JPH0369157B2 - - Google Patents
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- JPH0369157B2 JPH0369157B2 JP61015390A JP1539086A JPH0369157B2 JP H0369157 B2 JPH0369157 B2 JP H0369157B2 JP 61015390 A JP61015390 A JP 61015390A JP 1539086 A JP1539086 A JP 1539086A JP H0369157 B2 JPH0369157 B2 JP H0369157B2
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高輝度、高耐圧などの各特性を有
する多色の薄膜EL（Electro Luminescence）素
子の作製方法に関するものである。
する多色の薄膜EL（Electro Luminescence）素
子の作製方法に関するものである。
近時、薄膜EL素子の作製方法として、アルキ
ルジンクとH2Sまたはアルキルイオウなどを用い
た有機金属気相成長（Metal organic CVD；以
下、MOCVDと略称する。）法が高品質の薄膜を
均一にかつ大面積で安価に作製できる点で注目さ
れつつある。
ルジンクとH2Sまたはアルキルイオウなどを用い
た有機金属気相成長（Metal organic CVD；以
下、MOCVDと略称する。）法が高品質の薄膜を
均一にかつ大面積で安価に作製できる点で注目さ
れつつある。
ところで、本出願人は、1985年秋の応用物理学
会の予稿集P.590において、MOCVD法を用いて
黄橙色発光センタとなるMnの有機金属であるト
リカルボニルメチルシクロペンタジエニルMnを
反応炉導入時に加熱分解し、この分解ガスを基板
上にドーピングしてZnS：Mn薄膜EL素子を作製
する薄膜EL素子の作製方法を提案しており、こ
の薄膜EL素子は、5000cd／m2以上の高輝度、高
耐圧などの各特性を有するものである。
会の予稿集P.590において、MOCVD法を用いて
黄橙色発光センタとなるMnの有機金属であるト
リカルボニルメチルシクロペンタジエニルMnを
反応炉導入時に加熱分解し、この分解ガスを基板
上にドーピングしてZnS：Mn薄膜EL素子を作製
する薄膜EL素子の作製方法を提案しており、こ
の薄膜EL素子は、5000cd／m2以上の高輝度、高
耐圧などの各特性を有するものである。
ところが、この種の薄膜EL素子の作製方法に
あつては、黄橙色の発光が得られるZnS：Mn薄
膜EL素子を高品質で作製されるものの、他の有
機金属、例えばTb（縁色発光センタ）、Sm（赤色
発光センタ）、Ce，Tm（青色発光センタ）などを
ZnSと合成することが困難で、たとえ合成できて
も固体となるため、蒸気圧による制御が難しく基
板上にドーピングできず、黄橙色以外の発光EL
素子を作製することができない問題があつた。
あつては、黄橙色の発光が得られるZnS：Mn薄
膜EL素子を高品質で作製されるものの、他の有
機金属、例えばTb（縁色発光センタ）、Sm（赤色
発光センタ）、Ce，Tm（青色発光センタ）などを
ZnSと合成することが困難で、たとえ合成できて
も固体となるため、蒸気圧による制御が難しく基
板上にドーピングできず、黄橙色以外の発光EL
素子を作製することができない問題があつた。
そこで、この発明は、Mn，MnCl2，MnF2，
TbF3，SmF3，TmF3，CeF3，CeCl3からなる群
より選ばれた発光物質を減圧下の反応炉内で抵抗
加熱して蒸発させ基板上にドーピングしてZnS：
ＸまたはZnSe：Ｘ膜を形成することにより、上
記の問題点を解決するようにした。
TbF3，SmF3，TmF3，CeF3，CeCl3からなる群
より選ばれた発光物質を減圧下の反応炉内で抵抗
加熱して蒸発させ基板上にドーピングしてZnS：
ＸまたはZnSe：Ｘ膜を形成することにより、上
記の問題点を解決するようにした。
〔実施例 １〕
発光センタ物質にTbF3をまた主原料にジメチ
ルジンク（DMZ）およびH2Sを使つてZnS：
TbF3からなる薄膜を第１図に示すような
MOCVD気相装置により作製した。
ルジンク（DMZ）およびH2Sを使つてZnS：
TbF3からなる薄膜を第１図に示すような
MOCVD気相装置により作製した。
このMOCVD気相装置は、円筒状の反応炉１
の上部にこの反応炉１内にDMZを供給するため
のノズル２とH2Sを供給するためのノズル３と、
電源４ａを備え、かつTbF3粉末が収容された抵
抗加熱用ヒータ４とがそれぞれ配設されてなるも
のである。また、この反応炉１の外周部には、反
応炉１内を加熱する高周波加熱コイル５が設けら
れ、反応炉１内には、SiCをコートしたグラフア
イトサセブタ６が設けられ、このグラフアイトサ
セブタ６上には、薄膜が形成される基板７が配置
されている。また、この反応炉１には、図示しな
い真空ポンプが配設されている。
の上部にこの反応炉１内にDMZを供給するため
のノズル２とH2Sを供給するためのノズル３と、
電源４ａを備え、かつTbF3粉末が収容された抵
抗加熱用ヒータ４とがそれぞれ配設されてなるも
のである。また、この反応炉１の外周部には、反
応炉１内を加熱する高周波加熱コイル５が設けら
れ、反応炉１内には、SiCをコートしたグラフア
イトサセブタ６が設けられ、このグラフアイトサ
セブタ６上には、薄膜が形成される基板７が配置
されている。また、この反応炉１には、図示しな
い真空ポンプが配設されている。
このような構成からなるMOCVD気相装置を
用い、次のような条件で基板７上にZnS：TbF3
膜を作製した。
用い、次のような条件で基板７上にZnS：TbF3
膜を作製した。
〔作製条件〕
基板７上の温度…約300℃、
