JPH0368829A - 圧力検出器およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は圧力検出器に関し、特に高温流体の圧力測定例
えば内燃機関の燃焼圧測定に好適な圧力検出器に関する
。

〔従来の技術〕

従来、この種の装置において、そのセンシング部は、絶
縁基板上に単結晶あるいは多結晶シリコンからなる半導
体歪ゲージ素子を形成したいわゆるＳＯ■構造に構成さ
れている。このものは、拡散ゲージ型のもののようにＰ
Ｎ接合部を有していないため、高温でのリーク電流の発
生がなく、２００″Ｃ以上の高温雰囲気下での圧力検出
を可能としている。

Ｓｏｌ構造のセンシング部としては、単結晶シリコン基
板上に絶縁層を介して単結晶シリコンまたは多結晶シリ
コンよりなる半導体歪ゲージ素子を形成するものが知ら
れている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、高温用圧力検出器においてはハウジング
等に金属が使用されており、上記シリコン基板を用いる
ものはこのシリコン基板の金属製ハウジングへの接着が
接着強度のあまり強くないガラス接合に限定されてしま
い、高いシール性を実現できないという問題がある。

そこで、本発明者らは、絶縁基板として、金属製ハウジ
ングにろう付けによって強固に接着固定することができ
るサファイア、スピネル、マグネシア等の酸化物系単結
晶基板を採用した。

しかしながら、酸化物系単結晶基板は、単結晶シリコン
基板を加工する時のようなケミカルエツチングが適用で
きず、その加工は機械的加工に頼らざるを得ないという
問題がある。

この新たな基板を用い、従来と同様の発想による圧力検
出器の加工を考えた場合には、薄肉状の受圧ダイヤフラ
ムを形成すべくドリル等による基板裏面からの切削加工
を行うことになり、第１２図に示す如くその形状精度が
著しく悪くなることは必至であり、それに伴ってダイヤ
フラム面に形成した半導体歪ゲージ素子１３に加わる応
力値が大きくばらつき、さらには圧力検出器としての出
力値にばらつきが生じてしまうこととなる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、高温用の
圧力検出器として金属製ハウジングに強固に固定できる
酸化物系単結晶基板を採用し、従来波（ネテの単なる適
用でなく新たな発想により、受圧ダイヤフラムの形状を
高精度に構成して出力値のばらつきを抑えることができ
る圧力検出器と、その受圧ダイヤフラムを高い形状精度
にて構成することができる製造方法を提供するものであ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するために、 請求項１記載の発明においては、第１図の基本構成図に
示すように、 所定の位置に開口した貫通穴を有する第１の酸化物系単
結晶基板と、 この第１の酸化物系単結晶基板上に接合されて、前記所
定の位置に受圧ダイヤフラムを構成する平板状の第２の
酸化物系単結晶基板と、 前記受圧ダイヤプラムにおいて、前記第２の酸化物系単
結晶基板の前記第１の酸化物系単結晶基板との接合面と
反対側の端面に、半導体歪ゲージ素子を配設したことを
特徴とする構成とし、請求項４記載の発明においては、 第１および第２の酸化物系単結晶基板において、第１の
酸化物系単結晶基板の所定の位置に貫通穴を開口する穴
加工工程と、 この貫通穴を開口した第１の酸化物系単結晶基板と、平
板状の前記第２の酸化物系単結晶基板の鏡面同志を、接
合し、前記所定の位置に受圧ダイヤプラムを構成した接
合基板を形成する基板接合工程と、 この接合基板において、前記第２の酸化物系単結晶基板
の前記第１の酸化物系単結晶基板との接合面と反対側の
端面の前記受圧ダイヤフラム面に、半導体歪ゲージ素子
を形成する素子形成工程とを含むことを特徴とする圧力
検出器の製造方法を提供する。

〔作用・効果〕

第１図に示すように、受圧ダイヤフラム１ａは、所定の
位置に開口した貫通穴１２ａを有する第１の酸化物系単
結晶基板１２と平板状の第２の酸化物系単結晶基板１１
との接合によって構成される。

そのため、受圧ダイヤフラム面上の寸法精度は第１の酸
化物系単結晶基板１２の貫通穴１２ａの加工精度および
第２の酸化物系単結晶基板１１の厚さ精度によってのみ
決定され、その寸法精度を高精度に構成することができ
る。従って、ダイヤフラム面上に配設された半導体歪ゲ
ージ素子１３に加わる応力のばらつきは抑えられ、しか
して半導体歪ゲージ素子１３からの出力値のばらつきを
抑えることができるという優れた効果がある。

また、前述のように、酸化物系単結晶基板を使用するた
めに、金属製ハウジングに強固に固定でき、高いシール
性を実現することができる。

また、請求項４記載の発明によっては、上記効果を有す
る圧力検出器を製造することができるという優れた効果
がある。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

第２図には、本発明一実施例を適用した圧力検出器の主
要部構造を示す。右端部を大径とした筒状ハウジング３
には本体外周に取付用ネジ部３ａが形成され、左端開口
には一端閉鎖の筒体よりなるエレメントホルダ２が挿通
配設され、溶接により密着固定しである。

エレメントホルダ２は熱膨張係数の小さいＦｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ系合金で構成されており、エレメントホルダ２内は
圧力導入ポートとなしである。また、圧力導入ボートの
側壁には開口２ａが設けられている。

該エレメントホルダ２には、酸化物系単結晶基板である
サファイア基板より構成されたセンシングエレメント１
が、開口２ａをふさぐべく開口２ａ上方より、後述する
如く、ろう付によって強固に接合覆着しである。なお、
開口２ａの中心直上のセンシングエレメント１に薄肉と
なった凹部が設けられており、受圧ダイヤフラム１ａと
しである。センシングエレメント１の詳細を第３図（ａ
）。

（ロ）に示す。なお、第３図（ａ）は同図（ｂ）に示す
もののＡＡ断面図、第３図（ロ）は平面図（ただし、表
面保護膜は図示路）である。

センシングエレメント１はサファイア基板を加工したも
のであり、貫通穴加工を施したサファイア基板１２の上
に平板のサファイア基板１１を接合することにより、薄
肉の受圧ダイヤフラム１ａを構成している。なお、受圧
ダイヤフラム１ａは、直方体形状のセンシングエレメン
ト１においてその立子方向における一方端に構成されて
いる。また、他方端はリード取出頭域として後述するパ
ッド部１５．ＩＣ回路チップ５等が構成されている。

また、センシングエレメント１は第３図（ａ）、　（ｂ
）に示すように、接合したサファイア基板表面の４ケ所
にシリコンを気相成長させて不純物をドープしたｐ型車
結晶シリコン薄膜からなる半導体歪ゲージ素子１３ａ、
１３ｂを形成したものである。

なお、半導体の面方位は（１００）であり、半導体歪ゲ
ージ素子の長手方向は（１００）面の〔１１０〕方向で
、第３図（ｂ）においてセンシングエレメント１の長手
方向となっている。また、半導体歪ゲージ素子１３ａ、
１３ｂは、前記受圧ダイヤフラム１ａの周縁部直上に配
置され、同じくサファイア基板に形成した金属薄膜ある
いは半導体薄膜からなるリード電極１４により互いに接
続配線されている。このリード電極１４は前述のり−ド
取出領域を構成するセンシングエレメント１の他端部ま
で平行に配線されており、配線の終端には金属電極から
なるパッド部１５が配設されている。

そして、センシングエレメントｌの表面上にはパッシベ
ーション用の表面保護膜１６が被着されている。

第２図においてセンシングエレメント１表面の右端には
、リード取出領域が構成され、前述のパッド部１５とワ
イヤ線４によってボンディングされる信号処理用のＩＣ
回路チップ５が接着固定されている。ＩＣ回路チップ５
は、増幅回路および温度補償回路とから構成され、リー
ド線６を介して外部と接続されている。なお、温度補償
回路は受圧ダイヤフラム１ａ部の温度変化に伴って変化
する半導体歪ゲージ素子の抵抗値特性を補償するもので
ある。

さらに、第２図において、ハウジング３には筒体のカバ
ー７が溶接固定され、カバー７とハウジング３に接着固
定されたホルダ部材８により、前記ハウジングエレメン
ト１がその右端部において支えられている。

上記構成において、センシングエレメント１に設けられ
た受圧ダイヤフラム１ａに高温流体の流体圧が作用する
と、受圧ダイヤフラム１ａにはこの流体圧に応じた応力
が働き、これを変形せしめ、変形歪すなわち作用した応
力値に応した出力信号が半導体歪ゲージ素子より発せら
れる。ここで、センシングエレメントｌは前述のように
貫通穴加工した基板１２と平板の基板１１との接合基板
であり、受圧ダイヤフラム１ａは第１図の詳細図に示す
ように高い寸法精度にて構成されているために、受圧ダ
イヤフラム１ａ表面に形成された半導体歪ゲージ素子１
３ａ、１３ｂに加わる前記応力値のばらつきは極めて小
さくなる。従って、半導体歪ゲージ素子の発生する前記
出力信号のばらつきも極めて小さくなる。

次に、第４図を用いて本実施例の出力信号の発生原理を
説明する。第４図は、本実施例の半導体歪ゲージ素子１
３ａ、１３ｂの配置図である。第４図において、半導体
歪ゲージ素子１３ａには、該ゲージ素子１３ａの長平方
向にダイヤフラム１ａの接線方向の応力σ−が働き、こ
の長手方向に対して垂直方向にダイヤフラム１ａの半径
方向の応力σ□　が働く。一方、半導体歪ゲージ素子１
３ｂには、該ゲージ素子１３ｂの長手方向に応力σｌが
、長平方向に対して垂直方向に応力σ−が働くことにな
る。ｐ型車結晶シリコンの（１００）面の（１１０）方
向のピエゾ抵抗係数πオ、π。

（πｌは縦係数、π、は横係数）には、πｌｚ−π、 の関係があり、半導体歪ゲージ素子１３ａおよび１３ｂ
の応力に応じた抵抗変化の割合は、それぞれ次のように
表される。なお、Ｒａ、Ｒｂはそれぞれ半導体歪ゲージ
素子１３ａ、１３ｂの抵抗値である。

すなわち、半導体歪ゲージ素子の１３ａと１３ｂの抵抗
変化は逆向きとなり、ブリッジ回路（図示略）を構成し
たとき、印加された応力に応じた半導体歪ゲージ素子の
抵抗変化によってこのブリッジ回路のバランスが変化す
る。ブリッジ回路には定電流あるいは定電圧が印加され
ており、この抵抗変化が出力信号として発生される。

このようにして検出された出力信号すなわち圧力信号は
、信号処理用のＩＣ回路チップ５で増幅され、温度補償
されて、リード線６を介して外部に取り出される。

なお、受圧ダイヤフラム１ａは高温流体の熱により高温
下にさらされるが、センシングエレメント１のパッド部
１５．ＩＣ回路チップ５のあるす−ド取出頭域は、該セ
ンシングエレメント１が細長い直方体形状に構成されて
いるために高温流体の熱の影響を抑制でき、リード取出
領域の高温に対する信頼性は高いものとなっている。

また、サファイアの熱膨張率はエレメントホルダ２に使
用したＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金に近く、熱膨張率の差か
ら生じるいわゆるバイメタル効果を抑えることができる
。

また、ダイヤフラム１ａ部を除くセンシングエレメント
１の裏面、すなわち貫通穴加工を施したサファイア基板
１２のエレメントホルダ２との接触側端面ば、第１１図
に示す如く、これよりＴｉのメタライズ層９ａ、Ｍｏの
メタライズ層９ｂ。

ＮｉのメツキＭ９ｃが形成されており、Ａｇペーストの
ろう付は層９ｄを介して前、記エレメントホルダ２に接
合固定しである。なお、エレメントホルダ２のろう付は
部分にもＮｉのメツキ１ｉ２ｂが形成されており、ろう
付けによる接合は強固なものとなっている。すなわち、
センシングエレメントに高圧圧力が作用してもエレメン
トホルダ２とセンシングエレメント１のシール性が確保
され、高温・高圧環境下における圧力測定を正確に行う
ことができる。

次に、第３図（ａ）、　（ｂ）に示すセンシングエレメ
ント１の製造手順を第５図、第６図（ａ）〜（８）を用
いて説明する。第５図は工程フローを示す図、第６図（
ａ）〜（ｇ）は製造工程順の断面図である。

（酸化物系単結晶基板穴加工工程） 本実施例では酸化物系単結晶基板としてサファイア基板
を用いている。サファイア基板１２の所定位置にドリル
等の機械研摩により貫通穴１２ａを開口する（第６図（
ａ）参照）。

（鏡面仕上げ工程） 次に、この貫通穴１２ａを開口したサファイア基板１２
と何ら加工の施されていないサファイア基板１１の各々
の基板表面を、ラッピングおよびポリッシングにより、
鏡面仕上げする（図示路）。

（基板接合工程） 次に、鏡面仕上げされたサファイア基板１１゜１２の鏡
面同志を接合し、接合基板とする（第６図（ｂ）参照）
。なお、接合方法については後で詳細に説明する。

（基板薄肉加工工程） 第６図（Ｃ）に示すように、接合基板の上側のサファイ
ア基板１１を研摩して所定の厚さに薄肉化した後、表面
をラップ・ポリッシュにより鏡面仕上げする。これによ
り、薄肉となった受圧ダイヤフラム１ａが構成される。

（半導体歪ゲージ素子形成工程） 次に、第６図（ｄ）に示すように、接合基板表面に半導
体薄膜例えば単結晶シリコン薄膜１３”を気相成長等に
より被着する。そして、ボロン等の不純物を添加して該
半導体薄肉の導電型をｐ型とする。この不純物の添加方
法としては、半導体薄膜の成膜時に不純物ガスを導入し
て成膜する方法と、成膜後にイオン注入等により不純物
をドープする方法とがある。

次に、この不純物を添加したｐ型車結晶シリコン薄膜１
３゛をエツチングにより微細加工することによって、第
６図（ｅ）に示すように該接合基板表面の所定位置に半
導体歪ゲージ素子１３を形成する。

（リード電極配線工程） 次に、第６図（ｆ）に示すように、例えばｐｔ等による
金属薄膜よりなるリード電極１４を配線形成する。金膜
薄膜はＣＶＤ法、スパッタ、蒸着等によって成膜し、そ
の後微細加工してリード電極１４とする。この時、金属
電極からなるパッド部１５も形成される（図示路）。

（保護膜形成工程） そして、第６図（８）に示すように、ＣＶＤ、スパッタ
、蒸着等により、パッシベーション用の表面保護膜１６
を形成する。

（ダイシング工程） そして、所定の大きさにテップダイシングして第３図（
ａ）、　（ｂ）に示すセンシングエレメント１を製造し
た。

上記製造方法において、薄肉となった受圧ダイヤフラム
の寸法精度は、酸化物系単結晶基板穴加工工程時の貫通
穴加工の加工精度および基板薄肉加工工程時の平板の厚
さ制御によって決定されるため、容易に高い寸法精度を
有する受圧ダイヤフラムを構成することができる。

なお、上記製造工程において、リード電極配線工程時に
金属薄膜よりなるリード電極１４を配線形成しているが
、リード電極１４は半導体歪ゲージ素子１３と同じ半導
体で構成してもよく、その場合は、半導体歪ゲージ素子
形成工程時に半導体歪ゲージ素子１３と同時に形成する
ことができる。

また、上記製造工程では基板１１と１２を接合してから
基板１１を薄肉化して受圧ダイヤフラム１ａを構成して
いるが、貫通穴加工した基板１２と、予め薄肉化した基
板１１あるいは薄肉化した後半導体薄膜１３′を被着し
た基板１１とを接合するようにしてもよい。しかしなが
ら、薄肉部の厚さが１００μｍ以下と薄い場合において
は、取り扱いに注意を要する。

次に、第５図に示す基板接合工程について、第７図〜第
１０図を用いて説明する。なお、第７図。

第８図（ａ）〜（ｄ）はサファイア基板の直接接合方法
を示す図であり、第７図は工程フロー図、第８図（ａ）
〜（ｄ）は原子レベルでの結合の様子を示す構成図であ
る。また、第９図、第１０図（ａ）、　（ｂ）は接合剤
を用いて接合する方法を示す図であり、第９図は工程フ
ロー図、第１０図（ａ）、　（ｂ）は工程順の断面図で
ある。

まず、第１の基板接合方法として、第７図、第８図（ａ
）〜（ｄ）を用いてサファイア基板の直接接合方法につ
いて説明する。これはシリコンウェハ同志の接合に通常
用いられている直接接合を、サファイア基板の接合に応
用したものである。

