JPH0344618A - Optical modulator - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光変調器、特に、光通信や情報処理、および
、計測の分野などに利用される光変調器に関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an optical modulator, and particularly to an optical modulator used in the fields of optical communication, information processing, and measurement.
（従来の技術）
現在、広く用いられている光変調器は、超音波とその相
互作用を利用したものである。これは、物質中を超音波
が伝播すると、光弾性効果によって、該物質の屈折率が
超音波の周波数に対応して周期的に変化し、これが回折
格子となって光を回折させる、いわゆる、音響光学効果
を利用するものである。(Prior Art) Optical modulators that are currently widely used utilize ultrasonic waves and their interaction. This is because when ultrasound propagates through a material, the refractive index of the material changes periodically in response to the frequency of the ultrasound due to the photoelastic effect, and this becomes a diffraction grating that diffracts light. It utilizes the acousto-optic effect.
第７図は超音波光回折を説明する図であり、（Ａ）図は
、ラマン・ナス回折、（Ｂ）図は、ブラッグ回折である
。図中、７１は超音波媒体、７２はトランスデユーサ−
１７３は超音波信号源、７４は超音波吸収体である。超
音波信号源７３よりの超音波信号は、トランスデユーサ
−７２により超音波振動に変換され、超音波媒体７１中
に粗密波７６を作る。この粗密波は、入射光に対して回
折格子となる。ラマン・ナス回折の場合は、入射光は、
粗密波が作る回折格子の面に平行に入射し、０次光を中
心として上下に＋１．＋２．＋３゜・・、−１，−２，
−３，・・・の各法の回折された出射光が得られる。ブ
ラッグ回折では、入射光は、粗密波が作る回折格子の面
に角度をもって入射しされ、０次光に対称に１次光が得
られる。FIG. 7 is a diagram illustrating ultrasonic light diffraction, where (A) shows Raman-Nath diffraction, and (B) shows Bragg diffraction. In the figure, 71 is an ultrasonic medium and 72 is a transducer.
173 is an ultrasonic signal source, and 74 is an ultrasonic absorber. The ultrasonic signal from the ultrasonic signal source 73 is converted into ultrasonic vibrations by the transducer 72, creating compression waves 76 in the ultrasonic medium 71. This compression wave acts as a diffraction grating for the incident light. In the case of Raman Nass diffraction, the incident light is
The compression waves are incident parallel to the surface of the diffraction grating, and the 0th-order light is incident on the surface of the diffraction grating in a direction of +1. +2. +3゜..., -1, -2,
-3, . . . diffracted output light is obtained. In Bragg diffraction, incident light is incident on the surface of a diffraction grating created by compression waves at an angle, and first-order light is obtained symmetrically to zero-order light.
超音波媒体については、その透過率が高いこと、小さい
超音波出力により高い回折効率が得られること、超音波
の減衰が小さいことなどが、材料選定の条件となる。ま
た、トランスデユーサ−としては、ＬｉＮｂＯ３がよく
用いられている。Regarding the ultrasonic medium, the conditions for material selection are that its transmittance is high, that high diffraction efficiency can be obtained with a small ultrasonic output, and that the attenuation of ultrasonic waves is small. Furthermore, LiNbO3 is often used as a transducer.
第８図は、第７図（Ｂ）のブラッグ回折を利用した超音
波光変調器を用いてアナログ変調を行なう光変調装置の
ブロック図である。図中、８１はレーザー発信器、８２
は超音波光変調器、８３はアパーチャー、８４はハーフ
ミラ−１８５はＰＩＮダイオードやフォトマルチプライ
ヤ−などの光検出器、８６は誤差増幅器、８７はキャリ
ヤー発振器、８８は平衡変調器、８９は高周波増幅器、
９０は出力変調光である。超音波光変調器８２に変調信
号が加えられない場合は、レーザー発振器からの入射光
は回折されず、アパーチャー８３にブロックされて、出
力変調光９０は得られない。FIG. 8 is a block diagram of an optical modulation device that performs analog modulation using the ultrasonic optical modulator using Bragg diffraction shown in FIG. 7(B). In the figure, 81 is a laser transmitter, 82
83 is an ultrasonic optical modulator, 83 is an aperture, 84 is a half mirror, 185 is a photodetector such as a PIN diode or photomultiplier, 86 is an error amplifier, 87 is a carrier oscillator, 88 is a balanced modulator, and 89 is a high frequency amplifier. ,
90 is output modulated light. When no modulation signal is applied to the ultrasonic light modulator 82, the incident light from the laser oscillator is not diffracted and is blocked by the aperture 83, so that no output modulated light 90 is obtained.
