JPH0360196A - パワートランジスタ搭載装置 - Google Patents
パワートランジスタ搭載装置Info
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- JPH0360196A JPH0360196A JP1195778A JP19577889A JPH0360196A JP H0360196 A JPH0360196 A JP H0360196A JP 1195778 A JP1195778 A JP 1195778A JP 19577889 A JP19577889 A JP 19577889A JP H0360196 A JPH0360196 A JP H0360196A
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- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパワートランジスタを放熱用の本体に搭載した
パワートランジスタ搭載装置に関する。
パワートランジスタ搭載装置に関する。
一般に、パワートランジスタは作動時に発熱するため、
これを搭載する際には放熱設計が施される。自動車用の
イグナイタにおいては、点火用の高電圧を発生させるイ
グニッションコイルに対して、パワートランジスタを介
して電力を供給するようにしているが、このパワートラ
ンジスタは周辺回路と共に１個のデバイス（パワートラ
ンジスタ搭載装置）に収容され、自動車に取り付けられ
ている。
これを搭載する際には放熱設計が施される。自動車用の
イグナイタにおいては、点火用の高電圧を発生させるイ
グニッションコイルに対して、パワートランジスタを介
して電力を供給するようにしているが、このパワートラ
ンジスタは周辺回路と共に１個のデバイス（パワートラ
ンジスタ搭載装置）に収容され、自動車に取り付けられ
ている。
一方、デストリピユータを有しない自動車の点火制御シ
ステムにおいては、イグナイタ用のパワートランジスタ
および周辺回路がエンジンの各気筒ごとに必要となる。
ステムにおいては、イグナイタ用のパワートランジスタ
および周辺回路がエンジンの各気筒ごとに必要となる。
このため、パワートランジスタを搭載したデバイスは、
放熱設計の必要性と相まって大型化する傾向がある。
放熱設計の必要性と相まって大型化する傾向がある。
しかし、パワートランジスタを搭載したデバイスが大型
化すると、例えば上記の点火制御システムにおいてこの
デバイスをエンジン近傍にセットしたりするのが難しく
なる。また、小型化を図るためにパワートランジスタの
実装密度を高くすると、放熱を効率よく行なうのが難し
くなる。
化すると、例えば上記の点火制御システムにおいてこの
デバイスをエンジン近傍にセットしたりするのが難しく
なる。また、小型化を図るためにパワートランジスタの
実装密度を高くすると、放熱を効率よく行なうのが難し
くなる。
そこで本発明は、十分な放熱を行なうことができ、しか
も装置全体を小型化することのできるパワートランジス
タ搭載装置を提供することを目的とする。
も装置全体を小型化することのできるパワートランジス
タ搭載装置を提供することを目的とする。
本発明に係るパワートランジスタ搭載装置は、中間部が
板状となってその両側の取付部で基台に取り付けられる
放熱用のハウジング本体と、パワートランジスタを搭載
してハウジング本体の板状部分の上下両面にそれぞれ貼
り付けられる少なくとも２板の回路基板と、ハウジング
本体に取り付けられて各端子が回路基板の各端子１こ電
気的に接続されるカプラとを備えることを特徴とする。
板状となってその両側の取付部で基台に取り付けられる
放熱用のハウジング本体と、パワートランジスタを搭載
してハウジング本体の板状部分の上下両面にそれぞれ貼
り付けられる少なくとも２板の回路基板と、ハウジング
本体に取り付けられて各端子が回路基板の各端子１こ電
気的に接続されるカプラとを備えることを特徴とする。
本発明によれば、パワートランジスタを搭載した回路基
板は、ハウジング本体の上下両面に貼付されるので、小
型化と放熱性の向上を同時に達成できる。
板は、ハウジング本体の上下両面に貼付されるので、小
型化と放熱性の向上を同時に達成できる。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は実施例の構造を示し、同図（ａ）は上蓋の一部
を破断した平面図、同図（ｂ）はＢ−Ｂ線の一部を断面
で示した側面図、同図（ｃ）はＣ−Ｃ線の一部を断面で
示した正面図である。図示の通り、アルミニウム製のハ
ウジング本体１０は中間のマウント部１１が板状となっ
て、その両側に取付部１２が延び、この取付部１２には
ボルト挿通用の開口１３が形成されている。また、ノ＼
ウジング本体１０はマウント部１１と取付部１２の間で
マウント部１１を囲む壁状のハウジング部１４に成形さ
れている。ハウジング本体１０には取付部１２が延びる
方向と直交する方向からカプラ２０が取り付けられる。
を破断した平面図、同図（ｂ）はＢ−Ｂ線の一部を断面
で示した側面図、同図（ｃ）はＣ−Ｃ線の一部を断面で
示した正面図である。図示の通り、アルミニウム製のハ
ウジング本体１０は中間のマウント部１１が板状となっ
て、その両側に取付部１２が延び、この取付部１２には
ボルト挿通用の開口１３が形成されている。また、ノ＼
ウジング本体１０はマウント部１１と取付部１２の間で
マウント部１１を囲む壁状のハウジング部１４に成形さ
れている。ハウジング本体１０には取付部１２が延びる
方向と直交する方向からカプラ２０が取り付けられる。
このカプラ２０は端子板２１とこれを囲む樹脂カバー２
２から構成され、端子板２１の上面および下面には配線
２３が形成されて外部接続用の端子２４に接続されてい
る。
２から構成され、端子板２１の上面および下面には配線
２３が形成されて外部接続用の端子２４に接続されてい
る。
なお、このカプラ２０は押えｌ１２３０を介して、ねじ
３１によりハウジング本体１０に固定されている。
３１によりハウジング本体１０に固定されている。
マウント部１１の上面および下面には、例えばセラミッ
クスで形成された回路基板４０がそれぞれ貼り付けられ
、この回路基板４０にはパワートランジスタを含む半導
体チップ４１がダイボンディングされている。そして、
チップ４１のポンディングパッド、回路基板４０上の各
回路部品（図示せず）、端子板２１上の各ポンディング
パッドの相互間は、ボンディングワイヤ４２によって接
続されている。なお、ワイヤ４２は同図（Ｃ）において
のみ図示している。ハウジング本体１０のハウジング部
１４の上側および下側には上Ｍ５１および底Ｍ５２が固
着され、これによって内部が封止されている。なお、内
