JPH0368150A - 塊状バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方法 - Google Patents
塊状バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方法Info
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- JPH0368150A JPH0368150A JP20412489A JP20412489A JPH0368150A JP H0368150 A JPH0368150 A JP H0368150A JP 20412489 A JP20412489 A JP 20412489A JP 20412489 A JP20412489 A JP 20412489A JP H0368150 A JPH0368150 A JP H0368150A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、超薄型高密度集積回路素子用半導体チップの
ワイヤレスボンディングに係り、フィルムキャリア側に
チソ1ボンディング用のバングを金m等で形成するよう
にした塊状バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方
法に関する。
ワイヤレスボンディングに係り、フィルムキャリア側に
チソ1ボンディング用のバングを金m等で形成するよう
にした塊状バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方
法に関する。
[従来の技術]
一般にICやLSI等を製造する場合、半導体チップを
リードフレームのグイパッドに接着した後、該チップの
各電極とリードフレームのアウターリード間を、極細の
純金線等ボンディング用のワイヤーにより1本づつボン
ディングするワイヤボンディングが周知である。
リードフレームのグイパッドに接着した後、該チップの
各電極とリードフレームのアウターリード間を、極細の
純金線等ボンディング用のワイヤーにより1本づつボン
ディングするワイヤボンディングが周知である。
しかし乍ら、超高密度集積化されたLSI等の場合、ア
ウターリードに対応するピン数は数百に及ぶ為、各ビン
間距離が数十ミクロンの間隔で接近しており、上記ワイ
ヤーボンディングでは製造工程や品質上限界が出てくる
。
ウターリードに対応するピン数は数百に及ぶ為、各ビン
間距離が数十ミクロンの間隔で接近しており、上記ワイ
ヤーボンディングでは製造工程や品質上限界が出てくる
。
このようなことから昨今では、該半導体チップの各電極
を直接インナーリードに熱圧着するテープ オートメイ
テッド・ボンディング(TAB)方式が多用されている
。
を直接インナーリードに熱圧着するテープ オートメイ
テッド・ボンディング(TAB)方式が多用されている
。
在来のTABは、ポリイミド樹脂、ボエステル樹脂、ガ
ラスエポキシ樹脂等で成形された厚さ125μ程の長尺
のテープフィルムに、厚さ35μ程の銅箔を積層形成し
てあって、これにフィルム送り用のスプロケットと噛合
するパーフォレーションやデイバイスポールを穿設し、
又、フォトレジスト及びエツチングにより所定の回路パ
ターンやインナーリード等を写真フィルムと同様に多数
の駒として連設状態で形成し、更に該各リード部分に無
電解錯メソキ成るいは電解金メッキ処理したフィルムキ
ャリアを使用するものである。
ラスエポキシ樹脂等で成形された厚さ125μ程の長尺
のテープフィルムに、厚さ35μ程の銅箔を積層形成し
てあって、これにフィルム送り用のスプロケットと噛合
するパーフォレーションやデイバイスポールを穿設し、
又、フォトレジスト及びエツチングにより所定の回路パ
ターンやインナーリード等を写真フィルムと同様に多数
の駒として連設状態で形成し、更に該各リード部分に無
電解錯メソキ成るいは電解金メッキ処理したフィルムキ
ャリアを使用するものである。
又、半導木チップは、拡散済みウェハのパッド部分に熱
圧着用の突起(バンプ)を形成してあって、該チップの
裏面に所定の金属でバリヤ層(バリヤメタル〉を形成し
、且つその上に金や錫等の金属で所定サイズのバンプを
形成し、これを上記各リードに熱圧着してチップ電極と
外部回路とをワイヤレスボンディング接続するものであ
る。
圧着用の突起(バンプ)を形成してあって、該チップの
裏面に所定の金属でバリヤ層(バリヤメタル〉を形成し
、且つその上に金や錫等の金属で所定サイズのバンプを
形成し、これを上記各リードに熱圧着してチップ電極と
外部回路とをワイヤレスボンディング接続するものであ
る。
このTAB方式の在来例は、半導体チップ側にボンディ
ング用の突起(バンプ)を金や錫等で形成する為5拡散
済みウェハに金g膜形成工程〜フオトリソ工程〜ストラ
イク処理工程〜メッキ工程〜レジスト除去工程〜フォト
リソ工程〜フオトリソ工程〜エッチング工程〜レジスト
除去工程〜アニール工程等を必要とし、且つこのように
