JPH035651B2 - - Google Patents

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JPH035651B2
JPH035651B2 JP56215324A JP21532481A JPH035651B2 JP H035651 B2 JPH035651 B2 JP H035651B2 JP 56215324 A JP56215324 A JP 56215324A JP 21532481 A JP21532481 A JP 21532481A JP H035651 B2 JPH035651 B2 JP H035651B2
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wafer
mask
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mark
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Akyoshi Suzuki
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Canon Inc
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Priority to GB08236745A priority patent/GB2115923B/en
Priority to DE19823248382 priority patent/DE3248382A1/de
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Publication of JPH035651B2 publication Critical patent/JPH035651B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • GPHYSICS
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70583Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は整合方法、特に半導体回路パターンの
露光機(いわゆるマスクアライナー)等、精密な
位置合わせ(アライメント)を行なうものに関す
る。一般に半導体素子、IC等は、Si、GaAs等の
基板上に複雑な回路パターンを焼き付け、化学又
は物理処理を施す工程を何度も繰り返すことによ
つて作製される。
この際、前工程処理のなされた基板の所定位置
に次工程のパターンを正確にアライメントさせる
必要が生じてくる。
近年、高速化、高集積化を指向してパターンの
微細化が追求されておりアライメント精度も0.1μ
mオーダーの極めて精度の高い値が云々さるに至
つている。
従来、このようなアライメントは作業者が目視
で行なつていたが近年急速にこの作業の自動化す
なわち自動位置合わせ(オートアライメント)が
指向されている。例えば本件出願人による特開昭
53−91754号公報に記載される走査型光検出装置
は、レーザ光をスポツト状又はスリツト状に物体
上に結像させて物体上を等速走査させ、アライメ
ント用に設けられたマークからの散乱光を検出す
るものである。レーザ光走査法の出現により、回
路パターンが焼き付けられ複雑な微細断面形状を
した半導体用のウエハーからもS/N比の良い信
号を抽出することが可能となりオートアライメン
ト技術が急速に普及した。
レーザ光走査方式は例えば本件出願人による特
開昭54−53562号公報の光電検出装置にみられる
ようにマスクとウエハ間隔がゼロのコンタクト法
若しくはマスクとウエハ間が微小量のプロキシミ
テイ法のみならずレンズ若しくはミラーを用いた
プロジエクシヨン法に対しても適用できる。
ところで当該分野においてオートアライメント
の精度を向上させる為の要因の一つとしてレーザ
光の干渉の問題の解決が大きな課題となつてくる
に到つた。すなわち、マスクのアライメント用マ
ークのエツジ信号出力が変動し、安定したアライ
メントが為されないということである。この様子
を第1図に示す。図中1は焼き付けるべきパター