部にはゲル状物質としてシリコンオイル等を充填しても
よい。
クスで形成された回路基板４０がそれぞれ貼り付けられ
、この回路基板４０にはパワートランジスタを含む半導
体チップ４１がダイボンディングされている。そして、
チップ４１のポンディングパッド、回路基板４０上の各
回路部品（図示せず）、端子板２１上の各ポンディング
パッドの相互間は、ボンディングワイヤ４２によって接
続されている。なお、ワイヤ４２は同図（Ｃ）において
のみ図示している。ハウジング本体１０のハウジング部
１４の上側および下側には上Ｍ５１および底Ｍ５２が固
着され、これによって内部が封止されている。なお、内
部にはゲル状物質としてシリコンオイル等を充填しても
よい。
上記の構成によれば、パワートランジスタなどをマウン
トした回路基板４０はマウント部１１の上下の両面に貼
り付けられるので、実装密度を高めてデバイス全体の小
型化を実現できる。また、マウント部１１は取付部１２
などと一体となってハウジング本体１０を構成し、しか
も回路基板４０はセラミックス、マウント部１１はアル
ミニウム等で形成されるので、放熱性を高くできる。
トした回路基板４０はマウント部１１の上下の両面に貼
り付けられるので、実装密度を高めてデバイス全体の小
型化を実現できる。また、マウント部１１は取付部１２
などと一体となってハウジング本体１０を構成し、しか
も回路基板４０はセラミックス、マウント部１１はアル
ミニウム等で形成されるので、放熱性を高くできる。
この放熱効果はマウント部１１を厚く形成し、あるいは
ハウジング部１４の外側に放熱用のフィン等を設けるこ
とで、更に高めることができる。なお、カプラ２０はハ
ウジング本体１０にあらかじめインサート成型しておい
てもよい。
ハウジング部１４の外側に放熱用のフィン等を設けるこ
とで、更に高めることができる。なお、カプラ２０はハ
ウジング本体１０にあらかじめインサート成型しておい
てもよい。
本発明によれば、パワートランジスタを搭載したセラミ
ックスなどからなる回路基板は、基台に固定されるハウ
ジング本体の上下両面に貼付されるので、装置の小型化
とパワートランジスタからの熱の放熱性の向上を同時に
達成できる効果がある。
ックスなどからなる回路基板は、基台に固定されるハウ
ジング本体の上下両面に貼付されるので、装置の小型化
とパワートランジスタからの熱の放熱性の向上を同時に
達成できる効果がある。
第１図は本発明の実施例に係るパワートランジスタ搭載
装置の構成を示す図である。 １０・・・ハウジング本体、１１・・・マウント部、１
２・・・取付部、１３・・・開口、１４・・・ハウジン
グ部、２０・・・カプラ、２１・・・端子板、２２・・
・樹脂カバー２３・・・配線、３０・・・押え板、４０
・・・回路基板、４１・・・チップ、４２・・・ワイヤ
、５１・・・上蓋、５２・・・底蓋。
装置の構成を示す図である。 １０・・・ハウジング本体、１１・・・マウント部、１
２・・・取付部、１３・・・開口、１４・・・ハウジン
グ部、２０・・・カプラ、２１・・・端子板、２２・・
・樹脂カバー２３・・・配線、３０・・・押え板、４０
・・・回路基板、４１・・・チップ、４２・・・ワイヤ
、５１・・・上蓋、５２・・・底蓋。
Claims (2)
- １．中間部が板状となってその両側の取付部で基台に取
り付けられる放熱用のハウジング本体と、パワートラン
ジスタを搭載して前記ハウジング本体の板状部分の上下
両面にそれぞれ貼り付けられる少なくとも２板の回路基
板と、前記ハウジング本体に取り付けられて各端子が前
記回路基板の各端子に電気的に接続されるカプラとを備
えることを特徴とするパワートランジスタ搭載装置。 - ２．前記ハウジング本体は金属材料で形成され、前記回
路基板はセラミックス材料で形成されることを特徴とす
る請求項１記載のパワートランジスタ搭載装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195778A JP2590377B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | パワートランジスタ搭載装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1195778A JP2590377B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | パワートランジスタ搭載装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360196A true JPH0360196A (ja) | 1991-03-15 |
| JP2590377B2 JP2590377B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=16346810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1195778A Expired - Fee Related JP2590377B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | パワートランジスタ搭載装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590377B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844898U (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | 東洋通信機株式会社 | 電子回路収納ケ−スの放熱構造 |
| JPS6159392U (ja) * | 1984-08-29 | 1986-04-21 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1195778A patent/JP2590377B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844898U (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | 東洋通信機株式会社 | 電子回路収納ケ−スの放熱構造 |
| JPS6159392U (ja) * | 1984-08-29 | 1986-04-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2590377B2 (ja) | 1997-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |