JPH0338101A - 高周波同軸共振器 - Google Patents
高周波同軸共振器Info
- Publication number
- JPH0338101A JPH0338101A JP1173263A JP17326389A JPH0338101A JP H0338101 A JPH0338101 A JP H0338101A JP 1173263 A JP1173263 A JP 1173263A JP 17326389 A JP17326389 A JP 17326389A JP H0338101 A JPH0338101 A JP H0338101A
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- JP
- Japan
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- conductor
- outer conductor
- frequency coaxial
- coaxial resonator
- cylindrical dielectric
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Links
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- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 4
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- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/04—Coaxial resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、貫通孔を有する筒状誘電体の内周面に内導体
を形成し、外周面に外導体を形成してなる高周波同軸共
振器に関する。
を形成し、外周面に外導体を形成してなる高周波同軸共
振器に関する。
（従来の技術）
従来、この種の高周波同軸共振器は、第９図および第１
Ｏ図に示すように構成されている。第９図に示す高周波
同軸共振器３０は、貫通孔３１を有する筒状誘電体３２
の内周面に内導体３３を形成するとともに、外周面に外
導体３４を形威し、この内導体３３と外導体３４とを一
方の端面に形成した端面導体３５により短絡したもので
、４分のｌ波長の高周波同軸共振器を構成するものであ
る。
Ｏ図に示すように構成されている。第９図に示す高周波
同軸共振器３０は、貫通孔３１を有する筒状誘電体３２
の内周面に内導体３３を形成するとともに、外周面に外
導体３４を形威し、この内導体３３と外導体３４とを一
方の端面に形成した端面導体３５により短絡したもので
、４分のｌ波長の高周波同軸共振器を構成するものであ
る。
また、第１Ｏ図に示す高周波同軸共振器３６は、貫通孔
３７を有する筒状誘電体３８の内周面に内導体３９を形
成するとともに、外周面に外導体４０を形成したもので
、２分の１波長の高周波同軸共振器を構成するものであ
る。
３７を有する筒状誘電体３８の内周面に内導体３９を形
成するとともに、外周面に外導体４０を形成したもので
、２分の１波長の高周波同軸共振器を構成するものであ
る。
これらの高周波同軸共振器３０．３６は、等価的にいず
れもＬＣ並列共振回路が形成されたもので、内導体３３
．３９を貫通孔３１．３７内に挿入された中心導体（図
示していない）を介して回路基板上の信号パターンに接
続し、外導体３４．４０を回路基板上のアースランドに
接続するようにして用いられるものである。
れもＬＣ並列共振回路が形成されたもので、内導体３３
．３９を貫通孔３１．３７内に挿入された中心導体（図
示していない）を介して回路基板上の信号パターンに接
続し、外導体３４．４０を回路基板上のアースランドに
接続するようにして用いられるものである。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、上記のように構成された高周波同軸共振器３
０．３６は一方あるいは両方の端面が誘電体が露出した
開放状になっているため、高周波同軸共振器３０．３６
に近接して外部回路が構成されていると、その開放端面
と外部回路との間で不要な干渉が生じる。そのため、高
周波同軸共振器３０．３６と外部回路との間に適当な距
離をとる必要かあり、回路基板の高密度実装に支障が生
じるという問題があった。
０．３６は一方あるいは両方の端面が誘電体が露出した
開放状になっているため、高周波同軸共振器３０．３６
に近接して外部回路が構成されていると、その開放端面
と外部回路との間で不要な干渉が生じる。そのため、高
周波同軸共振器３０．３６と外部回路との間に適当な距
離をとる必要かあり、回路基板の高密度実装に支障が生
じるという問題があった。
また、上記のように構成された高周波同軸共振器３０．
３６は、その製造過程において共振周波数にバラツキか
生じるため、あらかじめ筒状誘電体３２．３８の長さを
所定の寸法よりも長めに形成して所定の共振周波数より
も低くなるようにしておき、あとでその端面を研磨する
等して長さを短くすることにより共振周波数を高くして
所定の共振周波数になるようにしたものであった。その
ため、共振周波数の調節作業がきわめて煩雑になるとい
う問題があった。
３６は、その製造過程において共振周波数にバラツキか
生じるため、あらかじめ筒状誘電体３２．３８の長さを
所定の寸法よりも長めに形成して所定の共振周波数より
も低くなるようにしておき、あとでその端面を研磨する
等して長さを短くすることにより共振周波数を高くして
所定の共振周波数になるようにしたものであった。その
ため、共振周波数の調節作業がきわめて煩雑になるとい
う問題があった。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであっ
て、回路基板の高密度実装が可能になるとと乙に、共振
周波数の調節作業か容易な高周波同軸ｊ（振器を提供す
ることを目的としている。
て、回路基板の高密度実装が可能になるとと乙に、共振
周波数の調節作業か容易な高周波同軸ｊ（振器を提供す
ることを目的としている。
（課題を解決ケるための手段）
この上うな１］的を達成するために、本発明の高周波同
軸共振３斃においては、筒状誘電体の一方あるい（よ両
方の端面に少なくとも外導体を延長して設（上ることに
よって外導体と外導体とを所定の間隙をおいて近接させ
、その内導体と外導体との間に静和容ＩＡを形成するよ
うにしたことを特徴としている。
軸共振３斃においては、筒状誘電体の一方あるい（よ両
方の端面に少なくとも外導体を延長して設（上ることに
よって外導体と外導体とを所定の間隙をおいて近接させ
、その内導体と外導体との間に静和容ＩＡを形成するよ
うにしたことを特徴としている。
（作用）
筒状、誘電体の少なくとら一方の端面がアース屯（立と
なる外導体により覆イっれているため、その外Ｊり体で
覆われた端面と外部回路との間の干渉が生しにくくなる
。また、筒状誘電体の端面における外導体と外導体との
間に形成される静電容量は、その静電容量が形成されて
いない場合の等節約ＬＣ並列共振回路の静電容量に並列
に接続されたものとなり、高周波同軸共振器の共振周波
数を低くする。そのため、筒状誘電体の長さを所定の寸
広よりも短めに形成して所定の共振周波数よりも高くな
るようにしておき、その端面における内導体と外導体と
の間隙幅を調節してそこに形成される静電容量を適当な
値に設定することにより、高周波同軸共振器の共振周波
数を所定の値に調節ずろことができる。
なる外導体により覆イっれているため、その外Ｊり体で
覆われた端面と外部回路との間の干渉が生しにくくなる
。また、筒状誘電体の端面における外導体と外導体との
間に形成される静電容量は、その静電容量が形成されて
いない場合の等節約ＬＣ並列共振回路の静電容量に並列
に接続されたものとなり、高周波同軸共振器の共振周波
数を低くする。そのため、筒状誘電体の長さを所定の寸
広よりも短めに形成して所定の共振周波数よりも高くな
るようにしておき、その端面における内導体と外導体と
の間隙幅を調節してそこに形成される静電容量を適当な
値に設定することにより、高周波同軸共振器の共振周波
数を所定の値に調節ずろことができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例に係る高周波同軸共振器の断面
図、第２図はその高周波同軸共振器を縮小して示す外観
斜視図である。これらの図において、高周波同軸共振器
ｌは、筒状誘電体２を備えている。この筒状誘電体２は
、その軸心方向中央部に貫通孔３を有し、内周面４、外
周層５および軸心方向に対向する一対の端面６，７を備
えている。また、その筒状誘電体２はその長さが従来の
ものよりら短く形成されて所定の共振周波数よりも高く
なるようにｔＭ成されている。
図、第２図はその高周波同軸共振器を縮小して示す外観
斜視図である。これらの図において、高周波同軸共振器
ｌは、筒状誘電体２を備えている。この筒状誘電体２は
、その軸心方向中央部に貫通孔３を有し、内周面４、外
周層５および軸心方向に対向する一対の端面６，７を備
えている。また、その筒状誘電体２はその長さが従来の
ものよりら短く形成されて所定の共振周波数よりも高く
なるようにｔＭ成されている。
この筒状誘電体２の内周面４にはその全域に内−４体８
が、外周層５にはその全域に外導体９かそれぞれ形成さ
れているとともに、それの一方の端面６にはその全域に
端面導体ｌＯか形成され、内導体８と外導体９とがその
端面において短絡されて・１分の１波長の高周波同軸共
振器が構成されている。
が、外周層５にはその全域に外導体９かそれぞれ形成さ
れているとともに、それの一方の端面６にはその全域に
端面導体ｌＯか形成され、内導体８と外導体９とがその
端面において短絡されて・１分の１波長の高周波同軸共
振器が構成されている。
また、他方の端面７には外導体９が内導体８に近接する
位置にまで延長して形成され、その端面７における内導
体８と外導体９との間に静電容ｊｌが形成されるように
なっている。この静電容量は、高周波同軸共振３１の共
振周波数が低くなるように作用する。したがって、筒状
誘電体２が従来のらのよりも短く形成されて共振周波数
が高くなるようになっていても、内導体８と外導体９と
の端面７における間隙幅を調節して静電容量を所定の値
に設定することにより、高周波同軸共振器ｌの共振周波
数を所定の値に調節することができる。
位置にまで延長して形成され、その端面７における内導
体８と外導体９との間に静電容ｊｌが形成されるように
なっている。この静電容量は、高周波同軸共振３１の共
振周波数が低くなるように作用する。したがって、筒状
誘電体２が従来のらのよりも短く形成されて共振周波数
が高くなるようになっていても、内導体８と外導体９と
の端面７における間隙幅を調節して静電容量を所定の値
に設定することにより、高周波同軸共振器ｌの共振周波
数を所定の値に調節することができる。
この内導体８と外導体９との間隙幅の調節は、例えば第
３図に示すように、略全域に外導体９を延長して形成し
た端面７側の貫通孔３部分に円すい状の回転している切
削治具１１をあてかい、筒状誘電体２の内周面側角部を
切削するようにすればよい。
３図に示すように、略全域に外導体９を延長して形成し
た端面７側の貫通孔３部分に円すい状の回転している切
削治具１１をあてかい、筒状誘電体２の内周面側角部を
切削するようにすればよい。
なお、筒状誘電体２の他方の端面７において、内導体８
と外導体９との間に静電容量を形成するには、第４図に
示すように内導体８と外導体９の両方を端面７に延長し
て形成するようにしてらよし）。この場合であ−）でら
、外導体９か端面７の一部を）頁っているため、外部回
路との干渉は生じに＜＜１．ヱ る 。
と外導体９との間に静電容量を形成するには、第４図に
示すように内導体８と外導体９の両方を端面７に延長し
て形成するようにしてらよし）。この場合であ−）でら
、外導体９か端面７の一部を）頁っているため、外部回
路との干渉は生じに＜＜１．ヱ る 。
また、上記の実施例は４分の１波長の高周波同軸共振器
に関するしのであるか、２分の１波長の高周波同軸共振
器の場合であっても同様に構成することかできる。第５
図）よこの２分のｌ波長の高周波同軸共振器Ｉ２を示し
ている。この高周波同軸共振器１２は、筒状誘電体１３
を備えている。
に関するしのであるか、２分の１波長の高周波同軸共振
器の場合であっても同様に構成することかできる。第５
図）よこの２分のｌ波長の高周波同軸共振器Ｉ２を示し
ている。この高周波同軸共振器１２は、筒状誘電体１３
を備えている。
この筒状誘電体１３はその軸心方向中央部に貫通孔１４
を有し、内周面１５、外周面１６および軸心方向に対向
する一対の端面１７．１８を備えている。また、その長
さか従来のものよりも短く形成されて所定の共振周波数
よりも高くなるようになっている。
を有し、内周面１５、外周面１６および軸心方向に対向
する一対の端面１７．１８を備えている。また、その長
さか従来のものよりも短く形成されて所定の共振周波数
よりも高くなるようになっている。
この筒状誘電体１３の内周面１５にはその全域に内導体
Ｉ９が形成され、外周面１６にはその全域に外導体２０
か形成されている。一方の端面１７は誘電体が露出した
開放状になっている。他方の端面１８には外導体２０が
内導体１９に近接する位置にまで延長して形成され、そ
の端面１８における内導体１９と外導体２０との間に静
電容量が形成されるようになっている。この静電容量は
、上記の実施例と同様に内導体１９と外導体２０との端
面１８における間隙幅を調節することによって所定の値
に設定され、高周波同軸共振器１２が所定の共振周波数
を有するようになっている。
Ｉ９が形成され、外周面１６にはその全域に外導体２０
か形成されている。一方の端面１７は誘電体が露出した
開放状になっている。他方の端面１８には外導体２０が
内導体１９に近接する位置にまで延長して形成され、そ
の端面１８における内導体１９と外導体２０との間に静
電容量が形成されるようになっている。この静電容量は
、上記の実施例と同様に内導体１９と外導体２０との端
面１８における間隙幅を調節することによって所定の値
に設定され、高周波同軸共振器１２が所定の共振周波数
を有するようになっている。
この高周波同軸共振器ｌ・２は、第６図に示すように内
導体１９と外導体２０との両方を端面１８に延長して設
け、それらの間に静電容量を形成して構成するようにし
てもよい。また、この２分の１波長の高周波同軸共振２
ｇ１２の場合には、第７図および第８図に示すように、
第５図および第６図に示す筒状誘電体１３の開放状の一
方の端面１７に他方の端面！８と同様に外導体２０わよ
び内導体１９と外導体２０とをそれぞれ延長して形成す
るようにしたものとすることしてきる。
導体１９と外導体２０との両方を端面１８に延長して設
け、それらの間に静電容量を形成して構成するようにし
てもよい。また、この２分の１波長の高周波同軸共振２
