JPH0374875A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH0374875A JPH0374875A JP1210938A JP21093889A JPH0374875A JP H0374875 A JPH0374875 A JP H0374875A JP 1210938 A JP1210938 A JP 1210938A JP 21093889 A JP21093889 A JP 21093889A JP H0374875 A JPH0374875 A JP H0374875A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、更に詳しく
は、COD (Charge Coupled Dev
ice)イメージヤのゲート部の改良に係わる。
は、COD (Charge Coupled Dev
ice)イメージヤのゲート部の改良に係わる。
[発明の概要]
本発明は、センサ部と、ポリシリコン層と金属シリコン
化合物層の積層膜で形成された転送電極からなる電荷転
送部とを含む固体撮像装置の製造方法において、 転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部をイ
オン注入によりアモルファス化することにより、 転送ゲート等に遮光効果を具備させ、スミアの低減を図
ったものである。
化合物層の積層膜で形成された転送電極からなる電荷転
送部とを含む固体撮像装置の製造方法において、 転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部をイ
オン注入によりアモルファス化することにより、 転送ゲート等に遮光効果を具備させ、スミアの低減を図
ったものである。
[従来の技術]
近年、CODイメージヤの高精度化並びに微細化が進め
られており、画素数の増大が要望されている。
られており、画素数の増大が要望されている。
従来、この種の固体撮像装置としては、一般に、マトリ
ックス状に配列した多数のセンサ部と画素と、これら各
センナ部あるいは画素を駆動する複数層の駆動電極を半
導体基板上に形成して構成されている。しかしながら、
このような固体撮像装置にあっては、センサ部や画素が
形成される部分以外の半導体基板に外部からの入射光が
侵入すると装置の正常な作動が妨げられ、例えばスイッ
チトランジスタを+1を戊する拡散層及びその周辺に光
が入り込むと電子−正孔対か生成してトランジスタに漏
洩電流が流れる原因となっている。
ックス状に配列した多数のセンサ部と画素と、これら各
センナ部あるいは画素を駆動する複数層の駆動電極を半
導体基板上に形成して構成されている。しかしながら、
このような固体撮像装置にあっては、センサ部や画素が
形成される部分以外の半導体基板に外部からの入射光が
侵入すると装置の正常な作動が妨げられ、例えばスイッ
チトランジスタを+1を戊する拡散層及びその周辺に光
が入り込むと電子−正孔対か生成してトランジスタに漏
洩電流が流れる原因となっている。
8ユで、従来は、外部からの入射光の半導体基板への透
過を防ぐため、第5図に示すように、センサ部A以外の
転送電極部Bの上にアルミニウム膜lを形成し、光の遮
断を図ってい、る。
過を防ぐため、第5図に示すように、センサ部A以外の
転送電極部Bの上にアルミニウム膜lを形成し、光の遮
断を図ってい、る。
なお、同図中、2はN型のシリコン基板、3はこのシリ
コン基板2に形成したPウェル、4及び5は、ポリサイ
ド構造の順次第1i!極、第2電極(転送電極)、6は
PSG等で形成された層間膜である。
コン基板2に形成したPウェル、4及び5は、ポリサイ
ド構造の順次第1i!極、第2電極(転送電極)、6は
PSG等で形成された層間膜である。
また、この種の従来技術としては、特開昭591595
64号公報に係るものが知られている。
64号公報に係るものが知られている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、このような従来の固体撮像装置にあって
は、センサ部Aと転送電極部Bとが共存するため、微細
化により、センサ部Aの開口が小さくなり、このセンサ
部Aの開口面積は、スケーリング側にのっとり、微細ル
ール(K)のI/K”に低下するため、感度の低下が著
しいという問題点があった。
は、センサ部Aと転送電極部Bとが共存するため、微細
化により、センサ部Aの開口が小さくなり、このセンサ
部Aの開口面積は、スケーリング側にのっとり、微細ル
ール(K)のI/K”に低下するため、感度の低下が著
しいという問題点があった。
