JPH0375548A - 結晶欠陥検査装置 - Google Patents
結晶欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPH0375548A JPH0375548A JP1212086A JP21208689A JPH0375548A JP H0375548 A JPH0375548 A JP H0375548A JP 1212086 A JP1212086 A JP 1212086A JP 21208689 A JP21208689 A JP 21208689A JP H0375548 A JPH0375548 A JP H0375548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- ray
- rays
- camera
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 14
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 9
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002017 high-resolution X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、Ｘ線を利用した結晶欠陥検査装置、特にＸ
線回折顕微法と同様の画像をＸ線用カメラによって得る
ものに関する。
線回折顕微法と同様の画像をＸ線用カメラによって得る
ものに関する。
［従来の技術］
近年のＬＳＩ、ＶＬＳＩに見られるように素子の集積化
、微細化はその高度化が進んでおり、半導体材料に求め
られる完全性もますます高度化している。そこで、半導
体結晶部の格子欠陥をいかに制御するかが非常に重要な
問題となっており、半導体結晶欠陥の検査の重要性がま
すます大きくなっている。また、水晶、ニオブ酸リチウ
ム（Ｌｉ Ｎｂ ０３）などの圧電結晶の利用も電子工
学にとって不可欠なものとなっており、これらの結晶欠
陥検査も非常に重要なものとなってきている。
、微細化はその高度化が進んでおり、半導体材料に求め
られる完全性もますます高度化している。そこで、半導
体結晶部の格子欠陥をいかに制御するかが非常に重要な
問題となっており、半導体結晶欠陥の検査の重要性がま
すます大きくなっている。また、水晶、ニオブ酸リチウ
ム（Ｌｉ Ｎｂ ０３）などの圧電結晶の利用も電子工
学にとって不可欠なものとなっており、これらの結晶欠
陥検査も非常に重要なものとなってきている。
このような電子工学用結晶の内部欠陥を検査するものと
して、従来から種々のものが提案されているが、その中
で最も基本的、かつ精度の高いものとしてＸ線回折顕微
法が知られている。
して、従来から種々のものが提案されているが、その中
で最も基本的、かつ精度の高いものとしてＸ線回折顕微
法が知られている。
このＸ線回折顕微法は、第２図に示すようにＸ線源１０
から放射されたＸ線を第１スリツト１２及び第２スリツ
ト１４によって微小幅の平行ビームとし試料１６に照射
する。試料１６によってブラッグ角方向に回折されたＸ
線は、第３スリツト１８を通り写真乾板２０などのＸ線
検出器に直角に入射する。ここで、試料１６と写真乾板
２０は同期して同じ方向に往復運動する。そこで、この
往復運動を繰り返すことによってＸ線を写真乾板２０上
に積算でき、試料１６の広い範囲にわたって鮮明な回折
像を得ることができる。
から放射されたＸ線を第１スリツト１２及び第２スリツ
ト１４によって微小幅の平行ビームとし試料１６に照射
する。試料１６によってブラッグ角方向に回折されたＸ
線は、第３スリツト１８を通り写真乾板２０などのＸ線
検出器に直角に入射する。ここで、試料１６と写真乾板
２０は同期して同じ方向に往復運動する。そこで、この
往復運動を繰り返すことによってＸ線を写真乾板２０上
に積算でき、試料１６の広い範囲にわたって鮮明な回折
像を得ることができる。
なお、この往復運動は、Ｘ線の時間的変動による露出ム
ラを平均化しながら、露出時間を稼いでいるものであり
、Ｘ線出力が安定している場合には不要である。
ラを平均化しながら、露出時間を稼いでいるものであり
、Ｘ線出力が安定している場合には不要である。
［発明が解決しようとする課題］
上述のようなＸ線回折顕微法によれば、高解像度のＸ線
回折像が得られるため、電子工学結晶の格子欠陥の形、
種類ならびに位置に関する情報などを知ることができる
。しかし、このＸ線回折顕微法においては、写真乾板用
いる場合が多いため、これを現像、焼き付けする必要が
あり、更に高解像写真乾板は原理的に低感度であるため
検査結果を得るまでには長時間を要するという問題点が
あった。すなわち、十分な解像度を有する写真を得るた
めには、１０時間以上もの長時間を要する等という問題
点があった。
回折像が得られるため、電子工学結晶の格子欠陥の形、
種類ならびに位置に関する情報などを知ることができる
。しかし、このＸ線回折顕微法においては、写真乾板用
いる場合が多いため、これを現像、焼き付けする必要が
あり、更に高解像写真乾板は原理的に低感度であるため
検査結果を得るまでには長時間を要するという問題点が
あった。すなわち、十分な解像度を有する写真を得るた
