JPH0354744A - 光情報記録媒体及びそれを用いた光情報記録方法 - Google Patents
光情報記録媒体及びそれを用いた光情報記録方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
れた色素を含む光吸収層と、該光吸収層上に設けられた
反射層とを有するtilt報を光学的に書き込みあるい
は読み出し得る光情報記録媒体および該記録媒体への記
録方法に関するものである。
基板の上に形成し、ピットが形成された面に金属の反射
膜を形成した再生算用の情報記録媒体としてコンパクト
ディスク(以下CDという)が実用化されており、広く
普及している。
光情報記録媒体も検討がされており、その中で、少なく
とも透光性基板と、該基板上に設けられた色素を含む光
吸収層と、該光吸収層上に設けられた反射層とを有し、
情報を光学的に書き込みあるいは読み出し得る光情報記
録媒体は、たとえば特開昭54−89605等によって
知られており、このような光情報記録媒体への記録状態
を示すものとして光吸収層に隣接する層が変形するもの
としては、特開昭58−189851, 特開昭59
−171689等が知られている。
な情報記録媒体では、記録された信号を再生W用の情報
記録媒体として広く知られているコンパクトディスク(
以下CDという)と同じようにCDプレーヤーで再生す
ることはできなかった。
信号が得られなければならない。CD規格に準拠するた
めには、反射率が70%以上、!++/It0−が0.
6以上、13/Il。,が0.3〜0.7、ブロックエ
ラーレートが3,OXIO−2以下、プッシュブル値が
0.04〜0.07の範囲内でなければならない。
ストを良くするために、プリグルーブ5が形成された基
板上に設けられた光吸収層の反射層側を略平坦にするこ
と(以下「レベリング」といろ)については、特開昭5
9−135640、特開昭59−210546によって
知られており、プレピットを有する情報記録媒体ではあ
るが、プレピットの深さを規定したものとして、特開昭
63−25793 1等が知られている。
光吸収層が設けられ、さらに反Q4EJが設けられた光
情報記録媒体として、上記CD規格を満足するための光
吸収層の最適条件は何等示されていなかった。
可能な再生信号が得られる光情報記録媒体およびその光
情報記録媒体への記録方法を提供することを目的とし、
第二に、特に再生信号のコントラストの良い、具体的に
は、現在のCD規格に定められたプッシュブルの値が良
好な光情報記録媒体を提供することを目的とし、第三、
に変調度の大きな再生信号が得られる光情報記録媒体を
提供することを目的とするものである。
にプリグルーブが形成された基板上に、直接または他の
層を介して色素からなる光吸収層が設けられ、該光吸収
層に直接または他の層を介して金fit摸からなる光反
射層が設けられた光情報記録媒体において、該光吸収層
の基?側の層界のプリグルーブ部分の深さをd Rub
s光吸収層の反射層側の層界のプリグルーブ部分の深さ
をd.■、光吸収層より透光性基板側にある層の複素屈
折率の実数部をnsub、光1及収層の鳩素屈折率の実
数部をn。5、再生光の波長をλとしたときの光学的位
相差ΔS=2dsub {nsub − nsb* (
1 − dabs/ dat+b) ) /λ が
、 ΔS≦0. 3であることを特徴とする光情報記
録媒体である。
側の層界のプリグルーブ部分の深さd subがd s
ul+≧50nmである光情報記録媒体である。
の一部の領域に形成され、同光吸収層の無い領域に予め
信号再生用のピットが形成されたROM領域を有する光
情報記録媒体であってもよい。
形成された基板上に直接または他の層を介して色素から
なる光吸収層が設けられ、該光吸収層に直接または他の
層を介して金aiからなる光反射層が設けられた光情報
記録媒体に光学的に情報を記録する光情報記録方法にお
いて、光吸収層の基板側の層界のプリグルーブ部分の深
さをd sub+光吸収層の反射層側の層界のプリグル
ーブ部分の深さをdabs、光吸収層より透光性基板側
にある層の複素屈折率の実数部をnsubs光吸収層の
複素屈折率の実数部をnsb,、再生光の波長をλとし
たときの光学的位相差ΔS ”2 daub {nsu
b− nabs ( 1 − dabs/ d.,.)