ンが刻まれているマスク、2はウエハ、3は入射
光である。ここでマスク1のアライメント用マー
クのエツジで散乱される光には2種類のものが存
在する。
1つは図中4で示した様にアライメント用マー
クのエツジから直接散乱して戻つてくる光であ
り、もう一つはウエハ2で反射されて戻つてくる
光である。ウエハ2で反射されて戻つてくる光に
は2種類あり、一方は5で示されるようにマーク
1のアライメント用マークのエツジで散乱されて
ウエハ2で反射されてくる光であり、他方は6で
示されるようにマーク1のアライメント用マーク
のエツジを過ぎて、ウエハ2で反射され、而る後
にアライメント用マークのエツジで散乱される光
である。ウエハは一般に反射率が高いため、マス
ク1のアライメント用マークのエツジから直接散
乱される光4と、ウエハ2からの反射を介する光
5若しくは6との干渉は大となり、マスク、ウエ
ハ間の微小変化によりアライメント時、フオトマ
スクのアライメント信号出力は変動が激しく不安
定となりアライメント精度に悪影響を与えてい
た。
以上はマスク1のアライメント用マークのエツ
ジ信号出力がウエハ2の介在することによつて干
渉により不安定となることを述べたものである
が、これとは別に理論的にはウエハ2のアライメ
ント用マークのエツジ信号出力がマスクの介在す
ることによつて干渉により不安定となることが考
えられる。
すなわち、ウエハのアライメント用マークのエ
ツジから直接、散乱されてくる光と、マスク下面
で反射し、再びウエハに戻つてウエハのアライメ
ント用マークのエツジから散乱されてくる光が干
渉することである。
しかしながら、マスクは一般にガラス等反射率
の低いもので構成されるため、実際には干渉が弱
く、ウエハのアライメント用マークのエツジ信号
出力は、安定したものとなつている。
マスクのアライメント用マークのエツジ信号出
力の干渉による影響はマスクとウエハとの間隙が
わずかなプロキシミフイ焼付けて顕著であるがレ
ーザ光の可干渉距離が長いため、レンズ若しくは
ミラー光学系を用いたプロジエクシヨン焼付けの
場合にも程度の差こそあれ依然として残る問題で
ある。
本発明は斯かるマスク上のアライメントマーク
エツジからのアライメント信号の干渉現象による
不安定性を解消し、安定した計測と、より高い精
度のアライメントを可能とした新規な整合装置及
び整合方法を提供することを目的とする。
この目的はマスク上に基準マークとして第2の
整合用マークを設け、各整合用マークからの反射
光を光電変換するときのウエハの位置を制御する
ことによつて達成される。
これにより第2の整合用マークからの安定した
出力が得られ、これを基準信号として用い、第1
段階としてウエハが実質的に存在しない状態でマ
スクの第1の整合用マーク(マスクアライメント
マーク)との相対位置関係を検出し、第2段階と
してウエハが実質的に存在する状態で、マスクの
第1の整合用マークに対向するウエハの整合用マ
ーク(ウエハーアライメントマーク)との相対位
置関係を検出することにより、マスクとウエハの
アライメントを安定して行なうことができる。
更に第2の整合用マークをマスクに設ければマ
スク上の第1の整合用マークと第2の整合用マー
クは相対位置関係が保たれるため、マスク絶対位
置が変化しても第2の整合用マークを基準としこ
れに対する第1の整合用マーク位置が変化せず安
定したマスクとウエハとのアライメントを行なう
ことができる。
なお本発明にある形態では第1の整合用マーク
と第2の整合用マークを別の対物レンズ系で観擦
することとなるが、第2の整合用マークをマスク
上に設けた場合、一方でマスクに、他方でウエハ
にと双方独立にピントを合致できフオーカスずれ
による誤差が除去される。
以下、図に従つて本発明を具体的に説明するこ
ととする。
第2図は本発明による好ましい実施例の一つで
ある。
図中1はマスク、一点鎖線で示された2はウエ
ハを示す。
マスク1上には回路パターン(実素子パター
ン)の他、アライメント用のマーク10a,11
a,10b,11bが形成されている。マーク1
0a,11aは各々対物レンズ14a,15aを
介して左視理系として視野合成され、マーク10
b,11bは各々対物レンズ14b,15bを介
して右視野系として視野合成される。アライメン
ト用マーク11a,11bは従来用いられていた
