JPH0352213B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0352213B2 JPH0352213B2 JP16422283A JP16422283A JPH0352213B2 JP H0352213 B2 JPH0352213 B2 JP H0352213B2 JP 16422283 A JP16422283 A JP 16422283A JP 16422283 A JP16422283 A JP 16422283A JP H0352213 B2 JPH0352213 B2 JP H0352213B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist layer
- hard mask
- layer
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明はハードマスクの製作方法に関し、特
に導電性薄膜を有しているハードマスクを無欠陥
で製作することのできるハードマスク製作方法に
関するものである。
に導電性薄膜を有しているハードマスクを無欠陥
で製作することのできるハードマスク製作方法に
関するものである。
［発明の技術的背景］
半導体装置の製造に使用されるフオトマスクの
うち、マスタマスクは現在ではすべて電子ビーム
露光法を利用してパターニングされており、電子
ビーム露光法以外の露光法を利用するマスタマス
クにくらべて高精度且つ高密度のパターンを有す
るマスタマスクが製作されるようになつた。しか
しながら、従来のマスタマスク製作方法には以下
に記載するように問題点があつた。
うち、マスタマスクは現在ではすべて電子ビーム
露光法を利用してパターニングされており、電子
ビーム露光法以外の露光法を利用するマスタマス
クにくらべて高精度且つ高密度のパターンを有す
るマスタマスクが製作されるようになつた。しか
しながら、従来のマスタマスク製作方法には以下
に記載するように問題点があつた。
［背景技術の問題点］
従来、電子ビーム露光法を用いるハードマスク
製作方法においてはマスクブランク上へのパター
ン形成は第１図のようにして行われていた。第１
図はクロムハードマスクブランクを使用するマス
ク製作方法を示したものであり、同図において１
はガラス基板、２はガラス基板１上に被着された
クロム（Cr）層、３はクロム層２の表面に形成
された酸化クロム層、４は酸化クロム層３の上に
被着されたレジスト層であり、ガラス基板１とク
ロム層２及び酸化クロム層３から成るブランク板
５は搬送用カセツト６に搭載された状態で電子ビ
ーム露光装置のＸ−Ｙテーブル（図示せず）上に
支持されている。７は平面出しピン（水平度検出
用）を兼ねた接地用電極であり、該接地用電極７
はレジスト層４の外周縁部表面に圧接されてブラ
ンク板表面の水平出しをするとともにレジスト層
４を電気的に接地している。接地用電極７より内
周側のレジスト層４の表面はパターン形成が行わ
れる実パターンエリアであり、そこに電子ビーム
EBが照射されることにより該レジスト層４に回
路パターンの潜像が形成される。
製作方法においてはマスクブランク上へのパター
ン形成は第１図のようにして行われていた。第１
図はクロムハードマスクブランクを使用するマス
ク製作方法を示したものであり、同図において１
はガラス基板、２はガラス基板１上に被着された
クロム（Cr）層、３はクロム層２の表面に形成
された酸化クロム層、４は酸化クロム層３の上に
被着されたレジスト層であり、ガラス基板１とク
ロム層２及び酸化クロム層３から成るブランク板
５は搬送用カセツト６に搭載された状態で電子ビ
ーム露光装置のＸ−Ｙテーブル（図示せず）上に
支持されている。７は平面出しピン（水平度検出
用）を兼ねた接地用電極であり、該接地用電極７
はレジスト層４の外周縁部表面に圧接されてブラ
ンク板表面の水平出しをするとともにレジスト層
４を電気的に接地している。接地用電極７より内
周側のレジスト層４の表面はパターン形成が行わ
れる実パターンエリアであり、そこに電子ビーム
EBが照射されることにより該レジスト層４に回
路パターンの潜像が形成される。
第１図のごとき従来方法においては、レジスト
層４の上に接地用電極７を圧接させているため、
以下のごとき問題が生じていた。
層４の上に接地用電極７を圧接させているため、
以下のごとき問題が生じていた。
(a) 電子ビームを照射すると酸化クロム層３及び
クロム層２に電荷が蓄積されるが、接地用電極
７がレジスト層４にのみ接触しているため、ブ
ランク板を完全に接地することができず、描画
中次第に蓄積電荷の影響が大きくなつてゆき、
その結果、描画パターンに歪みが生じることが
多い。
クロム層２に電荷が蓄積されるが、接地用電極
７がレジスト層４にのみ接触しているため、ブ
