JPH0349059A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、金属層を有する情報記録媒体に関し、さらに
詳しくは、耐腐食性あるいは安定性に優れ、しかも記録
パワーの線速依存性が小さい情報記録媒体に関する。

発明の技術的背景 基板上に記録層と金属層とを有する書き換え可能な光磁
気ディスクなどの情報記録媒体では、該記録媒体に記録
するための記録パワーを内周部と外周部とで大きく異な
ることがないようにするため、記録パワーの線速依存性
を小さくすることが望まれている。

通常光磁気ディスクなどの情報記録媒体では、基板上に
光磁気記録層に加えて金属層が設けられているが、この
ような光磁気ディスクなどの情報記録媒体における金属
層としては、従来、ニッケル系合金、アルミニウム金属
あるいは０．１〜１０重量％のチタンを含むアルミニウ
ム合金からなる金属層が用いられてきた。ところがアル
ミニウム金属またはアルミニウムーチタン合金からなる
金属層は、耐腐食性に劣り、長期間の使用に耐えないと
いう問題点があった。

またニッケル合金からなる金属層は、記録書込み時にデ
ィスクの内周部と外周部とで必要な記録パワーが大きく
異なり、記録パワーの線速依存性が依然として大きいと
いう問題点があった。

本発明者らは、耐腐食性あるいは長期安定性に優れ、し
かも記録パワーの線速依存性が小さいような情報記録媒
体を開発するため、鋭意検討したところ、ハフニウムま
たはニオブを少なくとも含むアルミニウム合金からなる
金属層を有する情報記録媒体は、耐腐食性に優れ、しか
も記録パワーの線速依存性が小さいことを見出して、本
発明を完成するに至った。

発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し
ようとするものであって、耐腐食性に優れ、しかも記録
パワーの線速依存性が小さい情報記録媒体を提供するこ
とを目的としている。

発明の概要 本発明に係る情報記録媒体は、基板上に記録層と金属層
とを有する情報記録媒体において、該金属層が、ハフニ
ウム（Ｈｌ）およびニオブ（Ｎｂ）から選ばれた少なく
とも１種の元素を、アルミニウム合金を構成する全原子
数を基準として、０．１〜１０原子％の量で含むアルミ
ニウム合金からなることを特徴としている。

このような本発明に係る情報記録媒体は、ハフニウム（
Ｈｆ）およびニオブ（Ｎｂ）から選ばれた少なくともＩ
Ｎの元素（金属）を０．１〜１０原子％の量で含むアル
ミニウム合金からなる金属層を有しているため、耐腐食
性に優れ、しかも記録パワーの線速依存性が小さく、か
つ記録層の保護作用にも優れている。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る情報記録媒体について、具体的に説明
する。

第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の概略断
面図、第２図は本発明の他の実施例に係る情報記録媒体
の概略断面図である。

本発明に係る情報記録媒体では、レーザー光などの光に
よって、該記録媒体に書込まれた情報を読み出している
。このような情報記録媒体としては、具体的には、記録
されている情報の消去はできないが追加記録が可能な追
記型光ディスク、さらには記録されている情報の消去、
再生が可能であるとともに記録が可能な光磁気ディスク
、相変化デイ各りなどの書換型光ディスクが挙げられる
。

本発明に係る情報記録媒体１は、たとえば第１図に示す
ように、基板２上に記録層３および金属層４とがこの順
序で設けられている。

本発明では、上記のような基板２の材質は特に限定され
ないが、基板２＃Ｊ（矢印Ａ）からレーザ光が入射する
場合には、透明基板であることが好ましく、具体的には
、ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネー
トとポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４．６
１４．７７１１号明細書に開示しであるような環状オレ
フィンランダム共重合体、下記の環状オレフィンランダ
ム共重合体（Ａ）、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エ
ポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン
、ポリエーテルイミド等の有機材料を用いることができ
る。この中では、ポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、米国特許第４、６１４．７７８号明細書に記
載のような共重合体および下記の環状オレフィンランダ
ム共重合体（Ａ）が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料としては
、特に記録膜との密着性が良く、複屈折率が小さいとい
う観点から、エチレンと、下記−般式［Ｉ］または［Ｉ
゛］で表わされる環状オレフィンとの共重合体からなる
環状オレフィンランダム共重合体が挙げられる。