アライメントマークであるが、本発明で特徴的な
のは、アライメント用のマークが11a,11b
の他に10a,10b(基準マーク)として新た
に設けられていることである。
ここで注目しなければならないのは10a,1
0bで示されるマークの下にはウエハ2が存在し
ていないことである。なおコンタクト・プロキシ
ミテイ法ではできないがプロジエクシヨン法の場
合に、ウエハ2が存在していてもシヤツター等に
よりウエハ2からの反射光を抑え少なくともマー
ク10a,10bのある領域をアライメント時、
実質的にウエハ2が存在しない状態を形成するこ
とも可能である。
このように10a,10bで示されるマークの
下にはアライメント時、実質的にウエハ2が存在
しない状態となるため、第1図におけるウエハか
らの反射光5若しくは6の光が存在せず、唯一散
乱光4のみが存在することとなる。ウエハ2から
の反射光5,6が存在しない為、干渉は起きず、
極めて安定したマスク信号を抽出することができ
る。
このウエハ域にかからぬ位置に設けられるマー
ク10a,10bがマスクとウエハとのアライメ
ントの基準として用いられる。
なお、マーク10a,10bの下は実質的に光
を反射しないような処置例えばフオトマスクホル
ダーの該当箇所に穴をあけ、フオトマスクを通り
抜けた光をこの穴を通して外部に逃がし、観察系
に戻らないようにすることが望ましい。穴の替わ
りにマーク10a,10bに相当する箇所に反射
防止処理をしても良い。フオトマスクホルダーに
何らかの処理を施した場合には本発明の特徴とな
るマーク10a,10bが設けられる場所は自ず
と限定されてしまうが、ウエハの有効域以外の場
所であり実際上問題ない。
マーク10a,10bからの信号はウエハの有
無にかかわらず安定して抽出されることを既述し
たが、アライメントの第1段階としてウエハが実
質的に存在しない状態で、レーザ光を走査すれ
ば、パターン10a,10bのみならず、マーク
11a,11bからのエツジ信号が安定して得ら
れマーク10a,10bの位置に対し各々マーク
11a,11bの位置が安定して検出測定され
る。後述するアライメントの第2段階としてはウ
エハが実質的に存在する状態でマスク上のマーク
10a,10bの位置に対しウエハ上のアライメ
ントマークの位置を検出測定することとなる。次
に第3図においてマスク面を観察するアライメン
トスコープ系を示す。図では片側の視野すなわち
第2図における左側の領域のみが記載されてい
る。
14a,15aは対物レンズ、21aはレーザ
ー、22aはレーザーをスポツトに結像するレン
ズ、23aは回路多面鏡、24aはf−θレン
ズ、25aは観察系用のビームスプリツター、2
6aはフイールドレンズ、27aは視野分割プリ
ズム、28a,28′aは偏光ビームスプリツタ
ー、29a,29′aはリレーレンズ、30a,
30′aは1/4波長板、31a,31′aはレーザ
ー光透過フイルター、32a,32′aは瞳結像
レンズ、33a,33′aは零次光を除くための
空間周波数フイルター(ストツパー)、34a,
34′aはコンデンサーレンズ、35a,35′a
はフオトデイテクターで以上が光電検出系を構成
する。また36aはエレクターレンズ、37aは
撮像素子、38a,38′aは視野照明系、39
a,39′aは照明光源を示す。
ここでアライメントスコープ系の構成は例えば
照明光源39a,39′aにオプテイカルフアイ
バーを用いるとか、光路の曲げ方を変える等種々
の変形が考えられるが、第3図を代表例として示
すこととする。
第3図で対物レンズ14a,15a上に1/4波
長板30a,30′aを設けたのは偏光ビームス
プリツター28a,28′aとの関連である。
すなわち偏光ビームスプリツター28a,2
8′aを反射して対物レンズ14a,15aに入
るスキヤンされたレーザ光は1/4波長板30a,
30′aを通りマスク若しくはウエハで反射され
再び1/4波長板30a,30′aを通ることによつ
て偏光方向が90゜回転し、再度偏光ビームスプリ
ツター28a,28′aに入ると今度は透過して
フオトデイテクター35a,35′aに達する。
このような偏光手段を用いることにより走査信
号検出が極めて光量損失が少なく、効率的になさ
れる。
第3図の様な光学系を用いて第2図の様に配列
されたマスク1、ウエハ2を観察するわけである
が、第2図に示すように対物レンズ14aと15
a、またこれと対称的に構成される対物レンズ1
4bと15bが互いにペアをなしている。次にこ
のようなアライメントスコープ系で観察されるア
ライメント用マークについて説明する。
第4図は従来のアライメント用マークを示す。
43a,44a、43b,44bはマスクのア
ライメントマークを、また45a,46a,45
b,46bはウエハのアライメントマークを示
す。
第4図は従来の系を用いて観察される像の一例
であり2つの対物レンズ15a,15bを介して
視野合成した場合の系を示している。すなわち4
3a,44a,45a,46aは一方の対物レン
ズ15aを介して、また43b,44b,45
b,46bは他方の対物レンズ15bを介して表
示面に視野合成されている。マスク上のアライメ
ントマーク43aの2本の線は平行で、同様に2
本の平行な線よりなるアライメントマーク44a
に直交する構成に設定されている。
またウエハ上のアライメントマーク45a,4
6aは互いに直交するように設定されている。4
3b,44b,45b,46bも同様な関係にあ
る。
48はレーザ走査ビームの走査ラインでありビ
ームが走査されることによりマスク及びウエハの
アライメントマークのエツジ部からの走査信号出
力が時系列的に得られる。f−θレンズによりレ
ーザビームの走査速度が一定であるからアライメ
ントマークのエツジ間隔は時系列的な信号出力の
時間間隔により検出でき、これが所定の値となる
ようにマスクとウエハを相対的に微小移動させ、
アライメントを完了させる。従来、マスクとウエ
ハとのアライメントはウエハの存在する状態で行
なつていたので既述したようにマスクのアライメ
ントマーク43a,44a,43b,44bから
のエツジ信号出力が干渉作用により変動し、安定
したアライメント操作が困難であつた。
第5図は、本発明のアライメント用マークを用
い視野合成された系、全体の説明図である。
対物レンズ14a,15aにより各マーク10
a,11aが視野分割プリズム27a上にその陵
線に関し振り分けられて投影され、而る後エレク
ターレンズ36aにより同一表示面として撮像素
子37a上に視野合成されるよう投影される。同
様にマスク中心について対称的な位置に設けられ
る対物レンズ14b,15bによりマーク10
b,11bが不図示の撮像素子37b上に視野合
成されるよう投影される。
撮像素子37a,37bからの出力わ再合成
し、同一表示面に表示することはもとより可能で
ある。
ここで注目すべきは、マスク上に設けられるア
ライメント用マーク41a,42a,43a,4
4a,41b,42b,43b,44bのうち、
対物レンズ光軸方向から見てウエハ域外にアライ
メント用マーク41a,42a,41b,42b
すなわち10a,10bが設けられることであ
る。
以下、第5図の左視野におけるマーク10a,
11aについて第6図を用いて詳述する。第5図
の右視野におけるマーク10b,11bについて
は対称性より同様に扱えるので省略する。
第6図においてマスク上のマーク41aは43
aに平行で、また42aは44aに平行であり、
43aと44aは互いに直交する。
従来、マスク上のマーク43a,44aに対
し、ウエハ上のマーク45a,46aをアライメ
ントさせていたが本発明においてはマスク上のマ
ーク41a,42aに対し、ウエハ上のマーク4
5a,46aをアライメントさせることを用い
る。
この前提としてマスク上のマーク41a,42
aに対し、マスク上のマーク43a,44aの位
置関係が特定されることが必要である。これは既
述したように第1段階としてウエハが実質的に存
在しない状態で安定して検出するものである。こ
こで第2段階としてウエハが実質的に存在する状
態で、走査ビーム48aで走査するとマスク及び
ウエハのマークの各エツジ信号からのフオトデイ
テクター35a,35′aによる時系列的出力が
第7図に示されるように得られる。
第7図で41−1と示したのがマーク41aの
左側の線からの出力、41−2と示したのがマー
ク41bの右側の線からの出力で他の添字もこれ
に準ずる。第7図において視野分割線47aから
の出力を微かながら観察されるので図中に示し
た。視野分割線47aは視野分割プリズム27a
の陵部が投影されて生ずるものである。マスクの
マーク41aと43a、42a,と44aとは互
いに平行であり41−1と43−1の時間間隔
T1、41−2と43−2の時間間隔T2、42−
1と44−1の時間間隔T3、42−2と44−
2の時間間隔T4は一定の値となる。マスクのマ
ーク41a,42aが各々43a,44aに平行
となるように設けることは走査ビーム48aが図
中上下に偏位する場合にも安定した計測をなすこ
とができる点で有用である。
ここでマスクのマーク10aはウエハが実質的
に存在しない領域に設けられ、マーク11aはウ
エハが実質的に存在する領域に設けられることは
重要である。すなわち第7図における各信号出力
のうち、マスク上のマーク43a,44aからの
出力43−1,43−2,44−1,44−2は
ウエハからの反射光と干渉作用により不安定な一
方、マスク上のマーク41a,42aからの出力
41−1,41−2,42−1,42−2はウエ
ハが実質的に存在しないため干渉作用が無く極め
て安定していることである。
以下、本発明におけるマスクとウエハとのアラ
イメント法を詳述する。
本発明においては第1段階としてウエハの実際
に存在しない状態若しくはシヤツター等により光
束を遮る状態すなわち光路中にウエハが実質的に
存在しない状態で、マスク上をレーザビーム走査
し、マスク上のマーク41a,42aと43a,
44aの時間間隔を測定しておき、これをメモリ
ーさせておく。ここでウエハが実質的に存在しな
いためマスク上のマーク41a,42a,43
a,44aからのエツジ信号出力(第1信号)4
1−1,41−2,42−1,42−2,43−
1,43−2,44−1,44−2は変動せず、
各マーク間の時間間隔は正確に計測される。
第2段階としてウエハを実質的にマスクの下に
存在させマスク上をレーザビーム走査する。マス
ク上のマーク41a,42aの下にはウエハが介
在しないため依然としてエツジ信号出力(第2信
号)41−1,41−2,42−1,42−2は
安定して得られる。
第2段階でマスク上のアライメントマーク43
a,44aからのエツジ信号出力は干渉作用によ
り不安定となり、このときのエツジ信号出力43
−1,43−2,44−1,44−2はアライメ
ント操作に使用しないこととする。ただのウエハ
のアライメントマーク45a,46aからのエツ
ジ信号出力(第2信号)45,46は安定して得
られ、これをアライメント操作に用いる。
マスクが実質的に存在してもウエハ上のアライ
メントマークからのエツジ信号出力が安定して得
られるのは既述したようにマスク下面の反射率が
低く、干渉作用が弱いためである。マスクとウエ
ハの位置ずれは第1段階、第2段階の信号が合成
されて検出される。すなわち、第7図において第
1段階では時間間隔T1,T12,T2,T3,T34,T4
が安定して得られ、第2段階では時間間隔Ta,
Tbが安定して得られることとなる。マスクとウ
エハとのアライメントの完了を、マスク上のアラ
イメント用マーク43a,44aの丁度中間にウ
エハ上のアライメントマーク45a,46aがは
さみこまれることをもつて為す場合、走査ビーム
の走査速度が一定なのでウエハはマスクに対し次
式が成立するように相対的に移動させれば良い。
Ta=T1+T2+T12/2 Tb=T3+T4+T34/2 ここでTaは41−1から45までの時間間隔、
Tbは42−1から46までの時間間隔、T1は4
1−1から43−1までの時間間隔、T2は41
−2から43−2までの時間間隔、T12は41−
1から41−2までの時間間隔、T3は42−1
から44−1までの時間間隔、T4は42−2か
ら44−2までの時間間隔、T34は42−1から
42−2までの時間間隔である。
ところでマスク上のマーク11a(43a,4
4a)が無いと、マスク上のマーク10a(41
a,42a)は一方の対物レンズ14aで観察さ
れ、一方ウエハ上のマーク45a,46aは他方
の対物レンズ15aで観察されるため、すなわち
異なる対物レンズで観察されるため、マスクとウ
エハの完全なる検出が保証されない。然るに本発
明においてはマスク上のマーク11a(43a,
44a)を使用し、第1段階の測定においてこの
マスク上のマークを対物レンズ15aで観察し、
第2段階の測定においてウエハ上のマーク45
a,46aを同じ対物レンズ15aで観察するた
め、対物レンズ15aが14aに対し相対的に位
置変化することがあつてもマスクとウエハの完全
なる位置関係が保証される。
ところでTa,Tbの式でわかる様に第1のアラ
イメント用マーク11aと、第2のアライメント
用マーク10aとは同一若しくは相似の形状でな
くとも良い。
すなわち例えば第8図に示されるようにマーク
41a,42aが1本に重なつたようなマーク5
1a,52aであつても良い。第9図はマスク上
の第1のアライメント用マークとして43a,4
4aを、第2のアライメント用マークとして51
a,52aを用いたときの各マークのエツジ信号
出力を示す。ウエハが実質的に存在しない状態で
のマスク上のアライメントマークからの出力パル
ス51から43−1までの時間間隔をT11,51
から43−2までの時間間隔をT21、52から4
4−1までの時間間隔をT31、52から44−2
までの時間間隔をT41で示す。またウエハが実質
的に存在した状態でのマスク上のマーク51a,
52aからのエツジ信号出力51,52とウエハ
上のマーク45a,46aからのエツジ信号出力
45,46との時間間隔を各々Ta1,Tb1とす
る。マスク上のアライメント用マーク43a,4
4aの丁度中間にウエハ上のアライメント用マー
ク45a,46aがはさみこまれることをもつて
マスクとウエハのアライメントが完了するとする
場合、次式を満たすようウエハがマスクに対し相
対的に移動される。
Ta1=T11+T21/2 Tb1=T31+T41/2 ここで光電検出系のブロツク図を第10図に、
また時間間隔測定の実施例を第11図に示す。第
10図、第11図において主としてウエハの実質
的に存在する第2段階の系について説明する。
フオトデイテクター35a,35′aからの出
力は(第11図a)はアンプで増幅され、論理レ
ベル交換回路でパルス化され(第11図b)、計
測モード設定回路によりパルス第1発目をたたく
か、第2発目をたたくか選択され、各々論理ゲー
ト発生回路1,2を介してゲート信号が加わり
(第11図c若しくはe)、AND回路を経てマス
クの第2のアライメントマーク51若しくは52
からの信号と、ウエハのアライメントマーク45
若しくは46からの信号との時間間隔Ta,Tbが
計測され(第11図d若しくはf)、これば前述
の式を満たすようX、Y、θ駆動される。ところ
でウエハが実質的に存在しない第1段階の測定系
については計測モード設定回路により適宜なゲー
ト信号が選択されマスクのアライメントマーク5
1と43−1からの信号の時間間隔T11、51と
43−2からの信号の時間間隔T21が計測され、
次の第2段階の測定にあたつての基準値が形成さ
れる。第11図におけるゲート信号は2△Tのパ
ルス幅をもち、ウエハのアライメントマーク45
若しくは46が2△Tに相応する許容度をもつて
各々マスクのアライメントマーク43−1,43
−2若しくは44−1,44−2の間に、はさま
れるときAND回路よりウエハに関する出力が得
られるようになつている。
ここでウエハのアライメントマークがマスクの
アライメントマークにはさまれないときはウエハ
に関する出力が得られなくなる。勿論、この場合
も考慮してゲート信号を適宜選択することは可能
である。
第11図は簡略化された実施例を示している。
ところで以上、第5図において示した如くマス
ク上のマーク41a,42aは43a,44aと
ペアになり、一方の走査ビーム48aで走査さ
れ、他方41b,42bは43b,44bとペア
になり他方の走査ビーム48bで走査されると述
べたが、すなわち新たなマークを2箇所設けると
して述べたが原理的には少なくとも1箇所あれば
良い。
例えば走査ビーム48aと48bが共通化され
るならば、すなわち一つの走査ビームにてマスク
上のアライメントマーク41a,42a,43
a,44a,44b,43b,41b,42bと
順次走査されるような場合、アライメントマーク
41a,42aが有れば41b,42bが無くと
も良い。同様に41b,42bが有れば41a,
42aが無くとも良い。
また本発明においてビームの走査方向は図示さ
れたものに限らず、視野合成される結果、マスク
の第1、第2のマーク及びウエハのマークを検出
できるものであればどのような走査方向であつて
も良い。
ところで本発明について種々の変形例が考えら
れる。
