JPH0376236A - ボンディング方法 - Google Patents

ボンディング方法

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JPH0376236A
JPH0376236A JP21252889A JP21252889A JPH0376236A JP H0376236 A JPH0376236 A JP H0376236A JP 21252889 A JP21252889 A JP 21252889A JP 21252889 A JP21252889 A JP 21252889A JP H0376236 A JPH0376236 A JP H0376236A
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JP
Japan
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chip
scrubbing
die pad
force
bonding
Prior art date
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JP21252889A
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English (en)
Inventor
Kiyohide Fukui
福井 清英
Yuji Hasegawa
雄二 長谷川
Yoshiyuki Haga
芳賀 嘉之
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 リードフレームのダイパッドへ、半導体チップ(ダイ)
をボンディングする方法のうち、特に共晶合金をろう材
とするボンディング方法に関し、チップの濡れ性に応じ
てスクラブを制御する方法を確立することによって、高
品質のボンディングを安価に行えるようにすることを目
的とし、共晶温度以上に加熱したダイパッド上でチップ
をスクラブし、共晶合金によって該チップを該ダイバッ
ドヘボンディングする場合に、 ダイパッド上のチップを、該ダイパッドの横方向に沿っ
てスクラブする力を検出し、該スクラブに要する力が低
下した場合に前記スクラブを停止するよう構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレームのダイパッドへ、半導体チッ
プ(ダイ)をボンディングする方法のうち、特に共晶合
金をろう材とするボンディング方法に関する。
〔従来の技術] (1)ボンディングの概要 半導体チップ(以降、単にチップと呼称する)を、セラ
ミックパッケージやプラスチック封止パッケージに固定
する場合、該パッケージ用リードフレームに設けたダイ
パッドに固定(ボンディング)している。
第5図は、リードフレームを説明する図である。
リードフレーム1の中央位置にダイパッド2があり、該
ダイパッド2にチップを固定する。
尚、ダイパッド2から放射状に伸びている部分は、半導
体パッケージのリード端子となる部分であり、該ダイパ
ッド2上に固定したチップとボンディングワイヤで接続
する。
前記ダイのボンディングは、チップとパッケージを機械
的・電気的に接続し、同時にチップで発生する熱の放散
を容易にすることを目的としている。
他方、チップをダイパッドに固定する方法には、ろう材
により次の代表的方法がある。
■Au−5i共晶合金法 ■ハンダ接着法 ■導電性樹脂接着法 以上の3通りである。
本願発明は、特にAu−5i共晶合金法によるボンディ
ング方法に関する。
(2)  Au−5i共晶合金法によるボンディング方
法Au−5t共晶合金は、融点が約370℃程度で、共
晶合金のなかでは比較的低温度であり、放熱性や機械的
強度、オーミックコンタクト性に優れている点が特徴で
ある。
第6図は、Au−5t共晶合金法によるボンディングを
説明する図で、平面上に置いたダイパッドおよびチップ
等を側面から見た図である。
ダイコレット6は、テーパ面8から戒るテーパ状の先端
開口部に、真空吸引装置7によってチップ3を吸着し保
持するもので、次に説明する一連の作業をチップ3へ与
える際の保持手段として使用するものである。
次に、Au−3i共晶合金法によるボンディングの作業
手順を説明する。
■Auメツキしたダイパッド2を、400°C程度に加
熱する。
■グイパッド2上にAuおよびSiのペレットを置く。
■前記■のペレットの上からチップ3を押圧力f、で押
し付け、ダイパッド2の表面方向(横方向)すなわち矢
印9方向にスクラブ(scrub)する。
ちなみにf、は、例えば100g程度である。
以上の手順である。
すなわち、前記手順■において、AuとSiとが共晶反
応を生じ、Au−5i共晶合金層5によってチップ3と
ダイパッド2とが接合される。また、チップ3をスクラ
ブする理由は、前記共晶反応を促進するためである。
第7図は、ボンディング完了後の様子を説明する図で、
ダイパッドのチップ固定面を示している。
ダイパッド2はAuメツキされているが、チップ3の周
囲には共晶反応を生じたAu−5t共晶合金部5aが広
がる。
ダイパッド2上のAuメツキ部4aは、燻した金色をし
ているが、Au−5t共晶合金部5aは、光沢のある金
色をしている。
一般に、共晶合金によるチップ3の濡れ性が良好なもの
は、該チップ3とダイパッド2との接合状態が良好であ
る。
したがって、チップ3のダイパッド2への接合状態は、
該チップ3の周囲のAu−5t共晶合金部5aの広がり
状態およびその光沢で判断することができる。
(3)^u−St共晶合金法によるボンディングの品質
管理 ボンディングの目的は、チップとパッケージを機械的・
電気的に接続し、同時にチップで発生する熱の放散を行
うことにある。
したがって、チップ3とダイパッド2との接合状態は、
半導体装置の性能を左右する要因の1つである。
そのため、ボンディングに当たっては、常に良好な接合
状態が得られるような方策を実施−している。
次にその方策を説明する。
■スクラブの回数を多くする。
スクラブは、AuとSiの共晶反応を促進させるために
行うものである。したがって、この回数を多くし余裕を
与えることによって良好な共晶反応が得られ、共晶合金
によるチップ3の濡れ性が向上する。
例えば、通常2回のスクラブで良いところを3回あるい
は4回のスクラブ゛を行うものである。
■濡れ性の検査を行う。
前記したように、共晶合金によるチップ3の濡れ性の評
価は、該チップ3の周囲に広がるAu−3i共晶合金部
5aを観察することによって可能である。
したがって、^u−St共晶合金共晶合金量5aるいは
画像処理装置等の検査装置を用いて検査を行うことによ
り、共晶合金によるチップ3の濡れ性が不十分なものを
、次工程へ流出することを防止できる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、前記のような方策では、次のような問題点を有
している。
■スクラブの回数を一律に多くしたのでは、ボンディン
グに要する時間が長くなり、生産性が低下する。
例えば、1回あるいは2回のスクラブで良好な濡れ性が
得られず、3回あるいは4回のスクラブによって良好な
濡れ性が得られた場合には極めて有効であるが、1回あ
るいは2回のスクラブで良好な濡れ性が得られたチップ
3に対し、3回あるいは4回のスクラブを行うことは無
駄な時間を費やすことになる。
■濡れ性の検査を行うことは、生産のためのコストを上
昇する。
すなわち、目視検査によって作業工数が増大する。他方
、画像認識装置等の検査装置は高価であり、生産のため
の固定資本部分が増大する。
以上のように、生産性の低下と生産コストの増大を招く
ことになる。
本発明の技術的課題は、ボンディングにおける以上のよ
うな問題を解消し、チップの濡れ性に応じてスクラブを
制御する方法を確立することによって、高品質のボンデ
ィングを安価に行えるようにすることにある。
〔課題を解決するための手段〕
第1図は、本発明の基本原理を説明する図で、平面上に
置いたダイパッドおよびチップを側面から見た図である
同図において、fpはチップ3をダイパッド2へ押圧す
る力、Wはスクラブの際の移動幅、Nはスクラブの回数
、Sはスクラブの際のチップ3の移動速度、f3はスク
ラブの際にチップ3をダイパッド2の表面方向に移動さ
せる力、すなわちスクラブに要する力、を表している。
本発明は、共晶合金反応が良好に進み、該共晶合金によ
るチップ3の濡れ性が良好な場合に、スクラブに要する
力f、が急速に低下することに着目している。
すなわち、共晶温度以上に加熱したグイパッド2上でチ
ップ3をスクラブし、共晶合金によって該チップ3を該
ダイパッド2ヘボンデイングする場合に、 グイパッド2上のチップ3を、該ダイパッド2の横方向
に沿ってスクラブする力f1を検出し、該スクラブに要
する力f、が低下した場合に前記スクラブを停止する方
法である。
〔作用〕
チップ3とろう材である共晶合金が馴染むこと、すなわ
ち所謂濡れ性が良好になると、該チップ3とダイパッド
2との間の摩擦が急速に低下する。
すなわち例えて言うならば、該チップ3と該ダイパッド
2とが潤滑されたような状態になる。
そのため、このときスクラブに要する力f3が、急速に
低下する。
したがって、共晶合金によるチップ3の濡れ性は、スク
ラブに要する力f、で判断することができる。
すなわち、スクラブに要する力f、が、予め決めた所定
の値以下に低下したときに、共晶合金によるチップ3へ
の濡れ性が十分に確保されたと判断し、スクラブを停止
する。
そして、ダイパッド2、チップ3、を冷却することによ
って共晶合金が凝固し、該チップ3の良好なボンディン
グを行うことができる。
尚、スクラブに要する力f、は、チップ3の面積や予め
設定する押圧力fp、スクラブの幅W、スクラブの速度
S、等によっても規定されるが、これらの値は一般的に
初期設定後一定に制御している。
〔実施例〕
本発明のボンディングの方法が、実際上どのように具体
化されるかを実施例で説明する。
(1)構成 第2図は、実施例を説明するブロック図である。
本実施例の要部は、ダイコレット6を駆動アーム12へ
板バネ10a、10bで固定し、該板バネ10a、 1
0bに歪センサlla、 flbを設けている点である
すなわち、チップ3をダイパッド2上でスクラブする力
を、板バネ10a、10bの歪量として検知するもので
ある。
次に、全体系を略説する。
スクラブのための駆動力は、ステッピングモータ15か
ら得て、その回転力をリードスクリュウ14と駆動テー
ブル13で直線運動に変換する。
駆動アーム12は、駆動テーブル13とグイコレット6
とを連結し、その駆動力を伝達する。ただしこのとき、
ダイコレット6を駆動アーム12へ板バネ10a、 1
0bで固定し、該板バネ10a、 10bに歪センサl
la、 llbを設ける。
また、ステッピングモータ15はモータ駆動部17で駆
動し、該モータ駆動部17をモータ制御部18で制御す
ることによって、該ステッピングモータ15の回転制御
を行う。
一方、ダイパッド2はステージ19の上に固定し、該ス
テージ19は圧力センサ21a、21bを介してステー
