JPH0555150A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH0555150A JPH0555150A JP3065841A JP6584191A JPH0555150A JP H0555150 A JPH0555150 A JP H0555150A JP 3065841 A JP3065841 A JP 3065841A JP 6584191 A JP6584191 A JP 6584191A JP H0555150 A JPH0555150 A JP H0555150A
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- gas
- microwave plasma
- buffer chamber
- closed reaction
- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】密閉反応容器内に導入されたガスを均一に分散
させ試料の処理速度の均一化を図ることができるマイク
ロ波プラズマ処理装置を提供する。 【構成】ガス導入部２５の２個のガス導入管２５ａを下
部壁２１ｂ側面に対称的に接続する一方、ガス導入管２
５ａに接続されたガス導入部２５のガス分散ノズル２５
ｂをバッファ室２４の全周にわたって配設する。またバ
ッファ室２４と試料台１２との間にはシャワーヘッド２
２を介装する。そしてガスを、ガス導入管２５ａ、ガス
分散ノズル２５ｂ、バッファ室２４及びシャワーヘッド
２２を通過させて密閉反応容器２１内に導入する。この
結果、密閉反応容器２１内へガスを分散させた状態で導
入することができ、マイクロ波プラズマを密閉反応容器
２１内で大面積にかつ均一に発生させることができる。
させ試料の処理速度の均一化を図ることができるマイク
ロ波プラズマ処理装置を提供する。 【構成】ガス導入部２５の２個のガス導入管２５ａを下
部壁２１ｂ側面に対称的に接続する一方、ガス導入管２
５ａに接続されたガス導入部２５のガス分散ノズル２５
ｂをバッファ室２４の全周にわたって配設する。またバ
ッファ室２４と試料台１２との間にはシャワーヘッド２
２を介装する。そしてガスを、ガス導入管２５ａ、ガス
分散ノズル２５ｂ、バッファ室２４及びシャワーヘッド
２２を通過させて密閉反応容器２１内に導入する。この
結果、密閉反応容器２１内へガスを分散させた状態で導
入することができ、マイクロ波プラズマを密閉反応容器
２１内で大面積にかつ均一に発生させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
装置に関し、より詳しくは主として半導体製造プロセス
においてＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)装置、エ
ッチング装置、アッシング装置等として用いられるマイ
クロ波プラズマ処理装置に関する。
装置に関し、より詳しくは主として半導体製造プロセス
においてＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)装置、エ
ッチング装置、アッシング装置等として用いられるマイ
クロ波プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は実開平１−９４４６１号公報に開
示された従来のマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に
示した断面図である。図中１１は密閉反応容器を示して
おり、密閉反応容器１１は、耐熱性材料で形成され平板
状の上部壁１１ａと有底筒形状を有する下部壁１１ｂと
から構成されている。密閉反応容器１１内には複数個の
試料Ｓ…を保持する試料台１２が配設されており、この
試料台１２は回転軸１３を中心にして回動可能となって
いる。また密閉反応容器１１の下部壁１１ｂ側面上側に
はガス導入口１４ａが形成され、試料台１２を挟んでガ
ス導入口１４ａと対向する下部壁１１ｂ側面下側にはガ
ス排気口１５ａが形成されている。そしてガス導入口１
４ａ及びガス排気口１５ａにはそれぞれ、ガス導入管１
４及びガス排気管１５が接続されている。一方、密閉反
応容器１１の上部壁１１ａの上方には、略円板形状又は
環形状を有する誘電体被覆線路１６が配設されており、
誘電体被覆線路１６にはマイクロ波伝送導波管１７が接
続されている。
示された従来のマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に
示した断面図である。図中１１は密閉反応容器を示して
おり、密閉反応容器１１は、耐熱性材料で形成され平板
状の上部壁１１ａと有底筒形状を有する下部壁１１ｂと
から構成されている。密閉反応容器１１内には複数個の
試料Ｓ…を保持する試料台１２が配設されており、この
試料台１２は回転軸１３を中心にして回動可能となって
いる。また密閉反応容器１１の下部壁１１ｂ側面上側に
はガス導入口１４ａが形成され、試料台１２を挟んでガ
ス導入口１４ａと対向する下部壁１１ｂ側面下側にはガ