ランク板を完全に接地することができず、描画
中次第に蓄積電荷の影響が大きくなつてゆき、
その結果、描画パターンに歪みが生じることが
多い。
また、微小寸法のパターンを描画する場合、
ブランク板の接地が完全でないため残留電荷の
影響で接地が完全な場合に比較して近接効果が
大となり、正確なパターン形成が不可能であつ
た。
ブランク板の接地が完全でないため残留電荷の
影響で接地が完全な場合に比較して近接効果が
大となり、正確なパターン形成が不可能であつ
た。
(b) 接地用電極７をレジスト層４に圧接させてい
るので、接地用電極７を先端にレジストが付着
してしまうことがある。このように接地用電極
７の先端にレジストが付着したままで次のブラ
ンク板のパターニングを行つた場合、接地用電
極７をブランク板の平面出しピンとして兼用し
ているときに次のような問題が起こりやすい。
すなわち、第２図に示すようにたとえば二本の
接地用電極７ａ，７ｂのうち一本の接地用電極
７ｂの先端にレジスト片４ａが付着したまま、
次のブランク板５０のパターニングを行つた場
合、ブランク板５０の水平出しが狂つてくるの
で電子ビーム露光装置８のレンズ系の軸線Y0
の方向がブランク板５０の軸線Y1の方向に対
して図示の如く角θだけ傾き、その結果、電子
ビームの焦点がずれてマスクの長寸法や短寸法
が狂つてくる。このように付着レジスト片４ａ
によつて電子ビームの焦点ずれが起こる現象は
たとえば第３図に示すように水平なカセツト６
に対してブランク板５が傾いた状態で電子ビー
ムが鉛直方向に照射された場合に相当する。こ
の場合、カセツト６に対するブランク板５の最
大傾斜量をＲとし、ブランク板５上に図のよう
にｘ、ｙ方向を定めて第４図のようにブランク
板５上に９ケ所の測定点をとり、Ｒ＝500μｍ
位の場合の短寸法の変動を測定した結果が第５
図であり、また長寸法（トータルピツチ）を測
定した結果が第６図である。第５図及び第６図
において、×印は各点におけるｘ方向の寸法で
あり、また〇印はｙ方向の寸法であるが、設計
寸法はｘ方向、ｙ方向共に10μである。また、
第６図における水平な直線Ｌは真値（B1B2若
しくはA0C0間の距離；90000，00μ））を表して
いる。
るので、接地用電極７を先端にレジストが付着
してしまうことがある。このように接地用電極
７の先端にレジストが付着したままで次のブラ
ンク板のパターニングを行つた場合、接地用電
極７をブランク板の平面出しピンとして兼用し
ているときに次のような問題が起こりやすい。
すなわち、第２図に示すようにたとえば二本の
接地用電極７ａ，７ｂのうち一本の接地用電極
７ｂの先端にレジスト片４ａが付着したまま、
次のブランク板５０のパターニングを行つた場
合、ブランク板５０の水平出しが狂つてくるの
で電子ビーム露光装置８のレンズ系の軸線Y0
の方向がブランク板５０の軸線Y1の方向に対
して図示の如く角θだけ傾き、その結果、電子
ビームの焦点がずれてマスクの長寸法や短寸法
が狂つてくる。このように付着レジスト片４ａ
によつて電子ビームの焦点ずれが起こる現象は
たとえば第３図に示すように水平なカセツト６
に対してブランク板５が傾いた状態で電子ビー
ムが鉛直方向に照射された場合に相当する。こ
の場合、カセツト６に対するブランク板５の最
大傾斜量をＲとし、ブランク板５上に図のよう
にｘ、ｙ方向を定めて第４図のようにブランク
板５上に９ケ所の測定点をとり、Ｒ＝500μｍ
位の場合の短寸法の変動を測定した結果が第５
図であり、また長寸法（トータルピツチ）を測
定した結果が第６図である。第５図及び第６図
において、×印は各点におけるｘ方向の寸法で
あり、また〇印はｙ方向の寸法であるが、設計
寸法はｘ方向、ｙ方向共に10μである。また、
第６図における水平な直線Ｌは真値（B1B2若
しくはA0C0間の距離；90000，00μ））を表して
いる。
第５図及び第６図から明らかなように、ブラ
ンク板５がｘ方向に傾くと、同方向の短寸法及
び長寸法に狂いが出ることは避けられない。そ
して、このように短寸法及び長寸法に狂いが出
ると正確なパターン形成が不可能となり、パタ
ーン不良を生じやすくなる。
ンク板５がｘ方向に傾くと、同方向の短寸法及
び長寸法に狂いが出ることは避けられない。そ
して、このように短寸法及び長寸法に狂いが出
ると正確なパターン形成が不可能となり、パタ
ーン不良を生じやすくなる。
(c) 前記のごとき接地用電極へのレジスト付着に
起因するパターン不良を防止するために、従来
接地用電極７の先端を常に清浄にしておく作業
が必要であつたが、そのため作業能率が低く、
作業も自動化できなかつた。
起因するパターン不良を防止するために、従来
接地用電極７の先端を常に清浄にしておく作業
が必要であつたが、そのため作業能率が低く、
作業も自動化できなかつた。
(d) 接地用電極をレジスト層から離すときにレジ