第12図に示されるものは、精度を高めるた
め、左右方向だけでなく上下方向にも対物レンズ
ペアを配置したものである。
マスク上、クロスで示す8箇所がアライメント
用マークが設けられる位置である。このうち4箇
所60a,60b,62a,62bはウエハ2の
介在しない領域に設けられる。
第13図に示すものはマスク1上のアライメン
ト用マークを矩形状となるよう4箇所に設けたも
のである。
このうち、70a,71aはウエハ2の介在し
ない領域に設けられる。
第14図に示すものは、顕微鏡系の視野を点線
で示すようにうまくとることにより、対物レンズ
として左右1本づつの計2本で十分な検出を行な
うことができる実施例である。
但し、この実施例ではコンタクト法の場合、マ
スクとウエハ2の双方同時に完全にピントを合致
させることが可能であるがプロキシミテイ法の場
合、マスクとウエハに微小ギヤツプがあるためマ
スクとウエハ双方に完全にピントを合致させるこ
とができない。しかし実用上、本実施例はプロキ
シミテイ法にも充分適用可能である。ところでマ
スクとウエハーのアライメントが完了すると装置
は露光動作に移行する。
アライメントする位置と露光する位置が同一の
場合、すなわちマスクとウエハーがアライメント
を完了した位置で露光を受ける場合、対物レンズ
系を露光の邪魔とならぬ様、マスク上側の位置か
ら光路外へ退避させる必要がある。対物系は露光
後再び元の位置に戻つてくるようにすれば良い。
この他に第15図に示されるようにアライメント
位置Aと露光位置Eが完全に分離されるものであ
つても良い。
すなわちこの場合、アライメント用の対物レン
ズ14a,15a,14b,15bでマスクとウ
エハがアライメントされた後、マスクとウエハは
相対位置を保つたまま一体的に露光位置Eに送ら
れ露光を受けることとなる。
以上、述べてきた様に、本発明はマスク信号を
ウエハによる影響を全く受けない状態で取り出し
ているので、アライメントの安定化を図ることを
可能とする。尚、本発明の実施例によれば第14
図に示される実施例を除いて顕微鏡対物レンズが
マスク用、ウエハ用と別箇独立して設けられるた
め、マスクとウエハ双方に完全にピントを合致さ
せることができ、特にプロキシミテイ法ではフオ
ーカスのずれによる誤差の混入が除去される。
すなわちウエハの実質的に存在しない領域に設
けられる対物レンズはマスクにピントが合うよう
に、またウエハが実質的に存在する領域に設けら
れる対物レンズはマスクではなく焼付け時のウエ
ハ位置にピントが合うように設定することができ
る。
更に本実施例では、ウエハの実質的に存在しな
い領域に設けられるマスク上のアライメントマー
クはアライメントスコープ内での単なる指標とし
て用いられるだけで実素子パターン等との相対精
度を必要としないので、アライメントマークを設
けることも比較的容易になされ得る。本発明は基
本的には基準信号をマスク以外から取り出しても
良いのであるが、特にマスクから取り出すことに
よつて次のような効果がある。
すなわちウエハが実質的に存在しない状態で第
2段階の測定が終わり、而る後にウエハが実質的
に存在する状態で第2段階の測定を行なう際、ウ
エハとマスクがコンタクトすることによりマスク
絶対位置が第1段階の測定位置からシフトするこ
とが考えられるが、実施例においてはマスク上の
2種類のアライメントマーク、すなわちウエハ域
にかからない第2のマークと、ウエハ域にかかる
第1のマークが同一量シフトすることとなり、第
1段階でのメモリーされた測定値を用いてシフト
されたマスクに対しウエハを正確にアライメント
できることとなる。この場合、勿論表示面上でシ
フト量が同一となるよう第1のマークと第2のマ
ークを観察する光学系は同一倍率であることが望
ましい。アライメントスコープにおける対物レン
ズ14a,15aの相対位置の微小変化は毎回ウ
エハが露光を受けて搬出される毎に時間間隔を測
定し、メモリーしておけば完全に補正されること
となる。
またマスクとウエハとの間に予めオフセツト量
のある場合はその値に応じて時間間隔Ta,Tbを
調整してやれば良い。なお、実施例では光電検知
の方法をレーザ光走査によつて行なつたが他の方
法例えば光電顕微鏡を用いる方法や、撮像管、
CCD等の電子的な走査方式を用いることも勿論
可能である。