めには、１０時間以上もの長時間を要する等という問題
点があった。
この発明は、上述のような問題点を解決することを課題
として為されたものであり、結晶のＸ線回折像を効率よ
く、高精度で検出できる結晶欠陥検査装置を提供するこ
とを目的とする。
として為されたものであり、結晶のＸ線回折像を効率よ
く、高精度で検出できる結晶欠陥検査装置を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る結晶欠陥検査装置は、Ｘ線を試料に照射
するためのＸ線源と、このＸ線を微小幅の平行ビームに
規制するスリットと、試料を通過したＸ線を受け複数の
水平ラインの電気信号として出力するＸ線用カメラと、
このＸ線用カメラから出力される所定の複数走査ライン
の電気信号を所定数の画素毎のデジタル信号とするサン
プリング手段と、所定の複数回のサンプリング毎に上記
Ｘ線用カメラの視野の所定走査ライン分ずつ試料を間欠
的に移動させる移動手段と、静止中の複数回のサンプリ
ングによって得たデジタル信号を各画素毎に積算すると
ともに、移動後の各画素毎のデジタル信号を試料の位置
と対応させて積算する積算手段と、この積算結果を試料
の位置毎の画像として表示するモニタとを有し、試料の
Ｘ線像を複数回の積算値を用いて鮮明な画像としてモニ
タ表示することを特徴とする。
するためのＸ線源と、このＸ線を微小幅の平行ビームに
規制するスリットと、試料を通過したＸ線を受け複数の
水平ラインの電気信号として出力するＸ線用カメラと、
このＸ線用カメラから出力される所定の複数走査ライン
の電気信号を所定数の画素毎のデジタル信号とするサン
プリング手段と、所定の複数回のサンプリング毎に上記
Ｘ線用カメラの視野の所定走査ライン分ずつ試料を間欠
的に移動させる移動手段と、静止中の複数回のサンプリ
ングによって得たデジタル信号を各画素毎に積算すると
ともに、移動後の各画素毎のデジタル信号を試料の位置
と対応させて積算する積算手段と、この積算結果を試料
の位置毎の画像として表示するモニタとを有し、試料の
Ｘ線像を複数回の積算値を用いて鮮明な画像としてモニ
タ表示することを特徴とする。
［作用］
Ｘ線源より照射されたＸ線は微小幅の平行ビームとして
試料を通過するが、透過Ｘ線は遮蔽板で止められ、Ｘ線
用カメラには照射されない。そして、この試料で回折し
たＸ線はＸ線用カメラに入射し、このＸ線用カメラは入
射Ｘ線に応じた走査線毎の電気信号を出力する。Ｘ線用
カメラから出力された電気信号は所定数の画素毎のデジ
タル信号としてサンプリングされこのサンプリングに同
期して試料が移動される。
試料を通過するが、透過Ｘ線は遮蔽板で止められ、Ｘ線
用カメラには照射されない。そして、この試料で回折し
たＸ線はＸ線用カメラに入射し、このＸ線用カメラは入
射Ｘ線に応じた走査線毎の電気信号を出力する。Ｘ線用
カメラから出力された電気信号は所定数の画素毎のデジ
タル信号としてサンプリングされこのサンプリングに同
期して試料が移動される。
ここで、この試料の移動は、所定の微小量ずつ行われ、
移動前と移動後におけるデータは試料の同一位置からの
回折Ｘ線に対し重複する。このように静止中の複数回の
サンプリング及び移動前と移動後のデータの積算によっ
て、所定の複数回の積算値として試料の欠陥分布を示す
鮮明な試料のＸ線像を得ることができる。
移動前と移動後におけるデータは試料の同一位置からの
回折Ｘ線に対し重複する。このように静止中の複数回の
サンプリング及び移動前と移動後のデータの積算によっ
て、所定の複数回の積算値として試料の欠陥分布を示す
鮮明な試料のＸ線像を得ることができる。
［実施例］
この発明の１実施例に係る結晶欠陥検査装置について図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
Ｘ線源１０は、微小焦点Ｘ線管などが採用され、例えば
管電圧６０ｋＶ、２．ＯｋＷのものが５０ｋＶ、管電流
数１０ｍＡ程度の下で使用される。
管電圧６０ｋＶ、２．ＯｋＷのものが５０ｋＶ、管電流
数１０ｍＡ程度の下で使用される。
そして、このＸ線源１０から放射されたＸ線は、第１ス
リツト１２、第２スリツト１４を介し試料１６に入射す
る。試料１６によってブラッグ角方向に反射したＸ線は
第３スリツト１８を介し、Ｘ線に対し感度のあるＸ線用
カメラ（Ｘ線ビジコン）３０に入射する。ここで、この
例ではＸ線用カメラ３０として水平方向５１２画素、垂
直方向５１２ラインのものが採用されている。そして、
このＸ線用カメラ３０からの電気信号は画像処理装置３
２に入力される。
リツト１２、第２スリツト１４を介し試料１６に入射す
る。試料１６によってブラッグ角方向に反射したＸ線は
第３スリツト１８を介し、Ｘ線に対し感度のあるＸ線用
カメラ（Ｘ線ビジコン）３０に入射する。ここで、この
例ではＸ線用カメラ３０として水平方向５１２画素、垂
直方向５１２ラインのものが採用されている。そして、
このＸ線用カメラ３０からの電気信号は画像処理装置３
２に入力される。
この画像処理部３２はサンプリング部３４及びコントロ
ーラ部３６からなっている。そして、Ｘ線用カメラ３０
から出力される信号はこのサンプリング部３４において
デジタル信号として順次メモリに書き込まれている。す
なわち、Ｘ線用カメラ３０から入力される５ １２Ｘ５
１２の画素に対応する信号はデジタル信号として、それ