スト層が剥離し、剥離したレジスト片がパター
ンエリア内に飛び込んで該パターンエリア内に
付着し、このためにそのパターンが損傷してマ
スクの欠陥となることがあつた。
スト層が剥離し、剥離したレジスト片がパター
ンエリア内に飛び込んで該パターンエリア内に
付着し、このためにそのパターンが損傷してマ
スクの欠陥となることがあつた。
［発明の目的］
この発明の目的は、前記従来方法の平面出し精
度の問題点を解決し、改良されたハードマスクの
製作方法を提供することにある。
度の問題点を解決し、改良されたハードマスクの
製作方法を提供することにある。
［発明の概要］
この発明の方法は、電子ビーム露光を行うに際
し、予めマスクブランクの外縁部表面にレジスト
層未形成箇所を設けておき、該レジスト層未形成
箇所に露出したマスクブランクの表面に少なくと
も３点の平面出しピンを接触させてマスクブラン
クの平面出しをし、電子ビーム露光を行うことを
特徴とするものである。この発明の方法によれ
ば、平面出しピンがマスクブランクの表面にレジ
スト層を介することなく直接接触し、また繰返し
の使用によつても平面出しピンの先にレジストが
付着することがないので、平面出しが狂うことが
なく、その結果、電子ビームの焦点がずれてマス
クの短寸法や長寸法が狂うということがない。
し、予めマスクブランクの外縁部表面にレジスト
層未形成箇所を設けておき、該レジスト層未形成
箇所に露出したマスクブランクの表面に少なくと
も３点の平面出しピンを接触させてマスクブラン
クの平面出しをし、電子ビーム露光を行うことを
特徴とするものである。この発明の方法によれ
ば、平面出しピンがマスクブランクの表面にレジ
スト層を介することなく直接接触し、また繰返し
の使用によつても平面出しピンの先にレジストが
付着することがないので、平面出しが狂うことが
なく、その結果、電子ビームの焦点がずれてマス
クの短寸法や長寸法が狂うということがない。
［発明の実施例］
第７図は本発明方法を示図したものであり、第
７図において第１図と同一符号で表示された部分
は第１図と同じ部分を表している。
７図において第１図と同一符号で表示された部分
は第１図と同じ部分を表している。
本発明の方法では、電子ビーム露光を行うに先
立つて予めブランク板５の表面のレジスト層４を
第８図に示すようにパタターン形成予定場所１０
（すなわち実パターンエリア）の外側において少
なくとも一ケ所以上剥離しておくことにより第８
図に影線を以て示すようにブランク板５の隅部に
レジスト層未形成箇所９を形成しておき、該レジ
スト層未形成箇所９に露出せしめた酸化クロム層
３に第７図のごとく平面出しピン７を圧接させつ
つ、レジスト層４の表面に電子ビームEBを照射
して回路パターンを露光させる。
立つて予めブランク板５の表面のレジスト層４を
第８図に示すようにパタターン形成予定場所１０
（すなわち実パターンエリア）の外側において少
なくとも一ケ所以上剥離しておくことにより第８
図に影線を以て示すようにブランク板５の隅部に
レジスト層未形成箇所９を形成しておき、該レジ
スト層未形成箇所９に露出せしめた酸化クロム層
３に第７図のごとく平面出しピン７を圧接させつ
つ、レジスト層４の表面に電子ビームEBを照射
して回路パターンを露光させる。
本発明の方法では、平面出しピン７の先端がレ
ジスト層に接触しないのでレジスト層の剥離や平
面出しピン７へのレジスト層の付着が起こらず、
更にパターンエリア内への剥離レジスト片の再付
着なども生じないので、レジスト層の剥離に起因
する不良発生原因がすべてなくなつた。
ジスト層に接触しないのでレジスト層の剥離や平
面出しピン７へのレジスト層の付着が起こらず、
更にパターンエリア内への剥離レジスト片の再付
着なども生じないので、レジスト層の剥離に起因
する不良発生原因がすべてなくなつた。
第８図の影線で示すようにレジスト層未形成個
所９を形成する一法は、レジストをスピンナーで
回転塗布すると同時にレジスト層未形成層９（パ
ターンエリア外）の内接円周上の一点１１にレジ
ストシンナーを滴下しつつ、レジストの回転塗布
を行うと、レジスト層が円形にのみ残されて、レ
ジスト層未形成個所９にはレジスト層が形成され
ない。レジストシンナーの滴下方法は１１におけ
る内接円接線方向にかつブランク板水平面に対し
約30゜の傾斜にシンナーを射出するのがレジスト
層周縁を尖鋭するうえで好ましい。またレジスト
シンナーの滴下時期はレジスト回転塗布と同時に
することが工程を増加させない点で好ましいが、
レジストのEB露光前すなわちレジストのベーキ
ング後であつても可能である。
所９を形成する一法は、レジストをスピンナーで
回転塗布すると同時にレジスト層未形成層９（パ
ターンエリア外）の内接円周上の一点１１にレジ
ストシンナーを滴下しつつ、レジストの回転塗布