（ａ水処理工程） まず、２枚の鏡面仕上げしたサファイア基板を例えばキ
ャロス（硫酸と過酸化水素の混合液）などの酸性溶液に
浸漬し、第８図（ａ）に示すように、サファイア基板表
面に水酸基（−ＯＨ）を付加する。

（基板接着工程） 水酸基を付加した基板の鏡面同志を接着させると、２枚
の基板は第８図（ｂ）に示すように水素結合力によって
密着する。

（脱水処理工程） 次に、２００〜４００°Ｃの温度において脱水処理を施
し、第８図（Ｃ）に示すように接合界面に存在する余分
な水分を除去する。

（高温処理工程） その後、１０００〜１４００　”Ｃの高温下で約１時間
熱処理を加えると、水酸基が水（Ｈ２Ｏ）の形で放出さ
れ、２枚の基板は原子レベルで強固に接合される。なお
、作成した接合基板の接合強度試験では破断は全て接合
部以外で起こっており、接合部の強度は基板強度に相当
した。また、本接合方法によれば、接合界面が極めて薄
いため、熱歪の発生はほとんどない。

次に、第２の基板接合方法として、接合剤を用いる方法
を、第９図、第１０図（ａ）、　（ｂ）を用いて説明す
る。本接合方法は接合剤として金属アルコキシド溶液を
用いるものであり、酸化物系単結晶基板としてサファイ
ア基板を使用する場合、接合面に安定な酸化物Ａｆｆｉ
、Ｏ，＋が形成できるアルミニウムトリエトキシド（Ａ
ｆｆｉ　　（Ｃ，Ｈ，０）ｆｆ）　、アルミニウムトリ
イソプロポキシド（，１！（○ＣｚＨｔ）、）溶液など
が使用される。

（金属アルコキシド溶液塗布工程） まず、第１０図（ａ）に示すように基板１１．１２の鏡
面側に金属アルコキシド溶液１７をスピンナ等で塗布す
る。

（基板接着工程） 次に、第１０図（ｂ）に示すように、金属アルコキシド
溶液１７を塗布した２枚の基板１１．１２の鏡面同志を
接着する。

（脱水処理工程） 第７図に示した脱水処理工程と同様にして、脱水処理に
より接合界面に存在する余分な水分を除去する。

（高温処理工程） その後１０００°Ｃ以上の高温処理を加えることにより
接合界面に安定な酸化物Ａ　ｌ　ｚ○、を形成して、こ
の酸化物によって基板同志を強固に接合する。

上記第１および第２の基板接合方法によって、酸化物系
単結晶基板（実施例ではサファイア基板）同志を強固に
接合することが可能であり、しかして前述のように高い
寸法精度を有する受圧ダイヤフラムを構成したセンシン
グエレメントが容易に形成することができる。

なお、上記一連の実施例においては、酸化物系単結晶基
板としてサファイアを使用するものであったが、これに
限らず、例えばスピネル、マグネシア等にも適用できる
。

また、異種の酸化物系単結晶基板を接合するようにして
もよい。なお、このものは、特に上記第１の基板接合方
法を適用した場合、高温処理工程時に熱膨張係数の差に
よる応力で水素結合が切れ、基板が剥離することがある
ため、熱膨張係数が近似したものを選択するようにする
とよい。

また、上記第２の基板接合方法で示した金属アルコキシ
ド溶液は接合面に１！！Ｏ，を形成するものであったが
、これに限らず、他に例えば接合面にＳｉｎ、を形成す
るｓ　ｔ（ＯＣｚｌ（ｓ）ａ　、　　Ｓ　ｔ（ＯＣＨｓ
）４溶液等を使用してもよい。