ぞれサンプリング部３４内の第１のメモリに記憶される
。
ーラ部３６からなっている。そして、Ｘ線用カメラ３０
から出力される信号はこのサンプリング部３４において
デジタル信号として順次メモリに書き込まれている。す
なわち、Ｘ線用カメラ３０から入力される５ １２Ｘ５
１２の画素に対応する信号はデジタル信号として、それ
ぞれサンプリング部３４内の第１のメモリに記憶される
。
そして、コントローラ３６から入力される所定時間ごと
のフリーズ指令によって、サンプリング部３４内の第１
のメモリにそのとき記憶されているデータがサンプリン
グ部３４内の第２のメモリに送られる。
のフリーズ指令によって、サンプリング部３４内の第１
のメモリにそのとき記憶されているデータがサンプリン
グ部３４内の第２のメモリに送られる。
データの人力に際しては、Ｘ線用カメラ３０における５
１２Ｘ５１２のデータのすべてが必要ではなく、入射
Ｘ線に対応する数ライン分または目的に応じては走査線
方向の一部だけが有効なものである。このため、あらか
じめ設定された走査ライン、例えば３ライン分のデータ
がサンプリング部３４内の第１のメモリから第２のメモ
リに送られる。
１２Ｘ５１２のデータのすべてが必要ではなく、入射
Ｘ線に対応する数ライン分または目的に応じては走査線
方向の一部だけが有効なものである。このため、あらか
じめ設定された走査ライン、例えば３ライン分のデータ
がサンプリング部３４内の第１のメモリから第２のメモ
リに送られる。
このようにして、サンプリング部３４の第２のメモリは
第１のメモリから送られてきたデータ、例えば１ライン
５１２のデータについて３ライン分のデータを加算記憶
する。この動作は、所定回数のフリーズ指令、例えば５
回分のデータが揃うまで繰り返される。そして、５回分
のデータが供給され、第２のメモリは各画素毎にデータ
を積算して内部に保持する。
第１のメモリから送られてきたデータ、例えば１ライン
５１２のデータについて３ライン分のデータを加算記憶
する。この動作は、所定回数のフリーズ指令、例えば５
回分のデータが揃うまで繰り返される。そして、５回分
のデータが供給され、第２のメモリは各画素毎にデータ
を積算して内部に保持する。
このようにして所定回数のデータサンプリング、加算を
終了した場合には、コントローラ３６は移動制御部３８
のモータコントローラ４０に対し移動指令を出力する。
終了した場合には、コントローラ３６は移動制御部３８
のモータコントローラ４０に対し移動指令を出力する。
モータコントローラ４０はこの指令に基づきモータ４２
を駆動することによって試料１６をＸ線用カメラ３０の
走査線幅１ライン分に相当する量だけスリット１４とＸ
線入射方向に垂直な方向に移動する。
を駆動することによって試料１６をＸ線用カメラ３０の
走査線幅１ライン分に相当する量だけスリット１４とＸ
線入射方向に垂直な方向に移動する。
この試料１６の移動によってＸ線用カメラ３０によって
得られる３ライン分のデータは２ライン分が前回のデー
タと重複し、１ライン分のみが更新されたことになる。
得られる３ライン分のデータは２ライン分が前回のデー
タと重複し、１ライン分のみが更新されたことになる。
このようにして、前回の場合と同様に５回のフリーズ指
令性のデータを取り込みサンプリング部３４内部の第２
メモリにこれを加算記憶する。
令性のデータを取り込みサンプリング部３４内部の第２
メモリにこれを加算記憶する。
２ライン分の重複したデータについては、試料１６の同
一の位置に対しての信号であるので、これらは対応する
メモリ上の位置に順次積算する。
一の位置に対しての信号であるので、これらは対応する
メモリ上の位置に順次積算する。
１回の停止中のフリーズ指令によって５回、移動によっ
て３回のデータが重複するので、一つの画素に対して１
５回のデータが積算されることになる。１５回積算終了
したラインのデータは、１ライン分試料１６が移動した
後、新たな積算の前に、外部記憶装置に出力される。こ
のため、順次試料１６を１ライン分ずつ移動することに
よって試料１６全体のＸ線回折像をその積算値として得
ることができる。
て３回のデータが重複するので、一つの画素に対して１
５回のデータが積算されることになる。１５回積算終了
したラインのデータは、１ライン分試料１６が移動した
後、新たな積算の前に、外部記憶装置に出力される。こ
のため、順次試料１６を１ライン分ずつ移動することに
よって試料１６全体のＸ線回折像をその積算値として得
ることができる。
このようにして得られた試料１６についてのＸ線回折像
は、コントローラ３６からの出力によりモニタ４４に表
示される。また、この結果は、コントローラ３６からフ
ロッピディスクやハードディスクなどの外部記憶装置４
６にも出力される。
は、コントローラ３６からの出力によりモニタ４４に表
示される。また、この結果は、コントローラ３６からフ
ロッピディスクやハードディスクなどの外部記憶装置４
６にも出力される。
また、上述の例においてはＸ線用カメラ３０において３
ライン分の情報を得、これを５回繰り返した後１ライン
分試料１６を移動した。しかし、これに限らずＸ線源１
０．試料１６の完全性に応じてその回数などを適宜変更
することができる。
ライン分の情報を得、これを５回繰り返した後１ライン
分試料１６を移動した。しかし、これに限らずＸ線源１
０．試料１６の完全性に応じてその回数などを適宜変更
することができる。
更に、モニタ４４に表示する画面は積算されたデータに
ついての画面でもよいし、その時々にサンプリングして
得た３ライン分ずつのデータでもよいが、スイッチの切
り替えによってこれらの画面を適宜切り替えられるよう
にしてもよい。
ついての画面でもよいし、その時々にサンプリングして
得た３ライン分ずつのデータでもよいが、スイッチの切
り替えによってこれらの画面を適宜切り替えられるよう
にしてもよい。
このような実施例においては、Ｘ線用カメラ３０によっ
てデジタル信号として画像データを積算することができ
るため、Ｘ線用カメラ３０が受け入れるＸ線の強度がか
なり小さくてもよい。このため、適切な画像を得るため
の時間が大幅に短縮できる。
てデジタル信号として画像データを積算することができ
るため、Ｘ線用カメラ３０が受け入れるＸ線の強度がか
なり小さくてもよい。このため、適切な画像を得るため
の時間が大幅に短縮できる。
更に、得られたデータはデジタルデータとして記憶され
るので回折線を得るために用いた格子面の違いによって
、必然的に生じる画面の歪みを所定の演算式によって補
正することもでき、同一寸法の画面を得ることもできる
。
るので回折線を得るために用いた格子面の違いによって
、必然的に生じる画面の歪みを所定の演算式によって補
正することもでき、同一寸法の画面を得ることもできる
。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明に係る結晶欠陥検査装置
によれば、Ｘ線回折像をＸ線用カメラによ−って乾式で
（電子的に）得ることができ、画像を得るための時間も
短縮化できると共に、そのデータをデジタルデータとし
てフロッピディスクなどに記憶しておくこともできる。
によれば、Ｘ線回折像をＸ線用カメラによ−って乾式で
（電子的に）得ることができ、画像を得るための時間も
短縮化できると共に、そのデータをデジタルデータとし
てフロッピディスクなどに記憶しておくこともできる。
第１図はこの発明の１実施例に係る結晶欠陥検査装置の
構成を示す構成図、 第２図は従来の結晶欠陥検査装置の構成を示す構成図で
ある。 １０ ・・・ Ｘ線源 １２、 １４． １８ ・・・ スリット１６ ・・
・ 試料 ３０ ・・・ Ｘ線用カメラ ３２ ・・・ 画像処理部 ３４ ・・・ サンプリング部 ３６ ・・・ コントローラ ３８ ・・・ 移動制御部 ４０ ・・・ モータコントローラ ４２ ・・・ モータ ４４ ・・・ モニタ
構成を示す構成図、 第２図は従来の結晶欠陥検査装置の構成を示す構成図で
ある。 １０ ・・・ Ｘ線源 １２、 １４． １８ ・・・ スリット１６ ・・
・ 試料 ３０ ・・・ Ｘ線用カメラ ３２ ・・・ 画像処理部 ３４ ・・・ サンプリング部 ３６ ・・・ コントローラ ３８ ・・・ 移動制御部 ４０ ・・・ モータコントローラ ４２ ・・・ モータ ４４ ・・・ モニタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｘ線を試料に照射するためのＸ線源と、 このＸ線を微小幅の平行ビームに規制するスリットと、 試料を通過したＸ線を受け複数の走査ラインの電気信号
として出力するＸ線用カメラと、このＸ線用カメラから
出力される所定の複数走査ラインの電気信号を所定数の
画素毎のデジタル信号とするサンプリング手段と、 所定の複数回のサンプリング毎に上記Ｘ線用カメラの視
野の所定走査ライン分ずつ試料を間欠的に移動させる移
動手段と、 静止中の複数回のサンプリングによって得たデジタル信
号を各画素毎に積算するとともに移動後の各画素毎のデ
ジタル信号を試料の位置と対応させて積算する積算手段
と、 この積算結果を試料の位置毎の画像として表示するモニ
タと、 を有し、 試料のＸ線像を所定の複数回の積算値としてモニタ表示
することを特徴とする結晶欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212086A JP2525056B2 (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 結晶欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1212086A JP2525056B2 (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 結晶欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375548A true JPH0375548A (ja) | 1991-03-29 |
| JP2525056B2 JP2525056B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=16616643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1212086A Expired - Fee Related JP2525056B2 (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 結晶欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525056B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003048752A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-12 | Bede Scientific Instruments Limited | X-ray topographic system |