を行うと、レジスト層が円形にのみ残されて、レ
ジスト層未形成個所９にはレジスト層が形成され
ない。レジストシンナーの滴下方法は１１におけ
る内接円接線方向にかつブランク板水平面に対し
約30゜の傾斜にシンナーを射出するのがレジスト
層周縁を尖鋭するうえで好ましい。またレジスト
シンナーの滴下時期はレジスト回転塗布と同時に
することが工程を増加させない点で好ましいが、
レジストのEB露光前すなわちレジストのベーキ
ング後であつても可能である。
第８図のような形状のレジスト層未形成個所９
が形成されると、四隅において比較的大面積のレ
ジスト層未形成個所が得られるので、ピン状の平
面出しピンに代えて接触面積の大きい平面出しピ
ンが使用しえて、平面出しを確実にすることがで
きる。
が形成されると、四隅において比較的大面積のレ
ジスト層未形成個所が得られるので、ピン状の平
面出しピンに代えて接触面積の大きい平面出しピ
ンが使用しえて、平面出しを確実にすることがで
きる。
［発明の効果］
以上に説明したところから明らかなように、本
発明方法によれば平面出しピンによるレジスト層
の剥離が全く生じないため、レジスト層剥離に起
因する電子ビームの焦点ずれの発生が防止される
一方、平面出しピンを清浄に保つ作業を省略する
ことができ、その結果、不良品の発生防止と同時
に作業の簡易化が達成された。更に、平面出しピ
ンの清浄作業が不要になつたことから、作業の自
動化が可能となり、ハードマスク製造工程の高能
率化が可能となつた。
発明方法によれば平面出しピンによるレジスト層
の剥離が全く生じないため、レジスト層剥離に起
因する電子ビームの焦点ずれの発生が防止される
一方、平面出しピンを清浄に保つ作業を省略する
ことができ、その結果、不良品の発生防止と同時
に作業の簡易化が達成された。更に、平面出しピ
ンの清浄作業が不要になつたことから、作業の自
動化が可能となり、ハードマスク製造工程の高能
率化が可能となつた。
第１図は従来のハードマスク製作方法の概略
図、第２図乃至第６図は第１図の方法において平
面出しピンの先端にレジスト片が付着した場合の
問題点を説明するための図、第７図は本発明方法
を説明するための概略図、第８図は本発明方法に
おいて使用されるマスクブランクの概略平面図で
ある。 １……ガラス基板、２……クロム層、３……酸
化クロム層、４……レジスト層、５……ブランク
板（マスクブランク）、６……カセツト、７……
平面出しピン、９……レジスト層未形成箇所、１
１……レジストシンナー滴下場所。
図、第２図乃至第６図は第１図の方法において平
面出しピンの先端にレジスト片が付着した場合の
問題点を説明するための図、第７図は本発明方法
を説明するための概略図、第８図は本発明方法に
おいて使用されるマスクブランクの概略平面図で
ある。 １……ガラス基板、２……クロム層、３……酸
化クロム層、４……レジスト層、５……ブランク
板（マスクブランク）、６……カセツト、７……
平面出しピン、９……レジスト層未形成箇所、１
１……レジストシンナー滴下場所。
Claims (1)
- １ 電子ビーム露光法によつてハードマスクブラ
ンクの表面にレジストパターンの形成を行うに際
し、予め該ハードマスクブランク上のパターン形
成予定場所以外の場所にレジスト層未形成箇所を
設けておき、電子ビーム露光装置のベースに締着
されるとともに該装置のレンズ系軸線に対する垂
直面にハードマスクブランク露光面を承持する平
面出しピンを、該レジスト層未形成箇所の表面に
接触させて該ハードマスクブランクの平面出しを
し、電子ビーム露光を行うことを特徴とするハー
ドマスクの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164222A JPS6057624A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | ハ−ドマスクの製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164222A JPS6057624A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | ハ−ドマスクの製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057624A JPS6057624A (ja) | 1985-04-03 |