反応炉１内の真空度…0.1Torr、
ノズル２から反応炉１へのDMZ導入速度…
２×10-6mol／min、
ノズル３から反応炉１へのH2S導入速度…
6.7×10-6mol／min、
TbF3の加熱温度…1150℃。
上記の〜の各条件に設定したところ、反応
炉１内においては、DMZとH2Sとが反応して基
板７上でZnSとして気相成長するとともに、この
ZnSからなる気相中に抵抗加熱用ヒータ４から蒸
発したTbF3分子が取り込まれてZnS−TbF3薄膜
を作製することができた。
炉１内においては、DMZとH2Sとが反応して基
板７上でZnSとして気相成長するとともに、この
ZnSからなる気相中に抵抗加熱用ヒータ４から蒸
発したTbF3分子が取り込まれてZnS−TbF3薄膜
を作製することができた。
次に、上記のようにして得られたZnS：TbF3
膜上にSm2O3からなる薄膜を作製して二重絶縁
構造のEL素子を製造した。このEL素子の輝度−
電圧特性を調べ、その結果を第２図に示した。
膜上にSm2O3からなる薄膜を作製して二重絶縁
構造のEL素子を製造した。このEL素子の輝度−
電圧特性を調べ、その結果を第２図に示した。
第２図から明らかなように、このEL素子は、
周波数5kHz、電圧195Vで4500cd／m2の輝度を示
す高輝度で高耐圧の縁色発光の素子であることが
わかつた。ZnS膜に取り込まれるTbF3の濃度は
抵抗加熱ヒータの温度、反応炉の真空度に依存す
る。最適温度をドーピングさせるためには、反応
炉内を減圧下（1Torr以下）にする必要がある。
周波数5kHz、電圧195Vで4500cd／m2の輝度を示
す高輝度で高耐圧の縁色発光の素子であることが
わかつた。ZnS膜に取り込まれるTbF3の濃度は
抵抗加熱ヒータの温度、反応炉の真空度に依存す
る。最適温度をドーピングさせるためには、反応
炉内を減圧下（1Torr以下）にする必要がある。
〔実施例 ２〕
発光センタ物質にMn、MnCl2、MnF2、
SmF3、TmF3、CeF3、CeCl3を用いた他は、実
施例１と同様にして各々ZnS：Mn、ZnS：
SmF3、ZnS：TmF3、ZnS：Ceの薄膜を作製し
た。そして、これらの薄膜上にSm2O3の絶縁層
を形成して二重絶縁構造のEL素子を製造した。
SmF3、TmF3、CeF3、CeCl3を用いた他は、実
施例１と同様にして各々ZnS：Mn、ZnS：
SmF3、ZnS：TmF3、ZnS：Ceの薄膜を作製し
た。そして、これらの薄膜上にSm2O3の絶縁層
を形成して二重絶縁構造のEL素子を製造した。
これらのEL素子は、いずれも高輝度、高耐圧
の特性を示し、ZnS：Mnを用いたものでは、黄
橙色に、ZnS：SmF3を用いたものでは、赤色に、
ZnS：TmF3、ZnS：Ceを用いたものでは、青色
にそれぞれ発光する素子が得られた。
の特性を示し、ZnS：Mnを用いたものでは、黄
橙色に、ZnS：SmF3を用いたものでは、赤色に、
ZnS：TmF3、ZnS：Ceを用いたものでは、青色
にそれぞれ発光する素子が得られた。
〔実施例 ３〕
主原料にジエチルジルク（DEZ）とH2S、
DMZと硫化ジエチル（DES）、DEZとDEZ、
DEZと硫化ジメチル（DMS）の組合せでZnS（カ
ルコゲン亜鉛）膜を得るようにし、他は実施例１
と同様にしてZnSに発光センタ物質が添加されて
なる薄膜をそれぞれ作製した。これらの薄膜は、
Sm2O3による二重絶縁構造としたことにより、
高輝度、高耐圧のEL素子となつた。
DMZと硫化ジエチル（DES）、DEZとDEZ、
DEZと硫化ジメチル（DMS）の組合せでZnS（カ
ルコゲン亜鉛）膜を得るようにし、他は実施例１
と同様にしてZnSに発光センタ物質が添加されて
なる薄膜をそれぞれ作製した。これらの薄膜は、
Sm2O3による二重絶縁構造としたことにより、
高輝度、高耐圧のEL素子となつた。
〔実施例 ４〕
実施例１で用いたZnSからなるカルコゲン薄膜
をZnSe−TbF3薄膜を作製した。この薄膜は、
Sm2O3による二重絶縁構造としたことにより、
高輝度、高耐圧のEL素子となつた。
をZnSe−TbF3薄膜を作製した。この薄膜は、
Sm2O3による二重絶縁構造としたことにより、
高輝度、高耐圧のEL素子となつた。
また、ZnSe薄膜を作製する際の原料は、DMZ
とH2Se、DEZとH2Se、DMZとDESe、DMZと
DMSe、DEZとDESe、DEZとDMSeなどの組合
せが可能であることがわかつた。
とH2Se、DEZとH2Se、DMZとDESe、DMZと
DMSe、DEZとDESe、DEZとDMSeなどの組合
せが可能であることがわかつた。
以上説明したように、この発明の方法によれ
ば、前述した各発光センタ物質を減圧状態でそれ
ぞれ加熱蒸発させせてガス化し、このガスをZnS
またはZnSe気相中に取り込ませることができる
ので、高輝度、高耐圧の各特性を有する多色の薄
膜EL素子を作製することができる。
ば、前述した各発光センタ物質を減圧状態でそれ
ぞれ加熱蒸発させせてガス化し、このガスをZnS
またはZnSe気相中に取り込ませることができる
ので、高輝度、高耐圧の各特性を有する多色の薄
膜EL素子を作製することができる。
また、この方法によつて得られた薄膜EL素子
は、膜厚が一定で、しかも面積の大きい安価なも
のとなる。
は、膜厚が一定で、しかも面積の大きい安価なも
のとなる。
第１図は、この発明の薄膜EL素子の作製方法
に好適に用いられるMOCVD成長装置の反応炉
を示す概略構成図、第２図は、この発明の薄膜
EL素子の作製方法によつて得られたZnS：TbF3
二重絶縁薄膜EL素子の輝度−電圧特性を示すグ
ラフである。
に好適に用いられるMOCVD成長装置の反応炉
を示す概略構成図、第２図は、この発明の薄膜
EL素子の作製方法によつて得られたZnS：TbF3
二重絶縁薄膜EL素子の輝度−電圧特性を示すグ
ラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機亜鉛化合物ガスと硫黄化合物ガスまたは
セレン化合物ガスを反応炉内で反応させ、同時に
発光センタとなる物質をドーピングする有機金属
気相成長法による薄膜EL発光膜の作製方法にお
いて、発光センタ物質Ｘを減圧下の反応炉内で抵
抗加熱して蒸発させることによりドーピングして
ZnS：ＸまたはZnSe：Ｘ膜を形成することを特
徴とする薄膜EL素子の作製方法。 ２ 発光センタ物質ＸがMn，MnCl2，MnF2，
TbF3，SmF3，TmF3，CeF3，CeCl3からなる群
より選ばれたものであることを特徴とする特許請
求範囲第１項記載の薄膜EL素子の作製方法。 ３ 有機亜鉛化合物ガスがジメチルジンクまたは
ジエチルジンクであることを特徴とする特許請求
範囲第１項記載の薄膜EL素子の作製方法。 ４ 硫黄化合物またはセレン化合物がH2S，
H2Se，ジメチルイオウ，ジエチルイオウ，ジメ
チルセレン，ジエチルセレンのいずれかであるこ
とを特徴とする特許請求範囲第１項記載の薄膜
EL素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015390A JPS62176091A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 薄膜ｅｌ素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015390A JPS62176091A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 薄膜ｅｌ素子の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176091A JPS62176091A (ja) | 1987-08-01 |
| JPH0369157B2 true JPH0369157B2 (ja) | 1991-10-31 |
Family
ID=11887409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61015390A Granted JPS62176091A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | 薄膜ｅｌ素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62176091A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009150764A1 (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | 株式会社菊星 | 毛髪形状の処理装置 |
| US9046860B2 (en) | 1995-03-27 | 2015-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Coupling part, photosensitive drum, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343292A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | 日本電信電話株式会社 | 有機金属気相成長装置 |
| JP2545694B2 (ja) * | 1993-10-22 | 1996-10-23 | 日産自動車株式会社 | 分散型ｅｌパネルの製造方法 |
| JP4851875B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2012-01-11 | 川崎重工業株式会社 | 自動二輪車のリヤステップ取付構造及び該リヤステップ取付構造を備えた自動二輪車 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6137857A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-22 | Seiko Epson Corp | ケイ光物質薄膜の製法および製造装置 |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP61015390A patent/JPS62176091A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6137857A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-22 | Seiko Epson Corp | ケイ光物質薄膜の製法および製造装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9046860B2 (en) | 1995-03-27 | 2015-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Coupling part, photosensitive drum, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
| WO2009150764A1 (ja) | 2008-06-09 | 2009-12-17 | 株式会社菊星 | 毛髪形状の処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62176091A (ja) | 1987-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |