JPH0365630B2 - - Google Patents

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JPH0365630B2
JPH0365630B2 JP9739485A JP9739485A JPH0365630B2 JP H0365630 B2 JPH0365630 B2 JP H0365630B2 JP 9739485 A JP9739485 A JP 9739485A JP 9739485 A JP9739485 A JP 9739485A JP H0365630 B2 JPH0365630 B2 JP H0365630B2
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plating
connector
alloy
plating layer
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JP9739485A
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JPS61256579A (ja
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Description

【発明の詳細な説明】
<産業上の利用分野> 本発明は電気、電子機器に用いられるSn又は
Sn合金を被覆したリン青銅からなるコネクター
の改良に関するものである。 <従来の技術> 最近電気、電子機器では組立てや補修の簡素化
を図るため、回路をブロツク化し、これを相互に
組合せて接続している。このようなブロツク相互
の接続には、AuやRhなどの貴金属をメツキした
ばね用銅合金を加工成形したコネクターが用いら
れている。しかしこれ等コネクターは高価な貴金
属を使用するためコストアツプとなり、特にAu
メツキを施したものは端部から硫化物のクリープ
現象を起し、接点障害を起すことが知られてい
る。 これに対し安価なSnやSu合金、例えば半田は
長期間安定した接続性を有し、信頼性も高いとこ
ろから、ばね特性の優れた比較的安価なリン青
銅、例えばP0.1〜0.15wt%(以下wt%を%と略
記)、Sn3〜8%、残部Cuからなるコネクター母
材にSn又はSn合金をメツキしたものが民生機器
に広く用いられる。 <発明が解決しようとする問題点> コネクターは使用中に導体抵抗や接触抵抗によ
り高温になる場合があり、リン青銅からなるコネ
クター母材にSn又はSn合金をメツキしたコネク
ターでは高温になると、メツキ層のSnと母材の
Cuとの間で拡散反応を起し、メツキ層と母材間
の母材近傍にPが富化した脆い合金相を生じ、使
用中にメツキ層が剥離して接触不良を起す欠点が
あつた。 これを防止するのに、母材とSn又はSn合金メ
ツキ層間にCuメツキ層を介在させる方法が知ら
れているが、有効に防止するには数μm以上の厚
さに形成する必要があり、これが製造工程の増大
とコストアツプの要因となつている。またCuメ
ツキに代えてNiメツキを施すことにより、上記
拡散を防止する方法も試みられているが、Niメ
ツキのような硬質Niは加工変形時に割れを起し
たり、バネ特性を微妙に変化させるなどの有害作
用がある。 <問題点を解決するための手段> 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、リン青銅
のP含有量を制限することにより上記Pの富化を
低減し得ることを知見し、更に検討の結果、Cu
等の下地メツキを必要とせず、長期間安定した接
触抵抗を示すコネクターを開発したもので、
P0.01〜0.08%、Sn3〜8%、残部Cuと不可避的
不純物からなるコネクター母材の少なくとも接点
部に、Sn又はSn合金を直接被覆したことを特徴
とするものである。 <作用> 本発明においてコネクター母材であるリン青銅
のP含有量を0.01〜0.08%と限定したのは、含有
量が0.01%未満ではコネクターとしての強度及び
ばね特性が不十分となり、0.08%を越えるとSn又
はSn合金メツキの密着性を低下するばかりか、
使用中の高温下におけるPの富化が無視できず、
使用中にSn又はSn合金メツキ層の剥離を起す恐
れが生ずるためで、P含有量が0.03〜0.08%のリ
ン青銅を用いることが望ましい。またSn含有量
を3〜8%と限定したのは従来同様十分な強度と
ばね特性を得るためで、含有量が3%未満では強
度及びばね特性が不十分となり、8%を越えると
δ相を生じて加工性が著しく劣化するためであ
る。 実施例 1 第1表に示す組成のリン青銅を溶解鋳造し、鋳
塊を面削後、焼鈍、圧延を繰返し、最終加工率60
%の厚さ0.45mmの条に仕上げた。これをカソード
脱脂、酸洗後、Snを2μmの厚さにメツキし、成
型して本発明コネクターを得た。 尚比較のため第1表に示すP含有量の多い組成