)/λ が、ΔS≦0、3である光情報記録媒体を用い
、透光性基板から記録光を照射し、光吸収層の基板側の
層を変形させることを特徴とする光情報記録方法である
。
側の層界のプリグルーブ部分の深゜さd sumがd
sub≧50nmである光情報記録方法である。
、基板側から再生レーザー光を照射したとき、光反射層
によりプリグルーブの部分とそれ以外の部分C以下「ラ
ンド部」という。)とで反射されたレーザー光の光学的
位相差(ΔS=2ND/λ)は、 ΔS ” 2 d
sub ( n sul+−nabs ( l−dab
s/dsub) ) /λ で表わされ、第3図のよう
に、ΔSを、一〇.5≦ΔS≦0.5で変化させるとき
、反射光は、干渉効果により、ΔS=0で最大となり、
ΔS=±0.5で最小となる。
、後述する各実施例の説明において明らかにされる通り
、ΔS≦0.3の範囲でCD規格にQ’lA可能な光情
報記録媒体が得ることができることを見出だした。さら
に、dsubを50nm以上とすることにより変調度が
大きく、波形ひずみおよびジッターの少ない、CD規格
に準拠した光情報記録媒体が得るこ−とができる。
明する。
lbは光吸収層2の透光性基板1側の層界、3は反射層
、3bは光吸収層2の反射層3側の層界、4は保r!i
層である。5は上記透光性基板lの上にスパイラル状に
形成されたプリグルーブ、6はこのプリグルーブ5以外
の部分、すなわちランド6である。
光性基板1側のランド6の部分の層界1bを基準とした
ときのプリグルーブ5の部分の同層界1bの最底部の深
さを示す。d abs は、光吸収層2の反射層3側の
ランド6の部分の履界3bを基準としたときのプリグル
ーブ5の部分の同層界3bの最底部の深さを示す。n*
ukは、光吸収層2より透光性基板1側にある層の合成
複素屈折率の実数部を示し、それらの層が透光性基板1
を含んでKi数層あるときは、各層の合成された複素屈
折率の実数部を示す。nsk1は、光吸収I!!2の複
素屈折率の実数部を示し、dgは、プリグルーブ5の部
分の光吸収層2の厚さを示し、d9は、ランド6の部分
の光吸収層2の厚さを示す。
きに、プリグルーブ内の光吸収層2の上記基板1 fi
lllの層を基準としたときのランド6の部分の光学的
距離は、n sub ” d suk+ n ab,−
dR で表され、光吸収層2の上記基板1側の層を基
準としたときのプリグルーブ5の部分の光学的距離は、
n.b.●dgで表される。したがって、その光学的距
離差(ND)は、ND=nsub @dgub− na
bs (d K− d 9 )である。このとき、d
g+ d abl = d 11 + d sub で
あり、変形すると、dg−dΩ=d.,.−d。,であ
るから、透光性基板1側から再生レーザー光を照射した
とき、反射層3によりプリグルーブ5の部分とランド6
の部分とで反射されたレーザー光の光学的位相差(ΔS
=2ND/λ)は、ΔS=2 daub { nsub
− nabs ( 1 − debt/ dsub)
)/λ となる。
≦ΔS≦0. 5で変化させるとき、反射光は、干渉
効果により、△S=Oで最大となり、ΔS=±0.5で
最小となる。
記ΔSをΔS≦0.3の範囲とする。
記録されたものをCD規格に従って再生すると、CD規
格に準拠した出力信号が得れれる。なお、製造上の要求
、すなわち塗膜の均一性、透光性基板1の成形性の点か
ら−0.4≦ΔS≦0.3であることが望ましい。
nm以上とすることにより、変調度が大きく、波形ひず
みおよびジッターの少ない、CD規格に準拠した再生信
号が出力できる光情報記録媒体を得ることができる。
パラメーターとして与えられるρ=risbs・a/λ
(aはdgとdi?の平均厚さ)が、0.05≦ρ≦1
. 6であることが望ましいことが分かっている。
ようなものである。
1.4〜1. 6の範囲の透明度の高い材料で、耐術
撃注に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポリカーポ
ネート、アクリル等が例示できるが、これらに限られる
わけではない。
成形等の手段により成形される。
どのようなものでもよいが、50〜250μmの深さが
好適であり、さらに望ましくは80〜180μmの深さ
であることが望ましい。
当てることにより形成されるのが通常であるが、レーザ
ーによってカッティングすることや2P法?こよって作
られるものでもよい。
溶剤層やエンハンス層をコーティングしておいてもよい
。
ニン色素、ボリメチン色素、トリアリールメタン色素、
ビリリウム色素、フェナンスレン色素、テトラデヒドロ
コリン色素、1・リアリールアミン色素、スクアリリウ
ム色素、クロコニックメチン色素等が例示できるが、こ
れらに限定されるものではなく、光吸収性のY7[色素
であるかぎり本発明の効果を得ることが可能である。
セルロース等の熟可塑性招脂、熱可塑性エラストマー)
、液ゴム等を含んでいても良い。具体的には、イソブチ
レン、無水マレイン酸共重合体、エチレン酢ビコボリv
一塩Z化ポリブロビレン、ポリエチレンオキシド、ポリ
アミド、ナイロン、クマロン樹脂、ケ]・ン樹脂、酢酸
ビニル、ボリスチレン、PVA(ポリビニルアルコール
)、PVE(ポリビニルエステル)算が、セルロース誘
導体としては、カルボキシメチルセルロース、ニトロセ
ルロース、HPC (ヒドロキシブロビルセルロース)
、HEC(ヒドロキシエチルセルロース)、MC(メチ
ルセルロース)、EC(エチルセルロース)EHEC
(エチルヒドロキシエチルセルロース)、CMEC (
カルボキシメチルエチルセルロース)等が、オリゴマー
としては、オリゴスチレン、メチルスチレンオリゴマー
等が、エラストマーゴムとしては、スチレンブロックコ
ボリマー ウレタン系熱可塑性エラストマー等が挙げら
れる。
有機溶媒(たとえばケトンアルコール、アセチルアセト
ン、メチルセルロプ、トル工冫等)で溶解●溶媒和した
ものをプリグルーブが形成された透光性基板lの表面、
または同基板lの上にさらに他の層をコーティングした
表面上に形成される。
コート法等が挙げられるが、光吸収層の濃度、粘度、溶
剤の乾燥速度を調節することにより層厚を制御できるた
めに、スビンコート法が望ましい。
ンコートの回転数を変化させる、粘性の異なる物質を混
在させてスビンコートを行う、溶剤を複数種類用いて溶
解させた光吸収物質を用いてスビンコートを行う、高沸
点物質を混在させてスビンコートを行う等の手段が挙げ
られる。
ルミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸着法、スパ
ッタ法等の手段により形成される。
に金または金を含む合金を主体とする金属で形成するこ
とが望ましい。
上に耐酸化層等の他の層を設けてもよい。
層に比べて熱変形温度が高く、かつ硬度が高いものであ
ることが望ましい。このように構成することによって記
録信号のブロックエラーレートの低減に効果が認められ
る。
とが望ましい。たとえば紫外線硬化樹脂をスビンコート
法により塗布し、紫外線を照射して硬化させることによ
り形成する。
に示すように、基板側から光吸収層に記録レーザー光を
照射することによって、光吸収痛のレーザー光照射部分
にエネルギーが与えられ、光吸収層の基板側の層を変形
させる。
の手段ζこより形成されたピットに近似したものである
。
射することにより、ピット部分の反射光とピット以外の
部分の反射光の光学的位相差を読み取ることにより行わ
れる。
面に形成された光情報記録媒体の他、透光性基板lの一
部が光吸収層2を有する記録可能領域であり、その他の
部分がCDフォーマット信号が再生できるピットを有す
る.R O M領域である光情報記録媒体にも適用が可
能である。
表面のROM頭域となる部分に信号再生用のピットをス
タンパ等で予め形成しておき、その外側の記録可能領域
にのみ光吸収層2を形成したものである。
ス等で大量に画一的なデータを記録しておくことができ
、しかもここには光吸収層が無いため、誤消去や別なデ
ータの誤記録のおそれが無い。また、光吸収層を有する
領域では、使用考独自のデータを任意に記録することが
できる。そして、この記録されたデータがCD規格に準
じた信号をもって再生できるため、上記ROM領域の情
報と同様に、市販のCDプレーヤで再生することができ
る。
細に説明する。
チ1.6μmのスパイラル状のプリグルーブが形成され
た厚さ1.2mms 外径1 2 0 m ms 内径
15mmのポリカーボネート基板を射出成形法により成
形した。
3. 3. 3’, 3’テトラメチル4l5,
4’,5’ −ジベンゾインドジカーボシアニンバーク
ロレート(日本感光色素■製、品番NK32 1 9)
を、アセチルアセトン溶剤1〇一に溶解し、これを上記
基板の上に300Orpmで約5秒間スビンコートシ、
膜化を始めたところで回転数を300rpmに下げて十
分乾燥するまで回転させ、膜厚(dg )150nmの
光吸収層を形成した。
nmであり、複素屈折率(nmbs)は、2。7である
。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このとき
の光学的バラメーター(ρ)は、0.52である。また
、基板材料であるポリカーボネートの屈折率( nsu
b )は1.58であるから、未記録状態のプリグルー
ブとランドとの光学的位相差(ΔS)は、0.056で
ある。
mのAul摸を形成した。さらに、この反射層の上に紫
外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射
して硬化させ、厚みIOμmの保護層を形成した。
体レーザーを線速1.2m/sees記録パワー6.8
mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、この光
記録媒体を、市販のCDプレーヤー(Aurex X
R−V73、再生光λは、7 8 0 n m+ 再
生パワー0.5mWのレーザー)で再生したところ、光
記録媒体の反01率が73.5%、再生信号のアイパタ
ーンから求められる!++/L。,が、0.78、Iz
/It。,が、0. 45、ブロックエラーレートが
、2.OXIO” プッシュプル値は、0.067で
あった。これは、CD規格に定める基準を十分に満足し
ている。
に、実施例lと同じシアニン色素0.65gを、アセチ
ルアセトン溶剤10ccに溶解したものをスピンコート
法により250Orpmで約5秒間スビンコートした。
分乾燥するまで回転させ、j摸厚(dg)160nmの
光吸収層を形成した。
nmであり、複素廊折率(nails)は、2.7であ
る。再生光の波長(/1)は、780nmであり、この
ときの光学的バラメーター(ρ)は、0.55である。
sob)はl.58であるから、未記録状態のプリグル
ーブとランドとの光学的位相差(ΔS)は、0.15で
ある。
のAugを形成した。さらに、この反04Mjの上に紫
外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射
して硬化させ、厚みIOμmの保護層を形成した。
長780nmの半導体レーザーを線速1.2m/sec
s 記録パワー6.8mWで照射し、EFM信号を記
録し、市販のCDプレーヤーで再生したところ、光記録
媒体の反射早が70.3%、再生信号のアイパターンか
ら求められるI++/L− が、0。75、 Ii/
L。,が、0. 42、プロックエラーレートが、2
.2X10−2 プッシュプル値は、0.069であ
った。これは、CD規格に定める基準を十分に満足して
いる。
m−. ピッチ1.6μmのスパイラル状のプリグ
ルーブが形成された厚さ1.2mmt 外径1 2 0
m ffh 内径15mmのポリカーボネート基板
を射出成形法により成形した。このように成形されたポ
リカーボネー1・基板に、実施例Iと同じシアニン色素
0.50gを、アセチルアセトン溶剤10ccに溶解し
たものをスビンコー1・法により3000rpmで約5
秒間スビンコートした。脱化を始めたところで回転数を
30Orpmに下げて十分乾燥するまで回転させ、膜厚
(dg)140nmの光吸収層を形成した。
6nmであり、複素屈折率(nsh)は、2.7である
。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このとき
の光学的バラメーター(ρ)は、0.48である。また
、基板材料であるポリカーボネートの屈折率(nsub
)は1.58であるから、未記録状態のプリグルーブと
ランドとの光学的位相差(ΔS)は、一0.068であ
る。
保護層を形成した。
長780nmの半導体レーザーを線速1.2m/sec
x 記録パワー6.8mWで照射し、EFM信号を記録
し、市販のCDプレーヤーで再生したところ、光記録媒
体の反射率が77.5%、再生信号のアイパターンから
求められるI++/It−,が、0.85、 I3/I
t。,が、0.40, ブロックエラーレートが、5
,2X10” プッシュプル値は、0.055であっ
た。これは、CD規格に定める基準を十分に満足してい
る。
チl.6μmのスパイラル状のプリグルーブが形成され
た厚さ1.2rnms 外径1 2 0 m rrh
内径15mmのポリカーボネート基板を射出成形法に
より成形した。このように成形されたポリカーボネーH
S板に、実施例lと同じシアニン色素0.60gを、ア
セチルアセトン溶剤1 0ccに溶解したものをスビン
コート法により250Orpmで約5秒間スピンコート
した。脱化を始めたところで回転数を150Orpmに
下げて十分乾燥するまで回転させ、膜厚(dg ) 1
50nmの光吸収層を形成した。
8nrnであり、複素屈折率(ni−)は、2.7であ
る。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このと
きの光学的パラメーター(ρ)は、0.52である。ま
た、基板材料であるポリカーポネートの屈折率(nsu
b)は1.58であるから、未記録状態のプリグルーブ
とランドとの光学的位相差(ΔS)は、O.3である。
護層を形成した。
長780nmの半導体レーザーを線it。2m/see
s 記録パワー8.8mWで照射し、EFM信号を記
録し、市販のCDプレーヤーで再生したところ、光記録
媒体の反射車が70.0%、再生信号のアイパターンか
ら求められるI ++/ I top が、O. f
31、It/It。,が、0.32、ブロックエラーレ
ートが、5.5X10−’ プッシュブル値は、0.
