JPH0351122A - 紫外線遮断性を有する複合フィルム - Google Patents
紫外線遮断性を有する複合フィルムInfo
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- JPH0351122A JPH0351122A JP1188627A JP18862789A JPH0351122A JP H0351122 A JPH0351122 A JP H0351122A JP 1188627 A JP1188627 A JP 1188627A JP 18862789 A JP18862789 A JP 18862789A JP H0351122 A JPH0351122 A JP H0351122A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、酸素や水蒸気等のガス遮断性に優れると共に
、無色透明であって、紫外線遮断性に優れる複合フィル
ムに関する。
、無色透明であって、紫外線遮断性に優れる複合フィル
ムに関する。
〈従来技術〉
酸化硅素の蒸着膜がガス遮断性に優れ、無色透明で、し
かも紫外線遮断性に優れることは良く知られている。こ
のため、酸素又は紫外線によって変敗し易い食品や医薬
品の包装材料として適している。
かも紫外線遮断性に優れることは良く知られている。こ
のため、酸素又は紫外線によって変敗し易い食品や医薬
品の包装材料として適している。
しかし、酸化硅素の蒸着膜は、例えば2000人の厚さ
の蒸着膜であっても、350n*の紫外線をおよそ28
%透過する。より厚い蒸着膜を設ければ紫外線透過率は
減少するが、厚くなるに従って蒸符膜は硬くなり、柔軟
性を失うと共に、クラックを生じ易くなる。このため、
厚みはおよそ2000人が上限である。
の蒸着膜であっても、350n*の紫外線をおよそ28
%透過する。より厚い蒸着膜を設ければ紫外線透過率は
減少するが、厚くなるに従って蒸符膜は硬くなり、柔軟
性を失うと共に、クラックを生じ易くなる。このため、
厚みはおよそ2000人が上限である。
一方、金属硅素の蒸着膜は、より紫外線遮断性の大きい
ことが、特開昭60−99848叶公報に記載されてい
る。しかし、この場合であっても、1300人の蒸着膜
が350n*の紫外線を27%透過する。その上、金属
硅素の蒸着膜は赤褐色に着色しており、無色透明ではな
い。
ことが、特開昭60−99848叶公報に記載されてい
る。しかし、この場合であっても、1300人の蒸着膜
が350n*の紫外線を27%透過する。その上、金属
硅素の蒸着膜は赤褐色に着色しており、無色透明ではな
い。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明は、より紫外線に敏感な内容物の包装材料に適す
る複合フィルムを提供することを目的とする、また、本
発明は、かかる紫外線遮断性を有するフィルムであって
、しかも無色透明で、内容物の色をそのまま覚知できる
フィルムを提供することを目的とする。
る複合フィルムを提供することを目的とする、また、本
発明は、かかる紫外線遮断性を有するフィルムであって
、しかも無色透明で、内容物の色をそのまま覚知できる
フィルムを提供することを目的とする。
〈課題を解決するだめの手段〉
この目的を達成するため、請求項(1)の発明は、5i
Ox(xは0〜2)から成るi’A IIQ 4−透明
高分子フィルム上に形成して成る複合フィルムであって
、金属硅素(Si)含有率が薄膜の膜厚方向に連続的に
変化していることを特徴とする紫外線遮断性を有「る複
合フィルl、を提供する。
Ox(xは0〜2)から成るi’A IIQ 4−透明
高分子フィルム上に形成して成る複合フィルムであって
、金属硅素(Si)含有率が薄膜の膜厚方向に連続的に
変化していることを特徴とする紫外線遮断性を有「る複
合フィルl、を提供する。
また、請求項(2)の発明は、金属硅素か打率が、最も
大きいところで、30〜50%であることを特徴とする
上記フィルムを提供する。
大きいところで、30〜50%であることを特徴とする
上記フィルムを提供する。
〈発明の具体的な説明〉
本発明において、高分子フィルムは薄膜の支持体となる
もので、複合フィルム全体の柔軟性を維持するため、厚
さ1I1111以ドの高分子物質から成るものが望まし
い。通常5μm以上である。
もので、複合フィルム全体の柔軟性を維持するため、厚
さ1I1111以ドの高分子物質から成るものが望まし
い。通常5μm以上である。
複合フィルム全体の透明性を保つため、高分子フィルム
は透明であることが必要である。着色されていても良い
が、包装材料として用いる場合に、内容物の色をそのま
ま透視可能とするため、無色透明であることが望ましい
。
は透明であることが必要である。着色されていても良い
が、包装材料として用いる場合に、内容物の色をそのま
ま透視可能とするため、無色透明であることが望ましい
。
また、);V膜を均一に層形成するため、高分子・フィ
