JP2664377B2 - 受光装置の製造方法 - Google Patents
受光装置の製造方法Info
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- JP2664377B2 JP2664377B2 JP62235410A JP23541087A JP2664377B2 JP 2664377 B2 JP2664377 B2 JP 2664377B2 JP 62235410 A JP62235410 A JP 62235410A JP 23541087 A JP23541087 A JP 23541087A JP 2664377 B2 JP2664377 B2 JP 2664377B2
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- Japan
- Prior art keywords
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- electrode layer
- light receiving
- output terminal
- film semiconductor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は基板の絶縁表面に受光領域及び出力端子を備
えた受光装置の製造方法に関する。 （ロ） 従来の技術 基板上に第１電極層、光活性層を含む薄膜半導体層及
び第２電極層を積層した受光領域と、該受光領域の出力
を外部に取り出す出力端子とを備えた受光装置は、実開
昭58−53159号公報により既に開示されている。 第４図は斯る受光装置の従来例を示しており、（10）
はガラス、セラミックス、プラスチック等の絶縁性基
板、（11）は該基板上に形成されたAl、Ti、Ag等の一層
あるいはその積層体からなる第１電極層であり、該第１
電極層は矩形状の受光領域部（11a）と該領域部から延
びる第１出力端子部（11b）とから成る形状にパターニ
ングされている。（12）は第１電極層（11）の受光領域
部（11a）上面に形成された光活性層を含む非晶質シリ
コン等からなる薄膜半導体層であり、第１電極層（11）
側からｎ型層、ｉ型層及びｐ型層の順に積層されたｎ−
ｉ−ｐ接合を有する。（13）は薄膜半導層（12）上に形
成された受光領域部（13a）と該領域部から基板（10）
上に延びた、前記第１出力端子部（11b）と対をなす第
２出力端子部（13b）とから成る形状にパターニングさ
れたITO,SnO2等からなる第２電極膜である。 斯る構造によると、基板（10）上の略全面に第１電極
層（11）を形成して、これを所定の形状にパターニング
する工程、第１電極層（11）上を含む基板（10）の略全
面に、薄膜半導体層（12）を形成し、これを上述の如き
形状にパターニングする工程、更に薄膜半導体層（12）
を含んで基板（10）の略全面に第２電極層（13）を形成
して所要の形状にパターニングする工程を経て、受光装
置が作成される。 （ハ） 発明が解決しようとする問題点 然るに、上述の受光装置の製造工程では、第１電極層
（11）、薄膜半導体層（12）及び第２電極層（13）を夫
々個別にパターニングする工程及びそのためのパターニ
ングマスクを必要とし、作業性に優れているとは言い難
いものである。 そこで、本発明は作業性に優れ、更に製造歩留りも従
来と変わらない製造方法を提供するものである。 （ニ） 問題点を解決するための手段 本発明の受光装置の製造方法は、基板の絶縁表面に、
受光領域部、該受光領域部から延びる第１出力端子部か
らなる第１電極層と、該第１電極層と同一材料からな
り、この第１電極層から離間した、前記第１出力端子部
と対をなす第２出力端子部に対応する領域の島状部層
と、を同時にパターン形成する工程と、上記第１電極層
及び島状部層上を含んで上記基板の絶縁表面の略全面
に、光活性層を含む薄膜半導体層及び第２電極層を連続
して順次形成する工程と、上記薄膜半導体層及び第２電
極層を、上記受光領域部に重なる受光領域部及び該受光
領域部から延びる、前記島状部層上の第２出力端子部に
パターン化する工程と、を備えたことを特徴とする。 （ホ） 作用 本発明によれば、薄膜半導体層及び第２電極層が同じ
形状に連続して順次形成及びパターニングされるもので
あり、この時、基板との密着性が悪い薄膜半導体層が直
接基板と広範囲で接触しないように、第１電極層の形成
と同時に、基板上の、第２出力端子部に対応する領域に
島状部が形成され、この上に薄膜半導体層が形成され、
薄膜半導体層の密着性が向上する。 （ヘ） 実施例 第１図乃至第３図は本発明による製造方法を工程別に
示す上面図である。 第１図の工程において、ガラス、プラスチック等から
なる絶縁表面を有する基板（１）上に、矩形状の受光領
域部（2a）、該受光領域部から延びる第１出力端子部
（2b）からなる第１電極層（２）及び該第１電極層から
離間した、第２出力端子部に対応する領域に矩形上の島
状部層（３）が形成される。斯る第１電極層（２）及び
島状部層（３）はAl,Ag等から成り、スパッタ法等によ
り、2000〜4000Åの厚さに積層される。なお、Al,Ag等
上にTiを500〜1000Å積層形成した積層構造としてもよ
い。 斯る第１電極層（２）及び島状部層（３）は一旦基板
（１）の略全面に形成された後、周知のフォトリングラ
フィ手法によって、夫々上述の形状にパターニングされ
る。 第２図の工程において、第１電極層（２）及び島状部
層（３）を含む基板（１）の略全面に薄膜半導体層
（４）が、更にこの薄膜半導体層（４）上の略全面に第