して得られたバンプ付きウェハを1枚づつネストプレー
トにワックスで貼着〜ダイシングしてチップ化した後、
前記ボンディングを行うものである。
ング用の突起(バンプ)を金や錫等で形成する為5拡散
済みウェハに金g膜形成工程〜フオトリソ工程〜ストラ
イク処理工程〜メッキ工程〜レジスト除去工程〜フォト
リソ工程〜フオトリソ工程〜エッチング工程〜レジスト
除去工程〜アニール工程等を必要とし、且つこのように
して得られたバンプ付きウェハを1枚づつネストプレー
トにワックスで貼着〜ダイシングしてチップ化した後、
前記ボンディングを行うものである。
従って、製造工程がかなり複雑であり、又、小片チップ
の各電極上に微小なバンプを多数精密にメッキ析出させ
ることが難しく、必然的に生産コストが嵩み特殊用途向
けにしかならない。
の各電極上に微小なバンプを多数精密にメッキ析出させ
ることが難しく、必然的に生産コストが嵩み特殊用途向
けにしかならない。
このようなことから、昨今ではフィルムキャリアのイン
ナーリード側に金等の金属で厚みが10〜30μのバン
プを形成する手段が汎用化されつつあり、以下の方法が
周知である。
ナーリード側に金等の金属で厚みが10〜30μのバン
プを形成する手段が汎用化されつつあり、以下の方法が
周知である。
まず第1例は、インナーリード端にフォトエンチング加
工し、そこに噴射メッキ処理でインナーリド表面より若
干盛り上がったメサ状のバンプを形成する方法である。
工し、そこに噴射メッキ処理でインナーリド表面より若
干盛り上がったメサ状のバンプを形成する方法である。
第2例は転写バンプ方式であって、ガラス基板にマスク
を使用して一旦所定数の金バンプのみをメッキで析出形
威し、次にこれを前記フィルムキャリアのインナーリー
ド側に熱圧着して該バンプをそこに転写する方法である
。
を使用して一旦所定数の金バンプのみをメッキで析出形
威し、次にこれを前記フィルムキャリアのインナーリー
ド側に熱圧着して該バンプをそこに転写する方法である
。
[発明が解決しようとする課題〕
而で、上記第11vlは、従来の部分メッキ手段により
インナーリード先端に微小メンキ部を形成する為、メサ
状のバンプとは言え実際にはメッキ析出層は薄く、しか
も形状が不整形なためメッキ厚みのバラツキが生じ、そ
のままではチップとのボンディングに支障が出てくるこ
とから、後加工で該バンプ表面の整形処理を必要とする
。
インナーリード先端に微小メンキ部を形成する為、メサ
状のバンプとは言え実際にはメッキ析出層は薄く、しか
も形状が不整形なためメッキ厚みのバラツキが生じ、そ
のままではチップとのボンディングに支障が出てくるこ
とから、後加工で該バンプ表面の整形処理を必要とする
。
一方策2[1Nの手段によれば、ガラス基板にバンプを
形成する時と、該バンプをフィルムキャリアに転写する
時の2回、精密な位置合わせが必要であるため工程が面
倒なこと、越冬ビン構造の半導体チップの場合は実装が
難しいことが指摘されている。
形成する時と、該バンプをフィルムキャリアに転写する
時の2回、精密な位置合わせが必要であるため工程が面
倒なこと、越冬ビン構造の半導体チップの場合は実装が
難しいことが指摘されている。
これは以下の理由による。
まず、ガラス基板にバンプを形成すると、その時点では
先鋭メサ状のバンプとなるが、それをフィルムキャリア
側に熱転写した時には上下が反転した状態になる。
先鋭メサ状のバンプとなるが、それをフィルムキャリア
側に熱転写した時には上下が反転した状態になる。
即ち、上記先鋭部分がインナーリードの表面に貼着し、
それより広い面積の底面が上向き(逆テーパー状)にな
って、バンプ頂部の直径が底部のそれより大となり且つ
インナーリードの幅員よりも大きくなるため、リード間
隔を極ti11m化できず越冬ビン構造チップ用には不
向きである。
それより広い面積の底面が上向き(逆テーパー状)にな
って、バンプ頂部の直径が底部のそれより大となり且つ
インナーリードの幅員よりも大きくなるため、リード間
隔を極ti11m化できず越冬ビン構造チップ用には不
向きである。
その上、バンプの頂部が広く且つフラットであるから、
チップとのボンディングに際して、該バンプの頂部表面
が加熱及び加圧力により変形しにくい(ボンディングし
にくい〉状態であり、又、バンプの頂部表面が押圧力で
崩れ乍らチップ電極と接合するが、この時バンプ内部の
新鮮な金属面(新生面)が次々と露出してこないので接
合能力が低下する等が原因である。
チップとのボンディングに際して、該バンプの頂部表面
が加熱及び加圧力により変形しにくい(ボンディングし
にくい〉状態であり、又、バンプの頂部表面が押圧力で
崩れ乍らチップ電極と接合するが、この時バンプ内部の
新鮮な金属面(新生面)が次々と露出してこないので接
合能力が低下する等が原因である。
次に、上記公知例を含む従来のフィルムキャリアのボン
ディングについて説明する。
ディングについて説明する。
−aにバンプ付きフィルムキャリアは、インナーリード
にのみバンプを形成しであるから、まず最初にインナー
リードボンディング(ILB)でチップを接合し、その
後、別工程でアウターリードボンディング(OLB)を
行い外部回路基板電極との接合をしていた。
にのみバンプを形成しであるから、まず最初にインナー
リードボンディング(ILB)でチップを接合し、その
後、別工程でアウターリードボンディング(OLB)を
行い外部回路基板電極との接合をしていた。
このOLHの場合は前記チップの接合と異なって、接合
部の表面処理材は錫等の金属を使用し、メッキ処理厚み
も前記バンプと比較すると相当薄い(2〜3μ)もので
あるから、ILBとは全く別異の接合機能が要求される
ものである。
部の表面処理材は錫等の金属を使用し、メッキ処理厚み
も前記バンプと比較すると相当薄い(2〜3μ)もので
あるから、ILBとは全く別異の接合機能が要求される
ものである。
つまり従来は、同一のフィルムキャリアに対してILB
とOLBを別々の工程で処理せざるを得ず、製造コスト
が嵩む原因の1つであった。
とOLBを別々の工程で処理せざるを得ず、製造コスト
が嵩む原因の1つであった。
更に、バンプ形成手段に関しても次のような問題点があ
った。
った。
まず、前記第1及び第2公知例ともバンプ形状に際して
、メッキ析出速度が1μ≠ るから1駒分のバンプを形状するのには、かなりの時間
がかかり生産性が頗る悪い。
、メッキ析出速度が1μ≠ るから1駒分のバンプを形状するのには、かなりの時間
がかかり生産性が頗る悪い。
又、メッキにより析出した金属の硬度は、周知のように
本来その金属が有する硬度よりかなり高いものであるか
ら、半導体チップとの接合に際してチップ側の電極部を
破壊する危険性があった。
本来その金属が有する硬度よりかなり高いものであるか
ら、半導体チップとの接合に際してチップ側の電極部を
破壊する危険性があった。
更に、メッキでバンプを形威する際、ワークのインナー
リード巾等の形成寸法公差等によるメッキ面積のバラツ
キから、メッキ電流計測でメッキ時間制御方式を採用し
てもメッキ厚を充分な精度内に押さえることは難しく、
特に、ピン数が多いほど困難である。
リード巾等の形成寸法公差等によるメッキ面積のバラツ
キから、メッキ電流計測でメッキ時間制御方式を採用し
てもメッキ厚を充分な精度内に押さえることは難しく、
特に、ピン数が多いほど困難である。
[課題を解決するための手段]
本発明は叙上の問題点に鑑み戊されたものであり、半導
体チップ実装用のリードフレームやフィルムキャリアの
リード先端又は、プリント基板等の回路上に直接バンプ
を形成する方法であって。
体チップ実装用のリードフレームやフィルムキャリアの
リード先端又は、プリント基板等の回路上に直接バンプ
を形成する方法であって。
該バンプを精密な位置に形威し、且つ高品位なものが得
られるようにし、越冬ビンの半導体チップも高効率で実
装可能とした塊状バンプ付フィルムキャリア及びその製
造方法の提供を目的とする物である。
られるようにし、越冬ビンの半導体チップも高効率で実
装可能とした塊状バンプ付フィルムキャリア及びその製
造方法の提供を目的とする物である。
上記目的を達成する手段として、例えば、ワイヤボンデ
ィング用の金線を、フィルムキャリアに形成された錫メ
ッキ付きインナーリードに跨架する状態で配置し、該イ
ンナーリードと金線とを共高結合させた陸、各インナー
リードの間に突出している金線のみを切断除去し、各イ
ンナーリードの先端に精密なバンプを形成せしめるよう
にしである。
ィング用の金線を、フィルムキャリアに形成された錫メ
ッキ付きインナーリードに跨架する状態で配置し、該イ
ンナーリードと金線とを共高結合させた陸、各インナー
リードの間に突出している金線のみを切断除去し、各イ
ンナーリードの先端に精密なバンプを形成せしめるよう
にしである。
又、インナーリード先端に形成されたバンプは、ボンデ
ィングに際してその表面から順次新生面が露出可能な形
態とし、且つインナーリードの幅員より小さいサイズと
して、越冬ビン構造の半導体チップ向けとしである。
ィングに際してその表面から順次新生面が露出可能な形
態とし、且つインナーリードの幅員より小さいサイズと
して、越冬ビン構造の半導体チップ向けとしである。
更に、上記インナーリードの先端には半導体チノブとの
ボンディング(ILB)用の主バンプを上記の如く形成
し、且つアウターリードの所定部には外部回路電極との
ボンディング(OLB)用の副バンプが、例えば、半田
線を用いて上記手段と同じ方法で形成しである。
ボンディング(ILB)用の主バンプを上記の如く形成
し、且つアウターリードの所定部には外部回路電極との
ボンディング(OLB)用の副バンプが、例えば、半田
線を用いて上記手段と同じ方法で形成しである。
[作用]
金属線を用いてバンプを形成する際に金属線とインナー
リード部等の接続は、外部から熱と圧力を加えることに
よる金と錫の共晶結合、又は、金と金との熱圧着によっ
て接合が達成され、且つ圧着に際し、圧力板の形状に応
じて金線を適当な断面形状にコイニングすることが可能
であるが、予め所定の断面形状に整形された金線を使用
して、上記手段による所望の断面形状のバンプが得られ
且つ、このバンプの形状は、その後の半導体チップとの
熱圧着時に、その接合の良否を決定する重要な要素とな
るから、所定のバンプ形状を得ることは重要である。
リード部等の接続は、外部から熱と圧力を加えることに
よる金と錫の共晶結合、又は、金と金との熱圧着によっ
て接合が達成され、且つ圧着に際し、圧力板の形状に応
じて金線を適当な断面形状にコイニングすることが可能
であるが、予め所定の断面形状に整形された金線を使用
して、上記手段による所望の断面形状のバンプが得られ
且つ、このバンプの形状は、その後の半導体チップとの
熱圧着時に、その接合の良否を決定する重要な要素とな
るから、所定のバンプ形状を得ることは重要である。
又、上記金線とインナーリードとの接合後、インナーリ
ード間に出ている余分な部分を、ワイヤーカットや、高
速回転する薄いブレードによって機械的に切断するか、
レーザー光線により金線を溶融切断することで、所定個
所にのみにバンプを形成させることができる上、バンプ
をインナーリードの幅員より小とすることや、ILBに
際してバンプの接合面に新生面が形成され易い形状にす
ることも容易である。
ード間に出ている余分な部分を、ワイヤーカットや、高
速回転する薄いブレードによって機械的に切断するか、
レーザー光線により金線を溶融切断することで、所定個
所にのみにバンプを形成させることができる上、バンプ
をインナーリードの幅員より小とすることや、ILBに
際してバンプの接合面に新生面が形成され易い形状にす
ることも容易である。
更には、アウターリードにも錫やハンダ等の金線を用い
てOLB用の第2バンプ(副バンプ)を同様の方法で形
成することができる。
てOLB用の第2バンプ(副バンプ)を同様の方法で形
成することができる。
[実施rIA2
次に本発明の実施例について図面に基づき説明する。
第1[Jに図示のフィルムキャリア1は、例えばポリイ
ミドフィルム2に、銅箔で形成されたインナーリード3
を有し、且つ所定個所にデバイスホール4を形成した周
知のものである。
ミドフィルム2に、銅箔で形成されたインナーリード3
を有し、且つ所定個所にデバイスホール4を形成した周
知のものである。
このフィルムキャリア1は、その両側に穿設されている
パーフォレーション(図示せず)を利用して、別置のワ
ーク移送機構(図示せず)により定速度で順次駒送りさ
れ、且つ所定位置に上記デバイスホール4が静止される
ようにしである。
パーフォレーション(図示せず)を利用して、別置のワ
ーク移送機構(図示せず)により定速度で順次駒送りさ
れ、且つ所定位置に上記デバイスホール4が静止される
ようにしである。
他方、このデバイスホール4を挟んだ上下に渡ってワイ
ヤー供給機構5を配置しである。
ヤー供給機構5を配置しである。
該ワイヤー供給1[5は、デバイスホール4の下方にボ
ンディングワイヤー(金線〉6を順次繰り出すホルダー
7を配置し、ここから出てくるボンディングワイヤー6
を掴み所定長さだけ引っ張り出すためのチャック8を該
デバイスホール4の上方に配置してあり、チャツク8自
体は昇降動自在で且つ前記インナーリード3の上面を所
定角度範囲内だけ水平旋回動自在としである。
ンディングワイヤー(金線〉6を順次繰り出すホルダー
7を配置し、ここから出てくるボンディングワイヤー6
を掴み所定長さだけ引っ張り出すためのチャック8を該
デバイスホール4の上方に配置してあり、チャツク8自
体は昇降動自在で且つ前記インナーリード3の上面を所
定角度範囲内だけ水平旋回動自在としである。
又、このワイヤー供給機構5と並設して、平板状のプレ
ス!!横9を設けである。
ス!!横9を設けである。
これは、昇降動自在なヒーター内蔵のブレード10を前
記インナーリード3の真上に配置し、該ブレード10の
側辺に上記ホルダー7から繰り出される金線を切断する
ためのカッター11を突設しである。
記インナーリード3の真上に配置し、該ブレード10の
側辺に上記ホルダー7から繰り出される金線を切断する
ためのカッター11を突設しである。
又、インナーリード3の裏側に位置し、上記ブレード1
0と対抗する状態でヒーター内蔵のアンビル12を固定
してあり、該アンビル12と上記ブレード10は共に、
400〜600℃に加熱しておき、且つ両者が所定の加
圧力で押圧するようにしである。
0と対抗する状態でヒーター内蔵のアンビル12を固定
してあり、該アンビル12と上記ブレード10は共に、
400〜600℃に加熱しておき、且つ両者が所定の加
圧力で押圧するようにしである。
この池、後述の如く各インナーリード3の間に突出する
金線を切断するための切断機構が設けてあって、本第1
実施例ではワイヤーカット放電加工機を使用している。
金線を切断するための切断機構が設けてあって、本第1
実施例ではワイヤーカット放電加工機を使用している。
加工に際しては、予めフィルムキャリア1に絹をメッキ
処理し、ボンディングワイヤー6は、金線(汎用のワイ
ヤーボンディング用線材〉を使用する。
処理し、ボンディングワイヤー6は、金線(汎用のワイ
ヤーボンディング用線材〉を使用する。
先ず、フィルムキャリア1を所定速度で順送して、デバ
イスホール4がホルダー7の処に位置する状態で停止さ
せる。
イスホール4がホルダー7の処に位置する状態で停止さ
せる。
該ボルダ−7の先端からは、予めボンディングワイヤー
(金線)6を僅かに突出させておく。
(金線)6を僅かに突出させておく。
上記の状態下で、最初にチャック8が降下し、ボンディ
ングワイヤー6を挟持してから上昇し、−旦停止する。
ングワイヤー6を挟持してから上昇し、−旦停止する。
然る後、チャック8はボンディングワイヤー6挟持した
ままインナーリード3の上で水平に旋回運動(円弧運動
)をし、フィンガー3の端部で停止すると、デバイスホ
ール4と並列に揃う各インナ−リード3全部に渡ってボ
ンディングワイヤー6を張架した状態になる。く第2図
参照)次いで、第3図に図示の如く、ブレード10が降
下し、ボンディングワイヤー6をインナーリード3に押
しつけ裏面に位置するアンビル12と共にこれを所定圧
力で押圧する。
ままインナーリード3の上で水平に旋回運動(円弧運動
)をし、フィンガー3の端部で停止すると、デバイスホ
ール4と並列に揃う各インナ−リード3全部に渡ってボ
ンディングワイヤー6を張架した状態になる。く第2図
参照)次いで、第3図に図示の如く、ブレード10が降
下し、ボンディングワイヤー6をインナーリード3に押
しつけ裏面に位置するアンビル12と共にこれを所定圧
力で押圧する。
この加熱加圧力により、インナーリード3の表面の錫メ
ッキ層とボンディングワイヤー6の金とが共晶結合し、
確実に接合され且つブレード10の側辺のカフター11
により、デバイスホール4の処でボンディングワイヤー
6が切断される。
ッキ層とボンディングワイヤー6の金とが共晶結合し、
確実に接合され且つブレード10の側辺のカフター11
により、デバイスホール4の処でボンディングワイヤー
6が切断される。
又、フィルムキャリア1を金メッキ処理しておけば、同
種金属どうしの熱圧着による接合状態になる。
種金属どうしの熱圧着による接合状態になる。
このように、インナーリード3とボンディングワイヤー
6との接合する時、上記ブレード10位置決めやプレス
時のストローク、圧力等を適宜調整することにより、極
めて精密に加工できる。
6との接合する時、上記ブレード10位置決めやプレス
時のストローク、圧力等を適宜調整することにより、極
めて精密に加工できる。
叙上のように一連の接合処理が終了すると、第4図に図
示の如く、ブレード10が上昇する一方チャック8も元
の位置に戻る。
示の如く、ブレード10が上昇する一方チャック8も元
の位置に戻る。
次に、接合されたボンディングワイヤー6の分断処理に
ついて第5図以下に基づき説明する。
ついて第5図以下に基づき説明する。
第5図は、ボンディングワイヤー6をワイヤーカット放
電加工機で切断する場合であって、該加工機のワイヤー
13は周知のように極めて細いものを含め多数種あり、
且っプーリー14で緊張状態を保持させながら順送しつ
つ放電させるものである。
電加工機で切断する場合であって、該加工機のワイヤー
13は周知のように極めて細いものを含め多数種あり、
且っプーリー14で緊張状態を保持させながら順送しつ
つ放電させるものである。
このワイヤー13を前記インナーリード3の間隙に進入
させると、インナーリード3の間隙に突出している部分
のボンディングワイヤー〈金線〉6をアークで溶断し、
インナーリード3の上にのみボンディングワイヤー6が
残存し、塊状バンプ15が形成される。
させると、インナーリード3の間隙に突出している部分
のボンディングワイヤー〈金線〉6をアークで溶断し、
インナーリード3の上にのみボンディングワイヤー6が
残存し、塊状バンプ15が形成される。
又、切断に際して該インナーリード3には全く応力が作
用せず、インナーリード3の寸法や形状精度等を狂わす
ことがなく、且つ塊状バンプ15の仕上がり精度も高い
ので、チップ(図示せず)とのボンディング精度が著し
く向上する。
用せず、インナーリード3の寸法や形状精度等を狂わす
ことがなく、且つ塊状バンプ15の仕上がり精度も高い
ので、チップ(図示せず)とのボンディング精度が著し
く向上する。
次の第6図の実施例は、薄いwIwl等を高速回転させ
てボンディングワイヤー6を切断する方法を示す。
てボンディングワイヤー6を切断する方法を示す。
電動又は、エアーにより高速回転するシャフト21に、
銅箔を円板状に形成させた銅箔カッター22を固定する
。
銅箔を円板状に形成させた銅箔カッター22を固定する
。
インナーリード3の間隙に突出しているボンディングワ
イヤー6を切断する場合、銅箔カッター22を高速回転
させると、本来柔らがく薄い銅箔カフター22が遠心力
によって剛体化し、鋭いカッターとしての1受目をする
。
イヤー6を切断する場合、銅箔カッター22を高速回転
させると、本来柔らがく薄い銅箔カフター22が遠心力
によって剛体化し、鋭いカッターとしての1受目をする
。
従って、高速回転させ乍ら前記インナーリード3の間隙
に進入させることで分断処理ができる。
に進入させることで分断処理ができる。
本実施例の場合、銅箔カッター22の外周断面形状に応
じて切断形状が決定できる特徴がある。
じて切断形状が決定できる特徴がある。
次の第7図に図示の実施例は、レーザー光線によるボン
ディングワイヤー6の分断方法である。
ディングワイヤー6の分断方法である。
炭酸ガスレーザー発振器31から出力されるレーザー光
線32を、光学系プリズムレンズ33を介して前記イン
ナーリード3の間隙に照射させるようにし、又、インナ
ーリード3を検出するセンサー34からの検出信号によ
り該炭酸ガスレーザー発振器31を制御するようにしで
ある。
線32を、光学系プリズムレンズ33を介して前記イン
ナーリード3の間隙に照射させるようにし、又、インナ
ーリード3を検出するセンサー34からの検出信号によ
り該炭酸ガスレーザー発振器31を制御するようにしで
ある。
尚、ギンディングワイヤー(金線〉6は、予めその表面
の光反射を低下させ、且つレーザー光線吸収率を向上さ
せるために、化学的エツチング、又は金めつき等で、そ
の表面を粗面にしておくことが必要である。
の光反射を低下させ、且つレーザー光線吸収率を向上さ
せるために、化学的エツチング、又は金めつき等で、そ
の表面を粗面にしておくことが必要である。
前記したようにインナーリード3に接合されたボンディ
ングワイヤー6を分断する時は、上記炭酸ガスレーザー
発振器31とセンサー34と光学系プリズムレンズ33
を、図中左方へ一定速度で掃引する。
ングワイヤー6を分断する時は、上記炭酸ガスレーザー
発振器31とセンサー34と光学系プリズムレンズ33
を、図中左方へ一定速度で掃引する。
該センサー34がインナーリード3を検出しない時のみ
炭酸ガスレーザー発振器31からレーザー光線を出力し
、インナーリード3の間隙に突出したボンディングワイ
ヤー6を;客間する。
炭酸ガスレーザー発振器31からレーザー光線を出力し
、インナーリード3の間隙に突出したボンディングワイ
ヤー6を;客間する。
以上のような各手段により、インナーリード3の間隙に
出ている余剰のボンディングワイヤー6を分断除去する
ことで、各インナーリード3の先端に塊状のボンディン
グワイヤー、即ち、塊状バンプ15が形成されるが、前
記したように、このバンプはそれ自体がボンディングワ
イヤー(金線〉であるため、メッキによる析出金属より
も硬度が低くボンデインクに好適である。
出ている余剰のボンディングワイヤー6を分断除去する
ことで、各インナーリード3の先端に塊状のボンディン
グワイヤー、即ち、塊状バンプ15が形成されるが、前
記したように、このバンプはそれ自体がボンディングワ
イヤー(金線〉であるため、メッキによる析出金属より
も硬度が低くボンデインクに好適である。
又、上記の如く形成されたバンプは、その断面形状が所
謂る蒲鉾形になり、チップとのボンディングに際して頂
部から順次崩れ易く、常に新生面が露呈するので確実な
ボンディングが可能であるが、より確実性を持たせるた
めに該断面形状を所望の形態にすることができる。
謂る蒲鉾形になり、チップとのボンディングに際して頂
部から順次崩れ易く、常に新生面が露呈するので確実な
ボンディングが可能であるが、より確実性を持たせるた
めに該断面形状を所望の形態にすることができる。
この場合第8図に図示のように、前記インナーリード3
の上を張架するボンディングワイヤー6を、予め任意の
断面形状、例えば断面長円形や台形算にコイニングして
おき、これを共晶結合又は熱圧着させた陸、上記のよう
にボンディングワイヤー6を分断して、第9図のように
各インナーリード3の端部に塊状バンプ41が形状でき
る。
の上を張架するボンディングワイヤー6を、予め任意の
断面形状、例えば断面長円形や台形算にコイニングして
おき、これを共晶結合又は熱圧着させた陸、上記のよう
にボンディングワイヤー6を分断して、第9図のように
各インナーリード3の端部に塊状バンプ41が形状でき
る。
この結果、チップとのボンディングに最適の形状及び硬
度のものが高精度で得られる。
度のものが高精度で得られる。
上記実施例は、インナーリード3に塊状バンプ15を形
成する場合のみであるが、アウターリードにも同様に専
用のバンプを形状できる。
成する場合のみであるが、アウターリードにも同様に専
用のバンプを形状できる。
この場合、フィルムキャリア1自体は、前記とと同様に
金又は、錫メンキ処理する。
金又は、錫メンキ処理する。
チップとボンディングするためのバンプ(以下主バンプ
という)は、上記各実施例によりフィルムキャリア1の
インナーリード3に金線で塊状の主バンプを熱圧着又は
、共晶結合で形成する。
という)は、上記各実施例によりフィルムキャリア1の
インナーリード3に金線で塊状の主バンプを熱圧着又は
、共晶結合で形成する。
他方、同フィルムキャリア1のアウターリード(図示せ
ず)は、外部回路とのボンディングに適した卑金属を利
用するもので、例えばハンダ線を上記主バンプと同様の
手段によりアウターリード端部に共晶結合し、次いで各
アウターリードの間隙から突出している部分を分断除去
し、ハンダ製の塊状の副バンプを形成する。
ず)は、外部回路とのボンディングに適した卑金属を利
用するもので、例えばハンダ線を上記主バンプと同様の
手段によりアウターリード端部に共晶結合し、次いで各
アウターリードの間隙から突出している部分を分断除去
し、ハンダ製の塊状の副バンプを形成する。
このように、従来のフィルムキャリアをそのまま利用し
、同じくワイヤーボンディング用の金線やハンダ線を利
用して、チップボンディングに最適な主バンプと、外部
回路とのボンディングに最適な副バンプを各々同一フィ
ルムキャリアに形成できる。
、同じくワイヤーボンディング用の金線やハンダ線を利
用して、チップボンディングに最適な主バンプと、外部
回路とのボンディングに最適な副バンプを各々同一フィ
ルムキャリアに形成できる。
[発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、次のような効果が
ある。
ある。
■、フィルムキャリアのインナーリードにバンプを共晶
結合又は熱圧着させる際、ブレードのプレス化を決める
ことで、極めて精度よく達成することが可能である。
結合又は熱圧着させる際、ブレードのプレス化を決める
ことで、極めて精度よく達成することが可能である。
■、バンプの素材として、IC用ワイヤーボンディング
に用いられている材料を使用することが出来るから、バ
ンプ向けには極めて理想的な純度と硬度を有するものが
、yIF、価に製造することが可能である。
に用いられている材料を使用することが出来るから、バ
ンプ向けには極めて理想的な純度と硬度を有するものが
、yIF、価に製造することが可能である。
■、フィルムキャリアのアウターリード用バングのIN
に汎用品である半田ワイヤー等を利用し且つインナーリ
ードと同様な方法で、極めて簡単にバンプを形成するこ
とが出来る。
に汎用品である半田ワイヤー等を利用し且つインナーリ
ードと同様な方法で、極めて簡単にバンプを形成するこ
とが出来る。
■、チップボンディング用の主バンプ(金)と外部回路
ボンディング用の副バンプ(卑金属)の両方を、同一の
フィルムキャリアに形成できるので、極めて実用性が高
い。
ボンディング用の副バンプ(卑金属)の両方を、同一の
フィルムキャリアに形成できるので、極めて実用性が高
い。
■、フィルムキャリアへのバンプ形成方法が従来の公知
手段に比較し、大巾に合理化され、且つ精密に出来る上
、歩留まりが数段と向上できるから、高品位の製品が極
めて廉価に提供できる。
手段に比較し、大巾に合理化され、且つ精密に出来る上
、歩留まりが数段と向上できるから、高品位の製品が極
めて廉価に提供できる。
各国は本発明の実施例に係るもので、第1図はワークで
あるフィルムキャリアをセットした状態を示す要部斜視
図、第2図はボンディングワイヤーを引き出した状態を
示す要部斜視図、第3図は該ボンディングワイヤーをフ
ィルムキャリアに接合した状態を示す要部斜視図、第4
図はこの接合が終了した状態の要部斜視図、第5図から
第7図はインナーリードの間隙に突出している部分を分
断する状態を示すもので、第5図はワイヤーカット放電
加工による例を示す要部斜視図、第6図はfA箔円盤の
高速回転による例を示す要部斜視図、第7図はレーザー
光線による分IT例を示す要部斜視図、第8図は予めコ
イニングされたボンディングワイヤーを使用した例を示
す要部斜視図、第9図は同上のボンディングワイヤーで
形成されたバンプを示す要部斜視図である。 1 フィルムキャリア 3 インナーリード 4 デバイスホール 5 ワイヤー供給機構 6 ボンディングワイヤー 7 ホルダー 8 チャック 9 ブレス機構 10□ブレード 11□カツター 12□アンビル 13□ワイヤーカツ 15□バンプ 22−銅箔円盤 31−炭酸ガスレーザ発振器 ト放電加工機のワイヤー
あるフィルムキャリアをセットした状態を示す要部斜視
図、第2図はボンディングワイヤーを引き出した状態を
示す要部斜視図、第3図は該ボンディングワイヤーをフ
ィルムキャリアに接合した状態を示す要部斜視図、第4
図はこの接合が終了した状態の要部斜視図、第5図から
第7図はインナーリードの間隙に突出している部分を分
断する状態を示すもので、第5図はワイヤーカット放電
加工による例を示す要部斜視図、第6図はfA箔円盤の
高速回転による例を示す要部斜視図、第7図はレーザー
光線による分IT例を示す要部斜視図、第8図は予めコ
イニングされたボンディングワイヤーを使用した例を示
す要部斜視図、第9図は同上のボンディングワイヤーで
形成されたバンプを示す要部斜視図である。 1 フィルムキャリア 3 インナーリード 4 デバイスホール 5 ワイヤー供給機構 6 ボンディングワイヤー 7 ホルダー 8 チャック 9 ブレス機構 10□ブレード 11□カツター 12□アンビル 13□ワイヤーカツ 15□バンプ 22−銅箔円盤 31−炭酸ガスレーザ発振器 ト放電加工機のワイヤー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体チップをボンディングするのに適した素材に
より断面を任意形状に形成した塊状のバンプ本体を、合
成樹脂製フィルムキャリア本体のインナーリード各先端
に、共晶結合又は熱圧着で接合して成る塊状バンプ付き
フィルムキャリア。 2、塊状のバンプ本体を、断面が任意形状にコイニング
された金線で形成した請求項1記載の塊状バンプ付きフ
ィルムキャリア。 3、半導体チップをボンディングするのに適した素材に
より断面を任意形状に形成した塊状のバンプ本体を、合
成樹脂製フィルムキャリア本体のインナーリード各先端
に、共晶結合又は熱圧着で接合し、且つ同フィルムキャ
リア本体のアウターリード各先端には、外部回路電極と
のボンディングに適した素材により断面を任意形状に形
成した塊状の副バンプ本体を、共晶結合又は熱圧着で接
合して成る塊状バンプ付きフィルムキャリア。 4、塊状の副バンプ本体を、断面が任意形状にコイニン
グされた錫又は半田等の卑金属線で形成した請求項3記
載の塊状バンプ付きフィルムキャ リア。 5、フィルムキャリア本体の各インナーリードに錫メッ
キ処理し、断面が任意の形状に成形された金線等のボン
ディングワイヤーを複数のインナーリードに跨って張架
し、両者を所定押圧力で圧接してボンディングワイヤー
とインナリードを共晶結合せしめ、次いでインナーリー
ドの各間隙に突出しているボンディングワイヤーを切断
除去して、各インナーリード端に塊状のボンディングワ
イヤーを残存させ、これをバンプとする塊状バン プ付
きフィルムキャリアの製造方法。 6、フィルムキャリア本体の各インナーリードを金メッ
キ処理し、金線をボンディングワイヤーとし、両者を熱
圧着するようにした請求項5に記載塊状バンプ付きフィ
ルムキャリアの製造方法。 7、各インナーリードの間隙から突出しているボンディ
ングワイヤーを、ワイヤーカット放電加工により分断す
るようにした請求項5又は6記載の塊状バンプ付きフィ
ルムキャリアの製造方法。 8、各インナーリードの間隙から突出しているボンディ
ングワイヤーを、高速回転する金属箔板状のカッターに
より分断するようにした請求項5又は6記載の塊状バン
プ付きフィルムキャリアの製造方法。 9、各インナーリードの間隙から突出しているボンディ
ングワイヤーを、レーザー光線により分断するようにし
た請求項5又は6記載の塊状バンプ付きフィルムキャリ
アの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20412489A JPH0368150A (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | 塊状バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20412489A JPH0368150A (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | 塊状バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0368150A true JPH0368150A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16485221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20412489A Pending JPH0368150A (ja) | 1989-08-07 | 1989-08-07 | 塊状バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0368150A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52152147A (en) * | 1976-06-14 | 1977-12-17 | Torio Kk | Monostable multivibrator |
JPS60194543A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | Hitachi Ltd | バンプ電極形成方法 |
-
1989
- 1989-08-07 JP JP20412489A patent/JPH0368150A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52152147A (en) * | 1976-06-14 | 1977-12-17 | Torio Kk | Monostable multivibrator |
JPS60194543A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-03 | Hitachi Ltd | バンプ電極形成方法 |
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