JPH0364062B2

JPH0364062B2 -

Info

Publication number: JPH0364062B2
Application number: JP59082606A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; Masahiro Kanai; Tetsuo Sueda; Teruo Misumi; Yoshio Tsuezuki; Kyosuke Ogawa
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-04-24
Filing date: 1984-04-24
Publication date: 1991-10-03
Also published as: JPS60225854A

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可
視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電
磁波に感受性のある光受容部材に関する。さらに
詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。〔従来の技術〕デジタル画像情報を画像として記録する方法と
してデジタル画像情報に応じて変調したレーザー
光で光受容部材を光学的に走査することにより静
電潜像を形成し、次いで該潜像を現像、必要に応
じて転写、定着などの処理を行ない、画像を記録
する方法がよく知られている。中でも電子写真法
を使用した画像形成法では、レーザーとしては小
型で安価なHe−Neレーザーあるいは半導体レー
ザー（通常は650〜820nmの発光波長を有する）
で像記録を行なうことが一般である。特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電
子写真用の光受容部材としては、その光感度領域
の整合性が他の種類の光受容部材と比べて格段に
優れている点に加えて、ビツカース硬度が高く、
社会的には無公害である点で、例えば特開昭54−
86341号公報や特開昭56−83746号公報に開示され
ているシリコン原子を含む非晶質材料（以後「Ａ
−Si」と略記する）から成る光受容部材が注目さ
れている。而乍ら、感光層を単層構成のＡ−Si層とする
と、その高光感度を保持しつつ、電子写真用とし
て要求される10¹²Ωcm以上の暗抵抗を確保するに
は、水素原子やハロゲン原子或いはこれ等に加え
てボロン原子とを特定の量範囲で層中に制御され
た形で構造的に含有させる必要性がある為に、層
形成のコントロールを厳密に行う必要がある等、
光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限
がある。この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある
程度低暗抵抗であつても、その高光感度を有効に
利用出来る様にしたものとしては、例えば、特開
昭54−121743号公報、特開昭57−4053号公報、特
開昭57−4172号公報に記載されてある様に光受容
層を伝導特性の異なる層を積層した二層以上の層
構成として、光受容層内部に空乏層を形成した
り、或いは特開昭57−52178号、同52179号、同
52180号、同58159号、同58160号、同58161号の各
公報に記載されてある様に光受容層を支持体と感
光層の間、又は／及び感光層の上部表面に障壁層
を設けた多層構造としたりして、見掛け上の暗抵
抗を高めた光受容部材が提案されている。この様な提案によつて、Ａ−Si系光受容部材は
その商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造
上の管理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進
展し、商品化に向けての開発スピードが急速化し
ている。この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用
いてレーザー記録を行う場合、各層の層厚に斑が
ある為に、レーザー光が可干渉性の単色光である
ので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光
受容層を構成する各層及び支持体と光受容層との
層界面（以後、この自由表面及び層界面の両者を
併せた意味で「界面」と称す）より反射して来る
反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。この干渉現象は、形成される可視画像に於い
て、所謂、干渉縞模様となつて現われ、画像不良
の要因となる。殊に階調性の高い中間調の画像を
形成する場合には、画像の見悪くさは顕著とな
る。まして、使用する半導体レーザー光の波長領域
が長波長になるにつれて感光層に於ける該レーザ
ー光の吸収が減少してくるので前記の干渉現象は
顕著である。この点を図面を以つて説明する。第１図に、光受容部材の光受容層を構成するあ
る層に入射した光I₀と上部界面１０２で反射した
反射光R₁、下部界面１０１で反射した反射光R₂
を示している。層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ
として、ある層の層厚がなだらかにλ／2n以上の層厚差で不均一であると、反射光R₁・R₂が2nd＝
mλ（ｍはは整数、反射光は強め合う）と2nd＝
（ｍ＋1/2）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の
条件のどちらに合うかによつて、ある層の吸収光
量および透過光量に変化を生じる。多層構成の光受容部材において、第１図に示す
干渉効果が各層で起り、第２図に示すように、そ
れぞれの干渉による相乗的悪影響が生じる。その
為に該干渉縞模様に対応した干渉縞が転写部材上
に転写、定着された可視画像に現われ、不良画像
の原因となつていた。この不都合を解消する方法としては、支持体表
面をダイヤモンド切削して、±500Å〜±10000Å
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば
特開昭58−162975号公報）、アルミニウム支持体
表面を黒色アルマイト処理したり、或いは樹脂中
にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光
吸収層を設ける方法（例えば特開昭57−165845号
公報）、アルミニウム支持体表面を梨地状のアル
マイト処理したり、サンドブラストにより砂目状
の微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱
反射防止層を設ける方法（例えば特開昭57−
16554号公報）等が提案されている。而乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現わ
れる干渉縞模様を完全に解消することが出来なか
つた。即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさ
の凹凸が多数設けられただけである為、確かに光
散乱効果による干渉縞模様の発現防止にはなつて
いるが、光散乱としては依然として正反射光成分
が現存している為に、該正反射光による干渉縞模
様が残存することに加えて、支持体表面での光散
乱効果の為に照射スポツトに拡がりが生じ、実質