（以下余白） 一般式［＋］ 一般式［■′］ （式中、ｎは０またはｌであり、ｍはＯまたは正の整数
であって、 Ｒ１，Ｒ１６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン
原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子もし
くは基を表し、 ＲＩＳ〜Ｒ１６は、互いに結合して単環または多環を形
成していてもよく、かつ該１札環または多環が二重結合
を有していてもよく、 また、　ＲｌｓとＲ目とで、　またはＲ１マとＲｔｓと
でアルキリデン基を形成していてもよい）。

・・　［ｌ　］ （式［Ｉ゛］中、ｐはＯまたは１以上の整数であり、ｑ
およびｒは、０１１または２であり、Ｒ１−Ｒ１はそれ
ぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素瓜
　芳香族炭化水素庖　およびアルコキシ基よりなる群か
ら原子もしくは基を表し、Ｒ８（またはＲｅ）とＲｅ（
またはＲ〒）と］戯　炭素数１〜３のアルキレン基を介
して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接結
合していてもよい。　） ただし、上記式［＋］において、ｎは０または１であり
、好ましくはＯである。また、ｍは０または正の整数で
あり、好ましくはＯ〜３である。

まｔ：上記式［１′］において、ｐは０または１以上の
整数であり、好ましくはＯ〜３の整数である。

そして、Ｒ１，Ｒ１（弐［Ｉ］）、またはＲ１−Ｒ１５
（式［＋’ｌ）は、それぞれ独立＆ミ　水素原子、ハロ
ゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子
もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原Ｔとして（！、
たとえば、フッ素原子、塩素原子、臭Ｘ原子およびヨウ
素原子をあげることができる。

また、炭化水素基としては、それぞれ独立く　通常は炭
素原子数１〜６のアルキル豚　炭素原子数３〜６のシク
ロアルキル基をあげることができ、アルキル基の具体的
な例としては、メチル五　エチル五　イソプロピル五　
イソブチル五　アミル基をあげることができ、シクロア
ルキル基の具体的な例として１表　シクロへキシル五　
シクロプロピル五　シクロブチル幕　シクロペンチル基
を挙げることができる。

また上記式［Ｉ′］において、Ｒ５（またはＲ８）とＲ
９（またはＲマ）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。

さらｌミ　　上記式［１］において、ＲＩ　Ｓ　、　Ｒ
ｌ・は互いに結合して（共同して）単環または多環を形
成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を
有していてもよい。また、ＲｌｓとＲＩＭとで、または
Ｒ１マとＲ１１とでアルキリデン基を形成していてもよ
い。このようなアルキリデン基１九　通常は炭素原子数
２〜４のアルキリデン基をあげることができ、その具体
的な例としてｔｔ　　エチリデン未　プロピリデン五　
イソプロピリデン基およびインブチリデン基をあげるこ
とができる。

前記式［＋１または［ｌ゛］で表される環状オレフィン
は、シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類あ
るいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反応
により縮合させることにより容易に製造することができ
る。

前記式ＣＩ］ または［Ｉ ］ で表される環状オレ フィンとしては、 具体的には、 たとえば下記のよ うな化合物を挙げることができる。

（以下余白） ン ７−メチルビシクロ【２ などのようなビシクロ［２，２，１］ ヘプト−２− エン誘 導体； ン ５．１０−ジメチルテトラ Ｈｓ ２．１０−ジメチルテトラ ２、７．９−トリメチルテ ９−イソブチル−２，７− ９，１１，１２−）ジメチル ９−エチル−１１，１２−ジメ ９−インブチル−１１，１２ ８−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ ＋１］−３−ドデセン ８−へキシルテトラシ ５、８．９．１．０−テトラメチ ・１・］−］３−ドデセ ン−メチル−９−エチルテ ８−クロロテトラシフ ８−プロモチトラシフ ８−フルオロテトラシ ＋ｓ］−３−ドデセン ・Ｉ＠］−３−ドデセン ｓ、１フ・＋５ｌ−３−ドデセン ン ８−エチリデン−９−イソ ７・■・］−］３−ドデセ 一ドデセン −３−ドデセン 、１２−Ｓ、ｉｌｌ＠］−３−ドデセ ン ・１・〕−〕３−ドデセ ン、１丁・ＩＩ］−３−ドデセン 、１２・６，１丁・１・］−］３−ドデセ８−ｎ−プロ
ピリデン９ ン 一ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ８−イソプロピリデン ［４，４，０，１之・藝、１７・１・］−］３−ドデセ 一ドデセン クロ［４，４，０，１”・Ｓ １７・ ＋１］−３−ドデセン ・ｌ　８　］　、−］３−ドデセ ン−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１”・−１７・ｌ春］−３ＣＨ。

