JPS60224227A - レジスト膜のパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジスト膜のパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60224227A JPS60224227A JP59080721A JP8072184A JPS60224227A JP S60224227 A JPS60224227 A JP S60224227A JP 59080721 A JP59080721 A JP 59080721A JP 8072184 A JP8072184 A JP 8072184A JP S60224227 A JPS60224227 A JP S60224227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- substrate
- photomask
- mark
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｉａ） 発明の技術分野
本発明はレジスト膜のパターン形成方法に係り、特にフ
ォトマスクの位置合わせを容易に、かつ精度良く行うこ
とが出来、パターン精度の良好な厚いレジスト膜パター
ンを形成する方法に関するものである。
ォトマスクの位置合わせを容易に、かつ精度良く行うこ
とが出来、パターン精度の良好な厚いレジスト膜パター
ンを形成する方法に関するものである。
…） 技術の背景
薄膜磁気ヘッドや半導体集積回路等を製造する場合に、
薄膜形成技術及びフォトリソグラフィ技術は必須の技術
になっている。
薄膜形成技術及びフォトリソグラフィ技術は必須の技術
になっている。
これらの技術を用いてレジスト膜をパターニングする場
合、レジスト膜の膜厚とそのパターン幅精度は、互いに
相反する関係にある。即ち、膜厚が半導体集積回路の製
造等で用いられている０、２〜０．５μｍ程度の薄いレ
ジスト膜ではパターン精度は良好であるが、膜厚が厚く
なるにつれて露光時の光の回折現象によってパターン精
度は低下する。近年、薄膜形成技術を用いた薄膜磁気ヘ
ッド等の電子デバイスにおいては、下層に数μｍ以上の
高段差を有していることが多く、この上に設けたレジス
ト膜が薄いとステップカバリッジ不良と成りやすい。又
、レジスト膜パターンをマスクにしてプラズマエツチン
グ、イオンエンチング、或いはマスクメンキなどの技術
を用いて薄膜デバイスを形成する場合、必然的に厚いレ
ジスト膜が必要となる。しかしながら、レジスト膜の厚
さが２〜５μｍと厚くなると十分なパターン精度を確保
することが極めて困難となる。
合、レジスト膜の膜厚とそのパターン幅精度は、互いに
相反する関係にある。即ち、膜厚が半導体集積回路の製
造等で用いられている０、２〜０．５μｍ程度の薄いレ
ジスト膜ではパターン精度は良好であるが、膜厚が厚く
なるにつれて露光時の光の回折現象によってパターン精
度は低下する。近年、薄膜形成技術を用いた薄膜磁気ヘ
ッド等の電子デバイスにおいては、下層に数μｍ以上の
高段差を有していることが多く、この上に設けたレジス
ト膜が薄いとステップカバリッジ不良と成りやすい。又
、レジスト膜パターンをマスクにしてプラズマエツチン
グ、イオンエンチング、或いはマスクメンキなどの技術
を用いて薄膜デバイスを形成する場合、必然的に厚いレ
ジスト膜が必要となる。しかしながら、レジスト膜の厚
さが２〜５μｍと厚くなると十分なパターン精度を確保
することが極めて困難となる。
ＴＣＩ 従来技術と問題点
従来、例えば薄膜磁気ヘッドの製造工程において、第１
図に示すように種々の形状の磁性薄膜３゜非磁性絶縁層
４が積層されて数μｍ以上の凹凸、即ち段差を有する基
板１上に塗着された厚いレジスト膜５を、所定パターン
にバターニングするには、前記厚いレジスト膜５上に所
定パターンを有するフォトマスク６を、該フォトマスク
６の位置合わせマーク７が前記基板１上の基準位置合わ
せマーク２に一致させて配置する。そして該フォトマス
ク６を通して厚いレジスト膜５に露光を行い、その後現
像処理を行って第２図に示すように所望とする微細幅の
厚いレジスト膜パターン８を形成している。
図に示すように種々の形状の磁性薄膜３゜非磁性絶縁層
４が積層されて数μｍ以上の凹凸、即ち段差を有する基
板１上に塗着された厚いレジスト膜５を、所定パターン
にバターニングするには、前記厚いレジスト膜５上に所
定パターンを有するフォトマスク６を、該フォトマスク
６の位置合わせマーク７が前記基板１上の基準位置合わ
せマーク２に一致させて配置する。そして該フォトマス
ク６を通して厚いレジスト膜５に露光を行い、その後現
像処理を行って第２図に示すように所望とする微細幅の
厚いレジスト膜パターン８を形成している。
ところで上記した従来の厚いレジスト膜のパターン形成
方法においては、厚いレジストＩｌ！！５上に所定パタ
ーンを有するフォトマスク６を、該フォトマスク６の位
置合わせマーク７が基板１上の基準位置合わせマーク２
と一致するように位置合わせするには、前記第１図の要
部概略断面図及び第３図の部分拡大平面図に示すように
、フォトマスク６の位置合わせマーク７のＣ１及びＣ２
の線が、基板１上の基準位置合わせマーク２のＢｌとＢ
２の線間に入るように、例えば図示しない顕微鏡を通し
て矢印への方向より厚いレジスト膜５を介して目視しな
がら、微調整機構等により位置合わせを行っている。
方法においては、厚いレジストＩｌ！！５上に所定パタ
ーンを有するフォトマスク６を、該フォトマスク６の位
置合わせマーク７が基板１上の基準位置合わせマーク２
と一致するように位置合わせするには、前記第１図の要
部概略断面図及び第３図の部分拡大平面図に示すように
、フォトマスク６の位置合わせマーク７のＣ１及びＣ２
の線が、基板１上の基準位置合わせマーク２のＢｌとＢ
２の線間に入るように、例えば図示しない顕微鏡を通し
て矢印への方向より厚いレジスト膜５を介して目視しな
がら、微調整機構等により位置合わせを行っている。
しかしながら前記基板１上の基準位置合わせマーク２上
の厚いレジストＩｌｌ！５の膜厚が３〜５μｍ程度と厚
いために、基板１上の基準位置合わせマーク２のＢ１及
びＢ２の線が不明確となり、フォトマスク６の位置合わ
せが容易でなく、かつ位置合わせ精度が低下するといっ
た欠点があった。
の厚いレジストＩｌｌ！５の膜厚が３〜５μｍ程度と厚
いために、基板１上の基準位置合わせマーク２のＢ１及
びＢ２の線が不明確となり、フォトマスク６の位置合わ
せが容易でなく、かつ位置合わせ精度が低下するといっ
た欠点があった。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、フォトマスクの位置合
わせマークを基板上の基準位置合わせマークと一致する
ように位置合わせを行うに際して、該基板上の基準位置
合わせマークを、その上の厚いレジスト膜より部分的に
露出させて、フォトマスクの位置合わせを容易に、かつ
精度良く行い、パターン精度の向上を図ったレジスト膜
のパターン形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
わせマークを基板上の基準位置合わせマークと一致する
ように位置合わせを行うに際して、該基板上の基準位置
合わせマークを、その上の厚いレジスト膜より部分的に
露出させて、フォトマスクの位置合わせを容易に、かつ
精度良く行い、パターン精度の向上を図ったレジスト膜
のパターン形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
（ｅ） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、周辺部にマスク位置
決めマークを付した基板上、或いは周辺部に設けたマス
ク位置決めマークを避けた領域面に少なくとも１層の薄
膜を設けてなる基板上の全面にレジスト膜を塗着し、該
レジスト膜上に所定パターンを有するフォトマスクを配
置して露光を行うに先立って、前記基板の各マスク位置
決めマーク上のレジスト膜を部分的に選択除去して該各
マスク位置決めマークを露出せしめた後、該レジスト膜
上に所定パターンを有するフォトマスクを基板上の各マ
スク位置決めマークを基準にして位置決め配置し、露光
・現像を行ってレジスト膜を所定パターンにパターニン
グすることを特徴とするレジスト膜のパターン形成方法
を提供することによって達成される。
決めマークを付した基板上、或いは周辺部に設けたマス
ク位置決めマークを避けた領域面に少なくとも１層の薄
膜を設けてなる基板上の全面にレジスト膜を塗着し、該
レジスト膜上に所定パターンを有するフォトマスクを配
置して露光を行うに先立って、前記基板の各マスク位置
決めマーク上のレジスト膜を部分的に選択除去して該各
マスク位置決めマークを露出せしめた後、該レジスト膜
上に所定パターンを有するフォトマスクを基板上の各マ
スク位置決めマークを基準にして位置決め配置し、露光
・現像を行ってレジスト膜を所定パターンにパターニン
グすることを特徴とするレジスト膜のパターン形成方法