070であった。これは、CD規格に定める基準を十分
に満足している。
チ1.6μmのスパイラル状のプリグルーブが形成され
た厚さ1.2mms 外径1 2 0 m rrh
内径l5mmのポリカーポネート基板を射出成形法によ
り成形した。このように成形されたポリカーボネート基
板に、実施例lと同じシアニン色素0.65gを、アセ
チルアセトン溶剤10ccに溶解し、さらに6−ナイロ
ン(Mw=35000)を0.1g溶解したものをスビ
ンコート法により3000rpmで約5砂間スピンコー
トした。膜化を始めたところで回転数を300rpmに
下げて十分乾燥するまで回転させ、1摸厚(dg )2
50nmの光吸収層を形成した。
nmであり、複素屈折率(nabs)は、2.4である
。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このとき
の光学的バラメーター(ρ)は、0.77である。また
、基板材料であるポリカーボネートの屈折’F ( n
sum )は1858であるから、未記録状態のプリ
グルーブとランドとの光学的位相差(ΔS)は、−0.
32である。
護層を形成した。
長780nmの半導体レーザーを線速1. 2m/s
ec, 記録パワー6.8mWでjjr1射し、EF
M信号を記録し、市販のCDプレーヤーで再生したとこ
ろ、光記録媒体の反射率が70.5%、再生信号のアイ
パターンから求められるI,,/昌。,が、0.65、
13/1.。,が、0,35、ブロックエラーレート
が、3.OXIO−2 プッシュブル値は、0.04
8であった。これは、CD規格に定める基準を十分に満
足している。
lxN)に、14’l 0. 6 μffh 深さ
0. 08μms ピッチ1.6μmのスパイラル
状のCDフォーマット信号が再生できるプレピット8が
形成され、その外側の直径100−11.7mmφの範
囲(記録可能領bA)に、幅0− 8um1 深さ5
0 n ffhピッチ1. 6μmのスパイラル状
のプリグルーブが形成された厚さ1. 2mms
外径120mm1 内径15mmのボリカーボネート
基板を射出成形法により成形した。このように成形され
たポリカーボネート基板の直径100mmφより外周側
の部分、つまり記録可能領域の上にのみ、実施例lと同
じシアニン色素0.5Flzrを、アセチルアセトン溶
剤10ccに溶解したものをスビンコート法により30
00rprnで約5秒間スビンコートした。j摸化を始
めたところで回転数を300rpmに下げで十分乾燥す
るまで回転させ、j模1!! (dg )150nmの
光吸収層を形成した。
nmであり、複素屈折車(nabs)は、2.7であ
る。再生光の波長(λ)は、780nmであり、このと
きの光学的バラメーター(ρ)は、0.52である。ま
た、基板材料であるポリカーボネートの屈折率(nsu
b)は!.58であるから、未記録状態のプリグルーブ
とランドとの光学的位相差(ΔS)は、0.13である
。
保護層を形成した。
1と同様に、波長780nmの半導体レーザーを線速1
.2m/sees 記録パワー6.8mWで!Iq射
し、EFM信号を記録し、市販のCDプレーヤーで再生
したところ、光記録媒体の反射率が75.0%、再生信
号のアイパターンから求められるIx/IL0− が、
0.6 0− 1 z/ I t−−が、0,31、
ブロックエラーレートが、6.OXIO−3 プッシ
ュブル値は、0.070であった。これは、CD規格に
定める基準を十分に満足している。
板に、実施例lと同じシアニン色素0.55gを、アセ
チルアセトン溶剤10ccに溶解したものをスビンコー
ト法により3000rpmで十分乾燥するまで回転させ
、膜厚(dg)130nmの光吸収層を形成した。
05nmであり、複素屈折率(nsba)は、2,7で
ある。再生光の波長(/1)は、1800mであり、こ
のときの光学的パラメー2−(ρ)は、0.45である