変調信号が加えられると、レーザー発振器からの入射光
は回折されて、アパーチャー８３から変調周波数に対応
した周波数の出力変調光９０が出射される。When a modulation signal is applied, the incident light from the laser oscillator is diffracted, and output modulated light 90 having a frequency corresponding to the modulation frequency is emitted from the aperture 83.
このような光変調器では、外形寸法は、数十ｍｍと大き
く、駆動電力も数百ｍＷ以上を必要とし大きい。変調帯
域はせいぜい百数十ＭＨｚ程度で大きくない。さらに光
集積化に適さない等、多くの問題点がある。Such an optical modulator has a large external dimension of several tens of millimeters, and requires a large driving power of several hundred mW or more. The modulation band is not large, at most about 100-odd MHz. Furthermore, there are many problems such as not being suitable for optical integration.
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたも
ので、小電力で高速変調が可能な光集積化に適した光変
調器を得ることを目的とするものである。(Problems to be Solved by the Invention) The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to obtain an optical modulator suitable for optical integration that can perform high-speed modulation with low power. It is something to do.
（課題を解決するための手段）
本発明は、光変調器において、多重量子井戸層に信号電
流を注入し、該多重量子井戸層の光の吸収係数の変化に
基づき入力光を変調することを特徴とするものである。(Means for Solving the Problems) The present invention provides an optical modulator in which a signal current is injected into a multiple quantum well layer and input light is modulated based on a change in the light absorption coefficient of the multiple quantum well layer. This is a characteristic feature.
（作 用）
本発明は、多重量子井戸層に信号電流を注入すると、該
多重量子井戸層の光の吸収係数が変化することに基づき
、該多重量子井戸層に人力光を入射させて変調するもの
である・。(Function) The present invention is based on the fact that when a signal current is injected into the multiple quantum well layer, the light absorption coefficient of the multiple quantum well layer changes. It's something.
（実施例）
電子やホールを２００Ａ以下のきわめて薄い層の中に閉
じこめたポテンシャル構造を量子井戸といい、半導体レ
ーザーの活性層への利用が知られている。閉じこめられ
た電子とホールとの間にはクーロン力による結合力が働
く。この電子とホールとの対をエクシトン（励起子）と
呼んでいる。(Example) A potential structure in which electrons and holes are confined in an extremely thin layer of 200 A or less is called a quantum well, and its use in the active layer of a semiconductor laser is known. Coulomb force acts between the trapped electrons and holes. This pair of electron and hole is called an exciton.
量子井戸層としてＧａＩｎＡｓを、バリア層としてＩｎ
Ｐを用いた場合の多重量子井戸（ＭＱＷ）の性質の考察
から説明することにする。GaInAs is used as the quantum well layer and In as the barrier layer.
This will be explained by considering the properties of a multiple quantum well (MQW) when P is used.
第３図は、上記多重量子井戸の量子井戸層内におけるヘ
ビーホール・エクシトンおよびライトホール・エクシト
ンとフォトンとの相互作用による準位間遷移（ここでは
吸収）の様子を示したものである。図中、
Ａ：ＧａＩｎＡｓの量子井戸層
Ｂ：ＩｎＰ のバリア層
ＥＣ：伝導帯の底のエネルギー
Ｅｖ：価電子帯の底のエネルギー
Ｅｇｂ：ＩｎＰのバンド・ギャップ
Ｅｇａ： ＧａＩｎＡｓのバンド・ギャップＥｎ、：電
子の第ｉｔ子準位
Ｅｈｈエ ：へビーホールの第１量子準位Ｅｌｈ、
ニライトホールの第１量子準位Ｌｚ：量子井戸層の厚さ
Ｌｂ：バリア層の厚さ
である。FIG. 3 shows the state of interlevel transition (absorption here) due to the interaction of heavy hole excitons and light hole excitons with photons in the quantum well layer of the multiple quantum well. In the figure, A: GaInAs quantum well layer B: InP barrier layer EC: Bottom energy of conduction band Ev: Bottom energy of valence band Egb: Band gap of InP Ega: Band gap of GaInAs En,: Electron it-son level Ehh: heavy hole's first quantum level Elh,
First quantum level of nirite hole Lz: thickness of quantum well layer Lb: thickness of barrier layer.
第４図は、上記量子井戸の吸収スペクトルを示すもので
ある。この場合、試料は、
Ｇａｏ、、７Ｉｎ、、、３Ａｓ の層を厚さ１５４人
ＩｎＰ の層を厚さ１６０Ａの層を１
対とし、３０対の多重層とした。測定における光源は、
Ｃｏ ： ＭｇＦ２レーザーを用いた。FIG. 4 shows the absorption spectrum of the quantum well. In this case, the sample consists of a layer of Gao, 7In, , 3As, 154 layers of InP, 1 layer of 160A, and 1 layer of InP.
and a multilayer of 30 pairs. The light source for measurement is
Co: A MgF2 laser was used.
図において、工は、レーザーのエネルギーが、２Ｗ／ｃ
ｍ−”であり、低励起状態における吸収スペクトルを表
わすものである。この状態では、ＨとＬで示す位置に吸
収スペクトルのピークが表われているのが分かる。Ｈは
、第３図における第１準位（ｎ＝１）ヘビーホール・エ
クシトンの遷移に起因するピークであり、Ｌは、第１準
位（ｎ＝１）ライトホール・エクシトンの遷移に起因す
るピークである。In the figure, the laser energy is 2W/c
m-", which represents the absorption spectrum in a low excited state. In this state, it can be seen that the peaks of the absorption spectrum appear at the positions indicated by H and L. This is a peak resulting from a transition of a first level (n=1) heavy hole exciton, and L is a peak resulting from a transition of a first level (n=1) light hole exciton.
２．３．４は励起用光源としてのレーザーの強度を大き
くしていった場合の吸収スペクトルを示すものであり、
それぞれのレーザー強度は、２が、２０ Ｗ ／ Ｃｍ
−”、３は、５０Ｗ／ｃｍ−２，４は、２０００Ｗ／
ｃｍ−”の場合である。励起が大きくなるにつれて、吸
収スペクトルのピークが潰れてゆき、特に、ヘビーホー
ル・エクシトン吸収スペクトルビーりが顕著に潰れてい
る。2.3.4 shows the absorption spectrum when the intensity of the laser as the excitation light source is increased,
The laser intensity of each is 2, 20 W/Cm
-”, 3 is 50W/cm-2, 4 is 2000W/cm
cm-''. As the excitation increases, the peaks of the absorption spectrum collapse, and in particular, the peak of the heavy hole exciton absorption spectrum collapses significantly.
この潰れは、いわゆる吸収飽和が起こっていることを示
すものであるが、その原因は、高密度の電子・ホール対
によるエクシトンのクーロン力と励起エネルギーとの相
互作用の遮蔽効果や、エクシトンの状態密度飽和等によ
るものと考えられる。This collapse indicates that so-called absorption saturation has occurred, but the cause is the shielding effect of the interaction between the Coulomb force of the exciton and the excitation energy due to the high density of electron/hole pairs, and the state of the exciton. This is thought to be due to density saturation, etc.
第５図（Ａ）は、上記した多重量子井戸層における入射
レーザー光の強度に対する第１準位ヘビーホール・エク
シトン吸収係数を示したものであり、同図（Ｂ）は、比
較のためのもので、バルクのＧａｏ、４７Ｉｎ、、、３
Ａｓ／ＩｎＰのエピタキシャル層に対する同様の結果を
示すものである。Figure 5 (A) shows the first level heavy hole exciton absorption coefficient with respect to the intensity of the incident laser light in the multi-quantum well layer described above, and Figure 5 (B) is for comparison. So, the bulk Gao, 47In,...3
Similar results are shown for an As/InP epitaxial layer.
これらから、Ｇａｏ、４．Ｉｎｏ、５３Ａｓ／ＩｎＰの
多重井戸層は、２０Ｗ／ｃｍ″″２程度の低励起強度で
吸収飽和が生じていることが分かる。From these, Gao, 4. It can be seen that absorption saturation occurs in the Ino, 53As/InP multi-well layer at a low excitation intensity of about 20 W/cm''2.
ここで、光のエネルギーに対する媒質の吸収係数との間
の非線形性について、さらに考察することにする。Here, we will further consider the nonlinearity between the absorption coefficient of the medium and the energy of light.