ジ20上に置く。
ステージ20は、アクチュエータ22によって図上方向
で上下方向に駆動し、ダイパッド2とチップ3との押圧
力を確保する。
また、アクチュエータ22はアクチュエータ駆動部23
によって駆動し、該アクチュエータ駆動部24をアクチ
ュエータ制御部24で制御することによって、前記ダイ
パッド2とチップ3との押圧力を制御する。ただし該制
御は、圧力センサ21a、21bの出力信号を押圧力(
f2)検知部25で検知した結果を、該アクチュエータ
制御部24にフィードバックすることによって行う。
他方、スクラブに要する力は前記歪センサ11a。
11bの出力信号をスクラブ力(f、 )検知部26で
検知し、制御部27へ送る。
制御部27は、本実施例装置の全体系を制御し、モータ
制御部18およびアクチュエータ制御部24と通信し制
御することによって、ボンディングの条件制御、すなわ
ち、チップ3の押圧力f、 、スクラブの幅W1スクラ
ブの速度S1スクラブの回数N、等の制御を行う。
(2)スクラブに要する力(fl)の検出部第3図は、
歪センサの作動を説明する図で、(a)は駆動アームが
図上の右側から左側へ移動している場合の図、(b)は
駆動アームが図上の左側から右側へ移動している場合の
図、(c)は検出部の側面図、である。
すなわち、チップ3とダイパッド2との間には摩擦抵抗
が有り、スクラブ時の該摩擦抵抗の大きさに応じて板バ
ネ10a、 10bが弾性変形する。
同図(a)では、板バネ10a、10bが図上の左側に
傾き変形し、同図(b)では、右側に傾き変形する。
そして、この変形(歪)量を歪センサ11a、11bで
検出するものである。
(3)作動 第4図は、実施例の作動を説明するフローチャートであ
る。
以下に説明する手順および判断は、第2図の制御部27
に予め記憶したプログラムに従って行うものである。
次に順を追って説明する。
■チップ3の押圧力fp 、スクラブの幅W、スクラブ
の速度S、スクラブの回数の上限リミットN、I、を予
め決めた所定の初期値にセットする。
ここで、スクラブの回数の上限りごットN、は、ボンデ
ィングが正常な状態でないと判断する値である。
また、スクラブの回数をカウントするために、変数Nに
0(ゼロ)をセットする。
■チップ3のスクラブ動作を一回行う。
■スクラブの回数を数える。すなわち、Nに1を加算す
る。
■前記■のスクラブ動作において、スクラブに要する力
f、が、所定の値以下であるかどうかを判定する。
■f、が所定値以下であれば、チップ3と共晶合金の濡
れ性が十分に確保されたとして、ボンディングを完了す
る。
■f、が所定値以上であり、スクラブの回数Nが上限り
ξットNX以下であれば、前記■に戻ってスクラブ動作
を行う。
■f、が所定値以上であり、スクラブの回数Nが上限リ
ミットN、に達したときは、ボンディング不良とする。
以上である。
すなわち、f、が所定値以下であれば直ちにボンディン
グ完了とし、f、が該所定値以上であれば該所定値以下
となるまでスクラブを行う。ただし、スクラブの回数が
N、に達したときは、ボンディングに異常が有ったもの
として不良とするのである。
したがって、チップの濡れ性に応じたスクラブ回数を選
択して行うことが可能となり、無駄なスクラブ動作を無
くすことができる。
また、濡れ性を確実に把握することができるので、該濡
れ性の検査を大幅に削減することができる。
(4)その他の実施例 前記実施例においては、スクラブに要する力f。
によってスクラブの回数Nのみを制御していたが、更に
スクラブ幅Wやスクラブの速度S、チップの押圧力f、
 、あるいはスクラブの方向を同時に制御すれば、−段
と優れたボンディングの条件制御が可能となる。
また、スクラブに要する力f、を検出する手段方法とし
ては、駆動アームの途中に圧力センサを設し)たり、あ
るいはスクラブ用モータの駆動電流を測定する等の方法
を用いることができる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明のボンディング方法によれば、スク
ラブに要する力f3から共晶合金によるチップの濡れ性
を判断することができる。
したがって、チップの濡れ性に応じたスクラブの制御が
可能となり、高品質のボンディングを安価に行うことが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の基本原理を説明する図で、平面上に
置いたダイパッドおよびチップを側面から見た図、 第2図は、実施例を説明するブロック図、第3図は、歪
センサの作動を説明する図で、(a)は駆動アームが図
上の右側から左側へ移動している場合の図、(b)は駆
動アームが図上の左側から右側へ移動している場合の図
、(c)は検出部の側面図、 第4図は、実施例の作動を説明するフローチャート、 第5図は、リードフレームを説明する図、第6図は、^
u−3i共晶合金法によるボンディングを説明する図で
、平面上に置いたダイパッドおよびチップ等を側面から
見た図、 第7図は、ボンディング完了後の様子を説明する図で、
ダイパッドのチップ固定面の図、である。 図において、1はリードフレーム、2はダイパッド、3
はチップ、4はAuメツキ層、4aはAuメツキ部、5
は^u−5i共晶合金層、5aはAu−5i共晶合金部
、6はダイコレット、7は真空吸引装置、8はテーパ面
、9はスクラブの方向を示す矢印、10a、 10bは
板バネ、11a、11bは歪センサ、12は駆動アーム
、13は駆動テーブル、14はリードスクリュウ、15
はステッピングモータ、16.22はアクチュエータ、
17はモータ駆動部、18はモータ制御部、19゜20
