本発明のさ
らに他の実施例を示す合焦検出装置の断面図およ
び平面図である。１……結像光学系、２，３１，３２，６１，６
２，８１，８２……ストライプマスク（横ずれ像
発生手段）、３，２９，５９，７９……受光セン
サー、２６，５６，７６……合焦検出装置、３
３，３４，６３，６４，８３，８４……受光素子
列、３５……予定焦平面。

Claims

【特許請求の範囲】１結像光学系のピントのずれ量に応じて像の横
ずれ状態を横ずれ像発生手段によつて生じさせ、
この横ずれ像発生手段によつて生じた像を複数個
の受光素子からなる受光素子列で検知し、この受
光素子列より得られた像情報を基に合焦状態の検
出を行う装置において、上記横ずれ像発生手段および上記受光素子列
を、上記結像光学系の光軸を中心とする円周上に
１組ずつ配置し、上記結像光学系の非合焦状態に
応じて上記円周上に時計方向もしくは反時計方向
に回転した横ずれ像を発生することを特徴とする
合焦検出装置。