JPH0373527A

JPH0373527A - 化学気相成長装置

Info

Publication number: JPH0373527A
Application number: JP20991089A
Authority: JP
Inventors: Atsuhiro Tsukune; 敦弘筑根; Kenji Koyama; 小山　堅二; Junya Nakahira; 順也中平
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1989-08-14
Filing date: 1989-08-14
Publication date: 1991-03-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概　要〕多数のガス噴射孔を形成した板をガス導入部に取付けた
化学気相成長装置に関し、膜を均一な厚さに形成することを目的とし、成膜対象物
載置台に対向するガス導入口を備えた化学気相成長装置
において、多数のガス噴出孔を有するとともに、球面状
に形成されたガス透過板の曲面の凸側を前記成膜対象物
載置台に対向させて、該ガス透過板を上記ガス導入口に
装着したことを含み＃Ｉ或する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、化学気相成長装置に関し、より詳しくは、多
数のガス噴射孔を有する板をガス導入部に取付けた化学
気相成長装置に関する。

〔従来の技術〕

燐ガラス膜、シリコン酸化膜等を基板上に形成する装置
の１つとして、第４図に示すような化学気相成長装置４
０が使用されており、この装置４０には、反応ガスを導
入するガス導入層４１が基板４２に対向して取付けられ
ている。

そして、ガス導入層４１は、外部から送られたガスをガ
ス拡散室４３に導入し、ここで拡散したガスをアルミニ
ウムよりなる平坦なガス透過板４４を通して基板４２に
放出するように構成されている。

また、ガス透過板４４は、基板４２にガスを均−に供給
するために板厚をｌｓｓ程度に薄く形成するとともに、
その面に多数のガス噴出孔４５を設け、ガス拡散室３内
のガスをガス噴射孔４５から扇形状に放出するようにｔ
ｌ威されている。

〔発明が解決しようとする！！題〕

しかし、薄く形成された平坦なガス透過板４４は、ヒー
タ４６から３００℃程度の熱を受けて第５図に示すよう
な波型に湾曲してしまい、そのうち、ガス放出方向に対
して内向きに曲がった部分から出たガスが乱気流発生の
原因となり、その下方の領域にある基板４２の一部に十
分な量の反応ガスが供給されず、形成しようとする膜が
部分的に薄層化するといった問題がある。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、膜を均一な厚さに形成することができる気相成長装
置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記したｉｌｌ！は、第１図に例示するように、成膜対
象物載置台５に対向するガス導入口３を備えた化学気相
成長装置において、多数のガス噴出孔６を有するととも
に、球面状に形成されたガス透過板４の曲面の凸側を前
記ｔｃ膜対象物Ｉ！置台５に対向させて、咳ガス透過板
４を上記ガス導入口３に装着したことを特徴とする化学
気相成長装置により解決する。

〔作　用〕

本発明によれば、ガス透過板４を球面状に形成している
ため、ガス透過板４が加熱されて膨張しても、その応力
はガス透明板４の曲面に沿って加わるために、波状に変
形しにくくなる。

このため、ガス透過板４のガス噴射孔６から放出された
ガスは扇形状に放出されて乱気流を発生することがなく
、成膜対象物に均一に分布することになる。

また、球面状に形成されたガス透過板４は、厚み方向の
耐応力性が増すことになるため、外部からの力による変
形が生じ雛くなり、取扱いが容易になる。

〔実施例〕

そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。

第１図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図と斜視
図、第２．３図は、本発明の一実施例を示す装置の要部
の断面図及び側面図である。

図中符号１は、化学気相成膜装置における反応室２内の
上部に取付けた円盤型のガス導入器で、このガス導入器
１は、内部を空洞に形成した下面開放形のガス拡散室３
を有するとともに、その底面が、後述するガス透過！ｊ
４によって覆われており、ガス拡散室３内！拡散した反
応ガスをガス透過板４を透過させて基板載置台５に均一
に放出するように構成されている。