的な解像度低下の要因となつていた。第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、
完全吸収は無理であつて、支持体表面での反射光
は残存する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場
合はＡ−Si感光層を形成する際、樹脂層よりの脱
気現象が生じ、形成される感光層の層品質が著し
く低下すること、樹脂層がＡ−Si系感光層形成の
際のプラズマによつてダメージを受けて、本来の
吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化に
よるその後のＡ−Si系感光層の形成に悪影響を与
えること等の不都合さが有する。支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合に
は、第３図に示す様に、例えば入射光I₀、光受容
層３０２の表面でその一部が反射されて反射光
R₁となり、残りは、光受容層３０２の内部に進
入して透過光I₁となる。透過光I₁は、支持体３０
２の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡
散光K₁，K₂，K₃……となり、残りが正反射され
て反射光R₂となり、その一部が出射光R₃となつ
て外部に出て行く。従つて、反射光R₁と干渉す
る部分である出射光R₃が残留する為、依然とし
て干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射
を防止する為に支持体３０１の表面の拡散性を増
加させると、光受容層内で光が拡散してハレーシ
ヨンを生ずる為解像度が低下するという欠点もあ
つた。特に、多層構成の光受容部材においては、第４
図に示すように、支持体４０１表面を不規則的に
荒しても、第１層４０２での反射光R₂、、第２層
での反射光R₁、支持体４０１面での正反射光R₃
の夫々が干渉して、光受容部材の各層厚にしたが
つて干渉縞模様が生じる。従つて、多層構成の光
受容部材おいては、支持体４０１表面を不規則に
荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは不
可能であつた。又、サンドブラスト等の方法によつて支持体表
面を不規則に荒す場合は、その粗面度がロツト間
に於いてバラツキが多く、且つ同一ロツトに於い
ても粗面度に不均一があつて、製造管理上具合が
悪かつた。加えて、比較的大きな突起がランダム
に形成される機会が多く、斯かる大きな突起が光
受容層の局所的ブレークダウンの原因となつてい
た。又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場
合第５図に示すように通常、支持体５０１表面の
凹凸形状に沿つて、光受容層５０２が堆積するた
め、支持体５０１凹凸の傾斜面と光受容層５０２
の凹凸の傾斜面とが平行になる。したがつて、その部分では入射光2nd₁＝mλま
たは2nd₁＝（ｍ＋1/2）λが成立ち、夫々明部また
は暗部となる。又、光受容層全体では光受容層の
層厚d₁，d₂，d₃，d⁴の夫々の差の中の最大がλ／2n 以上である様な層厚の不均一性があるため明暗の
縞模様が現われる。従つて、支持体５０１表面を規則的に荒しただ
けでは、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはで
きない。又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成
の光受容層を堆積させた場合にも、第３図におい
て、一層構成の光受容部材で説明した支持体表面
での正反射光と、光受容層表面での反射光との干
渉の他に、各層間の界面での反射光による干渉が
加わるため、一層構成の光受容部材の干渉縞模様
発現度合より一層複雑となる。〔発明の目的〕本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感
受性のある光受容部材用としての新規な支持体及
び該支持体を有する光受容部材を提供することで
ある。本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる
画像形成に適すると共に製造管理が容易である光
受容部材用の支持体及び該支持体を用いた光受容
部材を提供することである。本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出す
る干渉縞模様と反転現像時の班点の現出を同時に
しかも完全に解消することができる光受容部材を
提供することでもある。本発明のもう一つの目的は、電子写真法を利用
するデジタル画像記録、取分けハーフトーン情報
を有するデジタル画像記録が鮮明に且つ高解像度
高品質で行える光受容部材を提供することでもあ
る。本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する光受容部材を提供することでもあ
る。〔発明の概要〕本発明の光受容部材用の支持体は、周期的な、
螺旋構造を形成する凸部を有する円筒状支持体の
中心軸を含む面で切断した凸部の断面形状が主ピ
ークに副ピークを重畳された凸状形状であること
を特徴とする。また、本発明の光受容部材は、周期的な、螺旋
構造を形成する凸部を有する円筒状支持体の中心
軸を含む面で切断した凸部の断面形状が主ピーク
に副ピークを重畳された凸状形状である支持体
と、少なくとも一部の層領域が感光性を有する光
受容層と、を有することを特徴とする。以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。第６図は、本発明の基本原理を説明するための
説明図である。本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形
状を有する支持体（不図示）上に、その凹凸の傾
斜面に沿つて、１つ以上の感光層を有する多層構
成の光受容層は、第６図の一部に拡大して示され
るように、第２層６０２の層厚がd₅からd₆と連続
的に変化している為に、界面６０３と界面６０４
とは互いに傾向きを有している。従つて、こ微小
部分（シヨートレンジ）ｌに入射した可干渉性光
は、該微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉
縞模様を生ずる。又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７
０２の界面７０３と第２層７０２の自由表面７０
４とが非平行であると、第７図のＡに示す様に入
射光I₀に対する反射光R₁と出射光R₃とはその進
行方向が互いに異る為、界面７０３と７０４とが
平行な場合（第７図の「Ｂ」に較べて干渉の度合
が減少する。従つて、第７図のＣに示す様に、一対の界面が
平行な関係にある場合「Ｂ」よりも非平行な場合
「Ａ」は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視
し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の
入射光量は平均化される。このことは、第６図に示す様に、第２層６０２
の層厚がマクロ的にも不均一（d₇≠d₈）でも同様
に云える為、全層領域に於て入射光量が均一にな
る（第６図の「Ｄ」参照）また、光受容層が多層構成である場合に於て照
射側から第２層まで可干渉性光が透過した場合に
就いて本発明の効果を述べれば、第８図に示す様
に、入射光I₀に対して、反射光R₁，R₂，R₃，R₄，
R₅が存在する。その為各々の層で第７図を以つ