ス排気口１５ａが形成されている。そしてガス導入口１
４ａ及びガス排気口１５ａにはそれぞれ、ガス導入管１
４及びガス排気管１５が接続されている。一方、密閉反
応容器１１の上部壁１１ａの上方には、略円板形状又は
環形状を有する誘電体被覆線路１６が配設されており、
誘電体被覆線路１６にはマイクロ波伝送導波管１７が接
続されている。
【０００３】このように構成されているマイクロ波プラ
ズマ処理装置においては、上記した如く、略円板形状又
は環形状を有する誘電体被覆線路１６にマイクロ波伝送
導波管１７が接続され、この誘電体被覆線路１６が密閉
反応容器１１の上部壁１１ａの上方に配設されているの
で、マイクロ波導波管１７を介して誘電体被覆線路１６
にマイクロ波を導入すれば、密閉反応容器１１の上部側
でマイクロ波プラズマが大面積に発生する。従って、試
料台１２上に載置された複数個の試料Ｓを同時に均一に
処理することができる。
ズマ処理装置においては、上記した如く、略円板形状又
は環形状を有する誘電体被覆線路１６にマイクロ波伝送
導波管１７が接続され、この誘電体被覆線路１６が密閉
反応容器１１の上部壁１１ａの上方に配設されているの
で、マイクロ波導波管１７を介して誘電体被覆線路１６
にマイクロ波を導入すれば、密閉反応容器１１の上部側
でマイクロ波プラズマが大面積に発生する。従って、試
料台１２上に載置された複数個の試料Ｓを同時に均一に
処理することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
マイクロ波プラズマ処理装置にあっては、密閉反応容器
１１内へのガスの導入はガス導入口１４ａからの一か所
だけであり、しかも導入されたガスを分散させる手段が
ないため、ガスが密閉反応容器１１内に偏って存在して
しまい、ガス利用効率が悪いという課題を有していた。
またガスが密閉反応容器１１内に均一に分散しないため
にプラズマが均一に発生せず、複数個の試料Ｓの処理速
度が均一に行なわれないという課題もあった。
マイクロ波プラズマ処理装置にあっては、密閉反応容器
１１内へのガスの導入はガス導入口１４ａからの一か所
だけであり、しかも導入されたガスを分散させる手段が
ないため、ガスが密閉反応容器１１内に偏って存在して
しまい、ガス利用効率が悪いという課題を有していた。
またガスが密閉反応容器１１内に均一に分散しないため
にプラズマが均一に発生せず、複数個の試料Ｓの処理速
度が均一に行なわれないという課題もあった。
【０００５】本発明は上記した課題に鑑みなされたもの
であり、密閉反応容器内に導入されたガスを均一に分散
させることができ、試料の処理速度の均一化を図ること
ができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを
目的としている。
であり、密閉反応容器内に導入されたガスを均一に分散
させることができ、試料の処理速度の均一化を図ること
ができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マ
イクロ波伝送導波管に接続された誘電体被覆線路を備
え、該誘電体被覆線路の下方に試料台が内装されている
密閉反応容器を備えたマイクロ波プラズマ処理装置にお
いて、前記密閉反応容器に複数個のガス導入部が接続さ
れ、これらガス導入部が前記密閉反応容器内の上側部に
形成されたバッファ室を介して連通していることを特徴
とし、また上記した装置において、バッファ室の全周に
わたりガス導入部を構成するガス分散ノズルが配設され
ていることを特徴としている。
ために本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マ
イクロ波伝送導波管に接続された誘電体被覆線路を備
え、該誘電体被覆線路の下方に試料台が内装されている
密閉反応容器を備えたマイクロ波プラズマ処理装置にお
いて、前記密閉反応容器に複数個のガス導入部が接続さ
れ、これらガス導入部が前記密閉反応容器内の上側部に
形成されたバッファ室を介して連通していることを特徴
とし、また上記した装置において、バッファ室の全周に
わたりガス導入部を構成するガス分散ノズルが配設され
ていることを特徴としている。
【０００７】さらに上記したいずれかの装置において、
バッファ室に供給されたガスが試料台の上面全面をカバ
ーするシャワーヘッドから供給されるようになっている
ことを特徴としている。
バッファ室に供給されたガスが試料台の上面全面をカバ
ーするシャワーヘッドから供給されるようになっている
ことを特徴としている。
【０００８】
【作用】上記した装置によれば、マイクロ波伝送導波管
に接続された誘電体被覆線路を備え、該誘電体被覆線路
の下方に試料台が内装されている密閉反応容器を備えた
マイクロ波プラズマ処理装置において、前記密閉反応容
器に複数個のガス導入部が接続され、これらガス導入部
が前記密閉反応容器内の上側部に形成されたバッファ室
を介して連通しているので、前記ガス導入部より導入さ
れたガスは分散された状態で前記バッファ室に入り込
む。そしてこのバッファ室内でさらに分散されて前記密
閉反応容器の中央部に導入される。従って前記ガスは、
前記密閉反応容器内に均一に分散した状態で存在するこ
とになり、マイクロ波プラズマを均一に発生させること
が可能となる。
に接続された誘電体被覆線路を備え、該誘電体被覆線路
の下方に試料台が内装されている密閉反応容器を備えた
マイクロ波プラズマ処理装置において、前記密閉反応容
器に複数個のガス導入部が接続され、これらガス導入部
が前記密閉反応容器内の上側部に形成されたバッファ室
を介して連通しているので、前記ガス導入部より導入さ
れたガスは分散された状態で前記バッファ室に入り込
む。そしてこのバッファ室内でさらに分散されて前記密
閉反応容器の中央部に導入される。従って前記ガスは、
前記密閉反応容器内に均一に分散した状態で存在するこ
とになり、マイクロ波プラズマを均一に発生させること
が可能となる。
【０００９】また上記した装置において、バッファ室の
全周にわたりガス導入部を構成するガス分散ノズルが配
設されている場合には、前記ガス分散ノズルに導入され
たガスは、前記ガス分散ノズルに形成された複数個のガ
ス出口より前記バッファ室内全体にさらに分散して噴き
出す。そして噴き出したガスは、前記バッファ室内より
密閉反応容器の中央部に導入される。従って前記ガス
は、前記密閉反応容器内に一層均一に分散した状態で存
在することになり、マイクロ波プラズマを均一に発生さ
せることが可能となる。
全周にわたりガス導入部を構成するガス分散ノズルが配
設されている場合には、前記ガス分散ノズルに導入され
たガスは、前記ガス分散ノズルに形成された複数個のガ
ス出口より前記バッファ室内全体にさらに分散して噴き
出す。そして噴き出したガスは、前記バッファ室内より
密閉反応容器の中央部に導入される。従って前記ガス
は、前記密閉反応容器内に一層均一に分散した状態で存
在することになり、マイクロ波プラズマを均一に発生さ
せることが可能となる。
【００１０】さらに上記したいずれかの装置において、
バッファ室に供給されたガスが試料台の上面全面をカバ
ーするシャワーヘッドから供給されるようになっている
場合には、前記シャワーヘッドの孔を通過することによ
って前記ガスはさらに分散されて前記密閉反応容器の中
央部に導入される。従って前記ガスは、前記密閉反応容
器内により一層均一に分散した状態で存在することにな
る。
バッファ室に供給されたガスが試料台の上面全面をカバ
ーするシャワーヘッドから供給されるようになっている
場合には、前記シャワーヘッドの孔を通過することによ
って前記ガスはさらに分散されて前記密閉反応容器の中
央部に導入される。従って前記ガスは、前記密閉反応容
器内により一層均一に分散した状態で存在することにな
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明に係るマイクロ波プラズマ処理
装置の実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例
と同一機能を有する構成部品には同一の符合を付すこと
とする。図１は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装
置としてのアッシング装置の一実施例を模式的に示した
断面図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。図中２１は密閉反応容器であり、密閉反応容器２１
は主に、セラミック等で形成されかつ略矩形形状を有す
る上部壁２１ａと有底筒形状を有する下部壁２１ｂとか
ら構成されている。密閉反応容器２１内には複数個の試
料Ｓ…を保持する試料台１２が配設されており、試料台
１２は回転軸（図示せず）を中心にして回動可能となっ
ている。また試料台１２の上方の上部壁２１ａの下面近
傍には、略矩形形状を有するシャワーヘッド２２が試料
台１２全面をカバーするように配設されており、シャワ
ーヘッド２２には複数個の孔２２ａが穿設されている。
このシャワーヘッド２２は下部壁２１ｂの上部側面に突
設された断面略Ｌ字形状の支持板２３によって支持され
ており、密閉反応容器２１内の上側部には、支持板２
３、上部壁２１ａ、下部壁２１ｂ及びシャワーヘッド２
２で仕切られたバッファ室２４が形成されている。
装置の実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例
と同一機能を有する構成部品には同一の符合を付すこと
とする。図１は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装
置としてのアッシング装置の一実施例を模式的に示した
断面図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。図中２１は密閉反応容器であり、密閉反応容器２１
は主に、セラミック等で形成されかつ略矩形形状を有す
る上部壁２１ａと有底筒形状を有する下部壁２１ｂとか
ら構成されている。密閉反応容器２１内には複数個の試
料Ｓ…を保持する試料台１２が配設されており、試料台
１２は回転軸（図示せず）を中心にして回動可能となっ
ている。また試料台１２の上方の上部壁２１ａの下面近
傍には、略矩形形状を有するシャワーヘッド２２が試料
台１２全面をカバーするように配設されており、シャワ
ーヘッド２２には複数個の孔２２ａが穿設されている。
このシャワーヘッド２２は下部壁２１ｂの上部側面に突
設された断面略Ｌ字形状の支持板２３によって支持され
ており、密閉反応容器２１内の上側部には、支持板２
３、上部壁２１ａ、下部壁２１ｂ及びシャワーヘッド２
２で仕切られたバッファ室２４が形成されている。
【００１２】密閉反応容器２１内のバッファ室２４に対
応する箇所には、ガス導入部２５を構成する２個のガス
導入管２５ａが対称的に接続されており、バッファ室２
４内にはガス導入管２５ａに接続されたガス分散ノズル
２５ｂがバッファ室２４全周にわたって配設されてい
る。さらにガス分散ノズル２５ｂには略所定間隔で複数
個のガス出口２５ｃ…が形成されており、ガス分散ノズ
ル２５ｂはガス導入管２５ａと共にガス導入部２５を構
成している。このように、ガス導入部２５はバッファ室
２４を介して密閉反応容器２１に連通した状態となって
いる。また下部壁２１ｂの底面には、真空排気孔２７が
形成されている。
応する箇所には、ガス導入部２５を構成する２個のガス
導入管２５ａが対称的に接続されており、バッファ室２
４内にはガス導入管２５ａに接続されたガス分散ノズル
２５ｂがバッファ室２４全周にわたって配設されてい
る。さらにガス分散ノズル２５ｂには略所定間隔で複数
個のガス出口２５ｃ…が形成されており、ガス分散ノズ
ル２５ｂはガス導入管２５ａと共にガス導入部２５を構
成している。このように、ガス導入部２５はバッファ室
２４を介して密閉反応容器２１に連通した状態となって
いる。また下部壁２１ｂの底面には、真空排気孔２７が
形成されている。
【００１３】一方、密閉反応容器２１の上部壁２１ａの
上方には、略平板形状を有する誘電体被覆線路１６が配
設されており、誘電体被覆線路１６にはマイクロ波伝送
導波管（図示せず）が接続されている。さらに誘電体被
覆線路１６上面及びその周りにはシールド板２６が配設
されており、誘電体被覆線路１６は上部壁２１ａ及びシ
ールド板２６によって囲まれた状態となっている。
上方には、略平板形状を有する誘電体被覆線路１６が配
設されており、誘電体被覆線路１６にはマイクロ波伝送
導波管（図示せず）が接続されている。さらに誘電体被
覆線路１６上面及びその周りにはシールド板２６が配設
されており、誘電体被覆線路１６は上部壁２１ａ及びシ
ールド板２６によって囲まれた状態となっている。
【００１４】このように構成されたアッシング装置を用
いて試料Ｓのアッシングを行なう場合は、試料台１２に
試料Ｓを載置した後、密閉反応容器２１内を所要の真空
度に設定し、次いで複数のガス導入管２５ａより所要の
ガスをバッファ室２４内のガス分散ノズル２５ｂに導入
する。このとき複数のガス導入管２５ａは対称的に配設
されているので、ガスは分散された状態でガス分散ノズ
ル２５ｂ内に導入される。また上記したように、ガス分
散ノズル２５ｂはバッファ室２４の全周にわたって配設
されており、しかも略所定間隔で複数個のガス出口２５
ｃ…が形成されているので、ガス分散ノズル２５ｂに導
入されたガスは各ガス出口２５ｃよりバッファ室２４内
全体にさらに分散して噴き出す。そして噴き出したガス
は、バッファ室２４内よりシャワーヘッド２２の孔２２
ａを介して密閉反応容器２１内に導入されるが、このと
きシャワーヘッド２２の孔２２ａを通過することによっ
てさらに分散される。従ってガス導入部２５のガス導入
管２５ａから導入されたガスは、密閉反応容器２１内に
均一に分散されて供給される。続いてマイクロ波伝送導
波管より誘電体被覆線路１６にマイクロ波を導入する
と、密閉反応容器２１内のガスが共鳴励起されてマイク
ロ波プラズマが大面積にかつ均一に発生する。その結
果、試料台１２上の複数の試料Ｓは均一な速度でアッシ
ング処理される。
いて試料Ｓのアッシングを行なう場合は、試料台１２に
試料Ｓを載置した後、密閉反応容器２１内を所要の真空
度に設定し、次いで複数のガス導入管２５ａより所要の
ガスをバッファ室２４内のガス分散ノズル２５ｂに導入
する。このとき複数のガス導入管２５ａは対称的に配設
されているので、ガスは分散された状態でガス分散ノズ
ル２５ｂ内に導入される。また上記したように、ガス分
散ノズル２５ｂはバッファ室２４の全周にわたって配設
されており、しかも略所定間隔で複数個のガス出口２５
ｃ…が形成されているので、ガス分散ノズル２５ｂに導
入されたガスは各ガス出口２５ｃよりバッファ室２４内
全体にさらに分散して噴き出す。そして噴き出したガス
は、バッファ室２４内よりシャワーヘッド２２の孔２２
ａを介して密閉反応容器２１内に導入されるが、このと
きシャワーヘッド２２の孔２２ａを通過することによっ
てさらに分散される。従ってガス導入部２５のガス導入
管２５ａから導入されたガスは、密閉反応容器２１内に
均一に分散されて供給される。続いてマイクロ波伝送導
波管より誘電体被覆線路１６にマイクロ波を導入する
と、密閉反応容器２１内のガスが共鳴励起されてマイク
ロ波プラズマが大面積にかつ均一に発生する。その結
果、試料台１２上の複数の試料Ｓは均一な速度でアッシ
ング処理される。
【００１５】上記した装置を用いてアッシング処理した
後の試料Ｓの様子を図３に示す。また比較例として図５
に示した従来の装置を用いてアッシング処理した後の試
料Ｓの様子を図４に示す。なおいずれも試料Ｓとして６
インチのウエハにポジ型のレジストが被着されたものを
用い、導入ガスとしてＯ2 及びＣＦ4 を用いた。また本
実施例に係る装置を用いた場合においては、密閉反応容
器２１内の圧力を０．５６Ｔｏｒｒ、Ｏ2 ガス、ＣＦ4
ガスの流量をそれぞれ７３６ＳＣＣＭ、６４ＳＣＣＭ、
さらにマイクロ波の電力を１．５ｋｗに設定した条件で
アッシングを行ない、従来の装置を用いた場合において
は、密閉反応容器２１内の圧力を０．９Ｔｏｒｒとした
他は上記と同様の条件でアッシングを行なった。
後の試料Ｓの様子を図３に示す。また比較例として図５
に示した従来の装置を用いてアッシング処理した後の試
料Ｓの様子を図４に示す。なおいずれも試料Ｓとして６
インチのウエハにポジ型のレジストが被着されたものを
用い、導入ガスとしてＯ2 及びＣＦ4 を用いた。また本
実施例に係る装置を用いた場合においては、密閉反応容
器２１内の圧力を０．５６Ｔｏｒｒ、Ｏ2 ガス、ＣＦ4
ガスの流量をそれぞれ７３６ＳＣＣＭ、６４ＳＣＣＭ、
さらにマイクロ波の電力を１．５ｋｗに設定した条件で
アッシングを行ない、従来の装置を用いた場合において
は、密閉反応容器２１内の圧力を０．９Ｔｏｒｒとした
他は上記と同様の条件でアッシングを行なった。
【００１６】図３及び図４から明らかなように、従来の
装置を用いた場合では試料Ｓの膜厚分布の均一性は±１
７．５％と低く凹凸が激しいのに対し、本実施例に係る
装置を用いた場合では試料Ｓの膜厚分布の均一性は±
４．１％と高く、膜厚をほぼ一定にすることができた。
装置を用いた場合では試料Ｓの膜厚分布の均一性は±１
７．５％と低く凹凸が激しいのに対し、本実施例に係る
装置を用いた場合では試料Ｓの膜厚分布の均一性は±
４．１％と高く、膜厚をほぼ一定にすることができた。
【００１７】以上説明したように、上記実施例に係るマ
イクロ波プラズマ処理装置にあっては、ガス導入部２５
の２個のガス導入管２５ａが下部壁２１ｂ側面に対称的
に接続される一方、ガス導入管２５ａに接続されたガス
導入部２５のガス分散ノズル２５ｂがバッファ室２４の
全周にわたって配設され、またバッファ室２４と試料台
１２との間にはシャワーヘッド２２が介装されているの
で、ガス導入管２５ａ、ガス分散ノズル２５ｂ、バッフ
ァ室２４及びシャワーヘッド２２を通過させることによ
り、導入ガスを均一に分散させた状態で密閉反応容器２
１内に供給することができる。従って、マイクロ波プラ
ズマを密閉反応容器２１内で大面積にかつ均一に発生さ
せることができ、試料台１２上の複数の試料Ｓを均一な
速度でアッシング処理することができる。この結果、膜
厚の均一な試料Ｓを得ることができる。なお、上記実施
例においてはアッシング装置に用いられる場合について
説明したが、別の実施例ではＣＶＤ装置あるいはエッチ
ング装置等に用いることも可能である。
イクロ波プラズマ処理装置にあっては、ガス導入部２５
の２個のガス導入管２５ａが下部壁２１ｂ側面に対称的
に接続される一方、ガス導入管２５ａに接続されたガス
導入部２５のガス分散ノズル２５ｂがバッファ室２４の
全周にわたって配設され、またバッファ室２４と試料台
１２との間にはシャワーヘッド２２が介装されているの
で、ガス導入管２５ａ、ガス分散ノズル２５ｂ、バッフ
ァ室２４及びシャワーヘッド２２を通過させることによ
り、導入ガスを均一に分散させた状態で密閉反応容器２
１内に供給することができる。従って、マイクロ波プラ
ズマを密閉反応容器２１内で大面積にかつ均一に発生さ
せることができ、試料台１２上の複数の試料Ｓを均一な
速度でアッシング処理することができる。この結果、膜
厚の均一な試料Ｓを得ることができる。なお、上記実施
例においてはアッシング装置に用いられる場合について
説明したが、別の実施例ではＣＶＤ装置あるいはエッチ
ング装置等に用いることも可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明に係るマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、マイ
クロ波伝送導波管に接続された誘電体被覆線路を備え、
該誘電体被覆線路の下方に試料台が内装されている密閉
反応容器を備えたマイクロ波プラズマ処理装置におい
て、前記密閉反応容器に複数個のガス導入部が接続さ
れ、これらガス導入部が前記密閉反応容器内の上側部に
形成されたバッファ室を介して連通しているので、前記
ガス導入部より導入されたガスを前記密閉反応容器内に
均一に分散した状態で供給することができる。従って、
前記密閉反応容器内でマイクロ波プラズマを均一に発生
させることができ、複数の試料を均一な速度で処理する
ことができる。
明に係るマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、マイ
クロ波伝送導波管に接続された誘電体被覆線路を備え、
該誘電体被覆線路の下方に試料台が内装されている密閉
反応容器を備えたマイクロ波プラズマ処理装置におい
て、前記密閉反応容器に複数個のガス導入部が接続さ
れ、これらガス導入部が前記密閉反応容器内の上側部に
形成されたバッファ室を介して連通しているので、前記
ガス導入部より導入されたガスを前記密閉反応容器内に
均一に分散した状態で供給することができる。従って、
前記密閉反応容器内でマイクロ波プラズマを均一に発生
させることができ、複数の試料を均一な速度で処理する
ことができる。
【００１９】また上記した装置において、バッファ室の
全周にわたりガス導入部を構成するガス分散ノズルが配
設されている場合には、前記ガス分散ノズルを通過させ
ることによって前記ガスをさらに分散させて前記密閉反
応容器内に導入することができる。従って、前記密閉反
応容器内でマイクロ波プラズマをより均一に発生させる
ことができ、複数の試料を均一な速度で処理することが
できる。
全周にわたりガス導入部を構成するガス分散ノズルが配
設されている場合には、前記ガス分散ノズルを通過させ
ることによって前記ガスをさらに分散させて前記密閉反
応容器内に導入することができる。従って、前記密閉反
応容器内でマイクロ波プラズマをより均一に発生させる
ことができ、複数の試料を均一な速度で処理することが
できる。
【００２０】さらに上記したいずれかの装置において、
バッファ室に供給されたガスが試料台の上面全面をカバ
ーするシャワーヘッドから供給されるようになっている
場合には、前記シャワーヘッドの孔を通過させることに
よって前記ガスをさらに分散させて前記密閉反応容器内
に導入することができる。従って前記密閉反応容器内で
マイクロ波プラズマをより一層均一に発生させることが
でき、複数の試料をより均一な速度で処理することがで
きる。
バッファ室に供給されたガスが試料台の上面全面をカバ
ーするシャワーヘッドから供給されるようになっている
場合には、前記シャワーヘッドの孔を通過させることに
よって前記ガスをさらに分散させて前記密閉反応容器内
に導入することができる。従って前記密閉反応容器内で
マイクロ波プラズマをより一層均一に発生させることが
でき、複数の試料をより均一な速度で処理することがで
きる。
【図１】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置とし
てのアッシング装置の一実施例を模式的に示した断面図
である。
てのアッシング装置の一実施例を模式的に示した断面図
である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置の一
例であるアッシング装置を用いてアッシング処理を行な
った後の試料の様子を模式的に示した斜視図である。
例であるアッシング装置を用いてアッシング処理を行な
った後の試料の様子を模式的に示した斜視図である。
【図４】従来のマイクロ波プラズマ処理装置の一例であ
るアッシング装置を用いてアッシング処理を行なった後
の試料の様子を模式的に示した斜視図である。
るアッシング装置を用いてアッシング処理を行なった後
の試料の様子を模式的に示した斜視図である。
【図５】従来のマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に
示した断面図である。
示した断面図である。
１２ 試料台 １６ 誘電体被覆線路 １７ マイクロ波伝送導波管 ２１ 密閉反応容器 ２２ シャワーヘッド ２４ バッファ室 ２５ ガス導入部 ２５ｂ ガス分散ノズル
Claims (3)
- 【請求項１】 マイクロ波伝送導波管に接続された誘電
体被覆線路を備え、該誘電体被覆線路の下方に試料台が
内装されている密閉反応容器を備えたマイクロ波プラズ
マ処理装置において、前記密閉反応容器に複数個のガス
導入部が接続され、これらガス導入部が前記密閉反応容
器内の上側部に形成されたバッファ室を介して連通して
いることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項２】 バッファ室の全周にわたりガス導入部を
構成するガス分散ノズルが配設されている請求項１記載
のマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項３】 バッファ室に供給されたガスが試料台の
上面全面をカバーするシャワーヘッドから供給されるよ
うになっている請求項１記載又は請求項２記載のマイク
ロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3065841A JP2669168B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3065841A JP2669168B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555150A true JPH0555150A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2669168B2 JP2669168B2 (ja) | 1997-10-27 |
Family
ID=13298646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3065841A Expired - Lifetime JP2669168B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669168B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008113008A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Applied Materials Inc | フォトマスクのプラズマエッチング方法及び装置 |
| US7780790B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-08-24 | Canon Anelva Corporation | Vacuum processing apparatus |
| US7900580B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-03-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| WO2015156542A1 (ko) * | 2014-04-11 | 2015-10-15 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20210019471A (ko) * | 2014-04-11 | 2021-02-22 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3065841A patent/JP2669168B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7900580B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-03-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| US8047158B2 (en) | 2002-04-05 | 2011-11-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| US8261692B2 (en) | 2002-04-05 | 2012-09-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and reaction container |
| JP2008113008A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Applied Materials Inc | フォトマスクのプラズマエッチング方法及び装置 |
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| KR20150118251A (ko) * | 2014-04-11 | 2015-10-22 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| CN106415789A (zh) * | 2014-04-11 | 2017-02-15 | 周星工程股份有限公司 | 气体分配设备与具有该气体分配设备的基板处理设备 |
| TWI658167B (zh) * | 2014-04-11 | 2019-05-01 | Jusung Engineering Co., Ltd. | 氣體分配設備與具有該氣體分配設備的基板處理設備 |
| KR20210019471A (ko) * | 2014-04-11 | 2021-02-22 | 주성엔지니어링(주) | 가스 분사 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11293097B2 (en) | 2014-04-11 | 2022-04-05 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Apparatus for distributing gas and apparatus for processing substrate including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2669168B2 (ja) | 1997-10-27 |
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