JPH0344470A - 半導体基板の薄膜形成装置 - Google Patents
半導体基板の薄膜形成装置Info
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- JPH0344470A JPH0344470A JP17798889A JP17798889A JPH0344470A JP H0344470 A JPH0344470 A JP H0344470A JP 17798889 A JP17798889 A JP 17798889A JP 17798889 A JP17798889 A JP 17798889A JP H0344470 A JPH0344470 A JP H0344470A
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- thin film
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- timing belt
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体処理装置に係り、特に半導体基板の薄
膜形成装置に関する。
膜形成装置に関する。
（従来の技術〉
従来の半導体ウェーハ（以下、基板という）の薄膜形成
装置の縦断面図を示す第４図において、密封構造の略円
筒状の反応管ＩＡのステンレス製の上部フランジ６Ａに
は、中心部の導入口４ａにＬ形の石英製の導入管４Ａの
下端が挿着され、導入口４ａの左右の導入口５ａには、
同じＬ形の小径の導入管５の下端がそれぞれ挿着されて
いる。
装置の縦断面図を示す第４図において、密封構造の略円
筒状の反応管ＩＡのステンレス製の上部フランジ６Ａに
は、中心部の導入口４ａにＬ形の石英製の導入管４Ａの
下端が挿着され、導入口４ａの左右の導入口５ａには、
同じＬ形の小径の導入管５の下端がそれぞれ挿着されて
いる。
又、反応管ＩＡの内部には、円板状の基板台２に基板３
が載置され、反応管１Ａの左側面にはステンレス製の円
筒状の挿入管６ａが溶接され、この挿入管６ａの左側面
には、円板状の蓋７Ａが図示しないパツキンを介して取
付られている。
が載置され、反応管１Ａの左側面にはステンレス製の円
筒状の挿入管６ａが溶接され、この挿入管６ａの左側面
には、円板状の蓋７Ａが図示しないパツキンを介して取
付られている。
更に、反応管１Ａの下面に取付られたステンレス製の下
部フランジ６Ｂの中心部の排気口４ｂには。
部フランジ６Ｂの中心部の排気口４ｂには。
排気管４Ｂの上端が挿着され、この排気管４Ｂの下面に
は、図示しない真空ポンプに接続された図示しない配管
の継手が接続されている。
は、図示しない真空ポンプに接続された図示しない配管
の継手が接続されている。
このように構成された基板の薄膜形成装置において、外
部に設置された図示しないマイクロ波による励起装置で
励起された酸素原子は、導入管４Ａから導入口４ａを経
て反応管ＩＡ内に送り込まれ。
部に設置された図示しないマイクロ波による励起装置で
励起された酸素原子は、導入管４Ａから導入口４ａを経
て反応管ＩＡ内に送り込まれ。
同じく導入管５から導入口５ａを経て反応管ＬＡ内に送
り込まれた原料ガスと混合して反応し、この反応物は基
板３の上面に堆積して薄膜が形成され、この混合ガスの
廃ガスは、排気管４Ｂから図示しない真空ポンプで外部
に排出される。
り込まれた原料ガスと混合して反応し、この反応物は基
板３の上面に堆積して薄膜が形成され、この混合ガスの
廃ガスは、排気管４Ｂから図示しない真空ポンプで外部
に排出される。
又、第５図は、第４図と異なる従来の基板の薄膜形成装
置を示す縦断面図で、上部フランジ６Ｃには導入管５だ
けが挿着され、代りに酸素原子を導入する導入部４Ｃは
左側の蓋７Ａの中心部に挿着されて、励起された酸素原
子は、導入管４Ｃから反応管ＩＢ内の基板ｌの横から送
り込まれる。
置を示す縦断面図で、上部フランジ６Ｃには導入管５だ
けが挿着され、代りに酸素原子を導入する導入部４Ｃは
左側の蓋７Ａの中心部に挿着されて、励起された酸素原
子は、導入管４Ｃから反応管ＩＢ内の基板ｌの横から送
り込まれる。
（発明が解決しようとする課題）
ところがこのような従来の基板の薄膜形成装置において
は、前者の反応管ＩＡの基板３に堆積された薄膜の厚さ
の分布は、第６図の折線Ａのように、中心部に比べて円
周部に近づくにつれて厚さが薄くなり、一方、後者の反
応管ＩＢでは、同図折線Ｂのように、基板３の混合ガス
上流端で最高で下流になるにつれて薄くなり、下流端で
はほとんど形成されなくなる。
は、前者の反応管ＩＡの基板３に堆積された薄膜の厚さ
の分布は、第６図の折線Ａのように、中心部に比べて円
周部に近づくにつれて厚さが薄くなり、一方、後者の反
応管ＩＢでは、同図折線Ｂのように、基板３の混合ガス
上流端で最高で下流になるにつれて薄くなり、下流端で
はほとんど形成されなくなる。
そこで本発明の目的は、基板の表面の全域に亘って薄膜
を均一に形成させることのできる基板の薄膜形成装置を
得ることである。
を均一に形成させることのできる基板の薄膜形成装置を
得ることである。
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、密封室の内部に原料ガスと励起された酸素原
子が供給される開口部が設けられ、密封室内の開口部の
下流側に半導体基板が供給される半導体基板の薄膜形成
装置において、密封室内の開口部に吹出口が長方形の混
合室を設け、密封室内の吹出口の下流側に半導体基板を