て前記に説明したことが生ずる。その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリ
ツトとして働き、そこで回折現像を生じる。その
ため各層での干渉は、層厚の差による干渉と層界
面の回折による干渉との積として効果が現われ
る。従つて、光受容層全体で考えると干渉は夫々の
層での相乗効果となる為、本発明によれば、光受
容層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉効果を防止することが出来る。又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部
分の大きさが照射光スポツト径より小さい為、即
ち、解像度限界より小さい為、画像に現れること
はない。又、仮に画像に現われているとしても眼
の分解能以下なので実質的に何等支障を生じな
い。本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向
へ確実に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望
ましい。本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状
の一周期分）は、照射光のスポツト径をＬとすれ
ば、ｌ≦Ｌである。又本発明の目的をより効果的に達成する為には
微小部分ｌに於ける層厚の差（d₅−d₆）は、照射
光の波長をλとすると、 d₅−d₆≧λ／2n（ｎ：第２層６０２の屈折率）であるのが望ましい。本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部
分ｌの層厚内（以後「微小カラム」と称す）に於
て、少なくともいずれか２つの層界面が非平行な
関係にある様に各層の層厚が微小カラム内に於て
制御されるが、この条件を満足するならば該微小
カラム内にいずれか２つの層界面が平行な関係に
あつても良い。但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２
つの位置に於る層厚の差が λ／2n （ｎ：層の屈折率）以下である様に全領域に於て均一層厚に形成さ
れるのが望ましい。光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、
電気絶縁性材料からなる障壁層等の各層の形成に
は本発明をより効果的且つ容易に達成する為に、
層厚を光学的レベルで正確に制御できることから
プラズマ気相法（PCVD法）、光CVD法、熱CVD
法が採用される。本発明の目的を達成するための支持体の加工方
法としては、化学エツチング、電気メツキなどの
化学的方法、蒸着、スパツタリングなどの物理的
方法、旋盤加工などの機械的方法などが利用でき
る。しかし、生産管理を容易に行うために、旋盤
などの機械的加工方法が好ましいものである。たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、Ｖ字
形状の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等
の切削加工機械の所定位置に固定し、例えば円筒
状支持体を予め所望に従つて設計されたプログラ
ムに従つて回転させながら規則的に所定方向に移
動させることにより、支持体表面を正確に切削加
工することで所望の凹凸形状、ピツチ、、深さで
形成される。この様な切削加工法によつて形成さ
れる凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部
の螺旋構造は、二重、三重の多重螺旋構造、又は
交叉螺旋構造とされても差支えない。或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿つた遅線
構造を導入しても良い。本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明
の効果を高めるためと、加工管理を容易するため
に、一次近似的に同一形状であることが好まし
い。又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために
規則的または周期的に配列されていることが好ま
しい。又、更に、前記凸部は、本発明の効果を一
層高め、光受容層と支持体との密着性を高めるた
めに、副ピークを複数有することが好ましい。こ
れ等の夫々に加えて、、入射光を効率よく一方向
に散乱するために、前記凸部が主ピークを中心に
対称（第９図Ａ）または非対称形（第９図Ｂ）に
統一されていることが好ましい。しかし、支持体
の加工管理の自由度を高める為には両方が混在し
ているのが良い。本発明に於ては、管理された状態で支持体表面
に設けられる凹凸の各デイメンジヨンは、以下の
点を考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成
出来る様に設定される。即ち、第１は感光層を構成するＡ−Si層は、層
形成される表面の状態に構造敏感であつて、表面
状態に応じて層品質は大きく変化する。従つて、
Ａ−Si感光層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のデイメンジヨンを設
定する必要がある。第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があ
ると、画像形成後のクリーニングに於てクリーニ
ングを完全に行なうことが出来なくなる。また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレ
ードのいたみが早くなるという問題がある。上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロ
セス上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を
検討した結果、支持体表面の凹部のピツチは、好
ましくは500μm〜0.3μm、より好ましくは200μm
〜1μm、最適には50μm〜5μmであるのが望まし
い。又凹部の最大の深さは、好ましくは0.1μm〜
5μm、より好ましくは0.3μm〜3μm、最適には
0.6μm〜2μmとされるのが望ましい。支持体表面
の凹部のピツチと最大深さが上記の範囲にある場
合、凹部（又は線上突起部）の傾斜面の傾きは、
好ましくはは１度〜20度、より好ましくは３度〜
15度、最適には４度〜10度とされるのが望まし
い。又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚
の不均一に基く層厚差の最大は、同一ピツチ内で
好ましくは0.1μm〜2μm、より好ましくは0.1μm
〜1.5μm、最適には0.2μm〜1μmとされるのが望
ましい。次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具
体例を示す。第１０図に示される光受容部材１０００は、本
発明の目的を達成する様に表面切削加工された支
持体表面１００１上に、、光受容層１００２を有
し、、該光受容層１００２は支持体１００１側よ
り電荷注入防止層１００３、感光層１００４で構
成されている。支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁
性であつてもよい。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al.Cr.Mo.Au.Nb.Ta.V.
