JPH0351101B2 - - Google Patents
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- JPH0351101B2 JPH0351101B2 JP19012482A JP19012482A JPH0351101B2 JP H0351101 B2 JPH0351101 B2 JP H0351101B2 JP 19012482 A JP19012482 A JP 19012482A JP 19012482 A JP19012482 A JP 19012482A JP H0351101 B2 JPH0351101 B2 JP H0351101B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、微細加工に供される試料を保持固定
する静電チヤツク装置の改良に関する。
する静電チヤツク装置の改良に関する。
半導体ウエハやマスク等の試料を加工或いは検
査する工程においては、試料を加工機や検査機の
所定部位に保持固定することが必要となる。特
に、ウエハ上に微細なパターンを描画し多数のト
ランジスタ等を形成する集積回路の製作において
は、ウエハを平坦な面に確実に保持固定すること
が必要である。
査する工程においては、試料を加工機や検査機の
所定部位に保持固定することが必要となる。特
に、ウエハ上に微細なパターンを描画し多数のト
ランジスタ等を形成する集積回路の製作において
は、ウエハを平坦な面に確実に保持固定すること
が必要である。
従来、このような場合の保持手段として、取り
扱いが簡単で、かつ真空中でも作動可能な静電チ
ヤツク装置が用いられている。この静電チヤツク
装置は、2つの互いに反対に帯電されたコンデン
サ板(電極)間の吸引力を利用するもので、例え
ば第1図に示す如く構成されている。すなわち、
導電性基板1上に絶縁誘電層2を被着してなる静
電チヤツク本体3、及びこの静電チヤツク本体3
上に載置される試料4と導電性基板1との間に高
電圧を印加する電源5から構成され、上記導電性
基板1と試料4とが電極として作用するものとな
つている。なお、静電チヤツク本体3における試
料4の吸引力Fは上記印加電圧の大きさに影響さ
れ、一般に次式で示される。
扱いが簡単で、かつ真空中でも作動可能な静電チ
ヤツク装置が用いられている。この静電チヤツク
装置は、2つの互いに反対に帯電されたコンデン
サ板(電極)間の吸引力を利用するもので、例え
ば第1図に示す如く構成されている。すなわち、
導電性基板1上に絶縁誘電層2を被着してなる静
電チヤツク本体3、及びこの静電チヤツク本体3
上に載置される試料4と導電性基板1との間に高
電圧を印加する電源5から構成され、上記導電性
基板1と試料4とが電極として作用するものとな
つている。なお、静電チヤツク本体3における試
料4の吸引力Fは上記印加電圧の大きさに影響さ
れ、一般に次式で示される。
F=1/2εO・εS・S(V/t)2……(1)
ただし、εOは真空誘電率、εSは比誘電率、Sは
面積、Vは印加電圧、tは絶縁誘電層2の厚さで
ある。
面積、Vは印加電圧、tは絶縁誘電層2の厚さで
ある。
ところで、この種の装置を電子ビーム描画装置
等の微細加工装置に用いる場合、前記静電チヤツ
ク本体が真空に保持された試料室内に設置される
ことになる。静電チヤツク本体が大気中で操作可
能な所にあれば、試料の平坦度を何らかの方法で
測定したり、ピンセツト等で直接試料を動かして
みて、試料の吸着状態を知ることは可能である。
しかし、静電チヤツク本体が真空中にある場合、
上記のチエツク方法を適用することは困難であ
り、このため微細加工装置に用いられる静電チヤ
ツク装置では試料の吸着状態を知ることはできな
かつた。そして、試料が静電チヤツクに吸着され
ていない状態で微細加工を行うことは、加工精度
の低下、ひいては加工不能の状態を招くことにな
る。
等の微細加工装置に用いる場合、前記静電チヤツ
ク本体が真空に保持された試料室内に設置される
ことになる。静電チヤツク本体が大気中で操作可
