JPH0348688B2 - - Google Patents
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- JPH0348688B2 JPH0348688B2 JP61043894A JP4389486A JPH0348688B2 JP H0348688 B2 JPH0348688 B2 JP H0348688B2 JP 61043894 A JP61043894 A JP 61043894A JP 4389486 A JP4389486 A JP 4389486A JP H0348688 B2 JPH0348688 B2 JP H0348688B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J7/00—Automatic frequency control; Automatic scanning over a band of frequencies
- H03J7/18—Automatic scanning over a band of frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/0048—Circuit elements of oscillators including measures to switch the frequency band, e.g. by harmonic selection
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/0056—Circuit elements of oscillators including a diode used for switching
-
- H—ELECTRICITY
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
この発明はテレビジヨン同調器に適する比較的
広周波数帯域幅の多帯域発振器に関する。 〔発明の背景〕 有線回路網の利用の増大と共にテレビジヨン同
調器が放送チヤンネルだけでなく有線チヤンネル
にも同調し得ることが望ましくなつた。この様な
有線共用の(すなわち有線用変換器なしで有線チ
ヤンネルにも同調し得るようになつている)同調
器は通常各周波数範囲に対応する部分に分割され
ている。例えば、有線共用同調器はUHF放送チ
ヤンネル用のUHF部と、VHF放送チヤンネルと
有線チヤンネル用のVHF部を備えているが、信
頼度と経済性のためこの同調器内の部品の数はで
きるだけ少いことが望ましい。このため同調器の
各部分に用いる局部発振器を1つだけにすること
が望ましい。 開示の装置は一般に例えば米国内で101〜509M
Hzの比較的広い周波数範囲に亘るVHF放送チヤ
ンネルと有線チヤンネルのすべてに用いられる局
部発振器に関する。このような局部発振器は極め
て有用であるが、その周波数範囲が比較的広いた
めに問題がある。即ち、1つの同調電圧応動バラ
クタダイオードしか持たない周波数決定用同調回
路を用いて比較的広い周波数範囲に適応させるに
は、そのバラクタダイオードを持つ同調回路に選
ばれたチヤンネルの周波数帯域に依つて挿入する
誘導子を選択するための帯域切換手段を設ける必
要があることが判つているが、このような帯域切
換手段は局部発振器の無用周波数の発振を生じる
寄生素子を導入することが知られている。 (発明の概要) この発明は、寄生素子による無用の周波数応答
を阻止する手段を備え複数の周波数帯を含む比較
的広い周波数範囲に亘つて同調可能であつて、た
とえば上記形式の局部発振器に使用し得るような
同調回路に関する。即ち、この同調回路はバラク
タダイオードのような可変キヤパシタンス素子
と、この素子と基準電位点の間に直列に接続され
た少くとも第1、第2および第3の誘導子と、そ
の第1および第2の誘導子の間の第1の点を第1
の帯域切換信号に応じて選択的に基準電位点に結
合して第1の周波数帯域に対応する第1の同調回
路構体を形成する第1の切換手段と、第2および
第3の誘導子の間の第2の点を第2の帯域切換信
号に応じて選択的に基準電位点に結合して第1の
周波数帯域より周波数の低い第2の周波数帯域に
対応する第2の同調回路構体を形成する第2の切
換手段とを含でいる。無用周波数応答禁止手段
は、第2および第3の誘導子の間の第2の点を第
1の帯域切換信号に応じて基準電位点に選択的に
結合する補助スイツチ手段を含み、これが第3の
誘導子とそれに関連するすべての寄生素子を第1
の同調回路から実質的に絶縁する働らきをする。
制御手段は第1の帯域切換信号に応じて第1およ
び第2の切換手段を付勢し、第2の帯域切換信号
に応じて第2の切換手段を付勢するが第1の切換
手段を付勢しない。 次にこの発明を図示実施例について説明する
が、図示の素子値は代表的なもので、特記外すべ
てオーム、ナノヘンリおよびコフアラツドで示
す。 〔推奨実施例の詳細な説明〕 図はVHF放送チヤンネルと有線チヤンネル同
調用のテレビジヨン同調器を示す。この同調器は
例えば米国内用として次表のRF画像搬送波周波
数および局部発振周波数が指定されたチヤンネル
に同調し得るものである。
広周波数帯域幅の多帯域発振器に関する。 〔発明の背景〕 有線回路網の利用の増大と共にテレビジヨン同
調器が放送チヤンネルだけでなく有線チヤンネル
にも同調し得ることが望ましくなつた。この様な
有線共用の(すなわち有線用変換器なしで有線チ
ヤンネルにも同調し得るようになつている)同調
器は通常各周波数範囲に対応する部分に分割され
ている。例えば、有線共用同調器はUHF放送チ
ヤンネル用のUHF部と、VHF放送チヤンネルと
有線チヤンネル用のVHF部を備えているが、信
頼度と経済性のためこの同調器内の部品の数はで
きるだけ少いことが望ましい。このため同調器の
各部分に用いる局部発振器を1つだけにすること
が望ましい。 開示の装置は一般に例えば米国内で101〜509M
Hzの比較的広い周波数範囲に亘るVHF放送チヤ
ンネルと有線チヤンネルのすべてに用いられる局
部発振器に関する。このような局部発振器は極め
て有用であるが、その周波数範囲が比較的広いた
めに問題がある。即ち、1つの同調電圧応動バラ
クタダイオードしか持たない周波数決定用同調回
路を用いて比較的広い周波数範囲に適応させるに
は、そのバラクタダイオードを持つ同調回路に選
ばれたチヤンネルの周波数帯域に依つて挿入する
誘導子を選択するための帯域切換手段を設ける必
要があることが判つているが、このような帯域切
換手段は局部発振器の無用周波数の発振を生じる
寄生素子を導入することが知られている。 (発明の概要) この発明は、寄生素子による無用の周波数応答
を阻止する手段を備え複数の周波数帯を含む比較
的広い周波数範囲に亘つて同調可能であつて、た
とえば上記形式の局部発振器に使用し得るような
同調回路に関する。即ち、この同調回路はバラク
タダイオードのような可変キヤパシタンス素子
と、この素子と基準電位点の間に直列に接続され
た少くとも第1、第2および第3の誘導子と、そ
の第1および第2の誘導子の間の第1の点を第1
の帯域切換信号に応じて選択的に基準電位点に結
合して第1の周波数帯域に対応する第1の同調回
路構体を形成する第1の切換手段と、第2および
第3の誘導子の間の第2の点を第2の帯域切換信
号に応じて選択的に基準電位点に結合して第1の
周波数帯域より周波数の低い第2の周波数帯域に
対応する第2の同調回路構体を形成する第2の切
換手段とを含でいる。無用周波数応答禁止手段
は、第2および第3の誘導子の間の第2の点を第
1の帯域切換信号に応じて基準電位点に選択的に
結合する補助スイツチ手段を含み、これが第3の
誘導子とそれに関連するすべての寄生素子を第1
の同調回路から実質的に絶縁する働らきをする。
制御手段は第1の帯域切換信号に応じて第1およ
び第2の切換手段を付勢し、第2の帯域切換信号
に応じて第2の切換手段を付勢するが第1の切換
手段を付勢しない。 次にこの発明を図示実施例について説明する
が、図示の素子値は代表的なもので、特記外すべ
てオーム、ナノヘンリおよびコフアラツドで示
す。 〔推奨実施例の詳細な説明〕 図はVHF放送チヤンネルと有線チヤンネル同
調用のテレビジヨン同調器を示す。この同調器は
例えば米国内用として次表のRF画像搬送波周波
数および局部発振周波数が指定されたチヤンネル
に同調し得るものである。
【表】
帯域B1は低VHF放送帯の各チヤンネル(即
ちチヤンネル2〜6)、帯域B2はミツドバンド
有線帯域の低周波数部分の各チヤンネル、帯域B
3はミツドバンド有線帯域の残部と高VHF放送
帯の各チヤンネル(即ちチヤンネル7〜13)お
よびスーパーバンド有線帯域の低周波数部分の各
チヤンネル、帯域B4はスーパーバンド有線帯域
の残部およびハイパーバンド有線帯域の各チヤン
ネルにそれぞれ対応することが判る。UHF放送
チヤンネル(14〜69)に対する第5の帯域は
示されていない。 例えば利用者が所要のチヤンネルに対応する2
桁数字を入力し得る計算機型キーボードを含むチ
ヤンネル選択器10が設けられ、そのチヤンネル
番号はデジタルコードとして例えば位相固定ルー
プを含む同調電圧発生器20に送られてそのチヤ
ンネルに対応する値を持つ同調電圧VTに変換さ
れる。チヤンネル番号はまたそのチヤンネルの帯
域を指定する帯域選択または切換信号を発生する
帯域選択器30にも送られる。図示実施例では、
帯域選択器30の発生する帯域切換信号B1,B
2,B4はそれぞれ活性状態が正の高電圧例えば
18V、不活性状態が接地電圧付近の電圧である。
帯域選択器30は他の全帯域切換信号とは無関係
の独特の帯域切換信号を各帯域に対して発生す
る。即ち、各帯域がそれぞれ1つの帯域切換信号
に対応するが、このために帯域選択器30は単に
所要チヤンネルの符号化したものが各帯域に対応
する値の範囲に入つたことを判定する論理比較器
を含めばよい。 同調電圧と帯域切換信号はRF段40に供給さ
れ、ここでVHFRF入力に受信した複数のRF信
号から選ばれたチヤンネルに対応するRF信号が
選ばれて混合器50に供給される。同調電圧と帯
域切換信号はまた局部発振器60にも供給され、
発振器60は選ばれたチヤンネルに対応する周波
数の局部発振信号を発生する。この局部発振信号
も混合器50に供給され、こゝで選ばれたRF信
号と組合されて和と差の周波数の信号となる。局
部発振器の信号周波数はその差の周波数が例えば
米国で45.75MHzの公称画像搬送周波数になるよ
うに制御される。 同調制御ユニツト20が位相固定ループを含む
ときは、このユニツト20にも局部発振信号が通
常プリスケーラと呼ぶ分周器70を介して供給さ
れる。この分周器70は局部発振信号の比較的高
い周波数を分周して位相固定ループの動作周波数
範囲に適合する周波数の信号を生ずる。 次に局部発振器60の構造を説明する。 局部発振器60は増幅器100と同調回路20
0を含み、増幅器100はコレクタを抵抗103
を介して供給電圧源+VSに、エミツタを抵抗1
05を介して信号接地点で図示される基準電位点
に、ベースを同調回路200に結合された共通コ
レクタ構成のnpnトランジスタ101を含んでい
る。そのベース、エミツタ間のコンデンサ107
と、エミツタ、コレクタ間のコンデンサ109
と、コレクタ、接地点間のコンデンサ111と、
コレクタ、ベース間のコンデンサ113から成る
帰還回路網は幅器100が周波数帯域B1,B
2,B3,B4を含む例えば101〜509MHzの全周
波数範囲で発振するようにする。 発振器100がこの101〜509MHzの比較的広い
周波数範囲で確実に高信頼性をもつて発振し得る
には、同調電圧に応じて帰還を変えることが望し
いことが知られているが、これはコンデンサ11
5、バラクタダイオード117およびコンデンサ
119を含む同調電圧応動キヤパシタンス回路網
をトランジスタ101のベース、エミツタ間に直
列に、かつコンデンサ107と並列に接続するこ
とにより達せられる。コンデンサ115,119
は比較的高い値を持ち、帰還変更回路網のキヤパ
シタンス範囲には本質的に影響せず、本来直流阻
止素子として働らく。抵抗121,123は同調
電圧VTの一部をバラクタダイオード117に印
加するためのものである。バラクタダイオード1
17の極性は、同調電圧の低下に応じて周波数が
低下するとベース、エミツタ間のキヤパシタンス
を増すように選ばれている。 同調回路200は一端をコンデンサ206を介
して接地され、他端をトランジスタ101のベー
スに接続された誘導子201,202,203,
204およびバラクタダイオード205のこの順
の直列回路を含んいる。このバラクタダイオード
205の陰極には分離用抵抗207を通して同調
電圧VTが供給される。バラクタダイオード20
5の陽極と接地点間の抵抗209はそのバラクタ
ダイオード205の帰路を与え、分路コンデンサ
211は同調電圧を濾波する。バラクタダイオー
ド205の両端間には小容量のコンデンサ213
が結合されて同調回路の可変キヤパシタンス範囲
の設定を助け、またバラクタダイオード205に
直列に比較的大容量のコンデンサ215,217
が接続されてその陰陽両極を誘導子204の右端
とトランジスタ101のベースに生ずる直流電圧
から絶縁している。コンデンサ215,217は
同調回路のキヤパシタンス範囲には顕著に影響し
ない。 帯域の切換は次の様にして行われる。 誘導子201の左側、誘導子201,202の
接続点誘導子202,203の接続点、誘導子2
03,204の接続点にそれぞれ帯域切換用ピン
ダイオード221,222,223および224
の陰極が接続され、それらの陽極にはそれぞれ帯
域切換信号B1,B2,B3,B4が抵抗コンデ
ンサ回路網231/232,233/234,2
35/236,237/238を介して印加され
る。コンデンサ232,234,236,238
は濾波コンデンサである。切換用ダイオード22
2,223,224の陽極はまたそれぞれコンデ
ンサ242,243,244を介して接地されて
いる。コンデンサ242,244は比較的大容量
の側路コンデンサであり、コンデンサ243は以
下の理由によりこれより小容量である。 ダイオード221と誘導子201の接続点と接
地点の間の抵抗251は帯域切換ダイオード22
1,222,223,224の帰路として働ら
き、帯域切換信号B1,B2,B3,B4の何れ
かが例えば+18Vの比較的高い活性電圧レベルに
なつて、ダイオード221,222,223,2
24の中のそれに対応するものが順バイアスされ
て導通すると、抵抗251に電流が流れてその両
端間に残りのダイオードを遮断する逆バイアス電
圧を生ずる。 誘導子204とトランジスタ101のベースの
間に挿入されてコンデンサ215、バラクタダイ
オード205およびコンデンサ217を側路する
ベースバイアス回路網は、直列抵抗261と分路
コンデンサ263を含んでいる。 帯域B1のあるチヤンネルが選ばれたとき、帯
域切換信号B1は活性状態に対応する比較的高い
正の活性電圧レベル例えば+18Vになり、抵抗2
31、切換ダイオード221、誘導子201,2
02,203,204およびバイアス回路網26
1/263を介してトランジスタ101のベース
に正のバイアス電圧が印加され、そのトランジス
タを導通させる。帯域B1中最低周波数のチヤン
ネルが選ばれたときは、切換ダイオード222,
223,224がすべて遮断されるため、帯域B
1用の同調回路が全誘導子201,202,20
3,204を含む最大同調インダクタンスを持つ
て形成される。帯域B2のあるチヤンネルが選ば
れると、切換ダイオード222が導通して誘導子
201,202の接続点を接地するため、誘導子
202,203,204を含む帯域B2用の同調
回路が形成される。また帯域B3のチヤンネルが
選ばれると、切換ダイオード223が導通して誘
導子203,204を含む帯域B3用の同調回路
を形成する。同様に、帯域B4中で最高周波数の
チヤンネルが選ばれると、切換ダイオード224
が導通して(後述の寄生素子を無視して)誘導子
204だけを含む最小同調インダクタンスの帯域
B4用の同調回路器を形成する。帯域B2,B
3,B4についてはそれぞれ抵抗233,23
5,237を介してベースバイアス電圧が供給さ
れる。 局部発振器60は周波数範囲が比較的広いた
め、同調回路200に関係する若干の寄生素子に
より無用の周波数で発振させられることがあるこ
とが判つているが、この様な状態をなくする手段
は説明しない。 上述のように、帯域B1が選ばれたとき切換ダ
イオード222,223,224が遮断される
が、図示の回路構成では帯域B1で誘導子20
1,202,203,204および遮断された切
換ダイオード222,223,224のそれぞれ
の両端間の寄生キヤパシタンスが、局部発振器が
(帯域B1の所要の第1周波数の他に)470MHz付
近の無用の帯域B4の第2共振周波数を生ずるこ
とが判つた。この問題を解決するには、キヤパシ
タンス帰還回路網を選択的に変えて増幅器100
の帯域B1における発振を調節し、その発振範囲
を無用の周波数以下に制限すればよいことが判つ
た。これはトランジスタ101のエミツタ・コレ
クタ間にコンデンサ131と切換ダイオード13
3をコンデンサ109と並列に挿入することによ
り達せられる。帯域切換信号B1は直列抵抗13
5と分路コンデンサ137を含む絶縁濾波回路網
により切換ダイオード133の陽極に印加され、
その信号B1の帰路はトランジスタ101のエミ
ツタと切換ダイオード133の陰極に接続された
抵抗105により与えられる。帯域B1のチヤン
ネルが選ばれたとき、切換ダイオード133が導
通し、コンデンサ131がコンデンサ109と並
列に接続されてトランジスタ101のエミツタ・
コレクタ間のキヤパシタンスを増す。エミツタ電
圧もまた上昇してトランジスタ101のバイアス
が変る。 切換えられるキヤパシタンス回路網131/1
33は無用の帯域外発振を阻止するが、局部発振
器60の基本動作モードを変えないため、実施が
比較的簡単である。その上、帯域B1と他の帯域
の間で上述のようにして帰還を切換えると、トラ
ンジスタ101のエミツタ・コレクタ間キヤパシ
タンス値を帯域B1の要求と帯域B4の要求との
間の妥協的な値に選んだときに実現できるよう
に、帯域B4における変換損が減少すると共に同
調器の綜合利得が増大することが判つた。以上に
より、そのキヤパシタンス回路網131/133
は帯域B1に対する同調範囲を拡大するため、他
の設計上の制約を緩和する点で有利であることも
判つた。 切換ダイオード221,222,223,22
4の寄生リードインダクタンスによつて不都合な
他の周波数が発生することがある。即ち、帯域B
4のチヤンネルが選ばれて切換ダイオード224
が導通し、帯域B4用の同調回路から誘導子20
4より左の同調回路200の部分が除かれると、
ダイオード224のリードインダクタンスが最高
周波帯域のB4帯域においてその同調回路200
の誘導子204より左の誘導子201,202,
203のような素子およびそれに関連する寄生素
子の寄生キヤパシタンスをその同調回路に充分結
合し得る大きさのインピーダンスを示すことが判
つた。換言すれば、導通した切換ダイオード22
4が同調回路200の誘導子204より左の部分
を有効に絶縁しないため、そこに信号電流が流入
するという不都合が生じ、これによつて局部発振
器60が発振し得る無用の共振周波数を生ずるの
である。 この問題はB4帯域切換制御線路とB3帯域切
換制御線路の間の切換ダイオード271を含む補
助帯域切換回路網により解決する。帯域B4のチ
ヤンネルが選ばれると、帯域切換信号B4が比較
的高い正の活性電圧レベルになつて帯域B4用の
切換ダイオード224の他に帯域B3用の切換ダ
イオード223も導通させる。このため同調回路
200の誘導子204より左の部分の(誘導子2
03の右の)帯域B4用同調回路への結合が低下
して無用の周波数共振の発生を効果的に阻止す
る。図示の回路構成では切換ダイオード222も
同様に同じ理由でB4帯域切換制御線路とB2帯
域切換制御線路の間の他の切換ダイオードにより
導通されることがあるが、これは必要ないことが
判つている。この結果、帯域B4における切換ダ
イオード224,223,222の3つ全部の導
通に必要な余分の電力が節約される利点がある。 ダイオード271の極性は、帯域切換信号B4
帯域B3切換ダイオード223を導通させ得る
が、帯域切換信号B3は帯域B4切換ダイオード
224を導通させ得ないように選定されている。
この補助帯域切換回路網もB3帯域切換制御線路
に直列に挿入され、帯域切換信号B3は帯域B3
切換ダイオードを導通させ得るが帯域切換信号B
4がB3帯域切換制御線路の電圧に影響しない様
にその電圧を隔離するような極性を持つ切換ダイ
オード273を含んでいる。ダイオード271,
273の隔離機能はRF段40に含まれる様な他
の同調回路の帯域切換を互いに独立に制御するこ
とが望ましいため、極めて好ましいものである。 ダイオード271,273がコンデンサ243
をB3,B4の制御線路から絶縁するため、コン
デンサ243が放電できるようにこれに大きな抵
抗275が分路接続されている。 通常、帯域切換ダイオード221,222,2
23,224に関連するコンデンサ242,24
3,244はすべて局部発振器60の周波数範囲
に亘つてそのインピーダンスが無視し得るように
大容量(例えば全部470pF)とされるが、その1
つ(またはそれ以上)を著しく小容量(例えば
82pF)としてその関係する帯域の周波数応答特
性に影響するようにすることもできる。図示の回
路構成では、コンデンサ243の値の82pFとし
て、RF段40と局部発振器60の同調回路が互
いに帯域B3全体で同調電圧に応じて正確に追跡
し合う様にすることが望ましいことが判つたが、
残念乍らこれは誘導子201,202およびそれ
に関連する寄生素子を含む同調回路200の誘導
子203より左の部分が、上記の補助帯域切換手
段に関係なく、帯域B3のチヤンネルが選ばれた
とき無用の周波数共振を誘起し得るという逆効果
を生ずることが判つた。しかし、これは抵抗23
5の値を比較的高い値(例えば1000Ω)から著し
く低い値(例えば330Ω)に変えることにより直
つた。この解法は、局部発振器60の周波数範囲
でインピーダンスが無視できるコンデンサ20
6,236の比較的高い値(例えば470pF)によ
り、抵抗235がコンデンサ243および直列誘
導子201,202と効果的に分路接続されるこ
とを考えると理解される。この結果同調回路20
0の誘導子203より左の部分のQが帯域B3の
チヤンネルが選ばれたとき無用の共振を起さない
ような点まで小さくなつた。 局部発振器60の出力信号はトランジスタ10
1のエミツタから取出され、分圧器310とコン
デンサ320を含む結合回路300を介して混合
器50に結合されると共に、並列同調回路410
とコンデンサ420を含む結合回路400を介し
てプリスケーラ70に結合される。 並列同調回路410は次の様にしてプリスケー
ラ70の所要入力周波数応答を調節する点で特に
重要である。アール・シー・エー社(RCA
Corp.)のCA−3163型集積回路のようなテレビジ
ヨン同調器に適するプリスケーラは一般に入力感
度がある中間の周波数で最大で、それより低いか
高い周波数で小さい上、例えばチヤンネル2のよ
うな最低周波数のチヤンネルにおけるように局部
発振信号が比較的低振幅で著しい第2高調波成分
を持つとき、プリスケーラがその第2高調波成分
に無用に応動して、その出力が供給される位相固
定ループの動作を狂わせることがある。並列同調
回路410はチヤンネル2に対する第2高調周波
数即ち約202MHzで最低でそれより低いか高い周
波数でそれより高い伝達特性(即ち出力電圧と入
力電圧の比)を与えることによりこの問題を解決
する。このため同調回路410の誘導子411と
コンデンサ413はチヤンネル2に対する局部発
振信号の第2高調波周波数即ち202MHzで共振す
るように選ばれている。コンデンサ413は誘導
子411の寄生分路キヤパシタンスであることが
望ましい。並列抵抗415は同調回路410の帯
域幅を局部発振器60の周波数範囲に適合させる
ためのものである。
ちチヤンネル2〜6)、帯域B2はミツドバンド
有線帯域の低周波数部分の各チヤンネル、帯域B
3はミツドバンド有線帯域の残部と高VHF放送
帯の各チヤンネル(即ちチヤンネル7〜13)お
よびスーパーバンド有線帯域の低周波数部分の各
チヤンネル、帯域B4はスーパーバンド有線帯域
の残部およびハイパーバンド有線帯域の各チヤン
ネルにそれぞれ対応することが判る。UHF放送
チヤンネル(14〜69)に対する第5の帯域は
示されていない。 例えば利用者が所要のチヤンネルに対応する2
桁数字を入力し得る計算機型キーボードを含むチ
ヤンネル選択器10が設けられ、そのチヤンネル
番号はデジタルコードとして例えば位相固定ルー
プを含む同調電圧発生器20に送られてそのチヤ
ンネルに対応する値を持つ同調電圧VTに変換さ
れる。チヤンネル番号はまたそのチヤンネルの帯
域を指定する帯域選択または切換信号を発生する
帯域選択器30にも送られる。図示実施例では、
帯域選択器30の発生する帯域切換信号B1,B
2,B4はそれぞれ活性状態が正の高電圧例えば
18V、不活性状態が接地電圧付近の電圧である。
帯域選択器30は他の全帯域切換信号とは無関係
の独特の帯域切換信号を各帯域に対して発生す
る。即ち、各帯域がそれぞれ1つの帯域切換信号
に対応するが、このために帯域選択器30は単に
所要チヤンネルの符号化したものが各帯域に対応
する値の範囲に入つたことを判定する論理比較器
を含めばよい。 同調電圧と帯域切換信号はRF段40に供給さ
れ、ここでVHFRF入力に受信した複数のRF信
号から選ばれたチヤンネルに対応するRF信号が
選ばれて混合器50に供給される。同調電圧と帯
域切換信号はまた局部発振器60にも供給され、
発振器60は選ばれたチヤンネルに対応する周波
数の局部発振信号を発生する。この局部発振信号
も混合器50に供給され、こゝで選ばれたRF信
号と組合されて和と差の周波数の信号となる。局
部発振器の信号周波数はその差の周波数が例えば
米国で45.75MHzの公称画像搬送周波数になるよ
うに制御される。 同調制御ユニツト20が位相固定ループを含む
ときは、このユニツト20にも局部発振信号が通
常プリスケーラと呼ぶ分周器70を介して供給さ
れる。この分周器70は局部発振信号の比較的高
い周波数を分周して位相固定ループの動作周波数
範囲に適合する周波数の信号を生ずる。 次に局部発振器60の構造を説明する。 局部発振器60は増幅器100と同調回路20
0を含み、増幅器100はコレクタを抵抗103
を介して供給電圧源+VSに、エミツタを抵抗1
05を介して信号接地点で図示される基準電位点
に、ベースを同調回路200に結合された共通コ
レクタ構成のnpnトランジスタ101を含んでい
る。そのベース、エミツタ間のコンデンサ107
と、エミツタ、コレクタ間のコンデンサ109
と、コレクタ、接地点間のコンデンサ111と、
コレクタ、ベース間のコンデンサ113から成る
帰還回路網は幅器100が周波数帯域B1,B
2,B3,B4を含む例えば101〜509MHzの全周
波数範囲で発振するようにする。 発振器100がこの101〜509MHzの比較的広い
周波数範囲で確実に高信頼性をもつて発振し得る
には、同調電圧に応じて帰還を変えることが望し
いことが知られているが、これはコンデンサ11
5、バラクタダイオード117およびコンデンサ
119を含む同調電圧応動キヤパシタンス回路網
をトランジスタ101のベース、エミツタ間に直
列に、かつコンデンサ107と並列に接続するこ
とにより達せられる。コンデンサ115,119
は比較的高い値を持ち、帰還変更回路網のキヤパ
シタンス範囲には本質的に影響せず、本来直流阻
止素子として働らく。抵抗121,123は同調
電圧VTの一部をバラクタダイオード117に印
加するためのものである。バラクタダイオード1
17の極性は、同調電圧の低下に応じて周波数が
低下するとベース、エミツタ間のキヤパシタンス
を増すように選ばれている。 同調回路200は一端をコンデンサ206を介
して接地され、他端をトランジスタ101のベー
スに接続された誘導子201,202,203,
204およびバラクタダイオード205のこの順
の直列回路を含んいる。このバラクタダイオード
205の陰極には分離用抵抗207を通して同調
電圧VTが供給される。バラクタダイオード20
5の陽極と接地点間の抵抗209はそのバラクタ
ダイオード205の帰路を与え、分路コンデンサ
211は同調電圧を濾波する。バラクタダイオー
ド205の両端間には小容量のコンデンサ213
が結合されて同調回路の可変キヤパシタンス範囲
の設定を助け、またバラクタダイオード205に
直列に比較的大容量のコンデンサ215,217
が接続されてその陰陽両極を誘導子204の右端
とトランジスタ101のベースに生ずる直流電圧
から絶縁している。コンデンサ215,217は
同調回路のキヤパシタンス範囲には顕著に影響し
ない。 帯域の切換は次の様にして行われる。 誘導子201の左側、誘導子201,202の
接続点誘導子202,203の接続点、誘導子2
03,204の接続点にそれぞれ帯域切換用ピン
ダイオード221,222,223および224
の陰極が接続され、それらの陽極にはそれぞれ帯
域切換信号B1,B2,B3,B4が抵抗コンデ
ンサ回路網231/232,233/234,2
35/236,237/238を介して印加され
る。コンデンサ232,234,236,238
は濾波コンデンサである。切換用ダイオード22
2,223,224の陽極はまたそれぞれコンデ
ンサ242,243,244を介して接地されて
いる。コンデンサ242,244は比較的大容量
の側路コンデンサであり、コンデンサ243は以
下の理由によりこれより小容量である。 ダイオード221と誘導子201の接続点と接
地点の間の抵抗251は帯域切換ダイオード22
1,222,223,224の帰路として働ら
き、帯域切換信号B1,B2,B3,B4の何れ
かが例えば+18Vの比較的高い活性電圧レベルに
なつて、ダイオード221,222,223,2
24の中のそれに対応するものが順バイアスされ
て導通すると、抵抗251に電流が流れてその両
端間に残りのダイオードを遮断する逆バイアス電
圧を生ずる。 誘導子204とトランジスタ101のベースの
間に挿入されてコンデンサ215、バラクタダイ
オード205およびコンデンサ217を側路する
ベースバイアス回路網は、直列抵抗261と分路
コンデンサ263を含んでいる。 帯域B1のあるチヤンネルが選ばれたとき、帯
域切換信号B1は活性状態に対応する比較的高い
正の活性電圧レベル例えば+18Vになり、抵抗2
31、切換ダイオード221、誘導子201,2
02,203,204およびバイアス回路網26
1/263を介してトランジスタ101のベース
に正のバイアス電圧が印加され、そのトランジス
タを導通させる。帯域B1中最低周波数のチヤン
ネルが選ばれたときは、切換ダイオード222,
223,224がすべて遮断されるため、帯域B
1用の同調回路が全誘導子201,202,20
3,204を含む最大同調インダクタンスを持つ
て形成される。帯域B2のあるチヤンネルが選ば
れると、切換ダイオード222が導通して誘導子
201,202の接続点を接地するため、誘導子
202,203,204を含む帯域B2用の同調
回路が形成される。また帯域B3のチヤンネルが
選ばれると、切換ダイオード223が導通して誘
導子203,204を含む帯域B3用の同調回路
を形成する。同様に、帯域B4中で最高周波数の
チヤンネルが選ばれると、切換ダイオード224
が導通して(後述の寄生素子を無視して)誘導子
204だけを含む最小同調インダクタンスの帯域
B4用の同調回路器を形成する。帯域B2,B
3,B4についてはそれぞれ抵抗233,23
5,237を介してベースバイアス電圧が供給さ
れる。 局部発振器60は周波数範囲が比較的広いた
め、同調回路200に関係する若干の寄生素子に
より無用の周波数で発振させられることがあるこ
とが判つているが、この様な状態をなくする手段
は説明しない。 上述のように、帯域B1が選ばれたとき切換ダ
イオード222,223,224が遮断される
が、図示の回路構成では帯域B1で誘導子20
1,202,203,204および遮断された切
換ダイオード222,223,224のそれぞれ
の両端間の寄生キヤパシタンスが、局部発振器が
(帯域B1の所要の第1周波数の他に)470MHz付
近の無用の帯域B4の第2共振周波数を生ずるこ
とが判つた。この問題を解決するには、キヤパシ
タンス帰還回路網を選択的に変えて増幅器100
の帯域B1における発振を調節し、その発振範囲
を無用の周波数以下に制限すればよいことが判つ
た。これはトランジスタ101のエミツタ・コレ
クタ間にコンデンサ131と切換ダイオード13
3をコンデンサ109と並列に挿入することによ
り達せられる。帯域切換信号B1は直列抵抗13
5と分路コンデンサ137を含む絶縁濾波回路網
により切換ダイオード133の陽極に印加され、
その信号B1の帰路はトランジスタ101のエミ
ツタと切換ダイオード133の陰極に接続された
抵抗105により与えられる。帯域B1のチヤン
ネルが選ばれたとき、切換ダイオード133が導
通し、コンデンサ131がコンデンサ109と並
列に接続されてトランジスタ101のエミツタ・
コレクタ間のキヤパシタンスを増す。エミツタ電
圧もまた上昇してトランジスタ101のバイアス
が変る。 切換えられるキヤパシタンス回路網131/1
33は無用の帯域外発振を阻止するが、局部発振
器60の基本動作モードを変えないため、実施が
比較的簡単である。その上、帯域B1と他の帯域
の間で上述のようにして帰還を切換えると、トラ
ンジスタ101のエミツタ・コレクタ間キヤパシ
タンス値を帯域B1の要求と帯域B4の要求との
間の妥協的な値に選んだときに実現できるよう
に、帯域B4における変換損が減少すると共に同
調器の綜合利得が増大することが判つた。以上に
より、そのキヤパシタンス回路網131/133
は帯域B1に対する同調範囲を拡大するため、他
の設計上の制約を緩和する点で有利であることも
判つた。 切換ダイオード221,222,223,22
4の寄生リードインダクタンスによつて不都合な
他の周波数が発生することがある。即ち、帯域B
4のチヤンネルが選ばれて切換ダイオード224
が導通し、帯域B4用の同調回路から誘導子20
4より左の同調回路200の部分が除かれると、
ダイオード224のリードインダクタンスが最高
周波帯域のB4帯域においてその同調回路200
の誘導子204より左の誘導子201,202,
203のような素子およびそれに関連する寄生素
子の寄生キヤパシタンスをその同調回路に充分結
合し得る大きさのインピーダンスを示すことが判
つた。換言すれば、導通した切換ダイオード22
4が同調回路200の誘導子204より左の部分
を有効に絶縁しないため、そこに信号電流が流入
するという不都合が生じ、これによつて局部発振
器60が発振し得る無用の共振周波数を生ずるの
である。 この問題はB4帯域切換制御線路とB3帯域切
換制御線路の間の切換ダイオード271を含む補
助帯域切換回路網により解決する。帯域B4のチ
ヤンネルが選ばれると、帯域切換信号B4が比較
的高い正の活性電圧レベルになつて帯域B4用の
切換ダイオード224の他に帯域B3用の切換ダ
イオード223も導通させる。このため同調回路
200の誘導子204より左の部分の(誘導子2
03の右の)帯域B4用同調回路への結合が低下
して無用の周波数共振の発生を効果的に阻止す
る。図示の回路構成では切換ダイオード222も
同様に同じ理由でB4帯域切換制御線路とB2帯
域切換制御線路の間の他の切換ダイオードにより
導通されることがあるが、これは必要ないことが
判つている。この結果、帯域B4における切換ダ
イオード224,223,222の3つ全部の導
通に必要な余分の電力が節約される利点がある。 ダイオード271の極性は、帯域切換信号B4
帯域B3切換ダイオード223を導通させ得る
が、帯域切換信号B3は帯域B4切換ダイオード
224を導通させ得ないように選定されている。
この補助帯域切換回路網もB3帯域切換制御線路
に直列に挿入され、帯域切換信号B3は帯域B3
切換ダイオードを導通させ得るが帯域切換信号B
4がB3帯域切換制御線路の電圧に影響しない様
にその電圧を隔離するような極性を持つ切換ダイ
オード273を含んでいる。ダイオード271,
273の隔離機能はRF段40に含まれる様な他
の同調回路の帯域切換を互いに独立に制御するこ
とが望ましいため、極めて好ましいものである。 ダイオード271,273がコンデンサ243
をB3,B4の制御線路から絶縁するため、コン
デンサ243が放電できるようにこれに大きな抵
抗275が分路接続されている。 通常、帯域切換ダイオード221,222,2
23,224に関連するコンデンサ242,24
3,244はすべて局部発振器60の周波数範囲
に亘つてそのインピーダンスが無視し得るように
大容量(例えば全部470pF)とされるが、その1
つ(またはそれ以上)を著しく小容量(例えば
82pF)としてその関係する帯域の周波数応答特
性に影響するようにすることもできる。図示の回
路構成では、コンデンサ243の値の82pFとし
て、RF段40と局部発振器60の同調回路が互
いに帯域B3全体で同調電圧に応じて正確に追跡
し合う様にすることが望ましいことが判つたが、
残念乍らこれは誘導子201,202およびそれ
に関連する寄生素子を含む同調回路200の誘導
子203より左の部分が、上記の補助帯域切換手
段に関係なく、帯域B3のチヤンネルが選ばれた
とき無用の周波数共振を誘起し得るという逆効果
を生ずることが判つた。しかし、これは抵抗23
5の値を比較的高い値(例えば1000Ω)から著し
く低い値(例えば330Ω)に変えることにより直
つた。この解法は、局部発振器60の周波数範囲
でインピーダンスが無視できるコンデンサ20
6,236の比較的高い値(例えば470pF)によ
り、抵抗235がコンデンサ243および直列誘
導子201,202と効果的に分路接続されるこ
とを考えると理解される。この結果同調回路20
0の誘導子203より左の部分のQが帯域B3の
チヤンネルが選ばれたとき無用の共振を起さない
ような点まで小さくなつた。 局部発振器60の出力信号はトランジスタ10
1のエミツタから取出され、分圧器310とコン
デンサ320を含む結合回路300を介して混合
器50に結合されると共に、並列同調回路410
とコンデンサ420を含む結合回路400を介し
てプリスケーラ70に結合される。 並列同調回路410は次の様にしてプリスケー
ラ70の所要入力周波数応答を調節する点で特に
重要である。アール・シー・エー社(RCA
Corp.)のCA−3163型集積回路のようなテレビジ
ヨン同調器に適するプリスケーラは一般に入力感
度がある中間の周波数で最大で、それより低いか
高い周波数で小さい上、例えばチヤンネル2のよ
うな最低周波数のチヤンネルにおけるように局部
発振信号が比較的低振幅で著しい第2高調波成分
を持つとき、プリスケーラがその第2高調波成分
に無用に応動して、その出力が供給される位相固
定ループの動作を狂わせることがある。並列同調
回路410はチヤンネル2に対する第2高調周波
数即ち約202MHzで最低でそれより低いか高い周
波数でそれより高い伝達特性(即ち出力電圧と入
力電圧の比)を与えることによりこの問題を解決
する。このため同調回路410の誘導子411と
コンデンサ413はチヤンネル2に対する局部発
振信号の第2高調波周波数即ち202MHzで共振す
るように選ばれている。コンデンサ413は誘導
子411の寄生分路キヤパシタンスであることが
望ましい。並列抵抗415は同調回路410の帯
域幅を局部発振器60の周波数範囲に適合させる
ためのものである。
図はVHF放送チヤンネルおよび有線チヤンネ
ルに同調するテレビジヨン同調器の構成を示す回
路図である。 202……第3の誘導子、203……第2の誘
導子、204……第1の誘導子、223……第2
の切換手段、224……第1の切換手段、30,
271……制御手段、B3……第2の帯域切換信
号、B4……第1の帯域切換信号。
ルに同調するテレビジヨン同調器の構成を示す回
路図である。 202……第3の誘導子、203……第2の誘
導子、204……第1の誘導子、223……第2
の切換手段、224……第1の切換手段、30,
271……制御手段、B3……第2の帯域切換信
号、B4……第1の帯域切換信号。
Claims (1)
- 1 可変キヤパシタンス素子と、この可変キヤパ
シタンス素子と基準電位点の間に順次直列に結合
された第1、第2および第3の誘導子と、上記第
1および第2の誘導子の間の第1の点を第1の帯
域切換信号に応じて選択的に上記基準電位点に結
合し、これによつて上記第1の誘導子と上記可変
キヤパシタンス素子を第1の周波数帯域に対応す
る第1の同調回路を形成するように結合する第1
の切換手段と、上記第2および第3の誘導子の間
の第2の点を第2の帯域切換信号に応じて選択的
に上記基準電位点に結合し、これによつて上記第
1および第2の誘導子法と上記可変キヤパシタン
ス素子を上記第1の周波数帯域より周波数の低い
第2の周波数帯域に対応する第2の同調回路を形
成するように結合する第2の切換手段と、上記第
1の帯域切換信号に応じて上記第1および第2の
切換手段を付勢し、上記第2の帯域切換信号に応
じて上記第1の切換手段を除き上記第2の切換手
段を付勢する制御手段とを具備して成る同調器。
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