JPH0341751A - 半導体装置用容器 - Google Patents
半導体装置用容器Info
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- JPH0341751A JPH0341751A JP17668889A JP17668889A JPH0341751A JP H0341751 A JPH0341751 A JP H0341751A JP 17668889 A JP17668889 A JP 17668889A JP 17668889 A JP17668889 A JP 17668889A JP H0341751 A JPH0341751 A JP H0341751A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用容器に関する。
従来、この種の半導体装置用容器は第5図に示すように
、例えばセラミック材より成る上面が平坦な柱状の半導
体装置用ケースICの底面に外部リード端子2Cがロー
付は材3Cによりロー付けされており、このケースIC
の上面には外部リード端子20に電気的に接続された内
部電極メタライズ4cが構成され、所定の位置に半導体
ペレット5Cがマウントされ、半導体ペレット5Cと内
部電極メタライズ4Cとがボンディング線により接続さ
れている。
、例えばセラミック材より成る上面が平坦な柱状の半導
体装置用ケースICの底面に外部リード端子2Cがロー
付は材3Cによりロー付けされており、このケースIC
の上面には外部リード端子20に電気的に接続された内
部電極メタライズ4cが構成され、所定の位置に半導体
ペレット5Cがマウントされ、半導体ペレット5Cと内
部電極メタライズ4Cとがボンディング線により接続さ
れている。
このケースICのキャップ6cに結合すべき領域9Cに
アルミナ絶縁膜7 cが形成され、半導体ペレット5C
開に凹状キャップ6Cがその領j!!!i9Cに低融点
ガラス封止材8cにより接続される構造になっていた。
アルミナ絶縁膜7 cが形成され、半導体ペレット5C
開に凹状キャップ6Cがその領j!!!i9Cに低融点
ガラス封止材8cにより接続される構造になっていた。
しかしながら、上述した従来の半導体装置用容器は、キ
ャップ6Cとケース1cを封止材8cにて結合する場合
、接続領域9Cからキャップ6cにより容器外部に封止
材8cの一部が押し出され、押し出された封止材8cが
横方向に盛り上がり、突起物11cとなり、また、封止
材8Cの量を少なくすると、ケースICとキャップ6C
の気密性が保てなくなるという問題がある。
ャップ6Cとケース1cを封止材8cにて結合する場合
、接続領域9Cからキャップ6cにより容器外部に封止
材8cの一部が押し出され、押し出された封止材8cが
横方向に盛り上がり、突起物11cとなり、また、封止
材8Cの量を少なくすると、ケースICとキャップ6C
の気密性が保てなくなるという問題がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置用容器を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の半導体装置用容器に対し、本発明は半導
体装置用ケースとキャップとを結合する場合、容器外へ
の封止材の突出を抑制させるという相違点を有する。
体装置用ケースとキャップとを結合する場合、容器外へ
の封止材の突出を抑制させるという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置用容
器は、半導体ペレットを取付けるケースと、半導体ペレ
ットを気密封止するキャップとを備えた半導体装置用容
器において、ケースとキャップとの結合部に、封止材の
拡散を抑制する切欠きを有するものである。
器は、半導体ペレットを取付けるケースと、半導体ペレ
ットを気密封止するキャップとを備えた半導体装置用容
器において、ケースとキャップとの結合部に、封止材の
拡散を抑制する切欠きを有するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
(実施例1)
第1図は本発明の実施例1を示す拡大断面図である。
図において、平坦な六角柱状のセラミックよりなるケー
ス1aの上面中央部にGaAsFETペレット5aが実
装、ボンディングされている。2aは外部リード端子、
3aはリードロー付は材、4aは内部型、極メタライス
、7aは絶縁層、11aはボンディング線接続部であり
、これらの構成は従来と同じである。
ス1aの上面中央部にGaAsFETペレット5aが実
装、ボンディングされている。2aは外部リード端子、
3aはリードロー付は材、4aは内部型、極メタライス
、7aは絶縁層、11aはボンディング線接続部であり
、これらの構成は従来と同じである。
本発明では半導体ペレット5aを被覆するセラミックか
らなるキャップ6aの側壁10aの底部に、ケース1a
とキャップ6aの結合面9aからキャップIIIIJ壁
外面に渡って断面形状がくさび形の切欠き11を設けで
ある。ケース1aとキャップ6aは封止材8aとしての
低融点ガラス材にて結合しである。このくさび形の切欠
き11により結合−面9aより容器外部へ押し出される
封止材8aの縦方向へ拡がる比率を大きくすることがで
きることにより、封止材8aの横方向への盛り上がり(
拡散)を抑制することができる。
らなるキャップ6aの側壁10aの底部に、ケース1a
とキャップ6aの結合面9aからキャップIIIIJ壁
外面に渡って断面形状がくさび形の切欠き11を設けで
ある。ケース1aとキャップ6aは封止材8aとしての
低融点ガラス材にて結合しである。このくさび形の切欠
き11により結合−面9aより容器外部へ押し出される
封止材8aの縦方向へ拡がる比率を大きくすることがで
きることにより、封止材8aの横方向への盛り上がり(
拡散)を抑制することができる。
(実施例2)
第2図は本発明の実施例2を示す拡大断面図である。
本実施例ではキャップ6aのIIII壁10aの底部に
、ケース1aとキャップ6aの結合面9aからキャヅプ
開壁外部面に渡って断面形状が扇形の切欠き12を設け
たものである0本実施例によれば、切欠き12が扇形で
あるため、横方向への盛り上がり(拡散)をより良好に
抑制することができるという利点がある。
、ケース1aとキャップ6aの結合面9aからキャヅプ
開壁外部面に渡って断面形状が扇形の切欠き12を設け
たものである0本実施例によれば、切欠き12が扇形で
あるため、横方向への盛り上がり(拡散)をより良好に
抑制することができるという利点がある。
(実施例3)
第3図は本発明の実施例3を示す拡大断面図である。
本実施例は超高周波用G a A s F E Tにつ
いて適用した例である。
いて適用した例である。
平坦な八角柱状のセラミックより成る半導体装置用ケー
ス1aの上面中央部にGaAsFETペレット5aを搭
載しており、ケース1aの下面にリードロー付は材3a
により外部リード端子2aをロー付けしてあり、外部リ
ード端子2aと内部電極メタライズ4aは電気的に接続
してあり、このペレット5aは内部電極メタライズ4a
にボンディング線により接続しである。
ス1aの上面中央部にGaAsFETペレット5aを搭
載しており、ケース1aの下面にリードロー付は材3a
により外部リード端子2aをロー付けしてあり、外部リ
ード端子2aと内部電極メタライズ4aは電気的に接続
してあり、このペレット5aは内部電極メタライズ4a
にボンディング線により接続しである。
半導体ペレット5aを被覆するキャップ6aの側壁10
aの底部に、ケース1aとキャップ6aとの結合面9a
からキャラ71)If壁内面に渡って断面形状がくさび
形の切欠き11を設けである。
aの底部に、ケース1aとキャップ6aとの結合面9a
からキャラ71)If壁内面に渡って断面形状がくさび
形の切欠き11を設けである。
ケース1aとキャップ6aは封止材8aとして低融点ガ
ラスにて結合しである。くさび形の切欠き11により、
結合面9aより容器内方向へはみ出す封止材8aの縦方
向へ拡がる比率を大きくすることができることにより、
横方向への封止材8aの拡がりを抑制することができる
。
ラスにて結合しである。くさび形の切欠き11により、
結合面9aより容器内方向へはみ出す封止材8aの縦方
向へ拡がる比率を大きくすることができることにより、
横方向への封止材8aの拡がりを抑制することができる
。
(実施例4)
第4図は本発明の実施例4を示す拡大断面図である。
本実施例では、キャップ側壁1(laの底部に、ケース
1aとキャップ6aとの結合面9aからキャップ側壁内
面に渡って断面形状が扇形の切欠き12を設けたもので
ある。
1aとキャップ6aとの結合面9aからキャップ側壁内
面に渡って断面形状が扇形の切欠き12を設けたもので
ある。
以上説明したように本発明はケースとキャップの結合面
から容器内外方向へはみ出す封止材の拡散を抑制するこ
とができ、容器の小型化に伴うボンディング線と内部電
極メタライズとの接続部までの封止材の流れ込みが効果
的に抑制され、半導体装置の不良率の低減、品質を向上
することができる効果を有する。
から容器内外方向へはみ出す封止材の拡散を抑制するこ
とができ、容器の小型化に伴うボンディング線と内部電
極メタライズとの接続部までの封止材の流れ込みが効果
的に抑制され、半導体装置の不良率の低減、品質を向上
することができる効果を有する。
第1図〜第4図は本発明の各実施例を示す拡大断面図、
第5図は従来の半導体装置用容器を示す拡大断面図であ
る。 !a、lc・・・半導体装置用ケース 2a、2c・・・外部リード端子 3a、3c・・・リードロー付は材 4a、4c・・・内部電極メタライズ 5a、5c・・・半導体ペレット 6a、6c・・・キャップ 7a、7c・・・絶縁層 8a、8c・・・封止材 9a、9c・・・結合面 10a、 10c・・・キャップ開型 第1図 第2図 第3図 第4図
第5図は従来の半導体装置用容器を示す拡大断面図であ
る。 !a、lc・・・半導体装置用ケース 2a、2c・・・外部リード端子 3a、3c・・・リードロー付は材 4a、4c・・・内部電極メタライズ 5a、5c・・・半導体ペレット 6a、6c・・・キャップ 7a、7c・・・絶縁層 8a、8c・・・封止材 9a、9c・・・結合面 10a、 10c・・・キャップ開型 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- (1)半導体ペレットを取付けるケースと、半導体ペレ
ットを気密封止するキャップとを備えた半導体装置用容
器において、ケースとキャップとの結合部に、封止材の
拡散を抑制する切欠きを有することを特徴とする半導体
装置用容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17668889A JPH0341751A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体装置用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17668889A JPH0341751A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体装置用容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0341751A true JPH0341751A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16017989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17668889A Pending JPH0341751A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 半導体装置用容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0341751A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05226493A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-09-03 | Nec Corp | ガラス封止型集積回路 |
JP2014150333A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
WO2019093269A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 蓋体および電子装置 |
WO2019116783A1 (ja) * | 2017-12-11 | 2019-06-20 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP17668889A patent/JPH0341751A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05226493A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-09-03 | Nec Corp | ガラス封止型集積回路 |
JP2014150333A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Kyocera Corp | 圧電部品 |
WO2019093269A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 蓋体および電子装置 |
WO2019116783A1 (ja) * | 2017-12-11 | 2019-06-20 | 株式会社ブリヂストン | タイヤ |
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