JPH03501502A - チタニウム上にメッキする方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 チタニウム上にメッキする方法 発明の背景 本発明は基体への被覆の適用に関するものであり、特にチタニウム上のメッキに 関するものである。

チタニウムは航空宇宙産業において非常に注目すべき金属である。それは多数の 特有形成処理において優良な機械的特質、低密度、およびオペラビリティの組合 せのためである。

チタニウムは適度な温度において高い強度を要求する適用において、例えば皮膚 構造、主要な負荷支持部材、固定具に幅広く使用される。各種のチタニウム合金 が利用でき、ここで用いられている「チタニウム」という用語は純金属およびそ の多様な合金形態を含むものである。

その適用において、チタニウム部分は改良された腐食作用または酸化作用に対す る抵抗性、増加する表面硬度またはすり傷に対する抵抗性、改良された寸法規模 を得るためまたは他の表面に関連された理由のために被覆またはメッキされるこ とが好ましい。３０年以上の間、チタニウムに付着性被覆を施す方法が提案され てきたが、その方法の大部分は実施不可能であることが証明された。チタニウム 合金にニッケルのような金属をメッキすることは問題を残し、改良された方法が そのようなメッキのために必要される。

チタニウム合金は付着性金属被覆でメッキすることが難しい。なぜならそれは頑 強で不活性な酸化フィルムを急速に形成するからである。酸化フィルムは各種の エツチング処理によって取り除かれることができるが、それはすぐに再結成され るので、表面にメッキされる原子のアクセスを妨害するフィルムが再結成される 前に被覆を行うことは難しい。メッキが酸化フィルム上に行われると、金属層は 付着されるが、その層は多くの目的に対して十分に付着していない。チタニウム 部分を屈曲させると被覆層は表面から離れてその所期の目的に対しては使用でき な、い層を生じる。

したがってチタニウム、特に合金上に無電解ニッケルメッキのような金属を被覆 する方法の必要性が依然として存在している。本発明はこの必要性を満足し、さ らに関連した利点を提供する。

発明の概要 本発明はチタニウム基体上に金属層を付着する方法を提供・する。その方法は機 械試験中はがれたりはげ落ちたりしない付着層を提供する。それは一般にすぐ利 用できる電解槽およびメッキ機器を使用することだけが必要で、容易に商業的動 作において再現可能である。

本発明によると、チタニウム部片上に金属層をメッキする処理方法はチタニウム 部片を清浄にし、その表面から酸化物を取り除くために濃い酸性溶液にチタニウ ム部片を接触させ、チタニウム部片の表面を活性化し、酸化物形成に抵抗するよ うにチタニウム部片の表面を処理し、チタニウム部片の表面に配向層を供給し、 チタニウム部片の表面にメッキし、メッキされたチタニウム部片を熱処理するス テップを含む。

清浄ステップにおいて、苛性溶液中などで埃、うろこ状、かたまりの酸化物は取 り除かれる。さらに酸中への浸漬は表面上の酸化物を取り除き、活性化は層の付 着に対するチタニウム部片の表面を処理する。チタニウム部片は配向層が設けら れる前に酸化物形成に抵抗する表面を提供するために処理される。配向層が設け られた後に、主要な金属メッキは適切な手段によって付着される。メッキ層とチ タニウム表面の間の付着を改良するために、メッキされた部片は熱処理される。

生じたメッキされた層はチタニウム部片の表面に付着する。

チタニウム部片が屈曲あるいはメッキ部分に機械的に歪ませることによって変形 されたときでも、それを取り除くことは不可能である。本発明のその他の特徴お よび利点は例として本発明の詳細な説明している好ましい実施例の下記のより詳 細な説明から明らかにされるであろう。

発明の詳細な説明 好ましい形式として、本発明はチタニウム合金上に被覆する無電解ニッケルメッ キを付着する処理を提供する。そのチタニウム合金は６重量パーセントのアルミ ニウム、４重量パーセントのバナジウムを含む航空宇宙用において幅広（使用さ れており、ｒｉ−ｅＡｉ−４ｖとしてよく知られている合金である。

しかし、本発明はそのような被覆および基体に制限されていない。ここで使用さ れている用語「チタニウム」は純粋なチタニウムおよびその合金を意味する。

好ましい本発明の見地として、チタニウム部片上に無電解ニッケルメッキをする 処理は、チタニウム部片を清浄化し、濃塩酸溶液にチタニウム部片を付着し、硝 酸および塩酸溶液中においてチタニウム部片を活性化し、酢酸および塩酸の混合 物を調合して処理した溶液にチタニウム部片の表面を接触させて、不活性陰極お よびチタニウム陽極を溶液中に配置して、チタニウムを溶液中に溶解し、チタニ ウム部片をニッケル配向層で被覆し、ニッケル層でチタニウム部片を無電解メッ キし、およびメッキされたチタニウム部片を熱処理するステップを含む。

本発明の別の見地として、チタニウム部片上に無電解ニッケルメッキをする処理 は、チタニウム部片を清浄化し、濃塩酸溶液にチタニウム部片を接触させ、硝酸 および塩酸の溶液中においてチタニウム部片を活性化し、酢酸およびフッ酸の処 理溶液中において陽極処理によってチタニウム部片の表面を処理し、ニッケル配 向層でチタニウム部片を被覆し、ニッケル層でチタニウム部片を無電解メッキし 、およびチタニウム部片を熱処理するステップを含む。

本発明の実行において、Ｔｉ−６ＡＩ−４Ｖのようなチタニウム合金部は埃、グ リースおよび他の物質の汚染を取り除くために最初に清浄にされる。清浄化処理 は数分間６ボルトのチタニウム部片の陰極の形態で、水１ガロン当り約３〜１３ オンス好ましいのは８オンスの約１８０　Ｆの温度におけるオーカイト（Ｏａｋ ｉｔｅ）　９０のような市販の清浄化溶液にその部片を浸漬することによって得 られることが好ましい。０ａｋｉｔｅ　９０の主要な構造成分は苛性ソーダおよ び湿潤剤である。代わりに、強力洗剤による清浄処理が使用できる。清浄後、チ タニウム部片は浸漬またはスプレィによって環境温度において少なくとも２０秒 間脱イオン水中において完全に洗われる。

チタニウム部片は約４５〜５５容積パーセント好ましいのは５０容積パーセント の酸の濃度を有する濃塩酸水溶液に環境温度において接触される。チタニウム部 片はその表面上の酸化物の大部分を取り除くために約１５分間酸中に置かれる。

はとんど全部の酸化物が取り除かれることは可能であるが、薄い酸化層は急速に 再結成されるので除去される量は一定しない。

酸に浸漬した後、その部片は前述の方法で脱イオン水中で再度洗われる。

チタニウム部片の表面は環境温度において２７〜３３容積パーセント好ましいの は３０容積パーセントの濃硝酸および１〜１０容積パーセント好ましいのは５容 積パーセントの濃塩酸の酸性混合水溶液にそれを浸すことによって活性化される 。浸した後すぐに、ガスの気泡がチタニウム上に形成する。浸漬はガス発生の開 始後に約１分間持続される。チタニウム部片の活性化が終えた後、その部片は活 性化溶液から取り出され、前述の方法において脱イオン水中で洗われる。

次にチタニウム部片の表面はメッキをするために処理され、メッキの開始に先立 ってチタニウム上の酸化フィルム形成を避ける。２つの異なる方法は処理のため に、無電解方法および電解方法に対して開発させた。この説明によって限定され るわけではないが、処理溶液にチタニウム部片の表面を接触させると保護フッ化 物層の形成を生じるものと考えられる。

好ましい無電解処理方法において、チタニウム部片は環境温度において約１５分 間処理溶液に浸される。処理溶液は約８４〜９０容積パーセント好ましいのは８ ７．５容積パーセントの濃酢酸水溶液および約１０〜１６容積パーセント好まし いのは１２．５容積パーセントの濃度のフッ酸の４９容積パーセント水溶液を混 合することによって処理ステップより前に別に調合される。

チタニウムは銅陰極およびＴｉ−６ＡＩ−４Ｖ陽極を溶液に浸し、１平方フィー ト当り約ｌＯ〜１５アンペアの陽極電流密度でメッキすることによってこの溶、 液中に溶解される。処理溶液を製造するために環境温度におけるチタニウム溶解 は溶液の１リットル当り約１７グラムのチタニウムが溶解されるまで持続される 。メッキされるチタニウム部片は電圧または電流の供給なしにこの処理溶液に置 かれる。この方法は最も好ましく、その部片は角等の電流が電解処理に集中され る位置に不規則が生じることなしに平均に反応する利点を有する。電解処理にお ける電流密度はまたチタニウム部片の幾何学的形状および溶液中のその深さによ って変化し、これらの条件の変化は無電解方法によって避けられる。

別の電解処理において、チタニウム部片は約８４〜９０容積パーセント好ましく は８７．５容積パーセントの濃酢酸水溶液および約１０〜１６容積パーセント好 ましくは１２．５容積パーセントの濃度のフッ酸の４９容積パーセントの水溶液 を含む処理溶液に置かれる。チタニウム部片は５〜１０ボルトの電圧および１平 方フィート当り約１０〜２０アンペアの電流密度において銅陰極を使用して陽極 処理される。処理は環境温度において１０〜１２分間持続される。

いずれかの方法による処理後は、チタニウム部片は前述のように脱イオン水中で 洗われる。

１０〜１２容積パーセントの濃塩酸および１ガロン当り約３１〜８３オンス好ま しくは３２オンスの塩化ニッケル五水化物を含む水溶液中に環境温度における電 極付着による酸化物形成を減少させるための表面処理後にニッケル配向層はチタ ニウム部片の表面に形成される。チタニウム部片は３〜５ボルトの電圧および１ 平方フィート当り約３０〜５０アンペアの電流密度における陰極処理される。メ ッキは約１０〜２５ミクロインチの厚さと見積まれるニッケル配向層が形成され るまで数分間持続される。ニッケル配向層の形成後、その部片は前述された方法 で脱イオン水中に洗われる。

無電解ニッケルメッキはその部分を１リットル当り２８グラムの硫化ニッケル六 水化物、１７グラムの酢酸ナトリウム、２４グラムの次亜リン酸ナトリウム、０ ．００１５グラムの酢酸鉛よりなるｐＨ４，６、温度８２〜８８℃の水溶液中に 置（ことによってニッケル配向層上に形成される。ニッケルはこの方法によって １時間当り約０．０００５インチの割合で付着される。優良なメッキ溶液はＥｎ ｔｈｏｎｅ社によって製造されたＥｎｔｈｏｎｅ　４２２およびＷｉｔｃｏ　Ｃ ｈｅｍ１ｃａ１社によって製造された　Ａ１１ｉｅｄ　Ｋｅｌｉｔｅ　７９４と して市販されている。

無電解メッキの完成後、前述の方法においてチタニウム部片は脱イオン水中で洗 われ、乾燥した清浄なフィルタされた空気または窒素のいずれかによって乾燥さ れる。

チタニウム部片に対するメッキの付着性を改善するために、メッキの完成後すぐ に、完成物は窒素または真空のような不活性雰囲気中において熱処理される。メ ッキ処理の３時間以内に、メッキされた部片は８１８〜８３０度Ｆ好ましくは８ ２４度Ｆの温度において約６０〜６５分間持続的に窒素炉に配置される。

その炉の加熱電力が止められ、炉の部片は環境温度に冷却され、炉から取り出さ れる。

下記の例は本発明の詳細な説明するために提供されるものＴｉ−８ＡＩ−４Ｖの 部片は上述の好ましい方法を用いて無電解メッキ面当り０．００３インチの厚さ にメッキされた。酸化物再形成を制御するために無電解処理手順が利用された。

無電解ニッケルメッキの接触後、その部分はそのメッキをはがすための試みにお いて１８０度にわたって繰り返して曲げられたが、メッキはよく付着された状態 であり、硬質な道具を用いて手作業によって取り除くことは不可能である。付着 ラインは２０倍の倍率で検査された。この検査から、チタニウム部片と無電解ニ ッケルメッキの間の付着は頑丈ではがそうとすることに抵抗した。

例２ 例１の試験が上述の電解処理手順が酸化物再形成を減少させるために使用される ことを除いては繰り返された。側面当り約Ｑ、ＯｉＯ”Ｉ’レンチ無電解ニッケ ルメッキが付着された。ニッケル層をはがそうとする方法は同一であり、この手 順はよく付着されたメッキを製造することがわかった。

例３ 直径約４インチ、長さ７−１ノ２インチ、厚さ３ノ４インチのシリンダの形をし たハイドゲージは異なる直径の１０ステツプにおいて内側に機械加工された。内 面的にステップを有するシリンダの内外面は約０．００フインチのニッケルを用 いて無電解メッキされた。処理ステップにおいて、例２で述べられた電解処理手 順が使用された。別々の内外面電極が必要とされ、溶液は処理中ゆっくりとかき 混ぜられた。無電解ニッケルメッキ層は付着され、全て品質試験に合格した。

本処理はチタニウム基体上に完全な接触金属層をメッキする方法を提供する。強 力な付着力を有するチタニウム部片の機械的変形後でさえ、金属層は基体から分 離またははがすことは不可能である。

本発明の特定の実施例が例示のために詳細に説明されたが、種々の変更は本発明 の技術的範囲を逸脱することなしに可能である。したがって、本発明は添付の請 求の範囲を除いては制限されない。

国際調査報告 国際調査報告 ＵＳ　８９０３２６５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．チタニウム部片を清浄にし、 濃塩酸溶液にチタニウム部片を接触させ、硝酸および塩酸の溶液中においてチタ ニウム部片を活性化し、 酢酸および塩酸の処理溶液中における陽極性処理によりチタニウム部片の表面を 処理し、 ニツケル配向層でチタニウム部片を被覆し、ニツケル層でチタニウム部片を無電 解メツキし、チタニウム部片を熱処理するステツプを具備するチタニウム部片上 に無電解ニツケルメツキをする方法。 ２．接触させるステツプにおいて使用される溶液は約５０容積パーセントの塩酸 を有する請求項１記載の方法。 ３．活性化するステツプにおいて使用される溶液は約３０容積パーセントの硝酸 および約５容積パーセントの塩酸を含む水溶液である請求項１記載の方法。 ４．表面を方法するステツプにおいて使用される溶液は約８７．５容積パーセン トの酢酸および１２．５容積パーセントの塩酸を含む水溶液である請求項１記載 の方法。 ５．表面を方法するステツプにおいて陽極への電流は１平方フイート当り約１０ 乃至２０アンペアである請求項１記載の方法。 ６．ニツケルストライク溶液は１ガロン当り約３２オンスの塩化ニツケル五水化 物および約１０〜１２容積パーセントの塩酸を有する請求項１記載の方法。 ７．熱方法のステップは約８２５度Ｆの温度における窒素雰囲気において行われ る請求項１記載の方法。 ８．チタニウム部片を清浄にし、 濃塩酸溶液にチタニウム部片を接触させ、硝酸溶液および塩酸溶液中においてチ タニウム部片を活性化し、 酢酸およびフツ酸の混合溶液を調整して、その溶液中に不活性陰極およびチタニ ウム陽極を配置して、溶液中にチタニウムを溶解させる処理によつて調合される 処理溶液にチタニウム部片の表面の接触させ、 ニツケル配向層によつてチタニウム部片を被覆し、ニツケル配向層によつてチタ ニウム部片を無電解メツキし、メツキされたチタニウム部片を熱処理するステツ プを具備するチタニウム部片上に無電解ニツケルをメツキをする方法。 ９．濃塩酸溶液にチタニウム部片を接触させるステツプにおいて使用される溶液 は約５０容積パーセントの塩酸を含む請求項８記載の方法。 １０．活性化のステツプにおいて使用された溶液は約３０容積パーセントの硝酸 および約５容積パーセントの塩酸を含む水溶液である請求項８記載の方法。 １１．ニツケルストライク溶液は１ガロン当り約３２オンスの塩化ニツケル五水 化物および約１０〜１２容積パーセントの塩酸を含む請求項８記載の方法。 １２．熱方法のステツプは約８２５度Ｆの温度における窒素雰囲気において行わ れる請求項８記載の方法。 １３．表面を接触させるステップは約８７．５容積パーセントの酢酸および約１ ２．５容積パーセントのフツ酸を食む混合物を処理し、この溶液に銅陰極および チタニウム陽極を浸漬し、１リットル当り約１７グラムのチタニウムが溶液中に 存在するまで１平方フィート当り約１０〜１５アンペアの陽極電流密度での溶液 に合金Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖを溶解することによつて行われる請求項８記載の方法 。 １４．チタニウム部片を清浄にし、 チタニウム部片の表面から酸化物を取り除くため濃い酸溶液とチタニウム部片と を接触させ、 チタニウム部片の表面を活性化し、 酸化物形成に抵抗するようにチタニウム部片の表面を処理し、 チタニウム部片の表面に配向層を形成し、チタニウム部片の表面をメッキし、 メツキされたチタニウムの部片を熱処理するステツプを具備するチタニウム部片 上に金属層をメッキする方法。