載置するコンベアを設けて、基板を開口部の下流側で混
合ガスを横切って移動させて、基板の表面全域に均一に
薄膜を形成させた半導体基板の薄膜形成装置である。
子が供給される開口部が設けられ、密封室内の開口部の
下流側に半導体基板が供給される半導体基板の薄膜形成
装置において、密封室内の開口部に吹出口が長方形の混
合室を設け、密封室内の吹出口の下流側に半導体基板を
載置するコンベアを設けて、基板を開口部の下流側で混
合ガスを横切って移動させて、基板の表面全域に均一に
薄膜を形成させた半導体基板の薄膜形成装置である。
（実施例）
以下、本発明の基板の薄膜形成装置の一実施例を図面を
参照して説明する。但し、第４〜５図と重複する部分は
省く。
参照して説明する。但し、第４〜５図と重複する部分は
省く。
第１図において、反応管１１の上部フランジ６Ａの内面
中央には、縦断面が逆凸字状のステンレス製の混合室１
０の上端が下から取付られ、この混合室１０の凸部１０
ａは、同図のＡ−Ａ断面を示す第２図のように、第１図
の紙面直交方向の長辺の長さが基板３の直径より約２０
＋ｎ＋＋＋長い長方形の吹出口１０ｂを形成している。
中央には、縦断面が逆凸字状のステンレス製の混合室１
０の上端が下から取付られ、この混合室１０の凸部１０
ａは、同図のＡ−Ａ断面を示す第２図のように、第１図
の紙面直交方向の長辺の長さが基板３の直径より約２０
＋ｎ＋＋＋長い長方形の吹出口１０ｂを形成している。
更にこの吹出口１０ｂの下方には、左右の図示しない軸
にプーリ８がそれぞれ挿着され、右側の軸にはモータＭ
が連結され、左右のプーリ８にはタイミングベルト９が
巻き付けられている。又、このタイミングベルト９の上
面には、上面に基板３が載置された基板台２が所定の位
置に固定されている。
にプーリ８がそれぞれ挿着され、右側の軸にはモータＭ
が連結され、左右のプーリ８にはタイミングベルト９が
巻き付けられている。又、このタイミングベルト９の上
面には、上面に基板３が載置された基板台２が所定の位
置に固定されている。
又、反応管１１の右側面の外側には、左側面と同様に挿
入管６ｂが溶接され、この挿入管６ｂの右側面には蓋７
Ｂが気密に取付られている。
入管６ｂが溶接され、この挿入管６ｂの右側面には蓋７
Ｂが気密に取付られている。
このように構成された基板の薄膜形成装置においては、
右側の蓋７Ｂ側からタイミングベルト９上の基板台２の
上に載置された基板３は、吹出口１０ｂの下方で混合ガ
スを吹き付けられながらタイミングベルト９で左方に一
定速度で移動され、基板３の右端が吹出口１０ｂの左端
下方まで送られたときにモータＭの逆転で再び右方に移
動され、基板３の左端が吹出口１０ｂの右端下方まで送
られると、モータＭの正転で再び左方に運ばれて、表面
に所定の薄膜が形成された後、左側の蓋７Ａが外されて
挿入管６ａから外部に取り出される。
右側の蓋７Ｂ側からタイミングベルト９上の基板台２の
上に載置された基板３は、吹出口１０ｂの下方で混合ガ
スを吹き付けられながらタイミングベルト９で左方に一
定速度で移動され、基板３の右端が吹出口１０ｂの左端
下方まで送られたときにモータＭの逆転で再び右方に移
動され、基板３の左端が吹出口１０ｂの右端下方まで送
られると、モータＭの正転で再び左方に運ばれて、表面
に所定の薄膜が形成された後、左側の蓋７Ａが外されて
挿入管６ａから外部に取り出される。
第３図は、上記処理工程で形成された直径１２０ｍの基
板３の表面の薄膜の厚さの分布の測定結果を示す図であ
る。
板３の表面の薄膜の厚さの分布の測定結果を示す図であ
る。
同図において、折線Ｃは基板３を左右に７０ｍｍ合計１
４０ｍｍ ｌ往復半移動したときの膜厚分布であるが、
円周部の厚さは中央部のそれと殆んど差がない。なお、
折線りは、基板３を吹出口１０ｂの真下に静止させたと
きを比較例として示したもので、基板３の左右方向の中
央部には吹出口１０ｂの幅よりやや広い幅で厚い薄膜が
形成され、その左右は急激に薄くなっている。
４０ｍｍ ｌ往復半移動したときの膜厚分布であるが、
円周部の厚さは中央部のそれと殆んど差がない。なお、
折線りは、基板３を吹出口１０ｂの真下に静止させたと
きを比較例として示したもので、基板３の左右方向の中
央部には吹出口１０ｂの幅よりやや広い幅で厚い薄膜が
形成され、その左右は急激に薄くなっている。
なお、上記実施例において、タイミングベルト９の速度
は、基板３が吹出口ｔａｂの真下のときだけ加速して、
更に薄膜の均一化を図ってでもよい。
は、基板３が吹出口ｔａｂの真下のときだけ加速して、
更に薄膜の均一化を図ってでもよい。
以上１本発明によれば、密封室の内部に原料ガスと励起
された酸素原子が供給される開口部が設けられ、密封室
内の開口部の下流側に半導体基板が供給される半導体基
板の薄膜形成装置において、密封室内の開口部に吹出口
が長方形の混合室を設け、密封室内の吹出口下流側に半
導体基板が載置されるコンベアを設けて、半導体基板を
吹出口から供給される混合ガスを横切って移動させたの
で、基板の表面に均一に薄膜を形成させることのできる
半導体基板の薄膜形成装置を得ることができる。
された酸素原子が供給される開口部が設けられ、密封室
内の開口部の下流側に半導体基板が供給される半導体基
板の薄膜形成装置において、密封室内の開口部に吹出口
が長方形の混合室を設け、密封室内の吹出口下流側に半
導体基板が載置されるコンベアを設けて、半導体基板を
吹出口から供給される混合ガスを横切って移動させたの
で、基板の表面に均一に薄膜を形成させることのできる
半導体基板の薄膜形成装置を得ることができる。