ルムは表面平滑なものが望ましい。安定剤等の添加剤を
含有していても良い。
ルムは表面平滑なものが望ましい。安定剤等の添加剤を
含有していても良い。
かかる高分子フィルムとしては、ポリエチレンテレフタ
レートやポリエチレンナフタレート19のポリエステル
フィルム、ポリエチレン又はポリプロピレンやポリスチ
レン等のポリオレフィンフィルム、ポリアミドフィルム
、ポリ塩ヒニルフイルム、ポリカーボネートフィルム、
ポリアクリ1.Jニトリルフィルム等が例示できる。延
伸したフィルム又は未延伸のフィルムであって良い。
レートやポリエチレンナフタレート19のポリエステル
フィルム、ポリエチレン又はポリプロピレンやポリスチ
レン等のポリオレフィンフィルム、ポリアミドフィルム
、ポリ塩ヒニルフイルム、ポリカーボネートフィルム、
ポリアクリ1.Jニトリルフィルム等が例示できる。延
伸したフィルム又は未延伸のフィルムであって良い。
F、!膜はこの高分子フィルム上に形成される。両者の
密着力を向」ニさせるため、予め高分子フィルム表面を
処理しておくことができる。例えば、コロナ処理、低温
プラズマ処理、・イオンボンバード処理等の物理的な表
面改質処理である。また、薬品や溶剤を用いて、化学的
な表面処理を施しても良い。
密着力を向」ニさせるため、予め高分子フィルム表面を
処理しておくことができる。例えば、コロナ処理、低温
プラズマ処理、・イオンボンバード処理等の物理的な表
面改質処理である。また、薬品や溶剤を用いて、化学的
な表面処理を施しても良い。
薄膜は5iOx(xはO〜2)の組成を有する。すなわ
ち、5i(x−0) 、 5izO(x=0.5)、
SiO(x= 1 ) 。
ち、5i(x−0) 、 5izO(x=0.5)、
SiO(x= 1 ) 。
5izOs(x =1.5)、 SiO,(x −2)
等の混合物である。
等の混合物である。
この薄膜により紫外線を遮断するため、金属硅素(5i
)の含有率が、11りj¥力方向連続的に変化する。
)の含有率が、11りj¥力方向連続的に変化する。
金属硅素の含有率は、最も大きいところで、30〜50
a Low%である。50a Log%を超えると赤褐
色に着色して無色透明でなくなる。また、30ato−
%未満になると紫外線遮断性が劣ることとなる。
a Low%である。50a Log%を超えると赤褐
色に着色して無色透明でなくなる。また、30ato−
%未満になると紫外線遮断性が劣ることとなる。
また、薄膜の金属硅素含有率は、最も小さいところでl
oa Low%以上である。10a Lon%未病にな
ると紫外線遮断性が劣ることとなる。
oa Low%以上である。10a Lon%未病にな
ると紫外線遮断性が劣ることとなる。
薄膜の金属硅素含有率が連続的に変化することにより紫
外線遮断効果が著しく向上する理由は明らかではない、
しかし、後述するように、20〜40a toe%の間
で金属硅素含有率が連続的に変化する厚さ850人の薄
膜の紫外線j3過率は、厚さ2000人の酸化硅素’i
i4膜の紫外線透過率や厚さ1300人の金属硅素gi
膜の紫外線透過率よりはるかに小さい。
外線遮断効果が著しく向上する理由は明らかではない、
しかし、後述するように、20〜40a toe%の間
で金属硅素含有率が連続的に変化する厚さ850人の薄
膜の紫外線j3過率は、厚さ2000人の酸化硅素’i
i4膜の紫外線透過率や厚さ1300人の金属硅素gi
膜の紫外線透過率よりはるかに小さい。
薄膜の厚さは任意で良い、しかし、2000人の酸化硅
素薄膜に匹敵する紫外線遮断性を得るためには、500
Å以上の厚さが必要である。ニドた、2000人を超え
ると薄n!2が硬くなって柔軟性が失われ、折り曲げに
よって薄膜にクランクが生じ易くなる。
素薄膜に匹敵する紫外線遮断性を得るためには、500
Å以上の厚さが必要である。ニドた、2000人を超え
ると薄n!2が硬くなって柔軟性が失われ、折り曲げに
よって薄膜にクランクが生じ易くなる。
クラックの発生によってガス遮断性が劣化するから、厚
さ2000Å以下に留めることが好ましい。
さ2000Å以下に留めることが好ましい。
薄膜はP V D (Physical Vapour
Deposition)により形成することができる
。抵抗加熱、誘導加熱、電子線加熱等の加熱方法を用い
ることができるが、金属硅素含有率をコントロール「る
ため、高周波やマイクロ波を用いて、硅素やその酸化物
をプラズマ状態で高分子フィルムに付着するプラズマC
V l)法が望ましい、プラズマCVD法のうちで、成
膜時の使用可能な圧力範囲が広く、成11り速度が大き
い点で、マイクロ波を用いるt−: c r<(Ela
ctronCyclic Re5onance)プラズ
マCV D法が好ましい。
Deposition)により形成することができる
。抵抗加熱、誘導加熱、電子線加熱等の加熱方法を用い
ることができるが、金属硅素含有率をコントロール「る
ため、高周波やマイクロ波を用いて、硅素やその酸化物
をプラズマ状態で高分子フィルムに付着するプラズマC
V l)法が望ましい、プラズマCVD法のうちで、成
膜時の使用可能な圧力範囲が広く、成11り速度が大き
い点で、マイクロ波を用いるt−: c r<(Ela
ctronCyclic Re5onance)プラズ
マCV D法が好ましい。
第1図は、このECRプラズマCV D法による薄膜形
成方法の説明図である。図中(11は基材となる高分子
フィルムで、巻出しロール(11)に巻取られている。
成方法の説明図である。図中(11は基材となる高分子
フィルムで、巻出しロール(11)に巻取られている。
高分子フィルム(1)はテンシランコントロールのため
のダンサ−I:J−ル(2)を経て、クーリングロール
(4)を通り、巻取りロール0りに巻取られる。
のダンサ−I:J−ル(2)を経て、クーリングロール
(4)を通り、巻取りロール0りに巻取られる。
なお、クーリングロール(4)表面に高分子フィルム(
1)を密着するため、その前後にエキスパンダーロール
(3)が設けられている。
1)を密着するため、その前後にエキスパンダーロール
(3)が設けられている。
装置全体は排気!J2置(9)により、例えば0.IL
orr 、の真空杖、gに維持されている。薄膜の原料
となるガスはガス導入口(6)さら装置内に導入される
。CF’lガスは例えばS i tl a等のシランガ
スとN、0等の酸化性ガスの混合ガスである。薄膜形成
に関与しなかった残余のガスは排気装置(9)から01
気される。 マイクロ波は導波管(5)を通って、ガス
導入口(6)に直接照射される。(8)はマグネトロン
である。マイクロ波の照射により、原料ガスは、Si+
5iyOSiO、5iz03 、 Sing等のプラ
ズマに変化し、クーリングロール(4)上の冷却された
高分子フィルム0)に付着堆積する。(7)はプラズマ
の誘導用マグネットである。
orr 、の真空杖、gに維持されている。薄膜の原料
となるガスはガス導入口(6)さら装置内に導入される
。CF’lガスは例えばS i tl a等のシランガ
スとN、0等の酸化性ガスの混合ガスである。薄膜形成
に関与しなかった残余のガスは排気装置(9)から01
気される。 マイクロ波は導波管(5)を通って、ガス
導入口(6)に直接照射される。(8)はマグネトロン
である。マイクロ波の照射により、原料ガスは、Si+
5iyOSiO、5iz03 、 Sing等のプラ
ズマに変化し、クーリングロール(4)上の冷却された
高分子フィルム0)に付着堆積する。(7)はプラズマ
の誘導用マグネットである。
1WFI中の金属硅素含有率は、このマイクロ波のエネ
ルギー密度や原料ガスの組成を変えることによりコント
ロールすることができる。−最にECRプラズマCVD
法でfl膜形成した場合、金属硅素含有率の低下に伴い
、χ−1,5以下の低級酸化物(5ilo、 SiO+
5izes)の含有率が増大する。すなわち、金属硅
素含有率の大きいところで低級酸化物含有率が小さく、
金属硅素含有率の小さいことろで低級酸化物含有率が大
きい。すなわち、低級酸化物の含有率も膜厚方向に連続
的に変化することになる。
ルギー密度や原料ガスの組成を変えることによりコント
ロールすることができる。−最にECRプラズマCVD
法でfl膜形成した場合、金属硅素含有率の低下に伴い
、χ−1,5以下の低級酸化物(5ilo、 SiO+
5izes)の含有率が増大する。すなわち、金属硅
素含有率の大きいところで低級酸化物含有率が小さく、
金属硅素含有率の小さいことろで低級酸化物含有率が大
きい。すなわち、低級酸化物の含有率も膜厚方向に連続
的に変化することになる。
)W膜の上には、複合フィルムの透明性を侑なゎない範
囲で、他の層を形成することができる。例えば、ヒート
シールのための樹脂層、t7’J膜保護のための樹脂層
である。
囲で、他の層を形成することができる。例えば、ヒート
シールのための樹脂層、t7’J膜保護のための樹脂層
である。
ヒートシールのための樹脂層としては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、エチレン−エチルメタクリレート共重
合体、アイオノマー等の10〜6oμm程度の樹脂層が
使用できる。積層は溶融押出しラミネート、ドライラミ
ネート等で可能である。
ポリプロピレン、エチレン−エチルメタクリレート共重
合体、アイオノマー等の10〜6oμm程度の樹脂層が
使用できる。積層は溶融押出しラミネート、ドライラミ
ネート等で可能である。
あるいは、ウレタン系、塩酢ビ系、塩素化ポリプロピレ
ン系、アクリル系、ポリエステル系等の検事−1を塗布
することもできる。表inn物性を向上させるためには
、紫外線硬化型又は電7−線硬化型樹脂を塗布硬化させ
るのが良い。紫外線硬化型又は電子線硬化型樹脂はmm
にアクリル系又はエポキシ系等の多官能の七ツマ−又は
オリゴマーを主成分とするものである。
ン系、アクリル系、ポリエステル系等の検事−1を塗布
することもできる。表inn物性を向上させるためには
、紫外線硬化型又は電7−線硬化型樹脂を塗布硬化させ
るのが良い。紫外線硬化型又は電子線硬化型樹脂はmm