能な所にあれば、試料の平坦度を何らかの方法で
測定したり、ピンセツト等で直接試料を動かして
みて、試料の吸着状態を知ることは可能である。
しかし、静電チヤツク本体が真空中にある場合、
上記のチエツク方法を適用することは困難であ
り、このため微細加工装置に用いられる静電チヤ
ツク装置では試料の吸着状態を知ることはできな
かつた。そして、試料が静電チヤツクに吸着され
ていない状態で微細加工を行うことは、加工精度
の低下、ひいては加工不能の状態を招くことにな
る。
なお、試料が吸着されていない状態としては、
試料が静電チヤツクに完全に接触していない場
合、配線コードが何らかの原因で断線した場合、
或いは絶縁誘電層が絶縁破壊した場合等が考えら
れる。
試料が静電チヤツクに完全に接触していない場
合、配線コードが何らかの原因で断線した場合、
或いは絶縁誘電層が絶縁破壊した場合等が考えら
れる。
本発明の目的は、静電チヤツク本体が真空中に
あつても、静電チヤツク本体上に載置される試料
が確実に保持固定されているかを容易、かつ正確
に知ることができ、試料の微細加工や検査等の信
頼性向上に寄与し得る静電チヤツク装置を提供す
ることにある。
あつても、静電チヤツク本体上に載置される試料
が確実に保持固定されているかを容易、かつ正確
に知ることができ、試料の微細加工や検査等の信
頼性向上に寄与し得る静電チヤツク装置を提供す
ることにある。
本発明の骨子は、静電チヤツク本体に流れる電
流を検出し、この検出電流値から試料の吸着状態
を判断することにある。すなわち、静電チヤツク
本体に使用されている絶縁誘電層は、絶縁物とは
云うものの無限大の抵抗値を有するものではな
く、その両面に高電圧を印加することによつて微
小な電流が流れる。そして、この電流は回路が開
いていれば零となり、試料が吸着されていればそ
の吸着面積の大きさに対応する値となる。また、
絶縁誘電層が絶縁破壊されていると過大な電流が
流れる。したがつて、上記電流を検出することに
よつて、試料の吸着状態を判断できることにな
る。
流を検出し、この検出電流値から試料の吸着状態
を判断することにある。すなわち、静電チヤツク
本体に使用されている絶縁誘電層は、絶縁物とは
云うものの無限大の抵抗値を有するものではな
く、その両面に高電圧を印加することによつて微
小な電流が流れる。そして、この電流は回路が開
いていれば零となり、試料が吸着されていればそ
の吸着面積の大きさに対応する値となる。また、
絶縁誘電層が絶縁破壊されていると過大な電流が
流れる。したがつて、上記電流を検出することに
よつて、試料の吸着状態を判断できることにな
る。
本発明はこのような点に着目し、静電チヤツク
本体及びこの静電チヤツク本体に高電圧を印加す
るための電源回路からなる静電チヤツク装置にお
いて、上記静電チヤツク本体と電源回路との間に
電流計を挿入し、この電流計の検出値から試料の
吸着状態を判断できるようにしたものである。
本体及びこの静電チヤツク本体に高電圧を印加す
るための電源回路からなる静電チヤツク装置にお
いて、上記静電チヤツク本体と電源回路との間に
電流計を挿入し、この電流計の検出値から試料の
吸着状態を判断できるようにしたものである。
本発明によれば、電流計の検出値から試料の吸
着状態を判断できるので、試料が静電チヤツク本
体に確実に保持固定されているかを容易、かつ確
実に知ることができ、さらに真空中にあつても上
記保持固定されているかを知ることができる。こ
のため、微細加工装置や検査装置等に用いた場
合、真空中に配置される試料の吸着状態を判断で
きることから加工精度及び検査精度の向上をはか
り得る等の効果が得られる。
着状態を判断できるので、試料が静電チヤツク本
体に確実に保持固定されているかを容易、かつ確
実に知ることができ、さらに真空中にあつても上
記保持固定されているかを知ることができる。こ
のため、微細加工装置や検査装置等に用いた場
合、真空中に配置される試料の吸着状態を判断で
きることから加工精度及び検査精度の向上をはか
り得る等の効果が得られる。
第2図は本発明の一実施例に係わる静電チヤツ
