JPH0379055A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPH0379055A JPH0379055A JP1214980A JP21498089A JPH0379055A JP H0379055 A JPH0379055 A JP H0379055A JP 1214980 A JP1214980 A JP 1214980A JP 21498089 A JP21498089 A JP 21498089A JP H0379055 A JPH0379055 A JP H0379055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- wire
- probe needle
- film
- electrode pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000009528 severe injury Effects 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子、特に、その電極パッドに関する
。
。
第２図は従来の半導体素子の電極パッドの一例を、第３
図は従来の半導体素子の電極ノクツドにプローブニード
ルを接触させた状態の一例を示す。
図は従来の半導体素子の電極ノクツドにプローブニード
ルを接触させた状態の一例を示す。
従来の半導体素子では、リードフレームによる組立て方
式のものの電極バット９にワイヤを？ンデ４７、グする
場合、あるいは、ＴＡＢ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔ
ｅｄＢｏｎｄｉｎｇ ）パッケージング方式のものの電
極ノＪ？ツドにフィルムリードをボンディングする場合
と。
式のものの電極バット９にワイヤを？ンデ４７、グする
場合、あるいは、ＴＡＢ （Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔ
ｅｄＢｏｎｄｉｎｇ ）パッケージング方式のものの電
極ノＪ？ツドにフィルムリードをボンディングする場合
と。
ウェハテストの際に電極パッドにプローブニードルを接
触させる場合に、電極ノやラドのパター７認識は同一ノ
Ｊ？ターンの認識によって行なわれてきた。
触させる場合に、電極ノやラドのパター７認識は同一ノ
Ｊ？ターンの認識によって行なわれてきた。
すなわち、ウェハテストの際にプローブニードル３を接
触させた電極パッドｌの同じ紅表面にワイヤあるいはフ
ィルムリードをボンディングしてきた。
触させた電極パッドｌの同じ紅表面にワイヤあるいはフ
ィルムリードをボンディングしてきた。
従来の半導体素子では、電極・臂ツドが上記のようにな
っていて、ワイヤあるいはフィルムリードがボンディン
グされる部分が、ウェハテスト時にプローブニードルに
よって第４図に示すよりＫＡｔ表面に損傷を受け、損傷
の程度がひどい場合は。
っていて、ワイヤあるいはフィルムリードがボンディン
グされる部分が、ウェハテスト時にプローブニードルに
よって第４図に示すよりＫＡｔ表面に損傷を受け、損傷
の程度がひどい場合は。
組立後に、電極ノ４ ラドとボンディングワイヤあるい
はフィルムリードの間に剥がれが発生し、信頼性の低下
につながり、さらに、ウェハテストで２〜３回以上再テ
ストすると、Ａｔ表面の損傷がひどくなり、使用できな
くなるという問題があった。
はフィルムリードの間に剥がれが発生し、信頼性の低下
につながり、さらに、ウェハテストで２〜３回以上再テ
ストすると、Ａｔ表面の損傷がひどくなり、使用できな
くなるという問題があった。
また、大電流を扱うものでは、プローブニードル接触時
の接触抵抗を減らすためにプローブニードルを強く当て
ると、電極パッドのＭ表面の損傷がひどくなり、当てる
力を弱く設定すると正確な測定値が得られず、管理が難
しいという問題があった口 本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、ウェハテ
ストで正確な測定値が得られるとともに。
の接触抵抗を減らすためにプローブニードルを強く当て
ると、電極パッドのＭ表面の損傷がひどくなり、当てる
力を弱く設定すると正確な測定値が得られず、管理が難
しいという問題があった口 本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、ウェハテ
ストで正確な測定値が得られるとともに。
組立後に、ワイヤあるいはフィルムリードと電極・ぐラ
ドとの間に剥がれが生ずることのないものを提供するこ
とを目的とする。
ドとの間に剥がれが生ずることのないものを提供するこ
とを目的とする。
本発明の半導体素子は、各電極／？ツドに、ワイヤある
いはフィルムリードをデンディングする部分のほかに、
該部分と一体に連結され該部分とパターンを区別して認
識できるウエノ・テスト時にプローブニードルを接触さ
せる部分を設けたものである。
いはフィルムリードをデンディングする部分のほかに、
該部分と一体に連結され該部分とパターンを区別して認
識できるウエノ・テスト時にプローブニードルを接触さ
せる部分を設けたものである。
第１図ｆａ）、 （ｂ） 、 （ｃ）はそれぞれ本発明
の一実施例を示す。
の一実施例を示す。
図において１ａはワイヤあるいはフィルムリードをデン
ディングする部分１１とウエノ・テスト時にプローブニ
ードル３ｔ−接触させる部分】２を備えた電極パッド、
２はスクライブライン領域である。
ディングする部分１１とウエノ・テスト時にプローブニ
ードル３ｔ−接触させる部分】２を備えた電極パッド、
２はスクライブライン領域である。
ワイヤあるいはフィルムリードをボンディングする部分
１１とゾロープ二一ドル３を接触させる部分１２とは、
区別してパターン認識ができ、ウェハテストの際は、電
極パッド１ａの一方の部分１２のみが使用され、ワイヤ
あるいはフィルムリードをデンディングする部分１１の