Ti.Pt.Pd等の金属又はこれ等の合金が上げられ
る。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。例えば、ガラスであればその表面に、NiCr.Al.
Cr.Mo.Au.Ir.Nb.Ta.V.Ti.Pt.Pd.In₂O₃.SnO₂.ITO
（In₂O₃＋SnO₂）等から成る薄膜を設けることに
よつて導電性が付与され、或いはポリエステルフ
イルム等の合成樹脂フイルムであれば、NiCr.Al.
Ag.Pd.Zn.Ni.Au.Cr.Mo.Ir.Nb.Ta.V.Ti.Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は、前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性
が付与される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば第１０図の
光受容部材１０００を電子写真用像形成部材とし
て使用するのであれば連続複写の場合には、無端
ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される様
に適宜定されるが、光受容部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が十分発
揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。
しかしながら、この様な場合、支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から、好ましくは
10μ以上とされる。電荷注入防止層１０００は、感光層１００４へ
の支持体１００１側からの電荷の注入を防いで見
掛上の高抵抗化を計る目的で設けられる。電荷注入防止層１０００は、水素原子又は／及
びハロゲン原子Ｘを含有するＡ−Si（以後「Ａ−
Si（H.X）」と記す）で構成されると共に伝導性を
支配する物質Ｃが含有される。電荷注入防止層１
００３に含有される伝導性を支配する物質Ｃとし
ては、いわゆる半導体分野で言われる不純物を挙
げることができ、本発明に於ては、Siに対して、
ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導性
を与えるｎ型不純物を挙げることができる。具体
的には、ｐ型不純物としては周期律表第族に属
する原子（第族原子）、例えばＢ（硼素）、Al
（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウ
ム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適に用い
られるのは、B.Gaである。ｎ型不純物としては周期律表第族に属する原
子（第族原子）、例えばＰ（燐）、As（砒素）、Sb
（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、殊に好
適に用いられるのは、P.Asである。本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有
される伝導性を支配する物質Ｃの含有量は、要求
される電荷注入防止特性、或いは該電荷注入防止
層１００３が支持体１００１上に直に接触して設
けられる場合には、該支持体１００１との接触界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於
て、適宜選択することが出来る。又、前記電荷注
入防止層に直に接触して設けられる他の層領域の
特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性
との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質
の含有量が適宜選択される。本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される
伝導性を制御する物質の含有量としては、好適に
は、0.001〜５×10⁴atomic ppm、より好適には
0.5〜１×10⁴atomic ppm、最適には１〜５×
10³atomic ppmとされるのが望ましい。本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於け
る物質Ｃの含有量は、好ましくは、30atomic
ppm以上、より好適には50atomic ppm以上、最
適には100atomic ppm以上とすることによつて、
例えば含有させる物質Ｃが前記のｐ型不純物の場
合には、光受容層の自由が極性に帯電処理を受
けた際に支持体側から感光層中へ注入される電子
の移動を、より効果的に阻止することが出来、
又、前記含有させる物質Ｃが前記のｎ型不純物の
場合には、光受容層の自由表面が極性に帯電処
理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入され
る正孔の移動を、より効果的に阻止することが出
来る。電荷注入防止層１００３は層厚は、好ましく
は、30Å〜10μ、より好適には40Å〜8μ、最適に
は50Å〜5μとされるのが望ましい。感光層１００４は、Ａ−Si（H.X）で構成され、
レーザー光の照射によつてフオトキヤリアを発生
する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送
機能の両者を有する。感光層１００４の層厚としては、好ましくは、
１〜100μm、より好ましくは１〜80μm、最適に
は２〜50μmとされるのが望ましい。感光層１００４には、電荷注入防止層１００３
に含有される伝導特性を支配する物質の極性とは
別の極性の伝導性を支配する物質を含有させても
良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する物
質を、電荷注入防止層１００３に含有される実際
の量よりも一段と少ない量にして含有させても良
い。この様な場合、前記感光層１００４中に含有さ
れる前記伝導特性を支配する物質の含有量として
は、電荷注入防止層１００３に含有される前記物
質の極性や含有量に応じて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、好ましくは0.001〜
1000atomic ppm、より好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましい。本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感
光層１００４に同種の伝導性を支配する物質を含
有させる場合には、感光層１００４の於ける含有
量としては、好ましくは30atomic ppm以下とす
るのが望ましい。本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感
光層１００４中に含有される水素原子(H)の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは１〜
40atomic％、より好適には５〜30atomic％とさ
れるのが望ましい。ハロゲン原子（Ｘ）としては、F.Cl.Br.Iが挙
げられ、これ等の中でF.Clが好ましいものとして
挙げられる。第１０図に示す光受容部材に於ては、電荷注入
防止層１００３の代りに電気絶縁性材料から成
る、いわゆる障壁層を設けても良い。或いは、該
障壁層と電荷注入防止層１００３とを併用しても
差支えない。障壁層形成材料としては、Al₂O₃，SiO₂，
Si₃N₄等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。第１１図には、本発明の別の好ましい具体例が
示される。第１１図に示す電子写真用の光受容部
材１１００は、微小でなめらかな凹凸を有する導
電性支持体１１０１の上に導電層１１０２と、障
壁層１１０３と電荷発生層１１０４及び電荷輸送
層１１０５からなる多層構造の光受容層１１０６
と、を有する。前述の導電層１１０２としては、例えばアルミ
ニウム、錫や金などの導電性金属の蒸着膜又は樹
脂中に導電性粉体を分散含有せしめた被膜を用い
ることができる。この際に用いる導電性粉体とし
ては、アルミニウム、錫、銀などの金属粉体、カ
ーボン粉体や酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜
鉛や酸化錫などの金属酸化物を主体とした導電性
顔料などを挙げることができ。又、この導電層１
１０２に光吸収剤を含有させることもできる。導電性顔料を分散する樹脂は、(1)基体に対する
密着性が強固であること、(2)粉体の分散性が良好
であること、(3)耐溶剤性が十分であること、など
の条件を満たすものであれば使用できるが、特に
硬化性ゴム、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、
アルキド樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹
脂、アクリル−メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂が
好適である。導電性顔料を分散した樹脂の体積抵
抗率は10¹³Ωcm以下、好ましくは10¹²Ωcm以下が
適している。そのため塗膜において、導電性顔料
は塗膜中10〜60重量％の割合で含有されているこ
とが好ましい。導電層１１０２には、シリコンオイルや各種界
面活性剤などの表面エネルギー低下剤を含有させ
ることができ、これにより塗膜欠陥が小さい均一
塗膜面を得ることができる。導電性粉体を樹脂中
に分散させる方法としては、ロールミル、ボール
ミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミ
ル、コロイドミルなどの常法によることができ、
基体がシート状である場合は、ワイヤーバーコー
ト、ブレードコート、ナイフコート、ロールコー
ト、スクリーンコートなどが適しており、基体が
円筒状である場合には、浸漬塗布法が適してい
る。導電性１１０２は、一般に1μm〜50μm、好ま
しくは5μm〜30μm程度の膜厚で被膜形成するこ
とによつて、導電性基体１の突起体２の高さｈが
100μm以下の場合で、その表面欠陥を十分に隠蔽
することができる。導電層１１０２と電荷発生層１１０４との中間
には、電気的な障壁効果を示す障壁機能と接着機
能をもつ障壁層１１０３が設けてある。障壁層１１０３は、カゼイン、ポリビニルアル
コール、ニトロセルロース、エチレン−アクリル
酸コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイロ
ン66、ナイロン610、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラ
チン、などによつて形成できる。障壁層１１０３の層厚は、好ましくは0.1μ〜
5μ、より好ましくは0.5μ〜3μとされるのが望まし
い。電荷発生層１１０４は、スーダンレツド、ダイ
アンブルー、ジユナスグリーンＢなどのアゾ顔
料、アルコールイエロー、ビレンキノン、インダ
ンスレンブリリアントバイオレツトRRPなどの
キノン顔料、キノシアニン顔料、ベリレン顔料、
インジゴ、チオインジゴ等のインジ顔料、インド
フアーストオレンジトナーなどのビスベンゾイミ
ダゾール顔料、銅フタロシアニン、アルミクロル
−フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料、キ
ナクリドン顔料やアズレン化合物から選ばれた電
荷発生物質を、ポリエステル、ポリスチレン、、
ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、
メチルセルロース、ポリアクリル酸エステル類、
セルロースエステルなどの結着剤樹脂に分散して
形成される。その厚さは好ましくは0.01μm〜1μ、
より好ましくは0.05μ〜0.5μ程度とされるのが望
ましい。また、電荷輸送層１１０５は主鎖又は側鎖にア
ントラセン、ピレン、フエナントレン、コロネン
などの多環芳香族化合物又はインドール、カルバ
ゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チア
ゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサジア
ゾール、ピラゾリン、チアジアゾール、トリアゾ
ールなどの含窒素環式化合物を有する化合物、ヒ
ドラゾン化合物等の正孔輸送性物質を成膜性のあ
る樹脂に溶解させて形成される。これは電荷輸送
性物質が一般的に低分子量で、それ自身では成膜
性に乏しいためである。そのような樹脂として
は、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸エステ
ル類、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエス
テル、ポリサルホン、スチレン−アクリロニトリ
ルコポリマー、スチレン−メタクリル酸メチルコ
ポリマー等が挙げられる。電荷輸送層１１０５の層厚は好ましくは5μ〜
20μであるのが望ましい。又、前述の電荷発生層
１１０４を電荷輸送層１１０５の上に積層した構
造の感光層とすることもできる。又、前述の感光層としては前述のものに限ら
ず、例えばIBM Journal of the Reseach and
Development.1971年１月．P.75〜P.89に開示さ
れたポリビニルカルバゾールとトリニトロフルオ
レノンからなる電荷移動錯体、米国特許第
4315983号公報、米国特許第4327169号公報などに
記載されたピリウム系化合物を用いた感光層ある
いはよく知られている酸化亜鉛や硫化カドミウム
などの無機光導電性物質を樹脂中に分散含有させ
た感光層やセレン、セレン−テルル、セレン化砒
素等の蒸着系の感光層を使用することも可能であ
る。以下本発明の実施例について説明する。実施例１本実施例ではスポツト系80μmの半導体レーザ
ー（波長780nm）を使用した。したがつてＡ−
Si：Ｈを堆積させる円筒状のAl支持体（長さＬ
357mm、径ｒ 80mm）上に旋盤で螺線状の溝を
作製した。このときの溝の断面形状を第１２図Ｂ
に示す。このAl支持体上に第１３図の装置で電荷注入
防止層、感光層を次の様にして堆積した。まず装置の構成を説明する。１３０１は高周波
電源、１３０２はマツチングボツクス、１３０３
は拡散ポンプおよびメカニカルブースターポン
プ、１３０４はAl支持体回転用モータ、１３０
５はAl支持体、１３０６支持体加熱用ヒータ、
１３０７はガス導入管、１３０８は高周波導入用
カソード電極、１３０９はシールド、１３１０は
ヒータ用電源、１３２１〜１３２５、１３４１〜
１３４５はバルブ、１３３１〜１３３５はマスフ
ロコントローラー、１３５１〜１３５５はレギユ
レーター、１３６１は水素（H₂）ボンベ、１３
６２はシラン（SiH₄）ボンベ、１３６３はジボ
ラン（B₂H₆）ボンベ、１３６４は酸化窒素
（NO）ボンベ、１３６７はメタン（CH₄）ボン
ベである。次に作製手順を説明する。１３６１〜１３６５
のボンベの元栓をすべてしめ、すべてのマスフロ
コントローラーおよびバルブを開け、１３０３の
拡散ポンプにより堆積装置内を10^-7Torrまで減
圧した。それと同時に１３０６のヒーターにより
１３０５のAl支持体を250℃まで加熱し250℃で
一定に保つた。１３０５のAl支持体の温度が250
℃で一定になつた後１３２１〜１３２５、１３４
１〜１３４５、１３５１〜１３５５のバルブを閉
じ、１３６１〜１３６５のボンベの元栓を開け、
１３０３の拡散ポンプをメカニカルブースターポ
ンプに代える。１３５１〜１３５５のレギユレー
ター付きバルブの二次圧を1.5Kg／cm²に設定した。
１３３１のマスフロコントローラーを300SCCM
に設定し、１３４１のバルブと１３２１のバルブ
を順に開き堆積装置内にH₂ガスを導入した。次に１３６１のSiH₄ガスを１３３２のマスフ
ロコントローラーの設定を150SCCMに設定して、
H₂ガスの導入と同様の操作でSiH₄ガス堆積装置
に導入した。次に1363のB₂B₆ガス流量をSiH₄ガ
ス流量に対して、1600Vol ppmになるように
1333のマスフロントローラーを設定して、H₂ガ
スの導入と同様な操作でB₂H₆ガスを堆積装置内
に導入した。そして堆積装置内の内圧が0.2Torrで安定した
ら、1301の高周波電源のスイツチを入れ1302のマ
ツチングボツクスを調節して、1305のAl支持体
と1308のカソード電極間にグロー放電を生じさ
せ、高周波電力を150Wとし5μm厚でＡ−Si：Ｈ
層（Ｂを含むＰ型のＡ−Si：Ｈ層となる）を堆積
した（電荷注入防止層）・5μm厚のＡ−Si：Ｈ（Ｐ
型）を堆積したのち放電を切らずに、1323のバル
ブを閉めB₂H₆の流入を止める。そして高周波電力150Wで20μm厚のＡ−Si：Ｈ
層（non−deped）を堆積した（感光層）・その後
高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積
装置を排気し、Al支持体の温度を室温まで下げ
て、光受容層を形成した支持体を取り出した。この場合には第１２図Ｂ，Ｃのように感光層の
表面と支持体の表面とは非平行であつた。この場
合Al支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層
厚差は2μmであつた。以上の電子写真用の光受容部材について、波長
780nmの半導体レーザーをスポツト径80μmで第
１４図に示す装置で画像露光を行い、それを現