ク装置を示す概略構成図である。図中10は静電
チヤツク本体で、これは前記第1図に示したもの
と基本的には変わらない構造である。すなわち、
導電性基板11の表面全面を被覆するよう絶縁誘
電層12が形成され、導電性基板11の下面には
ねじ等からなる電極端子13が取着されている。
ここで、絶縁誘電層12は導電性基板11に、例
えばアルミナを溶射してなるものである。そし
て、静電チヤツク本体10はその上面が平坦に形
成され、この平坦部に半導体ウエハ等の試料が載
置されるものとなつている。
ク装置を示す概略構成図である。図中10は静電
チヤツク本体で、これは前記第1図に示したもの
と基本的には変わらない構造である。すなわち、
導電性基板11の表面全面を被覆するよう絶縁誘
電層12が形成され、導電性基板11の下面には
ねじ等からなる電極端子13が取着されている。
ここで、絶縁誘電層12は導電性基板11に、例
えばアルミナを溶射してなるものである。そし
て、静電チヤツク本体10はその上面が平坦に形
成され、この平坦部に半導体ウエハ等の試料が載
置されるものとなつている。
一方、前記電極端子13には保護抵抗15を介
して直流電源(電源回路)16の正極側が接続さ
れ、前記試料14には電流計17を介して直流電
源16の負極側(接地側)が接続されている。そ
して、導電性基板11と試料14との間に高電圧
が印加され、これらの間に働く吸引力により試料
14が静電チヤツク本体10上に保持固定される
ものとなつている。保護抵抗15は前記絶縁誘電
層12が絶縁破壊したときに過大電流が流れるの
を防止するもので、電流計17は数〔nA〕〜数
〔μA〕の微小電流を検出するものである。また、
電流計17の検出値は比較回路18に供給されて
いる。この比較回路18は上記検出値と定常状態
における電流値、すなわち試料14が静電チヤツ
ク本体10に確実に保持固定されているときの電
流値とを比較するもので、両者の差が所定の値を
越えるとき異常信号を出力するものとなつてい
る。
して直流電源(電源回路)16の正極側が接続さ
れ、前記試料14には電流計17を介して直流電
源16の負極側(接地側)が接続されている。そ
して、導電性基板11と試料14との間に高電圧
が印加され、これらの間に働く吸引力により試料
14が静電チヤツク本体10上に保持固定される
ものとなつている。保護抵抗15は前記絶縁誘電
層12が絶縁破壊したときに過大電流が流れるの
を防止するもので、電流計17は数〔nA〕〜数
〔μA〕の微小電流を検出するものである。また、
電流計17の検出値は比較回路18に供給されて
いる。この比較回路18は上記検出値と定常状態
における電流値、すなわち試料14が静電チヤツ
ク本体10に確実に保持固定されているときの電
流値とを比較するもので、両者の差が所定の値を
越えるとき異常信号を出力するものとなつてい
る。
このような構成であれば、試料14の静電チヤ
ツク本体10との吸着状態により試料14と導電
性基板11との間の抵抗が変化し、この抵抗変化
に応じて電流計17の指示値も変化する。このた
め、試料14を直接観察することなく、さらに試
料14に機械的な力を加えることなく、電流計1
7の指示値若しくは比較回路18の出力から試料
14の吸着状態を判断できることになる。すなわ
ち、装置が正常に作動している場合、静電チヤツ
ク本体10には微小電流が流れる。この電流は、
印加電圧、絶縁誘電層12の厚さ及び単位面積当
りの抵抗が予め定まつているので、試料14の静
電チヤツク本体10との密着面積に比例したもの
となる。また、試料14の表面には酸化膜や窒化
膜等が形成されていることもあり、この場合これ
らの膜厚によつても上記電流は変化する。本発明
者等の実験によれば、印加電圧を400〔V〕、試料
14として4インチ径シリコンウエハを用いたと
ころ、試料14が静電チヤツク本体10上に確実
に保持固定されている正常な状態で、試料14表
面の酸化膜等の膜厚により数〔nA〕〜数〔μA〕
の範囲の電流が流れることが確認された。
ツク本体10との吸着状態により試料14と導電
性基板11との間の抵抗が変化し、この抵抗変化
に応じて電流計17の指示値も変化する。このた
め、試料14を直接観察することなく、さらに試
料14に機械的な力を加えることなく、電流計1
7の指示値若しくは比較回路18の出力から試料
14の吸着状態を判断できることになる。すなわ
ち、装置が正常に作動している場合、静電チヤツ
ク本体10には微小電流が流れる。この電流は、
印加電圧、絶縁誘電層12の厚さ及び単位面積当
りの抵抗が予め定まつているので、試料14の静
電チヤツク本体10との密着面積に比例したもの
となる。また、試料14の表面には酸化膜や窒化
膜等が形成されていることもあり、この場合これ
らの膜厚によつても上記電流は変化する。本発明
者等の実験によれば、印加電圧を400〔V〕、試料
14として4インチ径シリコンウエハを用いたと
ころ、試料14が静電チヤツク本体10上に確実
に保持固定されている正常な状態で、試料14表
面の酸化膜等の膜厚により数〔nA〕〜数〔μA〕
の範囲の電流が流れることが確認された。
いま、何らかの原因によつて試料14が静電チ
ヤツク本体10と離れている場合、或いは通電ラ
インに断線が生じている場合、電流計17の指示
値は零となる。また、絶縁誘電層12が絶縁破壊
している場合、電流計17の指示値は正常時より
大幅に増大することになる。したがつて、電流計
17の指示値から試料14の吸着状態が判断でき
ることになる。
ヤツク本体10と離れている場合、或いは通電ラ
インに断線が生じている場合、電流計17の指示
値は零となる。また、絶縁誘電層12が絶縁破壊
している場合、電流計17の指示値は正常時より
大幅に増大することになる。したがつて、電流計
17の指示値から試料14の吸着状態が判断でき
ることになる。
かくして本装置によれば、電流計17の指示値
を見るだけで、試料14が静電チヤツク本体10
上に確実に保持固定されているかを容易に、かつ
正確に知ることができる。このため、静電チヤツ
ク本体10が真空中に設置されていたとしても、
試料14の保持固定状態を知ることができ、電子
ビーム描画装置等に用いて絶大なる効果を発揮す
る。また、従来装置に電流計17を付加するのみ
の極めて簡易な構成で実現し得る等の利点があ
る。
を見るだけで、試料14が静電チヤツク本体10
上に確実に保持固定されているかを容易に、かつ
正確に知ることができる。このため、静電チヤツ
ク本体10が真空中に設置されていたとしても、
試料14の保持固定状態を知ることができ、電子
ビーム描画装置等に用いて絶大なる効果を発揮す
る。また、従来装置に電流計17を付加するのみ
の極めて簡易な構成で実現し得る等の利点があ
る。
第3図及び第4図はそれぞれ他の実施例を示す
概略構成図であり、これらは先に説明した実施例
の静電チヤツク本体10を改良したものである。
すなわち、第3図に示すものでは静電チヤツク本
体10が絶縁基板21、この基板21上に被着さ
れた2枚の電極板22a,22b、及びその上面
を被覆した絶縁誘電層12で形成されている。そ
して、上記電極板22a,22b間に電圧が印加
されるものとなつている。この場合、電極板22
aから試料14に電気力線が真直ぐ入り、試料1
4内には磁界は発生せず電極板22bに真直ぐ入
ることになり、これにより試料14が静電チヤツ
ク本体10上に保持固定される。また、第4図に
示すものでは静電チヤツク本体10の絶縁誘電層
12上の一部に金属膜23が蒸着形成されてい
る。そして、この金属膜23と電極端子13との
間に電圧が印加されるものとなつている。
概略構成図であり、これらは先に説明した実施例
の静電チヤツク本体10を改良したものである。
すなわち、第3図に示すものでは静電チヤツク本
体10が絶縁基板21、この基板21上に被着さ
れた2枚の電極板22a,22b、及びその上面
を被覆した絶縁誘電層12で形成されている。そ
して、上記電極板22a,22b間に電圧が印加
されるものとなつている。この場合、電極板22
aから試料14に電気力線が真直ぐ入り、試料1
4内には磁界は発生せず電極板22bに真直ぐ入
ることになり、これにより試料14が静電チヤツ
ク本体10上に保持固定される。また、第4図に
示すものでは静電チヤツク本体10の絶縁誘電層
12上の一部に金属膜23が蒸着形成されてい
る。そして、この金属膜23と電極端子13との
間に電圧が印加されるものとなつている。
このような構成であれば、先の実施例と同様な
効果を奏するのは勿論のことであり、さらに試料
14に直接配線コードを接触させる必要がない等
の利点がある。
効果を奏するのは勿論のことであり、さらに試料
14に直接配線コードを接触させる必要がない等
の利点がある。
なお、本発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。例えば、前記静電チヤツク本体の
絶縁誘電層は、アルミナの溶射に限定されるもの
ではなく、導電性基板の酸化物、その他絶縁物で
あれば用いてもよい。さらに、静電チヤツク本体
の構造は何ら実施例に限定されるものではなく、
仕様に応じて適宜変更可能である。また、静電チ
ヤツク本体に印加する電圧は必ずしも直流に限る
ものではなく、交流であつてもよい。この場合、
電流計には静電チヤツク本体の静電容量に対応す
る電流も流れることになるが、試料の吸着状態に
より変わる電流は直流電圧を印加した場合と同様
であるので、電流計の指示値から試料の吸着状態
を判断することが可能である。また、前記比較回
路は必ずしも必要なものではないが、この比較回
路の出力を計算機等に供給しておけば、試料の吸
着状態の自動モニタも可能である。さらに、電流
計の挿入個所も仕様に応じて適宜変更可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施例することができる。
ものではない。例えば、前記静電チヤツク本体の
絶縁誘電層は、アルミナの溶射に限定されるもの
ではなく、導電性基板の酸化物、その他絶縁物で
あれば用いてもよい。さらに、静電チヤツク本体
の構造は何ら実施例に限定されるものではなく、
仕様に応じて適宜変更可能である。また、静電チ
ヤツク本体に印加する電圧は必ずしも直流に限る
ものではなく、交流であつてもよい。この場合、
電流計には静電チヤツク本体の静電容量に対応す
る電流も流れることになるが、試料の吸着状態に
より変わる電流は直流電圧を印加した場合と同様
であるので、電流計の指示値から試料の吸着状態
を判断することが可能である。また、前記比較回
路は必ずしも必要なものではないが、この比較回
路の出力を計算機等に供給しておけば、試料の吸
着状態の自動モニタも可能である。さらに、電流
計の挿入個所も仕様に応じて適宜変更可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施例することができる。
第1図は従来の静電チヤツク装置を示す概略構
成図、第2図は本発明の一実施例を示す概略構成
図、第3図及び第4図はそれぞれ他の実施例を示
す概略構成図である。 10……静電チヤツク本体、11……導電性基
板、12……絶縁誘電層、13……電極端子、1
4……試料、15……保護抵抗、16……直流電
源(電源回路)、17……電流計、21……絶縁
基板、22a,22b……電極板、23……金属
膜。
成図、第2図は本発明の一実施例を示す概略構成
図、第3図及び第4図はそれぞれ他の実施例を示
す概略構成図である。 10……静電チヤツク本体、11……導電性基
板、12……絶縁誘電層、13……電極端子、1
4……試料、15……保護抵抗、16……直流電
源(電源回路)、17……電流計、21……絶縁
基板、22a,22b……電極板、23……金属
膜。
Claims (1)
- 1 電極板及びこの電極板と静電的に保持固定さ
れる試料間に介在すべき誘電層とを有する静電チ
ヤツク本体と、前記電極板と試料間に電圧を印加
するための電源回路と、この電源回路と前記電極
板及び試料を含む回路に流れる電流を検出する電
流計とを具備してなることを特徴とする静電チヤ
ツク装置。
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