| JPH0352213B2 true JPH0352213B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=15788989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164222A Granted JPS6057624A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | ハ−ドマスクの製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2588273Y2 (ja) * | 1991-07-12 | 1999-01-06 | 株式会社小松製作所 | キャビン内冷房装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63244622A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2753032B2 (ja) * | 1989-04-13 | 1998-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体製造用マスクの製造方法及びその製造装置 |
| JPH07169675A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Natl Res Inst For Metals | 電子線リソグラフィー用基板材料 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170830U (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | 沖電気工業株式会社 | 描画用マスクホルダとマスク基板との導通機構 |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP58164222A patent/JPS6057624A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2588273Y2 (ja) * | 1991-07-12 | 1999-01-06 | 株式会社小松製作所 | キャビン内冷房装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6057624A (ja) | 1985-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0126621B1 (en) | Alignment marks on semiconductor wafers and method of manufacturing the marks | |
| US5128283A (en) | Method of forming mask alignment marks | |
| JPH0352213B2 (ja) | ||
| JP3831138B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH05205994A (ja) | アライメントマーク及びこれを用いたアライメント方法 | |
| JPS5885532A (ja) | 電子ビ−ムによる位置決め方法 | |
| JPH01173718A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPS62260155A (ja) | 薄膜パタ−ンの補修方法 | |
| JPS6323703Y2 (ja) | ||
| JPS631315Y2 (ja) | ||
| JP3529967B2 (ja) | アライメントマーク付きフォトマスク用ブランクスの製造方法 | |
| JPH01173717A (ja) | ブランク板 | |
| JPH0324786A (ja) | ホトエッチングされる回路基板の位置決め構造 | |
| JPS6252850B2 (ja) | ||
| JPS60235422A (ja) | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 | |
| JPS63313158A (ja) | レチクルの修正方法 | |
| JPH09330866A (ja) | プロキシミティー露光方法及びプロキシミティー露光装置 | |
| JPS5814508B2 (ja) | 基板に対するホトレジスト塗布法 | |
| JPS636862B2 (ja) | ||
| JPS60224227A (ja) | レジスト膜のパタ−ン形成方法 | |
| JPH07230162A (ja) | ホトプレートの製造方法 | |
| JPS5830127A (ja) | 電子ビ−ム露光用マスクブランクス | |
| JPS59102235A (ja) | ホトマスク | |
| JPH0644550B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02105153A (ja) | ホトマスク修正方法 |