を提供することによって達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第４図乃至第８図は本発明に係るレジスト膜のパターン
形成方法の一実施例を工程順に示す要部概略断面図であ
る。
形成方法の一実施例を工程順に示す要部概略断面図であ
る。
先ず、第４図に示すように２１は周辺部にマスク位置合
わせ基準マーク２２が付された基板、２３は磁性膜、２
４は非磁性絶縁層であり、これら磁性膜２３及び非磁性
絶縁層２４によって段差が形成された基板２１上に、ポ
ジ型フォトレジストからなるレジスト膜２５を３μｍ程
度の厚さに塗着する。次に第５図に示すように前記厚い
レジスト膜５上に、前記基板２１のマスク位置合わせ基
準マーク２２上の厚いレジストＩｌｌ！２５部分にのみ
露光を与える第１のフォトマスク２６を配置し、露光・
現像を行って第６図に示すように前記基板２１の各マス
ク位置決め基準マーク２２上の厚いレジスト膜２５を部
分的に選択除去して該各マスク位置決め基準マーク２２
を露出させる。この工程での第１のフォトマスク２６の
位置合わせは、単に基板２１上の各マスク位置決め基準
マーク２２を露出させることのみが目的であるので位置
合わせ精度は必要としない。
わせ基準マーク２２が付された基板、２３は磁性膜、２
４は非磁性絶縁層であり、これら磁性膜２３及び非磁性
絶縁層２４によって段差が形成された基板２１上に、ポ
ジ型フォトレジストからなるレジスト膜２５を３μｍ程
度の厚さに塗着する。次に第５図に示すように前記厚い
レジスト膜５上に、前記基板２１のマスク位置合わせ基
準マーク２２上の厚いレジストＩｌｌ！２５部分にのみ
露光を与える第１のフォトマスク２６を配置し、露光・
現像を行って第６図に示すように前記基板２１の各マス
ク位置決め基準マーク２２上の厚いレジスト膜２５を部
分的に選択除去して該各マスク位置決め基準マーク２２
を露出させる。この工程での第１のフォトマスク２６の
位置合わせは、単に基板２１上の各マスク位置決め基準
マーク２２を露出させることのみが目的であるので位置
合わせ精度は必要としない。
次に第７図に示すように前記厚いレジスト膜２５上に、
所定パターンを有する第２のフォトマスク２７を、その
フォトマスク２７の位置合わせマーク２８が基板２１側
のマスク位置決め基準マーク２２と一致するように配置
する。この時、基板２１上のマスク位置決め基準マーク
２２と、フォトマスク２７の位置合わせマーク２８との
間に厚いレジスト膜２５が介在されていないので、基板
２１上のマスク位置決め基準マーク２２が鮮明に目視出
来、両マークを一致させることが極めて容易となる。
所定パターンを有する第２のフォトマスク２７を、その
フォトマスク２７の位置合わせマーク２８が基板２１側
のマスク位置決め基準マーク２２と一致するように配置
する。この時、基板２１上のマスク位置決め基準マーク
２２と、フォトマスク２７の位置合わせマーク２８との
間に厚いレジスト膜２５が介在されていないので、基板
２１上のマスク位置決め基準マーク２２が鮮明に目視出
来、両マークを一致させることが極めて容易となる。
しかる後、露光・現像を行って所定パターンにパターニ
ングすることによって第８図に示すように所望とする微
細幅の厚いレジスト膜パターン２９を精度よく容易に形
成することが可能となる。
ングすることによって第８図に示すように所望とする微
細幅の厚いレジスト膜パターン２９を精度よく容易に形
成することが可能となる。
（匍 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係るレジスト
膜のパターン形成方法によれば、厚いレジスト膜を所定
パターンにバターニングするフォトマスクの位置合わせ
が高精度に、かつ容易に行うことが可能になり、厚いレ
ジスト膜パターンを精度良く、又高歩留りで形成するこ
とができるなど優れた効果を有する。従ってプラズマエ
ツチング、イオンエツチング、或いはマスクメッキなど
の技術を用いて薄膜デバイスを形成する場合に用いる厚
いレジスト膜パターンの形成に適用して極めて有利であ
る。
膜のパターン形成方法によれば、厚いレジスト膜を所定
パターンにバターニングするフォトマスクの位置合わせ
が高精度に、かつ容易に行うことが可能になり、厚いレ
ジスト膜パターンを精度良く、又高歩留りで形成するこ
とができるなど優れた効果を有する。従ってプラズマエ
ツチング、イオンエツチング、或いはマスクメッキなど
の技術を用いて薄膜デバイスを形成する場合に用いる厚
いレジスト膜パターンの形成に適用して極めて有利であ
る。
第１図及び第２図は従来のレジスト膜のパターン形成方
法を順に説明するための要部概略断面図、第３図は基板
側のマスク位置決め基準マークにフォトマスクの位置合
わせマークを一致させた一実施例を示す図、第４Ｆ！！
Ｊ乃至第８図は本発明に係るレジスト膜のパターン形成
方法を工程順に示す要部概略断面図である。 図面において、２１は基板、２２は基板２１上のマスク
位置合わせ基準マーク、２３は磁性膜、２４は非磁性絶
縁層、２５はレジスト膜、２６は第１のフォトマスク、
２７は第２のフォトマスク、２８は第２のフォトマスク
２７の位置合わせマーク、２９はレジスト膜パターンを
示す。 第１図 第２図
法を順に説明するための要部概略断面図、第３図は基板
側のマスク位置決め基準マークにフォトマスクの位置合
わせマークを一致させた一実施例を示す図、第４Ｆ！！
Ｊ乃至第８図は本発明に係るレジスト膜のパターン形成
方法を工程順に示す要部概略断面図である。 図面において、２１は基板、２２は基板２１上のマスク
位置合わせ基準マーク、２３は磁性膜、２４は非磁性絶
縁層、２５はレジスト膜、２６は第１のフォトマスク、
２７は第２のフォトマスク、２８は第２のフォトマスク
２７の位置合わせマーク、２９はレジスト膜パターンを
示す。 第１図 第２図
Claims (1)
- 周辺部にマスク位置決めマークを付した基板上、或いは
周辺部に設けたマスク位置決めマークを避けた領域面に
少なくとも１層の薄膜を設けてなる基板上の全面にレジ
スト膜を塗着し、該レジスト膜上に所定パターンを有す
るフォトマスクを配置して露光を行うに先立って、前記
基板の各マスク位置決めマーク上のレジスト膜を部分的
に選択除去して、該各マスク位置決めマークを露出せし
めた後、該レジスト膜上に所定パターンを有するフォト
マスクを基板上の各マスク位置決めマークを基準にして
位置決め配置し、露光・現像を行ってレジスト膜を所定
パターンにパターニングすることを特徴とするレジスト
膜のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080721A JPS60224227A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | レジスト膜のパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59080721A JPS60224227A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | レジスト膜のパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60224227A true JPS60224227A (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=13726220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59080721A Pending JPS60224227A (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | レジスト膜のパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60224227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62260154A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置におけるアライメント方法 |
| JPH01307035A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスクの製造方法 |
-
1984
- 1984-04-20 JP JP59080721A patent/JPS60224227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62260154A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置におけるアライメント方法 |
| JPH01307035A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ディスクの製造方法 |
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