。また、基板材tであるポリカーボネートの屈折率(n
sub)c;l.58であるから、未記録状態のプリグ
ルーブとランドとの光学的位相差(ΔS)は、0.35
である。
のAu膜を形成した。さらζこ、こC反射層の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚み10μmの(!1護層を形成した。
長780nmの半導体レーザーを斜速1, 2m/s
ect 記録パワー8.8mWで照射し、EFM信号
を記録し、市販のCDプレーヤーで再生したところ、光
記録媒体の反射率が63,O%、再生信号のアイパター
ンから求められるIz/L− が、0.75、 Ii
/rt。,が、0.52、ブロックエラーレートが、3
.OXIO−3 プッシュブル(直は、0.087で
あった。
プッシュブル値が悪くなり、CD規格の基準値を満足す
ることはできない。
規格に定められたプッシュプル値の良好な光情報記録媒
体および該記録媒体への記録方法を提供することができ
る。さらに、上記第二と第四の手段によれば、良好な変
調度を有する再生信号が得られる光情報記B媒体および
該記録媒体への記録方法を提供することができる。
的断面図、第2図は、同光情報記録媒体の半断面斜視図
、第3図は、光情報記録媒体の光学的位相差と反射光の
岳の関係を示すグラフ、第4図は、光情報記録媒体に光
学的に記録した状態を模式的に示す部分的断面図である
。
Claims (5)
- (1)透光性を有し、スパイラル状にプリグルーブが形
成された基板上に、直接または他の層を介して色素から
なる光吸収層が設けられ、該光吸収層に直接または他の
層を介して金属膜からなる光反射層が設けられた光情報
記録媒体において、該光吸収層の基板側の層界のプリグ
ルーブ部分の深さをd_s_u_b、光吸収層の反射層
側の層界のプリグルーブ部分の深さをd_a_b_s、
光吸収層より透光性基板側にある層の複素屈折率の実数
部をn_s_u_b、光吸収層の複素屈折率の実数部を
n_a_b_s、再生光の波長をλとしたときの光学的
位相差ΔS=2d_s_u_b{n_s_u_b−n_
a_b_s(1−d_a_b_s/d_s_u_b)}
/λが、ΔS≦0.3であることを特徴とする光情報記
録媒体。 - (2)光吸収層の基板側の層界のプリグルーブ部分の深
さd_s_u_bがd_s_u_b≧50nmである上
記第1請求項記載の光情報記録媒体。 - (3)光吸収層が透光性基板上の一部の領域に形成され
、同光吸収層の無い領域に予め信号再生用のピットが形
成されたROM領域を有する上記第1たは第2請求項の
何れかに記載の光情報記録媒体。 - (4)透光性を有し、スパイラル状にプリグルーブが形
成された基板上に直接または他の層を介して色素からな
る光吸収層が設けられ、該光吸収層に直接または他の層
を介して金属膜からなる光反射層が設けられた光情報記
録媒体に光学的に情報を記録する光情報記録方法におい
て、光吸収層の基板側の層界のプリグルーブ部分の深さ
をd_s_u_b光吸収層の反射層側の層界のプリグル
ーブ部分の深さをd_a_b_s、光吸収層より透光性
基板側にある層の複素屈折率の実数部をn_s_u_b
、光吸収層の複素屈折率の実数部をn_a_b_s、再
生光の波長をλとしたときの光学的位相差ΔS=2d_
s_u_b{n_s_u_b−n_a_b_s(1−d
_a_b_s/d_s_u_b)}/λが、ΔS≦0.
3である光情報記録媒体を用い、透光性基板から記録光
を照射し、光吸収層の基板側の層を変形させることを特
徴とする光情報記録方法。 - (5)光吸収層の基板側の層界のプリグルーブ部分の深
さd_s_u_bがd_s_u_b≧50nmである上
記第4請求項記載の光情報記録方法。
Priority Applications (16)
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