Ａｔ表面は損傷を受けることがなく、ホンディング後に
ワイヤあるいはフィルムリードと電極／９ツド１ａの間
に剥がれが発生することがなくなる。
１１とゾロープ二一ドル３を接触させる部分１２とは、
区別してパターン認識ができ、ウェハテストの際は、電
極パッド１ａの一方の部分１２のみが使用され、ワイヤ
あるいはフィルムリードをデンディングする部分１１の
Ａｔ表面は損傷を受けることがなく、ホンディング後に
ワイヤあるいはフィルムリードと電極／９ツド１ａの間
に剥がれが発生することがなくなる。
めには、図（Ｃ）に示すように、プローブニードルを接
触させる部分１２をスクライブライン領域２内に設けれ
ばよい。電極パッド１＆がチップ内に占める面積は、部
分１１のみで、従来のものと同じになる。
触させる部分１２をスクライブライン領域２内に設けれ
ばよい。電極パッド１＆がチップ内に占める面積は、部
分１１のみで、従来のものと同じになる。
一方、ウェハをスクライブすると、部分１２は消滅する
が、スクライブ後、部分１２を必要とすることがないの
で、消滅しても差し支えることがない。
が、スクライブ後、部分１２を必要とすることがないの
で、消滅しても差し支えることがない。
以上説明したとおり、本発明によれば、ウニ／・テスト
で正確な測定値を得ることができるとともに、ボンディ
ング後に、ワイヤあるいはフィルムリードと電極１？ツ
ドの間に剥れが発生することがなくなり、信頼性の向上
に寄与する効果が大である。
で正確な測定値を得ることができるとともに、ボンディ
ング後に、ワイヤあるいはフィルムリードと電極１？ツ
ドの間に剥れが発生することがなくなり、信頼性の向上
に寄与する効果が大である。
第１図（ａ） −（ｂ） 、 （ｃ）はそれぞれ本発明
の一実施例を示す平面図、第２図は従来の半導体素子の
電極ノ！ッドを一例を示す平面図、第３図は従来の半導
体素子の電極ノットにプローブニードルを接触させた状
態の一例を示す側面図、第４図は電極バンドの１表面が
プローブニードルの接触によって受けた損傷の一例を示
す平面図である。 ｌａ・・・電極パッド、１１・・・ワイヤあるいはフィ
ルムリードをビンディングする部分、１２・・・プロな
お図中同一符号は同一または相当する部分を示す。
の一実施例を示す平面図、第２図は従来の半導体素子の
電極ノ！ッドを一例を示す平面図、第３図は従来の半導
体素子の電極ノットにプローブニードルを接触させた状
態の一例を示す側面図、第４図は電極バンドの１表面が
プローブニードルの接触によって受けた損傷の一例を示
す平面図である。 ｌａ・・・電極パッド、１１・・・ワイヤあるいはフィ
ルムリードをビンディングする部分、１２・・・プロな
お図中同一符号は同一または相当する部分を示す。
Claims (2)
- （１）各電極パッドがワイヤあるいはフィルムリードを
ボンディングする部分のほかに該部分と一体に連結され
該部分とパターンを区別して認識できるウェハテスト時
にプローブニードルを接触させる部分を備えたことを特
徴とする半導体素子。 - （２）ウェハテスト時にプローブニードルを接触させる
部分をスクライブライン領域に設けたことを特徴とする
請求項第１項記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214980A JPH0379055A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214980A JPH0379055A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0379055A true JPH0379055A (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=16664726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1214980A Pending JPH0379055A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0379055A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011061236A (ja) * | 2010-11-26 | 2011-03-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| US8946705B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-02-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP1214980A patent/JPH0379055A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8946705B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-02-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US9824944B2 (en) | 2009-05-20 | 2017-11-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| US10163740B2 (en) | 2009-05-20 | 2018-12-25 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| JP2011061236A (ja) * | 2010-11-26 | 2011-03-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
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