| US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
| US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
| US8687766B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-01 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Enhancing accuracy of fast high-resolution X-ray diffractometry |
| US8781070B2 (en) | 2011-08-11 | 2014-07-15 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Detection of wafer-edge defects |
| JP2015105831A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 株式会社リガク | Ｘ線トポグラフィ装置 |
| US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101125109B1 (ko) * | 2010-04-29 | 2012-03-21 | 주식회사 쓰리디산업영상 | 레퍼런스 정보를 이용한 부품의 내부 결함 검사 방법 및 그 시스템 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59212742A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Toshiba Corp | 放射線透視検査装置 |
| JPS61294984A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-25 | Hitachi Medical Corp | Ｘ線画像処理方法 |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP1212086A patent/JP2525056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59212742A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Toshiba Corp | 放射線透視検査装置 |
| JPS61294984A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-25 | Hitachi Medical Corp | Ｘ線画像処理方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003048752A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-12 | Bede Scientific Instruments Limited | X-ray topographic system |
| US6782076B2 (en) | 2001-12-07 | 2004-08-24 | Bede Scientific Instruments Limited | X-ray topographic system |
| JP2005512050A (ja) * | 2001-12-07 | 2005-04-28 | ビード サイエンティフィック インストルメンツ リミテッド | Ｘ線トポグラフィシステム |
| CN100445735C (zh) * | 2001-12-07 | 2008-12-24 | 比德科学仪器有限公司 | X射线形貌测绘*** |
| US8243878B2 (en) | 2010-01-07 | 2012-08-14 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
| US8731138B2 (en) | 2010-01-07 | 2014-05-20 | Jordan Valley Semiconductor Ltd. | High-resolution X-ray diffraction measurement with enhanced sensitivity |
| US8687766B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-01 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Enhancing accuracy of fast high-resolution X-ray diffractometry |