［４，４，０，１２・謬、１７・１ｍゴー３−ドデセン 一ドデセン などのテトラシクロ［４，４，０，１２・Ｓ、１７・Ｉ
Ｉ］−３−ドデセン誘導体； （以下余白） ８−イソプロピリデン ードデセン １２−メチルへキサシフ デセン タデセン なとのへキサシクロ［６，６，１，１’・６，１電・・
＋　ｓ　、　Ｑ２　、丁、０９ｓ　ａ　］　−４−へブ
タデセン誘導体；デセン トコセン ヘプタデセン ！・１マ］−５−トコセン １５−エチルオクタシフ １５、１６−シメチルベン などのオクタシクロｃａ、８．ｏ、ｔｔ、ｅ、ｔａ、ｔ
、ｉ１鵞、１・１ｔｊ　、　ｌ　＠　；　Ｑｌ　、　Ｉ
　、　Ｑｌ　！−マ］−５−トコセン誘導体；などのペ
ンタシクロ［６，６，１，１’・・（ｐ・テ、０争・ｔ
ａ］−４−ヘキサデセン誘導体； １．３−ジメチルペンタ ヘプタシクロ［３，７，０ コセン などのへブタシクロ−５−イコセン誘導体あるいはへフ
タシクロ−５−ヘンエイコセンｌｉ体；などのトリシク
ロ［４，４，０，１’・１］−３−ウンデセン誘導体； １．３−ジメチル−ペンタ などのトリシクロ［４，３，０，１”・ｓ］−３−デセ
ン誘導体；１．６−シメチルベンタ メチル置換ベンタシ １４、１５−ジメチルベン などのペンタシクロ ［４，７，０，ｉｌｌ、０１．Ｉｓ、ｉ管、＋２ｌ−３
−ペンタデセン誘導体； などのペンタシクロ［６，５，１，１２、・、０２・マ
、０・、ＩＳ］−４−コセン ペンタデセン誘導体； ｔ、＋５ｌ −４−エイコセン などのジエン化合物； などのへブタシクロ ［７，８，０，１”・・、０２・７．ＩＩ・・１１，０
目、Ｉ・１１１１８］ −４−エイコセン誘導体； そしてさらには、 ５−フェニル−ビシクロ［ 、ｆｆ１ｌ、　１ｌｌｆｆｉｌ、ＱＩＪ、目１ｔ！−１
・］−］５−ベンタコセ ン５−ベンタコセン などのノナシクロ［９，１０゜１．１４・テ、０３・曹
、０２・意・１Ｏ１ｆｆｉ２１、　ｌ１３．２１．ＱＩ
Ｊ、１１．１１６．１１］　−５−ヘ：／　９　コセ：
／銹導体等を挙げることができる。

（以下余白） を挙げることができる。

（以下余白） コ 上記のようなエチレンと、一般式［■］または［Ｉ゛］
で表される環状オレフィンとの共重合体として叫１３５
℃のデカリン中で測定した極限粘度［Ｖ］が０．０５〜
１０ｄｌｌ　／　Ｈの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）
が７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体
（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］という
）が好ましく用いられる。また所望により、環状オレフ
ィン系ランダム共重合体［Ａ］）：、　　エチレンと、
下記式［ｒ］または［■°］で表される環状オレフィン
との共重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定し
た極限粘度［ワ］が０６０５〜５Ｊ／ｇの範囲にあり、
軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン
系ランダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共
重合体［Ｂ］という）を配合して用いてもよい。

この上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重
合体である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］お
よび［Ｂ］ｌＬ　　エチレンおよび前記環状オレフィン
を必須成分とするものであるカー該必須の二成分の他に
本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共
重合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任
意に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具
体的には、たとえば生成するランダム共重合体中のエチ
レン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブ
テン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−
オクテン、１−デセン、　１−ドデセン、　１−テトラ
デセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エ
イコセンなどの炭素原子数が３〜２０のα−オレフィン
などを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
で凰　エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）　ｌ戴　
４０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲
で存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り
返し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜
５０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する
繰り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する
繰り返し単位（ｂ）　ＩＬ　　ランダムに実質上線状に
配列している。な絃　エチレン組成および環状オレフィ
ン組成はＩＣ−ＮＭＲによって測定し九　二の環状オレ
フィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状
架橋構造を有していないことは、該共重合体が１３５℃
のデカリン中に完全に溶解することによって確認できる
。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ワ］（戴　
Ｏ，ＯＳ〜１０ａ／ｇ、　　好ましくは０．０８〜５ａ
／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃以ム　好ましくは９０〜２５０℃、さ
らに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。なお軟
化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚さ１鰭の
シートの熱変形挙動により測定した　すなわちシート上
に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で昇温
していき、針が０．６３５．１侵入した温度をＴＭＡと
した　また、該環状オレフィン系ランダム共重合体のガ
ラス転移温度（Ｔｇ）ｌｊ　　通常５０〜２３０℃、好
ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
ｘ！ｓ回折法によって測定した結晶化度叫０〜１０％、
好ましくは０〜７９６．　　とくに好ましくは０〜５％
の範囲である。

本発明で１戯　また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が
７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａ）に、 エチレンと、上記式［ｒ］または［Ｉ°］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［７］が０．０５〜５　ａ　
／ｇノ範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満で
ある環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合し
てなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から基
板を形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体ＣＢ］で１戴エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）Ｌ　　６０〜９８モル％、
好ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、ま
た該環せオレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２
〜４０（１’ル％、女工１しくは５〜４０（ル％の範囲
で存在しており、エチレンに由来する繰り返し−ｌｉ位
（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰り返し単位
（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列している。なお
、エチレン組成および環状オレフィン紹成は１３Ｃ−Ｎ
ＭＲによって測定し九　この環状オレフィン系ランダム
共重自体［Ｂｌが実質上線状であり、ゲル状架橋構造を
有しでいないことは、該共重合体が１３５℃′のデカリ
ン中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂｌの
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ｖｌは、０
．０５〜５ｄｉ／ｇ、好ましくは０．０８〜３ａＱ／ｇ
の範囲にある。

また環状オレフ・１′ン系ラうダム共重岩体［Ｂｌのサ
ーマル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度
（ＴＭ、Ａ）＋１．７０℃未満、好ましくは一１０〜６
０℃、さらにｋｌ’　ｔ　Ｌ　＜は１０〜５５℃の範囲
にある。さら）ミ　該環状オレフィン系ランダム共重合
体［Ｂｌのガラス転び温度（Ｔｇ）は、通！　−３０〜
６０℃１．好ましくは一２０〜５０℃の範囲にあること
が望１１．い。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂｌの
Ｘ、　４９回折法によって測定した結晶化度は、０〜１
０％、好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％
の範囲である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂｌを用いる場合には、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ｂｌの重ｉ比ハ１ｏｏ１０．１−
１００／１０．　　好マＬ　＜　Ｉｆｌ、０Ｏ１０，３
−１００７’Ｉ、　とくに好ましくは１００１０．５〜
１．００１５の範囲であることが望ましい。　［Ｂ］酸
成分この範囲で［Ａ］酸成分配合することをごよって基
板自体の優れた透明性と表面平滑性を維持したままで本
発明で用いる反射膜との苛酷な条件下での密着性が［Ａ
］酸成分みの場合に比べさらに向上するという効果があ
り、　［Ａ］　と［Ｂｌとのブレンドよりなるこの上記
の環状オレフィンランダム共重合体組成物を基板に用い
れば本発明で用いる反射膜との優れた密着性は高温、？
：１Ｊｉ５条件下放置後においてさえも変化がないとい
う特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂｌは、特開昭６０１６８７０８
Ｊｉ３公帳　特開昭６１．−１２０８１６号公報　特開
昭６１−１１５９１２号公社　特開昭６１−１１５９１
６号公社　特開昭６２−２５２４０６号公ＩＬ　　特゛
開昭６２−２５２４０’７号公携特開昭６１−２７１３
０８号公ａ　　時開昭６１−２７２２１６号公報などに
おいて本出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択す
ることにより、製造することができ　る。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
で、前記式［Ｉ］または［Ｉ゛］で表される環状オレフ
ィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［ｎ］または
［口゛］で表される構造の繰り返し単位を形成している
と考λられる抵　一部の構成単位（ｂ）が開環重合によ
って結合している場合もあり、また必要に応じて水素添
加することも可能である。

・・・［ｌｌｌコ （式［ｎ］中、ｍ、−ｎおよびＲＩ、　Ｒ＋　ｅは前記
式［１Ｆにおける定義と同様である。） ・・・　［ｎ　１ （式［■゛］中、ｐｌ　Ｑｌ　ｒおよびＲ１４ＲＩ　％
は前記式［Ｉ゛］における定義と同様である。）本発明
に係る光磁気記録媒体の基板として（戴前述したとおり
、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム共重合
体のはかく　同種または異種の環状オレフィン単量体を
開環して得られる環状オレフィン開環重合化　開環共重
合体またはそれらの水素添加物を用いることもできる。

このような環状オレフィン開環重合法　開環共重合体お
よびこれらの水素添加物について、前記式［Ｉ］で表さ
れる環状オレフィンを例にして説明すると、以下に記載
するように反応して開環共重合体およびこれらの水素添
加物を構成していると考えられる。

↓開環 ↓水素添加 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合体　及
びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合化　開環
共重合体　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
（戯　上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カ
ルボン酸、これらの無水瓢　および不飽和カルボン酸の
アルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより
製造することができる。なお、この場合の環状オレフィ
ン系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単
位の含有率頃　通常は５０〜１０モル％以下である。こ
のような環状オレフィン系樹脂変性物代　所望の変性率
になるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合して
グラフト重合させて製造することもでき、るし　予め高
変性率の変性物を調製獣　次いでこの変性物と未変性の
環状オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造
することができろ。

本発明において、上記の開環重合化　開環共重合体　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物檄　単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができる。

さら１　本発明において１転　上記のような環状オレフ
ィン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる
重合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］また
は［ｒ　’、］で表される環状オレフィン以外の環状オ
レフィンを重合させることもできる。このような環状オ
レフィンとして檄　なとえば、 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−Ｉ
Ｈ−インデン ３ａ、５．６．７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−
ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このような
他の環状オレフィンは単独で、あるいは組み合わせて使
用することができ、通常、０〜５０モル％の量で用いら
れる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板に（戴上記［Ａ
］および［Ｂ］酸成分他へ　衝撃強度を向上させるため
のゴム成分を配合したり、耐熱安定舷　耐候安定舷　帯
電防止剤Ｌ　スリップ舷　アンチブロッキング邦ｋ　防
曇ｍｈ　　ｒｌｔｓｈ　　染料、顔料、天然鬼　合成法
　ワックスなどを配合することができ、その配合割合は
適宜量である。たとえば、任意成分として配合される安
定剤とし゛ＣＣ鉢体に１戯　テトラキス［メチレン−３
（３，５−ジー七−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネートコメタン、β−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸アルキルエ
ステル、２，２°−オキザミドビス［エチル−３（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）コブロ
ピオネートなどのフェノール系酸化防止Ｋ　　ステアリ
ン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、１２−ヒドロキシ
ステアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリ
ンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、グリ
セリンジステアレート、ペンタエリスリトールモノステ
アレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペン
タエリスリトールトリステアレート等の多価アルコール
の脂肪酸エステルなどを挙げることができる。これらは
単独で配合してもよいが、組み合わせて配合してもよく
、たとえは　テトラキス［メチレン−３（３゜５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート
コメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノステ
アレートとの組合せ等を例示することができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエ
ステル化された多価アルコール脂肪酸エステルであるこ
とが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとして（戴
　具体的に１戴　グリセリンモノステアレート、グリセ
リンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グ
リセリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート
、グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステ
ル、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエ
リスリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジ
ラウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペ
ンタエリスリトールトリステアレート等のペンタエリス
リトールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤１戯　前記［−Ａ　
］成分およびＣＥ［成分の合計重量１００重量部に対し
て０〜１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好まし
くは０〜２重量部の量で用いら汰　また多価アルコール
の脂肪酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計
重量１００ｉｉ量部に対して０〜１０重量８瓜　好まし
くは０〜５重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板に１戴　本発明の目
的を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、
酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン
、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性炭
酸マグネシウム、　ドロマイト、硫酸カルシウム、チタ
ン酸カリウム、Ｖｔｓバリウム、亜硫酸カルシウム、タ
ルク、クレーマイカ、アスベスト、ガラス繊織　ガラス
フレーク、　ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム、モンモ
リロナイト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウ
ム粉、硫化モリブデン、ボロン繊珠　炭化ケイ素繊龜　
ポリエチレン繊機　ポリプロピレン縁縁　ポリエステル
織地　ポリアミド繊維等の充填剤を配合してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、理由は定かではないが、ポ
リカーボネート、ポリ（メタ）アクリレートなどを基板
として用いた光磁気記録媒体と比較して、記録感度が便
れている。またこの環状オレフィン系ランダム共重合体
または該共重合体を含む組成物からなる基板と記録層積
層体とは密着性に優れており、したがって記録膜は長期
安定性に優れるとともに記録膜の酸化が効果的に防止さ
れる。したがってこの環状オレフィン系ランダム共重合
体からなる基板上に記録膜を積層してなる光記録媒体代
　記録感度に便法　また耐久性および長期安定性にも優
れている。また本発明に係る光記録媒体は反りがなく割
れが生ずることがない。

このような基板２の厚みは特に限定されないカー好まし
くは０．５〜５．特に好ましくは１〜２謔である。

また本発明では、記録層３の材質も特に限定されないが
、たとえば記録層３が膜面に対して垂直な方向に一軸異
方性を有する光磁気記録層である場合には、記録層３は
、（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、
（Ｉｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素と
からなるか、あるいは（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
少なくとも１種と、（ｉ）耐腐食性金属と、（…）希土
類から選ばれる少なくとも１種の元素からなることが好
ましい。

（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ。

■、Ｃｒ、Ｍｎｘ　Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用いられる
が、このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であるこ
とが好ましい。

（ｉ）耐腐食性金属は、記録層３に含ませることによっ
て、この光磁気記録層の耐酸化性を高めることができる
。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ
、Ｚｒ５Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ。

Ｈｆなどが用いられるが、このうちＰｔ、Ｐｄ。

ＴＩが好ましく、特にｐｔまたはＰｄあるいはこの両者
であることが好ましい。

（ｉ）希土類元素としては、たとえばＧｄ１Ｔｂ。

Ｄｙ％Ｈｏ５Ｅ　ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ。

Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍｓ　Ｅｕなどが用いられ
る。

コノうちＧ　ｄ　ＳＴ　ｂ　ｓ　Ｄ　ｙ　ＳＨｏ、Ｎ　
ｄ　％Ｓ　ｍ　ｓＰｒが好ましく用いられる。

このような光磁気記録層では、（ｉ）３ｄ遷移金属は、
３０〜８５原子％好ましくは４０〜７０原子％の量で、
（ｉ）耐腐食性金属は３０原子％まで好ましくは５〜２
５原子％までの量で、（ｉ）希土類元素は５〜５０原子
％好ましくは２５〜４５原子％の量で存在していること
が望ましい。

記録層３が光磁気記録層以外の、たとえば相変化型記録
層である場合には、記録層３は、たとえば、Ｔｅを主成
分とした合金薄膜、Ｓｅを主成分とした合金薄膜、Ｔｅ
−Ｇｅ−３ｂ合金薄膜、Ｉｎ−３ｂ−Ｔｅ合金薄膜、Ｔ
ｅ−Ｇｅ−Ｃｒ合金薄膜、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｚｎ合金薄膜等
で構成される。また追記型、相変化型の記録層としてポ
リメチン系化合物、シアニン系化合物などの有機色素膜
を用いることもできる。

本発明では、記録層４の膜厚は、特に限定されないが、
５０〜５０００人、好ましくは１００〜２０００人であ
る。

本発明では、このような情報記録媒体における金属層゛
４は、ハフニウムおよびニオブから選ばれた少なくとも
ＩＦｌｉの元素（金属）を、アルミニウム合金を構成す
る全原子数を基準として、０．１〜１０原子％の量で含
むアルミニウム合金から形成されている。

具体的には、金属層４は、アルミニウム合金を構成する
全原子数を基準として、０．１〜１０原子％好ましくは
１〜６原子％のハフニウム（Ｈｌ）を含むアルミニウム
合金、あるいは０．１〜１０原子％好ましくは１〜６原
子％のニオブ（Ｎｂ）を含むアルミニウム合金、あるい
はハフニウムとニオブとの両者を合計で０．１〜１０原
子％の量で含むアルミニウム合金から形成されている。

また上記のような金属層４は、アルミニウムと、ハフニ
ウムおよび／またはニオブとに加えて、生爪の他の金属
（元素）を１種以上含むこともできる。このような金属
としては、たとえば、クロム（ＣＩ、Ａｌ−Ｎｂ合金の
場合）、シリコン（Ｓｌ）、タンタル（ＴＩ）　、銅（
ＣＩ）　、タングステン（Ｄ、ジルコニウム（２＋）　
、マンガン（Ｍｕ）　、マグネシウム（Ｍｌ、　Ａ　ｌ
−Ｎｂ合金の場合）、バナジウム（Ｙ）などが挙げられ
、このような他の金属は、アルミニウム合金中に通常５
原子％以下好ましくは２原子％以下の量で含まれる。

上述したような金属層の膜厚は、通常、１００人〜５０
００人、好ましくは５００人〜３０００人、特（こ好ま
しくは７００人〜２０００人である。

本発明に係る金属層は熱良伝導体層きしての機能を果し
ており、この金属層が存在することによって記録層に記
録されたビットの中心部が記録レーザ光によって過度に
高温になることが防止され、その結果、記録パワーの線
速依存性が小さくなるき考えられる。

また本発明における金属層は、耐腐食性に優れているた
め、長期間使用した後においても、記録媒体の線速依存
性が小さいという特徴を有しており、記録層に対する保
護作用にも優れている。

本発明に係る情報記録媒体は、第１図に示ず構成に限定
されず、たとえば第２図に示すよ・）に、上記のような
基板２上に保護膜（エンハンス膜）５を積層し、その上
に記録層３と金属層４とを積層させてもよい。また第３
図に示すように、基板２上に第１保護膜５を積層し、そ
の上に記録層３を積層し、さらにその上に第２保護１１
１１５および金属膜４を順次積層させてもよい。このよ
うな保護膜（エンハンス膜）５としては、Ｓｉ３Ｎ４、
Ｓ　ｉＮｘ　（０＜ｘ＜４／３）　、ＡｌＮ５ＺｎＳｅ
。

Ｚｎ５ＳＳｉまたはＣｄＳから形成されることが好まし
いが、これらに限定されない。このような保護膜の膜厚
は、１００〜２０００人好ましくは３００〜１５００人
程度である。この中で耐クラツク性および記録パワーの
線速依存性の点から、特にＳｉ　　Ｎ　　、５ｉＮｘ（
０＜ｘ＜４／３）を４ 用いることが好ましい。

保護膜は、記録膜を保護する働きをするとともに、場合
によっては情報記録媒体の感度を高め、エンハンス膜と
しての働きをもしている。このような保護膜は、基板の
屈折率よりも大きな屈折率をＨしていることが好ましい
。

本発明に係る情報記録媒体は、基板上に記録層および金
属層そして必要に応じて保護層を、たとえば真空蒸着法
、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法などの成
膜法を採用して成膜することによって製造することがで
きる。

発明の効果 このように本発明に係る情報記録媒体は、ハフニウムお
よびニオブから選ばれた少なくとも１種の元素（金属）
を０．１〜１０原子％の量で含むアルミニウム合金から
なる金属層を有しているため、耐腐食性に優れ、しかも
記録パワーの線速依存性が小さく、かつ記録層の保護作
用にも優れている。

以下本発明を実施例により説明するが、本゛イ＾明はこ
れら実施列に限定されるものではない。

なお、本明細書において、最適記録パワーとはｆ＝ＩＭ
Ｈｚ、ｄ＋ｌ！　５０％の書込み信号に対して再生信号
の２次高調波が最小となる記録パワーのことを表わし、
線速による最適記録パワーの差が小さい程線速依存性が
小さい。

実施例１ 以下、まず金属層のｉｔ腐食性を下記のようにして検討
した。

ガラス基板上に、アルミニウムーハフニウムの複合ター
ゲットを用いてスパッタリング法によって厚さ７００人
のアルミニウムーハフニウム合金からなる金属層を被着
させた。得られた金属片を構成するアルミニウム合金（
層）中のハフニウムの含有量は４原子％であり、アルミ
ニウム合金中のアルミニウムの含有量は９６原子％であ
った。

この金属層を、６０℃の１０重量％塩化ナトリウム水溶
液に４時間浸漬し、金属層の耐腐食性を反射率の変化を
測定することによって評価した。

金属者の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸１Ｊ２ｆ
ｉｉｉと’＆　’ｉＪ１後で変化しなかった。

実施例２ ガラス基板上に、アルミニウムーニオブの複合ターゲッ
トを用いてスパッタリング法によって厚さ７００人のア
ルミニウムーニオブ合金からなる金属層を被着させた。

得られた金属層を構成するアルミニウム合金（層）中の
ニオブの含有量は４原子％であり、アルミニウム合金（
層）中のアルミニウムの含有量は９６原子％であった。

この金属層を、６０℃の１０重量％塩化ナトリウム水溶
液に４時間浸漬し、金属層の耐腐食性を反射率の変化を
測定することによって評価した。

金属層の反射率は、塩化ナトリウム水溶液の浸漬前と浸
漬後で変化しなかった。

比較例１ ガラス基板上に、アルミニウムターゲットを用いてスパ
ッタリング法によって厚さ７００人のアルミニウムから
なる金属層を被着させた。

この金属層を、６０℃の１０重量％塩化ナトリウム水溶
液に４時間浸漬し、金属層の耐腐食性を反射率の変化を
測定することによって評価した。

金属層の塩化ナトリウム水溶液に浸漬した後の反射率は
、浸漬前と比較して約３０％低下した。

実施例３ −ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量５９モル％、ＤＭ
（ＩＮ含、１１４１モル％、１３５℃デカリン中で測定
した極限粘度［η］が０．４２ｄｊ！／ｇ、軟化温度（
ＴＭＡ）１５４℃）からなる基板上に、厚さ１１００人
のＳｉ３Ｎ４からなる保護膜と、厚さ２６０人のＰ　ｊ
　１ｏＴ　ｂ　２９Ｆ　ｅ　ｓｓＣＯｔ、からなる記録
膜とを順次スパッタリング法により積層し、この記録膜
上にアルミニウムーハフニウムの複合ターゲットを用い
てスパッタリング法よって、厚さ７００人のアルミニウ
ムーハフニウム合金からなる金属層を積層した。得られ
た反射金属層を構成するアルミニウム合金（層）中のハ
フニウムの含有量は４原子％であった。

得られた情報記録媒体を、８０℃、相対湿度８５％の雰
囲気下に約７２０時間保持し、金属層の耐腐食性と金属
層の記録層に対する保護性能を該情報記録媒体の反射率
の変化を測定することによって評価した。

該情報記録媒体の反射率は、８０℃、相対湿度８５％の
雰囲気下に保持する前と保持した後で変化しなかった。

実施例４ 実施例３において、金属層の厚さを５００人とした以外
は、実施例３と同様にした。

得られた情報記録媒体を、８０℃、相対湿度８５％の雰
囲気下に約７２０時間保持した後、この情報記録媒体の
反射率を測定したところ、反射率は変化しなかった。

またこの情報記録媒体の線速５．７ｍ／ｓｅｃでの最適
記録パワーは３．７ｍＷであり、線速１１．３ｍ／ｓｅ
ｃでの最適記録パワーは５．２ｍＷであった。

比較例２ 実施例３で用いた基板と同じ基板上に、Ｓｉ３Ｎ４から
なる保護膜と、 Ｐ　ｔ　ＩＯＴ　ｂ　２９Ｆ　ｅ　ｓｓＣＯｔ、からな
る記録膜とを順次スパッタリング法により積層し、この
記録膜上にアルミニウムターゲットを用いてスパッタリ
ング法よって、厚さ７００人のアルミニウムからなる金
属層を積層した。

得られた情報記録媒体を、８０℃、相対湿度８５％の雰
囲気下に約７２０時間保持し、金属層の耐腐食性を該情
報記録媒体の反射率の変化を測定することによって評価
した。

該記録媒体を８０℃、８５％の雰囲気下に保持した後の
該情報記録媒体の反射率は、保持する前と比較して約１
５％低下した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る情報記録媒体の概略断
面図、第２図は本発明の他の実施例に係る情報記録媒体
の概略断面図である。 １・・・情報記録媒体　　　２・・・基板３・・・記録
層　　　　　　４・・・金属層５・・・保護膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板上に記録層と金属層とを有する情報記録媒体に
   おいて、該金属層が、ハフニウムおよびニオブから選ば
   れた少なくとも１種の元素を、アルミニウム合金を構成
   する全原子数を基準として、０．１〜１０原子％含むア
   ルミニウム合金からなることを特徴とする情報記録媒体
   。