にアクリル系又はエポキシ系等の多官能の七ツマ−又は
オリゴマーを主成分とするものである。
〈実施例1〉
第1図に示す装置を用いて、厚さ124mの透明ポリエ
チレンテレフタレートフィル11片面に、SiOx薄膜
を厚さ850人に形成した。圧力はQ、]Lorr原料
ガスはS L I+ 4とNtOの1U合ガス、マイク
ロ波のパワー密度は2〜4W/am”、成膜速度はおよ
そ100 人/seeである。
チレンテレフタレートフィル11片面に、SiOx薄膜
を厚さ850人に形成した。圧力はQ、]Lorr原料
ガスはS L I+ 4とNtOの1U合ガス、マイク
ロ波のパワー密度は2〜4W/am”、成膜速度はおよ
そ100 人/seeである。
〈実施例2〉
ia膜を425人とした他は、実施例1と同様に薄膜を
形成した。
形成した。
く比較例〉
真空蒸着装置を用いて、厚さ12μmのポリエチレンテ
レフタレートフィルム片面に、M 化硅X 薄膜を厚さ
2000人に蒸着した。
レフタレートフィルム片面に、M 化硅X 薄膜を厚さ
2000人に蒸着した。
得られた各薄膜の金属硅素含有率、低級酸化物(Siz
e、 SiQ 、 5ites)含有率、膜1¥を第1
表に示す、なお、各含有率は光電子分光法(ESCA)
で測定し、il 119内部(ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに接する面)の含有率は薄膜をエツチング
して測定した。また膜厚は透i!電子顕微Su(丁1浦
)で断面写真を撮影して測定した。
e、 SiQ 、 5ites)含有率、膜1¥を第1
表に示す、なお、各含有率は光電子分光法(ESCA)
で測定し、il 119内部(ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに接する面)の含有率は薄膜をエツチング
して測定した。また膜厚は透i!電子顕微Su(丁1浦
)で断面写真を撮影して測定した。
また、第2図に波長300〜800nmの光透過中を示
−」。図中(a)は薄膜を形成しないポリ1チレンテレ
フタレートフイルム単体の透過率である。
−」。図中(a)は薄膜を形成しないポリ1チレンテレ
フタレートフイルム単体の透過率である。
く以下本葉余白〉
1111表
また、II’、! J’Xを変えた時の波長325〜4
00na+の紫外線透過率を第3図に示す、なお、いず
れの薄膜も、表面の金属硅素含有率はおよそ38〜40
atos%、内部の金属硅素含有率は18〜20a L
ow%である。
00na+の紫外線透過率を第3図に示す、なお、いず
れの薄膜も、表面の金属硅素含有率はおよそ38〜40
atos%、内部の金属硅素含有率は18〜20a L
ow%である。
〈効果〉
以上のように、請求項(1)の発明によれば、透明であ
ってしかも紫外線遮断性に優れた複合フィルムが得られ
る。
ってしかも紫外線遮断性に優れた複合フィルムが得られ
る。
また、請求項(2)の発明によれば、無色透明の−り記
フィルムが得られる。
フィルムが得られる。
かかる複合フィルムはフレキシブルでしかも折曲げによ
るクラックが発生ずることなく、M、素や水蒸気等のガ
ス遮断性に優れることから、紫外線や酸素を嫌う内容物
の透明包装材料として最適Cある。
るクラックが発生ずることなく、M、素や水蒸気等のガ
ス遮断性に優れることから、紫外線や酸素を嫌う内容物
の透明包装材料として最適Cある。
第1図は本発明に係る薄膜形成方法の説明図、第2図及
び第3図はそれぞれ波長300〜800nm325〜4
00nmの光透過率を示すグラフである。 (1)・・・高分子フィルム 01)・・・巻出しロー
ル021・・・laミリロール (2)・・・ダンサ−
ロール(3)・・・エキスパンダーロール (4)・・・クーリングし1−ル (5)・・・導波’i1’ (6)・・・ガ
ス導入口(7)・・・マグネット (9)・・・
IJt気装j〃(iJ)・・・ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムIn体(b)・・・実施例Iのフィルム (C)・・・実施例2のフィルム (d)・・・比較例のフィルム 1、! 許 出 願 人 凸版印刷株!(会社 代表者 鈴木和夫 第1図 第3図
び第3図はそれぞれ波長300〜800nm325〜4
00nmの光透過率を示すグラフである。 (1)・・・高分子フィルム 01)・・・巻出しロー
ル021・・・laミリロール (2)・・・ダンサ−
ロール(3)・・・エキスパンダーロール (4)・・・クーリングし1−ル (5)・・・導波’i1’ (6)・・・ガ
ス導入口(7)・・・マグネット (9)・・・
IJt気装j〃(iJ)・・・ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムIn体(b)・・・実施例Iのフィルム (C)・・・実施例2のフィルム (d)・・・比較例のフィルム 1、! 許 出 願 人 凸版印刷株!(会社 代表者 鈴木和夫 第1図 第3図
Claims (2)
- (1)SiO_x(xは0〜2)から成る薄膜を透明高
分子フィルム上に形成して成る複合フィルムにおいて、
金属硅素含有率が薄膜の膜厚方向に連続的に変化してい
ることを特徴とする紫外線遮断性を有する複合フィルム
。 - (2)金属硅素含有率が、最も大きいところで、30〜
50%であることを特徴とする請求項(1)記載の複合
フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1188627A JP2797480B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 紫外線遮断性を有する複合フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1188627A JP2797480B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 紫外線遮断性を有する複合フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0351122A true JPH0351122A (ja) | 1991-03-05 |
JP2797480B2 JP2797480B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=16227004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1188627A Expired - Fee Related JP2797480B2 (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | 紫外線遮断性を有する複合フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2797480B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0574829A1 (en) * | 1992-06-15 | 1993-12-22 | Konica Corporation | Chemicals kit for processing photographic light-sensitive materials |
JP2001260270A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-25 | 邦明 ▲高▼松 | 紫外線遮断シート及び紫外線遮断シートの製造方法 |
JP2016078372A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 凸版印刷株式会社 | 透明ガスバリアフィルム |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1188627A patent/JP2797480B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0574829A1 (en) * | 1992-06-15 | 1993-12-22 | Konica Corporation | Chemicals kit for processing photographic light-sensitive materials |
US5384233A (en) * | 1992-06-15 | 1995-01-24 | Konica Corporation | Chemicals kit including a container formed of multilayer film, for processing photographic light-sensitive materials |
JP2001260270A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-25 | 邦明 ▲高▼松 | 紫外線遮断シート及び紫外線遮断シートの製造方法 |
JP4502446B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2010-07-14 | 邦明 ▲高▼松 | 紫外線遮断シート及び紫外線遮断シートの製造方法 |
JP2016078372A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 凸版印刷株式会社 | 透明ガスバリアフィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2797480B2 (ja) | 1998-09-17 |
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Legal Events
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