第１図は本発明の半導体基板の薄膜形成装置の一実施例
を示す縦断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３
図は本発明の半導体基板の薄膜形成装置の作用を示す図
、第４図と第５図は従来の半導体基板の薄膜形成装置を
示す縦断面図、第６図は従来の半導体基板の薄膜形成装
置の作用を示す図である。 ３・・・半導体基板 ４Ａ。 ５・・・導入管 ４ａ。 ５ａ・・・開口部 ９・・・タイミングベルト １０・・・混合室 １１・・・反応管
を示す縦断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３
図は本発明の半導体基板の薄膜形成装置の作用を示す図
、第４図と第５図は従来の半導体基板の薄膜形成装置を
示す縦断面図、第６図は従来の半導体基板の薄膜形成装
置の作用を示す図である。 ３・・・半導体基板 ４Ａ。 ５・・・導入管 ４ａ。 ５ａ・・・開口部 ９・・・タイミングベルト １０・・・混合室 １１・・・反応管
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 密封室の内部に原料ガスと励起された酸素原子が供給さ
れる開口部が設けられ、前記密封室内の前記開口部の下
流側に半導体基板が供給される半導体基板の薄膜形成装
置において、 前記密封室内の前記開口部に、吹出口が長方形の混合室
を設け、前記密封室内の前記吹出口下流側に前記半導体
基板が載置されたコンベアを設けたことを特徴とする半
導体基板の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17798889A JPH0344470A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体基板の薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17798889A JPH0344470A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体基板の薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344470A true JPH0344470A (ja) | 1991-02-26 |
Family
ID=16040576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17798889A Pending JPH0344470A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体基板の薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344470A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992000406A1 (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-09 | Australian And Overseas Telecommunications Corporation Ltd. | Uniform deposition of a thin film on a surface |
| EP0747503A1 (en) * | 1995-06-09 | 1996-12-11 | Ebara Corporation | Reactant gas injector for chemical vapor deposition apparatus |
| JP2010114458A (ja) * | 2001-08-16 | 2010-05-20 | First Solar Inc | 化学蒸着システム |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP17798889A patent/JPH0344470A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992000406A1 (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-09 | Australian And Overseas Telecommunications Corporation Ltd. | Uniform deposition of a thin film on a surface |
| EP0747503A1 (en) * | 1995-06-09 | 1996-12-11 | Ebara Corporation | Reactant gas injector for chemical vapor deposition apparatus |
| US5728223A (en) * | 1995-06-09 | 1998-03-17 | Ebara Corporation | Reactant gas ejector head and thin-film vapor deposition apparatus |
| JP2010114458A (ja) * | 2001-08-16 | 2010-05-20 | First Solar Inc | 化学蒸着システム |
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