像、転写して画像を得た。この場合、干渉縞模様は、観察されず、実用に
十分な電子写真特性を示すものが得られた。実施例２シリンダー状Al支持体の表面を旋盤で、第１
５図のように加工した。このシリンダー状Al支持体上に実施例１と同
様な条件でａ−Si：Ｈの電子写真用光受容部材を
作製した。この電子写真用光受容部材を実施例１と同様に
第１４図の装置で画像露光を行い現像、転写して
画像を得た。この場合の転写画像には、干渉縞は
みられず実用上十分な特性であつた。実施例３第１６図、第１７図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第１表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。これらの電子写真用光受容部材について、実施
例１と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を
行い、現像、転写、定着して普通紙上に可視画像
を得た。この様な画像形成プロセスを10万回連続
繰返し行つた。この場合、得られた画像の総てに
於いて干渉縞は見られず、実用に十分な特性であ
つた。又、初期の画像と10万回目の画像の間に
は、何等差違はなく、高品質の画像であつた。実施例４第１６図、第１７図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第２表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。これら電子写真用光受
容部材について、実施例１と同様な画像露光装置
を用いて、画像露光を行い、現像、転写、定着し
て普通紙上に可視画像を得た。この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。実施例５第１６図、第１７図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第３表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。これら電子写真用光受
容部材について、実施例１と同様な画像露光装置
を用いて、画像露光を行い、現像、転写、定着し
て普通紙上に可視画像を得た。この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。実施例６第１６図、第１７図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第４表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。これら電子写真用光受
容部材について、実施例１と同様な画像露光装置
を用いて、画像露光を行い、現像、転写、定着し
て普通紙上に可視画像を得た。この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。実施例７直径60mm、長さ258mmの円筒状アルミニウム支
持体を第１６図、第１７図の表面性に加工した。次に、チタン工業(株)製の酸化チタン（ECT−
62）25重量部、堺工業(株)製の酸化チタン（SR−
1T）25重量部と大日本インキ(株)製のフエノール
樹脂（プライオーフエンJ325）をメタノールとメ
チルセロソルブ（メタノール／メチルセロソルブ
＝４重量部／15重量部）500重量部に混合し、撹
拌した後、直径１mmのガラスビーズ50重量部とと
もにサンドミル分散機で10時間分散した。この分散液に東芝シリコーン(株)製のシリコンオ
イル（SH289A）を固形分として50ppm加えてか
ら、撹拌して導電性形成用塗布液を調整した。この導電層形成用塗布液を前述の切削加工した
円筒状アルミニウムの表面に乾燥後の膜厚が
20μmとなるように浸漬塗布し、その後140℃で30
分間過熱乾燥して、導電性を形成した。次に共重合ナイロン樹脂（商品名：アミラン
CM−8000、東レ(株)製）10重量部をメタノール60
重量部とブタノール40重量部からなる混合液に溶
解し、上記導電層上に浸漬塗布して、1μ厚のポ
リアミド樹脂層を設けた。次にε型銅フタロシアニン（リオノールブルー
ES、東洋インキ(株)製）１重量部、ブチラール樹
脂（エスレツクBM−２；積水化学(株)製）１重量
部をシクロヘキサノン10重量部を１mmφガラスビ
ーズを入れたサンドミル分散機で20時間分散した
後、20重量部のメチルエチルケトンで希釈した。
この液を先に形成したポリアミド樹脂層の上に浸
漬塗布し乾燥させて電荷発生層を生成した。この
時の膜厚は0.3μであつた。次いで、下記構造式のヒドラゾン化合物10重量
部およびスチレン−メタクリル酸メチル共重合樹
脂（商品名：MS200；製鉄化学(株)製）15重量部
をトルエン80重量部に溶解した。この液を上記電
荷発生層上に塗布して100℃で１時間の熱風乾燥
をして、16μ厚の電荷輸送層を形成した。この様にして作成した電子写真用光受容部材を
発振波長778nmの半導体レーザーを備えた反転現
像方式の電子写真方式プリンターであるキヤノン
レーザービームプリンタLBP−CX（キヤノン(株)
製）に装填した後に、全面にラインスキヤンを行
ない全面が黒色トナー像となる画像を形成したと
ころ、この全黒色画像中には干渉縞模様が全く現
われていなかつた。次に、レーザービームを文字信号に従つてライ
ンスキヤンし、画像として文字を形成させる操作
を温度15℃で相対湿度10％の条件下で2000回繰り
返して、2000枚目のコピー文字画像を取り出し
た。このコピー文字画像中の直径0.2mm以上の大
きさをもつ黒斑点（黒ポチ）の数を測定したとこ
ろ、全く黒班点は見い出せなかつた。実施例８微粒子酸化亜鉛（堺化学(株)製Sazax 2000）10
ｇ、アクリル系樹脂（三菱レーヨン(株)製ダイヤナ
ールLR009）４ｇ、トルエン10ｇと下記構造式の