また、転送電極部B上に遮光用のアルミニウムWA1を
形成しても、そのレイアウト上あるいはプロセス上の都
合で外部の光が基板に入り込む部分が生じてしまう場合
が多くスミャと称される色にじみが撮像時に生じる問題
がある。特に、第1゜2電極4.5は光を透過し易いポ
リサイドが用いられているため、上記したスミャが生じ
易いものであった。
形成しても、そのレイアウト上あるいはプロセス上の都
合で外部の光が基板に入り込む部分が生じてしまう場合
が多くスミャと称される色にじみが撮像時に生じる問題
がある。特に、第1゜2電極4.5は光を透過し易いポ
リサイドが用いられているため、上記したスミャが生じ
易いものであった。
このため、センサ部A以外の場所は遮光する必要が有り
、遮光部面積は小さくできないという問題点を有してい
た。
、遮光部面積は小さくできないという問題点を有してい
た。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案され
たものであって、遮光膜を不要にし、且つスミャの低減
化が図れ、しかも感度の高い固体撮像装置の製造方法を
得んとするものである。
たものであって、遮光膜を不要にし、且つスミャの低減
化が図れ、しかも感度の高い固体撮像装置の製造方法を
得んとするものである。
[課題を解決するための手段]
そこで、本発明は、センサ部と、ポリシリコン層と金属
シリコン化合物層の積層膜で形成された転送電極からな
る電荷転送部とを含む固体撮像装置の製造方法において
、転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部を
イオン注入によりアモルファス化することを、その解決
手段としたものである。
シリコン化合物層の積層膜で形成された転送電極からな
る電荷転送部とを含む固体撮像装置の製造方法において
、転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部を
イオン注入によりアモルファス化することを、その解決
手段としたものである。
[作用]
転送電極の金属シリコン化合物層の一部がイオン注入を
受けることにより、アモルファス化して遮光性を備え、
下地基板等への光の入射を防止する。
受けることにより、アモルファス化して遮光性を備え、
下地基板等への光の入射を防止する。
[実施例]
以下、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の詳細を図
面に示す実施例に基づいて説明する。
面に示す実施例に基づいて説明する。
本実施例は、先ず、第1図Aに示すように、N型のシリ
コン基板10に不純物を注入してPウェル11を形成す
る。そして、Pウェルにスイッチトランジスタを構成す
る所定の拡散層を形成した後、第1図Bに示すように、
基板表面に5iOz絶縁膜12を形成する。この5lo
t絶縁膜12の上に、リン(P)をドープした多結晶シ
リコン膜13とタングステンシリサイド(WSix)@
14をCVD法により順次積層してポリサイド構造とす
る。そして、このタングステンシリサイド膜14上にS
in、絶縁膜15を形成した後、順次多結晶シリコン膜
16及びタングステンシリサイド膜17を積層してポリ
サイド構造とする。
コン基板10に不純物を注入してPウェル11を形成す
る。そして、Pウェルにスイッチトランジスタを構成す
る所定の拡散層を形成した後、第1図Bに示すように、
基板表面に5iOz絶縁膜12を形成する。この5lo
t絶縁膜12の上に、リン(P)をドープした多結晶シ
リコン膜13とタングステンシリサイド(WSix)@
14をCVD法により順次積層してポリサイド構造とす
る。そして、このタングステンシリサイド膜14上にS
in、絶縁膜15を形成した後、順次多結晶シリコン膜
16及びタングステンシリサイド膜17を積層してポリ
サイド構造とする。
次に、タングステンシリサイド1i17上にレジスト(
図示省略する)をパターニングし、このレジストをマス
クとしてエツチングして、第1図Cに示すように、第1
電極18と第2電極19でなる転送電極部Bとセンサ部
Aを形成する。
図示省略する)をパターニングし、このレジストをマス
クとしてエツチングして、第1図Cに示すように、第1
電極18と第2電極19でなる転送電極部Bとセンサ部
Aを形成する。
次に、第1図りに示すように、センサ部Aと転送電極部
Bにリンシリケートガラス(PSG)20を塗布し、約
1000℃のりフローを行ない層間膜を形成する。
Bにリンシリケートガラス(PSG)20を塗布し、約
1000℃のりフローを行ない層間膜を形成する。
そして、第1図Eに示すように、レジスト21を塗布し
、遮光したい転送電極部Bの上部が露出するようにパタ
ーニングを行なう。そして、このレジスト21をマスク
としてシリコンイオン(Si゛)をイオン注入してタン
グステンシリサイド17をアモルファス化する。なお、
イオン注入の条件としては、PSGのリン(P)含有量
が8wt%で、その厚さが2000人の場合、300K
eVの電圧でシリコンイオン(Si”)をIQIS/
c m ’のドーズ量で注入する。この時、タングステ
ンシリサイド17は、厚さ500Å以上アモルファス化
させることができる。
、遮光したい転送電極部Bの上部が露出するようにパタ
ーニングを行なう。そして、このレジスト21をマスク
としてシリコンイオン(Si゛)をイオン注入してタン
グステンシリサイド17をアモルファス化する。なお、
イオン注入の条件としては、PSGのリン(P)含有量
が8wt%で、その厚さが2000人の場合、300K
eVの電圧でシリコンイオン(Si”)をIQIS/
c m ’のドーズ量で注入する。この時、タングステ
ンシリサイド17は、厚さ500Å以上アモルファス化
させることができる。
なお、このようにタングステンシリサイドをアモルファ
ス化させた場合、電極の配線抵抗は、〜500μΩ・c
m以上になるが、タングステンシリサイドの厚さが20
00人で20Ω/口程度のシート抵抗を確保することが
できる。
ス化させた場合、電極の配線抵抗は、〜500μΩ・c
m以上になるが、タングステンシリサイドの厚さが20
00人で20Ω/口程度のシート抵抗を確保することが
できる。
また、CVD法により形成したタングステンシリサイド
は、その形成条件により、多結晶であったりアモルファ
スであったりするが、層間膜形成プロセスで熱が加わる
と、粒径の大きい多結晶化し、分光特性が劣化し、光を
透過することが知られている。
は、その形成条件により、多結晶であったりアモルファ
スであったりするが、層間膜形成プロセスで熱が加わる
と、粒径の大きい多結晶化し、分光特性が劣化し、光を
透過することが知られている。
なお、第2図に示すグラフは、石英基板の上に、CVD
法によりヒ素をドープしたタングステンシリサイド(W
Six)膜(アモルファス)を粒径2000人に形成し
た際に、測定波長と光の透過率(%)との関係を示した
ものであり、その透過率は900 nmの測定波長にお
いても0.1%以下であった。
法によりヒ素をドープしたタングステンシリサイド(W
Six)膜(アモルファス)を粒径2000人に形成し
た際に、測定波長と光の透過率(%)との関係を示した
ものであり、その透過率は900 nmの測定波長にお
いても0.1%以下であった。
しかし、第3図に示すように、1000℃の窒素ガス(
N、)雰囲気中で30分のアニールを行なうと、タング
ステンシリサイド膜は、グレインの粒径がi ooo〜
2000人程度の多結晶化されたタングステンシリサイ
ド膜となり、同図のグラフが示すように、長波長側で光
透過が起すスミャ発生の原因となってしまう。また、同
図は、タングステンシリサイド膜の粒径を5000人と
大きくして、やっと透過率がO01%程度に抑えられる
ことを示している。
N、)雰囲気中で30分のアニールを行なうと、タング
ステンシリサイド膜は、グレインの粒径がi ooo〜
2000人程度の多結晶化されたタングステンシリサイ
ド膜となり、同図のグラフが示すように、長波長側で光
透過が起すスミャ発生の原因となってしまう。また、同
図は、タングステンシリサイド膜の粒径を5000人と
大きくして、やっと透過率がO01%程度に抑えられる
ことを示している。
本実施例は、第3図のグラフで示す状態のタングステン
シリサイドにSi゛をイオン注入(150K e V
、 ドーズ量10 ′5/ c m”) して、〜5
00人程度0厚さ分をアモルファス化することにより、
光の透過率の低下を達成させたものである。
シリサイドにSi゛をイオン注入(150K e V
、 ドーズ量10 ′5/ c m”) して、〜5
00人程度0厚さ分をアモルファス化することにより、
光の透過率の低下を達成させたものである。
以上、実施例について説明したが、本発明は、この他に
各種の設計変更が可能であり、例えば、上記実施例にお
いては、金属シリコン化合物層としてタングステンシリ
サイド膜を用いたが、他の金属シリサイドを用いても勿
論よい。
各種の設計変更が可能であり、例えば、上記実施例にお
いては、金属シリコン化合物層としてタングステンシリ
サイド膜を用いたが、他の金属シリサイドを用いても勿
論よい。
また、転送電極としてのポリサイド層の構造も、本実施
例に限るものではない。
例に限るものではない。
さらに、上記実施例においては、転送電極部の真上から
イオン注入するものであるが、センサ部にイオン注入が
行なわれない角度の範囲で斜めイオン注入してもよい。
イオン注入するものであるが、センサ部にイオン注入が
行なわれない角度の範囲で斜めイオン注入してもよい。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明に係る固体撮像
装置の製造方法によれば、転送電極を構成するポリサイ
ドの金属シリコン化合物層をアモルファス化することに
より、センサ部に近い場所での遮光膜の形成が可能にな
り、これに伴ない電荷転送部の薄膜化を可能し、固体撮
像装置のスミャの低減が出来る効果がある。
装置の製造方法によれば、転送電極を構成するポリサイ
ドの金属シリコン化合物層をアモルファス化することに
より、センサ部に近い場所での遮光膜の形成が可能にな
り、これに伴ない電荷転送部の薄膜化を可能し、固体撮
像装置のスミャの低減が出来る効果がある。
また、従来のプロセスの置き換えが容易で、しかもセン
サの開口率が上げられる効果がある。
サの開口率が上げられる効果がある。
第1図A〜第!図Eは本発明に係る固体撮像装置の製造
方法の実施例を示す断面図、第2図はタングステンシリ
サイド形成時の透過率を示すグラフ、第3図はタングス
テンシリサイドのアニール後の透過率を示すグラフ、第
4図はタングステンシリサイドへのイオン注入後の透過
率を示すグラフ、第5図は従来例の断面図である。 A・・・センサ部、B・・・転送電極部、13.16・
・・多結晶シリコン膜、14.17・・・タングステン
シリサイド、I8・・・第1電極、19・・・第2電極
、20・・・PSG膜。 尖甜ぜすの許面図 第1図A (尖 プi玉 イ911) 第1図B Si” Si” (実 11ヨ イダリ ) 第1図E (1に 2^! イP+ )第1図D イ足 釆 イクJ 第5 図
方法の実施例を示す断面図、第2図はタングステンシリ
サイド形成時の透過率を示すグラフ、第3図はタングス
テンシリサイドのアニール後の透過率を示すグラフ、第
4図はタングステンシリサイドへのイオン注入後の透過
率を示すグラフ、第5図は従来例の断面図である。 A・・・センサ部、B・・・転送電極部、13.16・
・・多結晶シリコン膜、14.17・・・タングステン
シリサイド、I8・・・第1電極、19・・・第2電極
、20・・・PSG膜。 尖甜ぜすの許面図 第1図A (尖 プi玉 イ911) 第1図B Si” Si” (実 11ヨ イダリ ) 第1図E (1に 2^! イP+ )第1図D イ足 釆 イクJ 第5 図
Claims (1)
- (1)センサ部と、ポリシリコン層と金属シリコン化合
物層の積層膜で形成された転送電極からなる電荷転送部
とを含む固体撮像装置の製造方法において、 転送電極形成後、前記金属シリコン化合物層の一部をイ
オン注入によりアモルファス化することを特徴とする固
体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1210938A JPH0374875A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1210938A JPH0374875A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0374875A true JPH0374875A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16597573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1210938A Pending JPH0374875A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0374875A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007178650A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP1210938A patent/JPH0374875A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007178650A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP4674544B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
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