なお、本発明は高温下で使用することができる酸化物系
単結晶基板による薄肉ダイヤフラムとその製造方法に関
するものであり、上記実施例で示した高温用圧力検出器
に限らず、例えば高温用加速度検出器、高温用磁気検出
器等にも適用できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基本構成を示す受圧ダイヤフラム部の
断面図、 第２図は本発明一実施例を適用した圧力検出器の主要部
構造を示す断面図、 第３図（ａ）、　（ｂ）は第２図のセンシングエレメン
ト１の詳細図で、同図（ａ）は同図（ｂ）のＡＡ断面図
、同図（ｂ）は平面図、 第４図は第３図（ｂ）に示す半導体歪ゲージ素子の配置
説明図、 第５図は第３図（ａ）（ロ）に示すセンシングエレメン
トの製造工程の一例を示す工程フロー図、第６図（ａ）
〜（８）は第５図に対応した製造工程順のセンシングエ
レメント主要部の断面図、第７図は第１の基板接合方法
を示す基板接合工程の工程フロー、図、 第８図（ａ）〜（ｄ）は第７図に対応した基板接合界面
における結合の様子を示す構造図、 第９図は第２の基板接合方法を示す基板接合工程の工程
フロー図、 第１０図（ａ）、　（ｂ）は第９図に対応した工程順の
基板断面図、 第１１図はセンシングエレメントとエレメントホルダの
接合状態を示す拡大断面図、 第１２図は本発明の説明のための参考受圧ダイヤフラム
部の断面図、 である。 ｌ・・・センシングエレメント、ｌａ・・・受圧ダイヤ
フラム、１１・・・平板状の酸化物系単結晶（サファイ
ア）基板、１２・・・貫通穴加工を施した酸化物系単結
晶（サファイア）基板、１２ａ・・・貫通穴、１３．１
３ａ、１３ｂ−・・半導体歪ゲージ素子、１３゜・・・
半導体薄膜、１４・・・リード電極、１７・・・金属ア
ルコキシド）容液。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定の位置に開口した貫通穴を有する第１の酸化
   物系単結晶基板と、 この第１の酸化物系単結晶基板上に接合されて、前記所
   定の位置に受圧ダイヤフラムを構成する平板状の第２の
   酸化物系単結晶基板と、 前記受圧ダイヤフラムにおいて、前記第２の酸化物系単
   結晶基板の前記第１の酸化物系単結晶基板との接合面と
   反対側の端面に、半導体歪ゲージ素子を配設したことを
   特徴とする圧力検出器。
2. （２）前記第１および第２の酸化物系単結晶基板は酸化
   物層を介して接合されていることを特徴とする請求項１
   記載の圧力検出器。
3. （３）前記第１および第２の酸化物系単結晶基板はサフ
   ァイア、スピネル、あるいはマグネシアであることを特
   徴とする請求項１もしくは２に記載の圧力検出器。
4. （４）第１および第２の酸化物系単結晶基板において、
   第１の酸化物系単結晶基板の所定の位置に貫通穴を開口
   する穴加工工程と、 この貫通穴を開口した第１の酸化物系単結晶基板と、平
   板状の前記第２の酸化物系単結晶基板の鏡面同志を接合
   し、前記所定の位置に受圧ダイヤフラムを構成した接合
   基板を形成する基板接合工程と、 この接合基板において、前記第２の酸化物系単結晶基板
   の前記第１の酸化物系単結晶基板との接合面と反対側の
   端面の前記受圧ダイヤフラム面に、半導体歪ゲージ素子
   を形成する素子形成工程とを含むことを特徴とする圧力
   検出器の製造方法。
5. （５）前記基板接合工程は、前記第１および第２の酸化
   物系単結晶基板のそれぞれの鏡面に水酸基を付加し、こ
   の水酸基を付加したそれぞれの鏡面同志を水酸基の水素
   結合力によって密着し、その後この水酸基を加熱により
   水として放出することで、前記第１および第２の酸化物
   系単結晶基板を直接接合することを特徴とする請求項４
   記載の圧力検出器の製造方法。
6. （６）前記基板接合工程は、前記第１および第２の酸化
   物系単結晶基板の鏡面同志を金属アルコキシドからなる
   接合剤層を介して密着し、その後熱処理により、前記第
   １および第２の酸化物系単結晶基板の接合面に酸化物層
   を形成し、この酸化物層を介して前記第１および第２の
   酸化物系単結晶基板を接合することを特徴とする請求項
   ４記載の圧力検出器の製造方法。
7. （７）前記第１および第２の酸化物系単結晶基板はサフ
   ァイア、スピネル、あるいはマグネシアであることを特
   徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の圧力検出
   器の製造方法。