アズレニウム化合物10mgをボールミル中で十分に
混合して感光層用塗布液を調整した。この感光層用塗布液を乾燥後の膜厚が21μmと
なる様に、実施例７で用いた電荷発生層と電荷輸
送層からなる積層構造の感光層に代えて設けたほ
か、実施例７と同様の方法で電子写真用光受容部
材を調整した。この光受容部材を実施例７で使用
したレーザービームプリンター（但し、帯電が正
極性となる様に帯電器を変更した）に取り付け
て、同様の測定を行なつたところ、全面黒色画像
中には干渉縞模様がなく、しかも2000枚目の文字
コピー中には直径0.2mm以上の黒斑点が全く見い
出せず、極めて良好な画像であることが判明し
た。実施例９実施例７の切削加工した円筒状アルミニウム支
持体を常法により陽極酸化処理して酸化アルミニ
ウムの薄膜を形成し、その上にセレン化砒素層
（テルル；10重量％）を真空蒸着法により層厚
15μmに形成した。この電子写真用光受容部材を実施例８で使用し
たレーザービームプリンターに取り付けて、同様
の測定を行なつたところ、同様の結果が得られ
た。〔発明の効果〕以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、
可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管
理が容易である光受容部材用の支持体及び光受容
部材を提供することができる。また画像形成時に
現出する干渉縞模様と反転現像時の斑点の現出を
同時にしかも完全に解消することができ、更には
高光感度性、高SN比特性及び支持体との間に良
好な電気的接触性を有する光受容部材を提供する
ことができる。

【表】

【表】【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第
２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明
図である。第３図は、散乱光による干渉縞の説明
図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の
散乱光による干渉縞の説明図である。第５図は、
光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉縞の
説明図である。第６図は、光受容部材の各層の界
面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの説
明図である。第７図は、光受容部材の各層の界面
が平行である場合と非平行である場合の反射光強
度の比較の説明図である。第８図は、各層の界面
が非平行である場合の干渉縞が現われないことの
説明図である。第９図Ａ，Ｂは、それぞれ代表的
な支持体の表面状態の説明図である。第１０図及
び第１１図は、光受容部材の層構成の説明図であ
る。第１３図は、実施例で用いた光受容層の堆積
装置の説明図である。第１４図は、実施例で使用
した画像露光装置である。第１２図、第１５図、
第１６図、第１７図は、実施例で使用したAl支
持体の表面状態の説明図である。１０００，１１００……光受容部材、１００
２，１１０６……光受容層、１００１……Al支
持体、１００３……電荷注入防止層、１００４…
…感光層、１１０１……支持体、１１０２……導
電層、１１０３……障壁層、１１０４……電荷発
生層、１１０５……電荷輸送層、１４０１……電
子写真用光受容部材、１４０２……半導体レーザ
ー、１４０３……fθレンズ、１４０４……ポリゴ
ンミラー、１４０５……露光装置の平面図、１４
０６……露光装置の側面図。

Claims

【特許請求の範囲】１周期的な、螺旋構造を形成する凸部を有する
円筒状支持体の中心軸を含む面で切断した凸部の
断面形状が主ピークに副ピークを重畳された凸状
形状であることを特徴とする光受容部材用の支持
体。２前記凸部のそれぞれは実質的に同一形状を有
する特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材用
の支持体。３前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求
の範囲第１項に記載の光受容部材用の支持体。４前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心
にして対称形状である特許請求の範囲第１項に記
載の光受容部材用の支持体。５前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心
にして非対称形状である特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材用の支持体。６前記凸部は、機械加工によつて形成された特
許請求の範囲第１項に記載の光受容部材用の支持
体。７周期的な、螺旋構造を形成する凸部を有する
円筒状支持体の中心軸を含む面で切断した凸部の
断面形状が主ピークに副ピークを重畳された凸状
形状である支持体と、少なくとも一部の層領域が
感光性を有する光受容層と、を有することを特徴
とする光受容部材。８前記凸部のそれぞれは実質的に同一形状を有
する特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。９前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求
の範囲第７項に記載の光受容部材。１０前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中
心にして対称形状である特許請求の範囲第７項に
記載の光受容部材。１１前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中
心にして非対称形状である特許請求の範囲第７項
に記載の光受容部材。１２前記凸部は、機械加工によつて形成された
特許請求の範囲第７項に記載の光受容部材。