上記したガス透過板４は、アルミニウムやアル電ニウム
合金等により形成されたもので、第２．３図に示すよう
に、一定の曲率をもって球面状に形成されるとともに、
面に対してほぼ垂直向きに多数のガス噴出孔６が形成さ
れている。また、ガス透過板４は、曲面の凸側を基板載
置台５に対向させて装着されており、このガス透過板４
を透過したガスが扇形状に広がって基板Ｗに達するよう
に構成されている。

７は、ガス導入器１の下面にビス止めされるドーナツツ
状の裏蓋で、ガス導入器１との間にガス透明ＩＩ＆、４
を挟持するように構成されている。

８は、ガス導入器１のガス管９に電圧を印加する高周波
電源、１０は、裏蓋７をガス導入器ｌに取付けるビス、
１１は、基板載置第５の下に取付けた基板加熱用のヒー
タ、１２は、反応室２に設けた排気口を示している。

次に、上記した実施例の動作について説明する。

上記した実施例において、ガス管９を通して反応ガスや
不活性ガスを反応室２内に供給すると、そのガスはガス
導入器ｌのガス拡散室３内に入って拡散した後、ガス透
過板４のガス噴出孔６を通して基板Ｗに向けて噴射され
る。この結果、ヒータ１１によって加熱された基板Ｗの
表面で化学反応が起きて反応ガスの種類に応じた膜が形
成される。

この状態において、ガス透過板４を球面状に形成してい
るため、ガス透過板４がヒータ１１から熱を受けて膨張
しても、その応力はガス透過板４の曲面に沿って外方向
に加わるために、第５図に示すような波状の変形が生じ
ない、従って、ガス透過板４のガス噴出孔６から放出さ
れたガスがぶつかり合って乱気流を発生させることがな
い。

また、球面状に形成されたガス透過板４は、厚み方向の
耐力性が増すことになり、外からの力によって変形しに
くくなり、取扱いが容易になる。

次に、本発明をさらに具体化した例を説明する。

ガス透過板４の本体の直径を２００ｇ＋ｍ、曲率半径を
２０００ｍ５、板厚を１．５Ｉｎに形成するとともに、
ガス噴出孔６の径を１，０曽■、ガス噴出孔６の間隔を
５．０問として多数形威し、これをガス導入器４１の底
部に取付け、１τｏｒｒの圧力下において、ガス管から
シラン１０ｃｃ、酸素１００ｃｃ、窒素ｌｌを導入して
ガス透過板から基板４２に反応ガスを放出すると、基板
４２には、均一な厚さのＳｉＯ□膜が形成されることが
確認されている。

この場合、基板４２の温度を４００℃にするが、ガス透
過板４には、第５図に示すような逆向きの曲面が形成さ
れないことが確認されている。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、ガス透過板を球面状
に形成しているので、ガス透過板が加熱されて膨張して
も、その応力がガス透明板の曲面に沿って外側に加わる
ことになって変形し難くなり、ガスを扇形に放射して基
板に均一に供給することができる。

また、球面状に形成されたガス透過板は、厚み方向の耐
力性が増すことになり、外からの力によって変形しにく
くなり、ガス透過板の取扱いが容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図、第２図は、本発明の一実施例装置の要部を示す断面図、第３図は、本発明の一実施例に適用するガス透過板を示
す側面図、第４図は、従来装置の一例を示す断面図、第５図は、従
来装置のガス透過板の要部を示す断面図である。（符号の説明）ｌ・・・ガス導入器、２・・・反応室、３・・・ガス拡散室、４・・・ガス透過板、５・・・基板ａｔ台、６・・・ガス噴出孔、７・・・裏蓋、８・・・高周波電源、９・・・ガス管。本発明の一実施例を示す装置の断面図第１図出　願　人　　富士通株式会社

Claims

【特許請求の範囲】成膜対象物載置台に対向するガス導入口を備えた化学気
相成長装置において、多数のガス噴出孔を有するとともに、球面状に形成され
たガス透過板の曲面の凸側を前記成膜対象物載置台に対
向させて、該ガス透過板を上記ガス導入口に装着したこ
とを特徴とする化学気相成長装置。