その際、特にウエハの信号を取る側の顕微鏡系
で視野法的な検出を行なうとコントラストが強調
されて有利な場合が多い。
また本実施例ではオートアライメント用のマー
クの為に、故意に実素子をつぶす実施例のみを示
したがアライメントマークをスクライブ用のライ
ン上に設ければ実素子をつぶすことなく、効率的
にパターンの配列を行なうことができる。
尚、以上の説明では、本発明をコンタクト、プ
ロキシミテイ方式のアライナーに適用する場合を
例に示したが、本発明は他の焼き付け方法例えば
レンズ或いはミラーによるプロジエクシヨン法に
も適用できるものである。
また本発明の方法は光露光法のみならずX線露
光法等、他の焼き付け露光法に対し広汎な応用が
可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図はマスク上のアライメントマーク信号の
干渉による影響の説明図、第2図は本発明のマス
ク上のアライメントマークのウエハとの相対位置
を示す図、第3図は本発明におけるアライメント
スコープ系の左半分を示す斜視図、第4図は従来
のマスク、ウエハ上のアライメントマークの全体
図、第5図は本発明のマスク、ウエハ上のアライ
メントマークの一実施例の全体図、第6図は第3
図に示すアライメントスコープでの観察像の図、
第7図は第6図で示した観察像からの出力の図、
第8図は第3図に示すアライメントスコープでの
観察像の別の実施例の図、第9図は第8図で示し
た観察像からの出力の図、第10図は光電検出系
のブロツク図、第11図a,b,c,d,e,f
は時間間隔測定の実施例の図、第12図乃至第1
4図は本発明のアライメントマークの異なる実施
例の図、第15図はアライメント位置と露光位置
が分離された系の説明図、 図中、1はマスク、2はウエハ、3は入射光、
4〜6は散乱光、10a,11a,10b,11
bはマスクのアライメント用マーク、14a,1
5a,14b,15bは対物レンズ、21aはレ
ーザー、23aは回転多面鏡、24aはf−θレ
ンズ、35aはフオトデイテクター、37aは撮
像管、41a,42a,43a,44a,41
b,42b,43b,44bはマスク上のアライ
メント用マーク、45a,46a,45b,46
bはウエハ上のアライメント用マークである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 回路パターンが形成されたマスクにマスクア
    ライメントマークを、マスクの回路パターンが転
    写せしめられるウエハーにウエハーアライメント
    マークを設け、所定の基準マークとマスクアライ
    メントマークに光を照射して各々のマークからの
    光を光電変換し、上記基準マークとマスクアライ
    メントマークの位置関係に応じた第1信号を検出
    し、上記基準マークとウエハーアライメントマー
    クに光を照射して各々のマークからの光を光電変
    換し、上記基準マークとウエハーアライメントマ
    ークの位置関係に応じた第2信号を検出し、上記
    第1信号と第2信号に基づいて上記マスクとウエ
    ハーを互いに整合する整合方法において、上記基
    準マークを上記マスクに形成し、上記基準マーク
    とマスクアライメントマークに照射した光が上記
    ウエハーで反射しないよう上記ウエハーを第1位
    置に位置付けて上記マスクの上方より上記基準マ
    ークとマスクアライメントマークに光を照射し、
    上記基準マークとマスクアライメントマークから
    の各反射光を光電変換して上記第1信号を検出
    し、上記基準マークに照射した光が上記ウエハー
    で反射しないよう上記ウエハーを上記第1位置と
    は異なる第2位置に位置付けて上記マスクの上方
    より上記基準マークとウエハーアライメントマー
    クに光を照射し、上記基準マークとウエハーアラ
    イメントマークからの各反射光を光電変換して上
    記第2信号を検出し、上記第1と第2信号に基づ
    いて上記マスクとウエハーの位置関係を検出して
    上記マスクとウエハーを互いに整合することを特
    徴とする整合方法。
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