２電極層（５）が連続して順次形成される。 薄膜半導体層（４）はシラン（SiH4）等のシリコン化
合物ガスに適宜ｐ型またはｎ型ドーパントガスを含む雰
囲気中でのグロー放電によるプラズマCVD法を用いて、
基板（１）側からｎ−ｉ−ｐ接合を有するアモルファス
シリコンである。 また、第２電極層（５）はITO、SnO2等の透明導電膜
からなっている。 最後に、第３図に示す工程において、周知のフォトリ
ソグラフィ手法によって、第２電極層（５）及び薄膜半
導層（４）が、この順に同一形状にパターニングされ
る。斯る第２電極層（５）及び薄膜半導体層（４）は、
第２電極層（２）の受光領域部（2a）に重なる矩形状の
受光領域部（5a）（4a）及び島状部層（３）の上に延び
る第２出力端子部（5b）（4b）から成る形状である。 而して、斯る製造方法によれば、薄膜半導体層（４）
及び第２電極層（５）は同一形状に同じマスクを用いて
連続して順次形成されると共に、パターニングされるた
め、従来に比して作業性に富んだものとなる。 また、薄膜半導体層（４）及び第２電極層（５）を同
一形状にパターニングした場合、本発明による島状部層
（３）がなければ、基板（１）と密着性の悪い薄膜半導
体層（４）が、第２出力端子（4b）で基板（１）上に直
接配される構造となる。しかし乍ら本発明では、第２出
力端子部に対応する領域において、基板（１）と薄膜半
導体層（４）との間に密着性の良い島状部層（３）を介
在させると共に、斯る島状部層（３）は第１金属層
（２）と同一工程で形成しているので、特別な作業工程
を増加せしめることなく、薄膜半導体層（４）の基板
（１）からの剥離は防止される。 （ト） 発明の効果 本発明によれば、簡単な作業工程で、かつ歩留り良く
受光装置を製造することができる。
えた受光装置の製造方法に関する。 （ロ） 従来の技術 基板上に第１電極層、光活性層を含む薄膜半導体層及
び第２電極層を積層した受光領域と、該受光領域の出力
を外部に取り出す出力端子とを備えた受光装置は、実開
昭58−53159号公報により既に開示されている。 第４図は斯る受光装置の従来例を示しており、（10）
はガラス、セラミックス、プラスチック等の絶縁性基
板、（11）は該基板上に形成されたAl、Ti、Ag等の一層
あるいはその積層体からなる第１電極層であり、該第１
電極層は矩形状の受光領域部（11a）と該領域部から延
びる第１出力端子部（11b）とから成る形状にパターニ
ングされている。（12）は第１電極層（11）の受光領域
部（11a）上面に形成された光活性層を含む非晶質シリ
コン等からなる薄膜半導体層であり、第１電極層（11）
側からｎ型層、ｉ型層及びｐ型層の順に積層されたｎ−
ｉ−ｐ接合を有する。（13）は薄膜半導層（12）上に形
成された受光領域部（13a）と該領域部から基板（10）
上に延びた、前記第１出力端子部（11b）と対をなす第
２出力端子部（13b）とから成る形状にパターニングさ
れたITO,SnO2等からなる第２電極膜である。 斯る構造によると、基板（10）上の略全面に第１電極
層（11）を形成して、これを所定の形状にパターニング
する工程、第１電極層（11）上を含む基板（10）の略全
面に、薄膜半導体層（12）を形成し、これを上述の如き
形状にパターニングする工程、更に薄膜半導体層（12）
を含んで基板（10）の略全面に第２電極層（13）を形成
して所要の形状にパターニングする工程を経て、受光装
置が作成される。 （ハ） 発明が解決しようとする問題点 然るに、上述の受光装置の製造工程では、第１電極層
（11）、薄膜半導体層（12）及び第２電極層（13）を夫
々個別にパターニングする工程及びそのためのパターニ
ングマスクを必要とし、作業性に優れているとは言い難
いものである。 そこで、本発明は作業性に優れ、更に製造歩留りも従
来と変わらない製造方法を提供するものである。 （ニ） 問題点を解決するための手段 本発明の受光装置の製造方法は、基板の絶縁表面に、
受光領域部、該受光領域部から延びる第１出力端子部か
らなる第１電極層と、該第１電極層と同一材料からな
り、この第１電極層から離間した、前記第１出力端子部
と対をなす第２出力端子部に対応する領域の島状部層
と、を同時にパターン形成する工程と、上記第１電極層
及び島状部層上を含んで上記基板の絶縁表面の略全面
に、光活性層を含む薄膜半導体層及び第２電極層を連続
して順次形成する工程と、上記薄膜半導体層及び第２電
極層を、上記受光領域部に重なる受光領域部及び該受光
領域部から延びる、前記島状部層上の第２出力端子部に
パターン化する工程と、を備えたことを特徴とする。 （ホ） 作用 本発明によれば、薄膜半導体層及び第２電極層が同じ
形状に連続して順次形成及びパターニングされるもので
あり、この時、基板との密着性が悪い薄膜半導体層が直
接基板と広範囲で接触しないように、第１電極層の形成
と同時に、基板上の、第２出力端子部に対応する領域に
島状部が形成され、この上に薄膜半導体層が形成され、
薄膜半導体層の密着性が向上する。 （ヘ） 実施例 第１図乃至第３図は本発明による製造方法を工程別に
示す上面図である。 第１図の工程において、ガラス、プラスチック等から
なる絶縁表面を有する基板（１）上に、矩形状の受光領
域部（2a）、該受光領域部から延びる第１出力端子部
（2b）からなる第１電極層（２）及び該第１電極層から
離間した、第２出力端子部に対応する領域に矩形上の島
状部層（３）が形成される。斯る第１電極層（２）及び
島状部層（３）はAl,Ag等から成り、スパッタ法等によ
り、2000〜4000Åの厚さに積層される。なお、Al,Ag等
上にTiを500〜1000Å積層形成した積層構造としてもよ
い。 斯る第１電極層（２）及び島状部層（３）は一旦基板
（１）の略全面に形成された後、周知のフォトリングラ
フィ手法によって、夫々上述の形状にパターニングされ
る。 第２図の工程において、第１電極層（２）及び島状部
層（３）を含む基板（１）の略全面に薄膜半導体層
（４）が、更にこの薄膜半導体層（４）上の略全面に第
２電極層（５）が連続して順次形成される。 薄膜半導体層（４）はシラン（SiH4）等のシリコン化
合物ガスに適宜ｐ型またはｎ型ドーパントガスを含む雰
囲気中でのグロー放電によるプラズマCVD法を用いて、
基板（１）側からｎ−ｉ−ｐ接合を有するアモルファス
シリコンである。 また、第２電極層（５）はITO、SnO2等の透明導電膜
からなっている。 最後に、第３図に示す工程において、周知のフォトリ
ソグラフィ手法によって、第２電極層（５）及び薄膜半
導層（４）が、この順に同一形状にパターニングされ
る。斯る第２電極層（５）及び薄膜半導体層（４）は、
第２電極層（２）の受光領域部（2a）に重なる矩形状の
受光領域部（5a）（4a）及び島状部層（３）の上に延び
る第２出力端子部（5b）（4b）から成る形状である。 而して、斯る製造方法によれば、薄膜半導体層（４）
及び第２電極層（５）は同一形状に同じマスクを用いて
連続して順次形成されると共に、パターニングされるた
め、従来に比して作業性に富んだものとなる。 また、薄膜半導体層（４）及び第２電極層（５）を同
一形状にパターニングした場合、本発明による島状部層
（３）がなければ、基板（１）と密着性の悪い薄膜半導
体層（４）が、第２出力端子（4b）で基板（１）上に直
接配される構造となる。しかし乍ら本発明では、第２出
力端子部に対応する領域において、基板（１）と薄膜半
導体層（４）との間に密着性の良い島状部層（３）を介
在させると共に、斯る島状部層（３）は第１金属層
（２）と同一工程で形成しているので、特別な作業工程
を増加せしめることなく、薄膜半導体層（４）の基板
（１）からの剥離は防止される。 （ト） 発明の効果 本発明によれば、簡単な作業工程で、かつ歩留り良く
受光装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は本発明の一実施例の製造方法を工程
別に示す平面図、第４図は従来例を示す平面図である。 （１）……基板、（２）……第１電極層、（３）……島
状部層、（４）……薄膜半導体層、（５）……第２電極
層。
別に示す平面図、第４図は従来例を示す平面図である。 （１）……基板、（２）……第１電極層、（３）……島
状部層、（４）……薄膜半導体層、（５）……第２電極
層。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．基板の絶縁表面に、受光領域部、該受光領域部から
延びる第１出力端子部からなる第１電極層と、該第１電
極層と同一材料からなり、この第１電極層から離間し
た、前記第１出力端子部と対をなす第２出力端子部に対
応する領域の島状部層と、を同時にパターン形成する工
程と、上記第１電極層及び島状部層上を含んで上記基板
の絶縁表面の略全面に、光活性層を含む薄膜半導体層及
び第２電極層を連続して順次形成する工程と、上記薄膜
半導体層及び第２電極層を、上記受光領域部に重なる受
光領域部及び該受光領域部から延びる、前記島状部層上
の第２出力端子部にパターン化する工程と、を備えたこ
とを特徴とする受光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62235410A JP2664377B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | 受光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62235410A JP2664377B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | 受光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6477975A JPS6477975A (en) | 1989-03-23 |
| JP2664377B2 true JP2664377B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=16985683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62235410A Expired - Lifetime JP2664377B2 (ja) | 1987-09-18 | 1987-09-18 | 受光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664377B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5754377A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Canon Inc | Photoelectric converting element |
-
1987
- 1987-09-18 JP JP62235410A patent/JP2664377B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6477975A (en) | 1989-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 11 |