のリン青銅について、同様にして厚さ0.45mmの条
に仕上げ、これをカソード脱脂酸洗後、一部の条
についてSnメツキ前にCuの下地メツキを施し、
これを成型して比較用コネクターを得た。各メツ
キ条件は次の通りである。 (1) カソード脱脂 J.M.F製クリーナー#160 60g/ 浴 温 60℃ 電流密度・処理時間 2.5A/dm2×1〓 (2) 酸洗(浸漬) H2SO4 100g/ H2O2 30g/ 添加剤 1vol% 浴 温 20℃ (3) Snメツキ H2SO4 100g/ SnSO4 40g/ 添加剤 石原製薬製 UTB 514H 10c.c./ No2 10c.c./ No3 0.5c.c./ ホルマリン 2c.c./ 浴 温 20℃ 電流密度 5A/dm2 (4) Cuメツキ H2SO4 60g/ CuSO4 240g/ 添加剤 日本シエーリング社製 カパラシド
MK 5c.c./ 〃 A 0.5c.c./ NaCl 200mg/ 浴 温 50℃ 電流密度 3.0A/dm2 上記コネクターを用いて8芯のコネクターを形
成し、プリント板のSnメツキ端子に挿入し、劣
化試験(無負荷で大気中110℃の温度に1000時間
保持)した後、接触抵抗とSnメツキ層の剥離を
観察した。その結果を第1表に併記した。
【表】
【表】 第1表から明らかなように本発明コネクターは
Cuの厚い下地メツキを施したものと同様にSnメ
ツキ層の剥離がなく安定した特性が得られること
が判る。これに対しP含有量が多く、Cuの下地
メツキを施さない比較コネクターNo.6ではSnメ
ツキ層が剥離し、接触抵抗も著しく増加すること
が判る。 実施例 2 第1表中本発明コネクターNo.1,3,4及び比
較用コネクターNo.6,7,9,10を用いて実施例
1と同様の8芯コネクターを形成し、プリント板
のSnメツキ端子に挿入し、室温で各芯に5Aの交
流電流を負荷として1000時間通電試験した後、接
触抵抗とSnメツキ層の剥離を観察した。その結
果を第2表に示す。
【表】 第2表から明らかなように実際の通電試験にお
いても、本発明コネクターはCuの厚い下地メツ
キを施したものと同様、Snメツキ層の剥離がな
く、安定した特性が得られることが判る。これに
対しP含有量が多く、Cuの下地メツキを施さな
い比較用コネクターNo.6ではSnメツキ層が剥離
し、特性も著しく劣化することが判る。 以上実施例ではスズメツキとしたが、本発明は
これに限定されることなく、リフロースズメツキ
や半田等のスズ合金メツキでも同様の効果を示す
ことは明らかである。 <発明の効果> このように本発明によれば、下地Cuメツキを
施すことなく、直接Snメツキを施すも、長期間
安定した接触抵抗を示し、しかも製造工程を簡素
化し、コストダウンを可能にする等工業上顕著な
効果を奏するものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 P0.01〜0.08wt%、Sn3〜8wt%、残部Cuと
    不可避的不純物からなるコネクター母材の少なく
    とも接合部に、Sn又はSn合金を直接被覆したこ
    とを特徴とするコネクター。
JP9739485A 1985-05-08 1985-05-08 コネクタ− Granted JPS61256579A (ja)

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JP9739485A JPS61256579A (ja) 1985-05-08 1985-05-08 コネクタ−

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JP9739485A JPS61256579A (ja) 1985-05-08 1985-05-08 コネクタ−

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JPS61256579A JPS61256579A (ja) 1986-11-14
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0830231B2 (ja) * 1987-07-16 1996-03-27 古河電気工業株式会社 耐屈曲ケ−ブル導体
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JP4461269B2 (ja) * 2004-09-15 2010-05-12 Dowaメタルテック株式会社 導電性を改善した銅合金およびその製造法

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JPS61256579A (ja) 1986-11-14

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