一般に、非線形媒質の非線形性は、非線形吸収係数α２
および非線形屈折率ｎ２で表わすことができる。すなわ
ち、非線形媒質の吸収係数α（Ｉ）および屈折率ｎ（Ｉ
）は、
α（１）＝α。＋α２工
ｎ （Ｉ）：ｎ０＋ｎ２１
（ただし、α。＋ｎＯは、線形吸収係数、線形屈折率で
ある。）
の式で表わされるように、α、ｎは、入射光強度工の関
数である。Generally, the nonlinearity of a nonlinear medium is expressed by the nonlinear absorption coefficient α2
and a nonlinear refractive index n2. That is, the absorption coefficient α(I) and the refractive index n(I
) is α(1)=α. +α2(I):n0+n21 (where α.+nO is a linear absorption coefficient and a linear refractive index), α and n are functions of the incident light intensity.
この非線形吸収係数α２は、第６図に示すように入射光
の波長に対して異なる値をもつ。第６図は、測定試料は
、第４図で用いたものと同じ試料であり、入射光強度は
、５０Ｗ／ｃｍ″″２の場合の値である。第４図との対
比から明らかなように、第１準位ヘビーホール・エクシ
トン吸収ピークでα２が最大となっていることが分かる
。This nonlinear absorption coefficient α2 has different values depending on the wavelength of the incident light, as shown in FIG. In FIG. 6, the measurement sample is the same sample used in FIG. 4, and the incident light intensity is 50 W/cm''2. As is clear from the comparison with FIG. 4, it can be seen that α2 is maximum at the first level heavy hole exciton absorption peak.
吸収係数の変化Δαと屈折率の変化Δｎとは、次式に示
すクラマース・クローニッヒの式により関係付けられる
。The change Δα in absorption coefficient and the change Δn in refractive index are related by the Kramers-Kronig equation shown in the following equation.
これらの結果から、上記した多重量子井戸層の非線形吸
収係数α２の値は、波長１．６１μｍ（Ｅ＝７７０ｍｅ
Ｖ）において、
α２ ： −６０［ｃｍ／Ｗコ
非線形屈折率ｎ２の値は、波長１．６２μｍ（Ｅ＝７６
３ｍｅＶ）において、
ｎ２ ｌ ＝０． ３ ［ｃｍ” ／ＫＷ
コとなる。From these results, the value of the nonlinear absorption coefficient α2 of the multi-quantum well layer described above is determined at a wavelength of 1.61 μm (E=770 me
V), the value of the nonlinear refractive index n2 is α2: -60 [cm/W
3 meV), n2 l =0. 3 [cm”/KW
It becomes Ko.
これらの値は、Ｇａ 工ｎＡｓ／ＩｎＰの多重量子井戸
層（ＭＱＷ）についてのものであるが、ＧａＩｎＡｓ／
ＧａＩｎＡｓＰ のＭＱＷＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ
のＭＱＷについても、ＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系
と同様に犬きな非線形性が得られる。特に、ＧａＩｎＡ
ｓＰ／ＩｎＰの多重量子井戸層は、ＧａＩｎＡｓＰ層の
幅だけでなく組成を変えることによってもエクシトン遷
移に対応した波長を変えることができるので、有用な材
料系である。These values are for GaInAs/InP multiple quantum well layers (MQW), but GaInAs/InP
MQW of GaInAsPGaInAsP/InP
Similar to the GaInAs/InP system, strong nonlinearity can be obtained with the MQW. In particular, GaInA
The sP/InP multiple quantum well layer is a useful material system because the wavelength corresponding to the exciton transition can be changed not only by changing the width of the GaInAsP layer but also by changing the composition.
以上は、多重量子井戸層において、入射光のエネルギー
の励起による吸収飽和を説明し、それにより、第１準位
ヘビーホール・エクシトン吸収ピークを示す波長におけ
る吸収係数が大きく変化する様子を説明した。エクシト
ンに対する励起は、入射光エネルギーに限らず、他のエ
ネルギーによる励起であってもよい。電流注入や光照射
などによるキャリア注入によっても、同様にエクシトン
遷移による光吸収係数が変化する。したがって、信号電
流を注入して、量子井戸内のエクシトンの吸収飽和を利
用すれば、光の変調やスイッチングが可能である。The above describes absorption saturation in a multi-quantum well layer due to excitation of the energy of incident light, and explains how the absorption coefficient at the wavelength showing the first level heavy hole exciton absorption peak changes greatly as a result. Excitation of excitons is not limited to incident light energy, and may be excitation by other energies. Carrier injection by current injection or light irradiation similarly changes the light absorption coefficient due to exciton transition. Therefore, by injecting a signal current and utilizing the absorption saturation of excitons within the quantum well, it is possible to modulate and switch light.
第１図は、上記現象に基づく光変調器の一実施例の概略
を説明するための斜視図である。図中、１はｐ側電極、
２は絶縁膜、３はｐ−Ｇａ工ｎＡｓＰ（またはｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓ）キャップ層、４はｐ−ＩｎＰクラッド層、５
はＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ（またはＧａＩｎＡｓ／Ｉｎ
Ｐ）の多重量子井戸層、６は半絶縁性ＩｎＰの埋め込み
層、７はｎ−ＩｎＰクラッド層、８はｎ” −ＩｎＰ基
板、９はｎ側電極、１０は入射光、１１は出射光である
。多重量子井戸層５は、上述したように、工ｎＰをバリ
ア層としてＧａＩｎＡｓＰま・たはＧａＩｎＡｓが量子
井戸層として、この対を３０対設けている。量子井戸層
の厚さ及び組成を調整することにより、第Ｉ準位ヘビー
ホール・エクシトン吸収ピークを入射信号光の波長に適
合させることができる。このようにすると、入射光１０
は、多重量子井戸層５に吸収されて、光変調器を透過し
ない。電極１，９に順方向の電圧を印加すると、多重量
子井戸層５にキャリアが注入されるため、上述したエク
シトン吸収の吸収飽和が起こる。したがって、入射光１
０は、多重量子井戸層５を透過し、出力側に出射光１１
が得られる。すなわち、印加電圧の制御により、入射光
１０のＯＮ、ＯＦＦを行なうことができる。FIG. 1 is a perspective view for explaining the outline of an embodiment of an optical modulator based on the above phenomenon. In the figure, 1 is the p-side electrode,
2 is an insulating film, 3 is a p-Ga-nAsP (or p-Ga
InAs) cap layer, 4 is p-InP cladding layer, 5
is GaInAsP/InP (or GaInAs/In
P) multiple quantum well layer, 6 is a semi-insulating InP buried layer, 7 is an n-InP cladding layer, 8 is an n''-InP substrate, 9 is an n-side electrode, 10 is an incident light, 11 is an output light. As mentioned above, the multi-quantum well layer 5 has 30 pairs of nP as a barrier layer and GaInAsP or GaInAs as a quantum well layer.The thickness and composition of the quantum well layer are By adjusting, the I-th level heavy hole exciton absorption peak can be matched to the wavelength of the incident signal light.In this way, the incident light 10
is absorbed by the multi-quantum well layer 5 and does not pass through the optical modulator. When a forward voltage is applied to the electrodes 1 and 9, carriers are injected into the multiple quantum well layer 5, so that the absorption saturation of exciton absorption described above occurs. Therefore, the incident light 1
0 transmits the multiple quantum well layer 5 and outputs the light 11 on the output side.
is obtained. That is, the incident light 10 can be turned on and off by controlling the applied voltage.
上記光変調器の製造工程を説明する。有機金属気相成長
法（ＭＯＶＰＥ法）により、ｎ” −ＩｎＰ基板８上に
、ｎ−ＩｎＰクラッド層７、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ（
またはＧａＩｎＡｓ／工ｎＰ）の多重量子井戸層５、ｐ
−ＩｎＰクラッド層４、ｐ−ＧａＩｎＡｓＰ（またはｐ
−ＧａＩｎＡｓ）のキャップ層３を順次結晶成長する。The manufacturing process of the above optical modulator will be explained. An n-InP cladding layer 7, GaInAsP/InP (
or GaInAs/NP) multiple quantum well layer 5, p
-InP cladding layer 4, p-GaInAsP (or p
-GaInAs) cap layer 3 is successively crystal-grown.
次いで、横モード制御と電流狭搾のために、多重量子井
戸層５、クラッド層４、キャップ層３をメサエッチによ
りメサストライプとした後、ＭＯＶＰＥ法により半絶縁
性ＩｎＰの埋め込み層６の結晶成長を行なう。その上に
絶縁膜２、ｐ側電極１を形成し、基板８の表面にｎ側電
極９を蒸着等により形成する。Next, in order to control the transverse mode and narrow the current, the multiple quantum well layer 5, cladding layer 4, and cap layer 3 are formed into mesa stripes by mesa etching, and then the crystal growth of the semi-insulating InP buried layer 6 is performed by the MOVPE method. Let's do it. An insulating film 2 and a p-side electrode 1 are formed thereon, and an n-side electrode 9 is formed on the surface of the substrate 8 by vapor deposition or the like.
第２図は、他の実施例の断面図である。図中、２１はｐ
側電極、２２は絶縁膜、２３はＺｎ等の選択拡散による
ｐ＋領領域２４はｎ−ＩｎＰのクラッド層、２５はＧａ
Ｉ ｎＡｓ Ｐ／ Ｉ ｎＰ （またはＧａＩｎＡｓ
／ＩｎＰ）の多重量子井戸層、２６はｎ−ＩｎＰクラッ
ド層、２７はｎ” −ＩｎＰ基板、２８はｎ側電極、２
９は反射防止膜、３０は入射光、３１は出射光である。FIG. 2 is a sectional view of another embodiment. In the figure, 21 is p
side electrode, 22 is an insulating film, 23 is a p+ region 24 formed by selective diffusion of Zn, etc., is an n-InP cladding layer, 25 is a Ga
I nAs P/I nP (or GaInAs
/InP) multiple quantum well layer, 26 is an n-InP cladding layer, 27 is an n''-InP substrate, 28 is an n-side electrode, 2
9 is an antireflection film, 30 is incident light, and 31 is output light.
この実施例においては、電極２１．２８に順方向のバイ
アス電圧を印加すると、選択拡散によって形成されたｐ
＋−ｎ接合２３．２４から多重量子井戸層２５にキャリ
アが注入され、上述したと同様の吸収係数の変化が生じ
る。したがって、面に垂直な方向の入射光３０に変調を
かけることができる。In this example, when a forward bias voltage is applied to electrode 21.28, the p
Carriers are injected into the multiple quantum well layer 25 from the +-n junctions 23 and 24, and a change in the absorption coefficient similar to that described above occurs. Therefore, it is possible to modulate the incident light 30 in the direction perpendicular to the surface.
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、バル
ク型光変調器に比して、外形寸法を数百μｍｍ程度にす
ることができ、大幅な小型化、軽量化をはかることがで
きる。変調にあたって、低い注入キャリア密度で量子井
戸層のエクシトンの吸収飽和が起こるので、駆動電力も
数十ｍＷ以下と小さくでき、高速変調も可能であり、光
集積化にも適した光変調器を得ることができる効果があ
る。(Effects of the Invention) As is clear from the above description, according to the present invention, compared to a bulk type optical modulator, the external dimensions can be reduced to approximately several hundred μmm, resulting in significant reduction in size and weight. can be measured. During modulation, exciton absorption saturation in the quantum well layer occurs at a low injected carrier density, so driving power can be reduced to several tens of mW or less, high-speed modulation is possible, and an optical modulator suitable for optical integration is obtained. There is an effect that can be done.
第１図は、本発明の光変調器の実施例を説明するための
斜視図、第２図は、他の実施例の断面図、第３図乃至第
６図は、多重量子井戸層の動作の説明図、第７図、第８
図は、従来の光変調器の概略図である。
１．２１・・・ｐ側電極、３・・・キャップ層、４，２
４・・・クラッド層、５，２５・・・多重量子井戸層、
６・・・埋め込み層、７，２６・・・クラッド層、９，
２８・・・ｎ側電極、１０．３０・・・入射光、２３・
・・選択拡散によるｐ＋領領域FIG. 1 is a perspective view for explaining an embodiment of the optical modulator of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of another embodiment, and FIGS. 3 to 6 show the operation of the multiple quantum well layer. Explanatory diagrams, Figures 7 and 8
The figure is a schematic diagram of a conventional optical modulator. 1.21...p-side electrode, 3...cap layer, 4,2
4... cladding layer, 5,25... multiple quantum well layer,
6... Buried layer, 7,26... Clad layer, 9,
28...n-side electrode, 10.30...incident light, 23.
・P+ region by selective diffusion
Claims (1)
の光の吸収係数の変化に基づき入力光を変調することを
特徴とする光変調器。An optical modulator characterized in that a signal current is injected into a multiple quantum well layer and input light is modulated based on a change in the light absorption coefficient of the multiple quantum well layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17990089A JPH0344618A (en) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | Optical modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17990089A JPH0344618A (en) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | Optical modulator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344618A true JPH0344618A (en) | 1991-02-26 |
Family
ID=16073866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17990089A Pending JPH0344618A (en) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | Optical modulator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344618A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381023A (en) * | 1992-08-11 | 1995-01-10 | Nec Corporation | Semiconductor device for control of a signal light |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP17990089A patent/JPH0344618A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381023A (en) * | 1992-08-11 | 1995-01-10 | Nec Corporation | Semiconductor device for control of a signal light |
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