はステージ、21a、 21bは圧力センサ、23はア
クチュエータ駆動部、24はアクチュエータ制御部、2
5は押圧力(rp ”)検知部、26はスクラブ力(f
3)検知部、27は制御部、をそれぞれ示している。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 共晶温度以上に加熱したダイパッド(2)上でチップ(
    3)をスクラブし、共晶合金によって該チップ(3)を
    該ダイパッド(2)へボンディングする場合に、 ダイパッド(2)上のチップ(3)を、該ダイパッド(
    2)の横方向に沿ってスクラブする力(f_2)を検出
    し、該スクラブに要する力(f_3)が低下した場合に
    前記スクラブを停止することを特徴とするボンディング
    方法。
JP21252889A 1989-08-18 1989-08-18 ボンディング方法 Pending JPH0376236A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1079992C (zh) * 1995-11-08 2002-02-27 三菱电机株式会社 零件在基体上的焊接方法及其装置
KR20140125728A (ko) * 2013-04-19 2014-10-29 베시 스위처랜드 아게 전자 또는 광학 부품을 기판상에 실장하기 위한 방법 및 장치
US20160315064A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Thermocompression bonders, methods of operating thermocompression bonders, and horizontal scrub motions in thermocompression bonding
US20160343626A1 (en) * 2015-05-22 2016-11-24 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Thermocompression bonders, methods of operating thermocompression bonders, and horizontal correction motions using lateral force measurement in thermocompression bonding

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1079992C (zh) * 1995-11-08 2002-02-27 三菱电机株式会社 零件在基体上的焊接方法及其装置
KR20140125728A (ko) * 2013-04-19 2014-10-29 베시 스위처랜드 아게 전자 또는 광학 부품을 기판상에 실장하기 위한 방법 및 장치
JP2014212306A (ja) * 2013-04-19 2014-11-13 ベシ スウィツァーランド アーゲー 電子構成要素又は光学構成要素を基板上に組み付ける方法及び装置
US20160315064A1 (en) * 2015-04-24 2016-10-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Thermocompression bonders, methods of operating thermocompression bonders, and horizontal scrub motions in thermocompression bonding
US9847313B2 (en) * 2015-04-24 2017-12-19 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Thermocompression bonders, methods of operating thermocompression bonders, and horizontal scrub motions in thermocompression bonding
US20160343626A1 (en) * 2015-05-22 2016-11-24 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Thermocompression bonders, methods of operating thermocompression bonders, and horizontal correction motions using lateral force measurement in thermocompression bonding
US9731378B2 (en) * 2015-05-22 2017-08-15 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Thermocompression bonders, methods of operating thermocompression bonders, and horizontal correction motions using lateral force measurement in thermocompression bonding

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