| US8693635B2 (en) | 2010-07-13 | 2014-04-08 | Jordan Valley Semiconductor Ltd. | X-ray detector assembly with shield |
| US8437450B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-05-07 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Fast measurement of X-ray diffraction from tilted layers |
| US8781070B2 (en) | 2011-08-11 | 2014-07-15 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Detection of wafer-edge defects |
| JP2015105831A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-08 | 株式会社リガク | Ｘ線トポグラフィ装置 |
| US9726624B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-08-08 | Bruker Jv Israel Ltd. | Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2525056B2 (ja) | 1996-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6782076B2 (en) | X-ray topographic system | |
| KR20010081570A (ko) | 방사선 검사시스템 및 검사방법 | |
| EP2771678B1 (en) | A method for correcting timing skew in x-ray data read out of an x-ray detector in a rolling shutter mode | |
| JP2005121372A (ja) | Ｘ線結晶方位測定装置及びｘ線結晶方位測定方法 | |
| US11172897B2 (en) | Radiation phase contrast imaging device | |
| JP2525056B2 (ja) | 結晶欠陥検査装置 | |
| US2773413A (en) | Apparatus for and method of measuring the quality of optical devices | |
| GB2152697A (en) | Improvements in or relating to scanning optical microscopes | |
| GB2413471A (en) | Tomography of a curved surface with correction for expected distortion. | |
| JPH0318352A (ja) | Ｘ線診断装置 | |
| RU2199109C2 (ru) | Способ радиационного исследования внутренней структуры объектов и устройство для его осуществления | |
| JP2545209B2 (ja) | 結晶欠陥検査方法及びその検査装置 | |
| US20010053200A1 (en) | Radiation image taking apparatus | |
| EP0049464A1 (en) | Apparatus for collecting X-ray absorption data in a computerized tomographic apparatus | |
| KR100781393B1 (ko) | 결정격자를 갖는 피검체의 방사선 촬영 제어 | |
| JPH01265145A (ja) | Ｘ線検査装置 | |
| CA3119020A1 (en) | System and methods for generating an inspection image of an object from radiographic imaging | |
| JP2005265502A (ja) | Ｘ線結晶方位測定装置及びｘ線結晶方位測定方法 | |
| JPH01190337A (ja) | Ｘ線エネルギー差分像撮影装置 | |
| JPH04175648A (ja) | 螢光ｘ線分析装置 | |
| KR850001490B1 (ko) | 방사선 진단장치 | |
| JPH0675042B2 (ja) | Ｘ線断層像撮影装置 | |
| JP2853854B2 (ja) | 検査装置 | |
| DE3447467A1 (de) | Abtastmikroskop | |
| JPH0827245B2 (ja) | Ｘ線撮像方法及びその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |