JPH0348443A - 半導体ウェーハ切断方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産１コ」ｌｔ且公盟． 本発明は半導体ウェーハをダイシング・ブレードにて切
断する方法に関し、特に両面バンプ電極半導体ウェーハ
のスルーカットに好適するものである。

従速ヱＵ幻紅 ダイシング・ブレードによる半導体ウエーハ切断方法は
、レーザー光によるものに比べ、切断時におけるウェー
ハへの損傷が少ない等の特長があるため広く使われてい
る。

この切断方法を第４図ないし第８図を用いて説明する。

各図において１及びｌａ，ｌｂはバンプ電極，２は半導
体ウェーハ，３は粘着テープ，５はダイシング・ブレー
ド．６はＸ−Ｙテーブル，７は吸引穴を示す。

第４図は片側バンプ電極半導体ウェーハ２のハーフ●カ
ッティング中の様子を示す断面図で、粘着テープ３上に
接着した半導体ウェーハ２をＸ一Ｙテーブルθ上に載せ
、吸引穴７を通じて吸着した上で、高速回転させたダイ
シング・ブレード５により、半導体ウェーハ２の中程の
深さでカッティングするもので、次工程にてプレーキン
グすることにより、半導体ベレット単体に分割する。

第５図は、片面バンプ電極半導体ウェーハ２のスルーカ
ッティング中の様子を示す断面図で、Ｘ−Ｙテーブルｅ
上に吸着させた半導体ウエーハ２を、ダイシング・ブレ
ード５により、粘着テーブ３にまで達する深さでカッテ
ィングするもので、次工程のブレーキングが不要になる
利点がある。

又、第６図は、両面バンプ電極半導体ウェーハ２のスル
ーカッティング中の様子を示す断面図で、上面にグリー
スｌ２を塗布したガラス板４上に半導体ウェーハ２を載
置，圧着し、それらを吸着穴７により、ｘ−ｙテーブル
６上に吸着させ、ダイシング・ブレード５によりグリー
スｌ２に達する深さまでスルーカッティングするもので
ある。

第６図に示した方法において、半導体ウェーハ２の切断
点下部は、粘稠物であるグリース１２で保持されている
だけであるため、高速回転するダイシング・ブレード５
によって生じる応力によって、半導体ウェーハ２の切断
面にクラック痕８が生じ、半導体ペレットの電気的特性
の劣化が発生して、歩留りの低下の要因となる。

本発明は、両面バンプ電極ウェーハのスルーカット時に
生じる半導体ウェーハの不良を低減させ、歩留り改善を
図るものである。

の 本発明は、上記問題に鑑み提案されたもので、両面バン
プ電極半導体ウェーハをダイシング・ブレードにて切断
するに際して、半導体ウェーハの少なくとも下面側を固
形物により、保持あるいは補強した状態で切断する方法
を提供するものである。

詐』一 上記の構成によれば、半導体ウェーハを保持，補強する
ことにより、切断時に生じる応力を低減させるか、もし
くは、分散させ、半導体ウェーハに応力が作用すること
を防ぐ。

尖胤檄 以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。

尚、以下の記述において、従来技術を示す第６図と同一
の構成部材は同一の参照符号で表示し、重複する事項に
関しては説明を省略する。

第１図は、半導体ウェーハの切断中の様子を示す断面図
で、この方法は、半導体ウェーハ２及びバンプ電極１ａ
，ｌｂで構成される凹凸部を熱あるいはｌ光線及びその
他化学反応で硬化，固形化し、又、硬化，固形化したも
のは、洗浄，熱，光線等で、容易に取り除くことができ
る保持物質９ａ　，９ｂで埋め、両面パンブ電極半導体
ウェーハ２の表，裏面を均一にした状態で、Ｘ−Ｙテー
ブル６に吸着させ切断するものである。この保持物質９
ａ，９ｂとして、例えば氷のよろな固形物が使用される
。

又、第２図の断面図に示す方法は、同様に、バンブ電極
１ａ，ｌｂよりやや大きい凹面を持つ保持治具１ｅａ，
１０ｂにより半導体ウェーハ２を保持した状態で切断す
るものである。これらの方法によると、半導体ウェーハ
の表面が均一，かつ一体化することにより、切断時に発
生する応力は、きわめて小さくなり、半導体ウェーハ２
に応力が作用することはない。

第３図の断面図に示す方法は、半導体ウェーハ２の切断
部分に半導体ウェーハ２より強度的にすぐれた補強体１
１ａ，ｌｌｂをバンブ電極１ａ．１ｂより薄く固着させ
た状態で、切断するもので、この場合切断時生じる応力
を、切断点に集中させることなく、半導体ウェーハ２全
体に分散させるため、機械的損傷を低減できる。又、補
強体１１ａ，Ｉｌｂは、パッケージとして封止する方法
において、充分に化学的に安定したもので、かつ、絶縁
物を使用した場合、取り除くことなく封止することがで
きる。

発１巳０九監 この発明は、以上のように、両面バ／ブ電極半導体ウェ
ーハを保持，補強した状態で切断することにより、発生
する応力の悪影響による半導体ペレットの特性劣化の発
生を防ぎ得るので、スルーカット工程における歩留りが
向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３はそれぞれ本発明方法による異なった
実施例の半導体ウェーハの切断時の様子を示す断面図。 第４図ないし第６図はそれぞれ従来の異なった方法によ
る半導体ウェーハの切断時の様子を示す断面図である。 ｌａ，ｌｂ・・・バンプ電極、 ２・・・半導体ウェーハ、 ５・・・ダイシング・ブレード、 ９ａ，９ｂ・・・保持物質（固形物）、１０ａ，１０ｂ
　・・・保持治具、 １１ａ，ｌｌｂ・・・補強体。 手続補正書（方式） Ｌ　事件の表示 平成　元年 特 許 願 第１６１２７８号 ２． 発明の名称 半導体ウェーハの切断方法 ３． 補正をする者 事件の関係　　特許出願人 〒５２０滋賀県大津市晴嵐２丁目９番１号関西日本電気
株式会社 ５． 補正の対象 出願時提出の明細書の「図面の簡単な説明」の欄６． 補正の内容 第６頁第１６行の「第１図ないし第３」を、「第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 両面バンプ電極半導体ウェーハをダイシング・ブレード
   にて切断するに際して、半導体ウェーハの少なくとも下
   面側を、固形物により保持あるいは補強した状態で行う
   ことを特徴とする半導体ウェーハ切断方法。