ｇ１２の場合には、第７図および第８図に示すように、
第５図および第６図に示す筒状誘電体１３の開放状の一
方の端面１７に他方の端面！８と同様に外導体２０わよ
び内導体１９と外導体２０とをそれぞれ延長して形成す
るようにしたものとすることしてきる。
なお、上記のいずれの実施例においても、内導体８，１
９、外導体９，２０、端面４体１０は、通常はＡｇ 、
Ａｇ−Ｐｄ等の導体ペーストを塗布して焼き付けること
により形成されるか、メツキ専の他の手段で形成するこ
とら可能である。また、筒状式てＨ体２．１３＋よ、円
筒状、ｒＴ１筒状等任数の形状にすることかできろ。
９、外導体９，２０、端面４体１０は、通常はＡｇ 、
Ａｇ−Ｐｄ等の導体ペーストを塗布して焼き付けること
により形成されるか、メツキ専の他の手段で形成するこ
とら可能である。また、筒状式てＨ体２．１３＋よ、円
筒状、ｒＴ１筒状等任数の形状にすることかできろ。
（発明の効果）
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
筒状誘電体の一方あるいは両方の端面に少なくとも外導
体を延長して設けたことから、外部回路との干渉が生じ
にくくなり、外部回路との距離を必要以上にとる必要が
なくなって回路基板の高密度実装が可能になる。
筒状誘電体の一方あるいは両方の端面に少なくとも外導
体を延長して設けたことから、外部回路との干渉が生じ
にくくなり、外部回路との距離を必要以上にとる必要が
なくなって回路基板の高密度実装が可能になる。
また、本発明によれば、筒状誘電体の一方あるいは両方
の端面に少なくとも外導体を延長して設置することによ
って内導体と外導体とを所定の間隙をおいてＬ接させ、
その内導体と外導体との間に静電容量を形成するように
したことにより、内導体と外導体との間隙幅を調節して
そこに形成される静電容量値を調節するたけて共振周波
数の調節かできるようになり、従来のように筒状誘電体
の全反寸法を調節する必要がなく、その調節作業が容易
となる。また、その静電容量は共振周波数を低くするよ
うに作用するものであることから、筒状誘電体の長さを
共振周波数が高くなるように短くしておく必要があり、
その結果、形状の小型化が可能となる。さらには、静電
容量で共振周波数を調節できることから、同じ寸法の筒
状誘電体で異むる共振周波数の高周波同軸共振器を供給
することができるようになる。
の端面に少なくとも外導体を延長して設置することによ
って内導体と外導体とを所定の間隙をおいてＬ接させ、
その内導体と外導体との間に静電容量を形成するように
したことにより、内導体と外導体との間隙幅を調節して
そこに形成される静電容量値を調節するたけて共振周波
数の調節かできるようになり、従来のように筒状誘電体
の全反寸法を調節する必要がなく、その調節作業が容易
となる。また、その静電容量は共振周波数を低くするよ
うに作用するものであることから、筒状誘電体の長さを
共振周波数が高くなるように短くしておく必要があり、
その結果、形状の小型化が可能となる。さらには、静電
容量で共振周波数を調節できることから、同じ寸法の筒
状誘電体で異むる共振周波数の高周波同軸共振器を供給
することができるようになる。
第１図は本発明の実施例に係る高周波同軸共振器の断面
図、第２図はその外観斜視図、第３図は内導体と外導体
との間隙幅の調節手段を説明するための図、第４図〜第
８図は本発明の他の実施例に係る高周波同軸共振器の断
面図、第９図および第１０図は従来例の高周波同軸共振
器の断面図である。 １．１２・・・高周波同軸共振器、２．１３・・・筒状
誘電体、３．１４・・・貫通孔、４，１５・・・内周面
、５゜１６・・・外周面、６，７．１７．１８・・・端
面、８」９・・・内導体、９．２０・・・外導体。
図、第２図はその外観斜視図、第３図は内導体と外導体
との間隙幅の調節手段を説明するための図、第４図〜第
８図は本発明の他の実施例に係る高周波同軸共振器の断
面図、第９図および第１０図は従来例の高周波同軸共振
器の断面図である。 １．１２・・・高周波同軸共振器、２．１３・・・筒状
誘電体、３．１４・・・貫通孔、４，１５・・・内周面
、５゜１６・・・外周面、６，７．１７．１８・・・端
面、８」９・・・内導体、９．２０・・・外導体。
Claims (1)
- （１）内周面と外周面と軸心方向に対向する一対の端面
とを備えた、貫通孔を有する筒状誘電体と、その内周面
に形成された内導体と、その外周面に形成された外導体
とを少なくとも含んでなる高周波同軸共振器であって、 その筒状誘電体の一方あるいは両方の端面に少なくとも
外導体を延長して設けることによって内導体と外導体と
を所定の間げきをおいて近接させ、その内導体と外導体
との間に静電容量を形成するようにしたことを特徴とす
る高周波同軸共振器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173263A JPH0338101A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 高周波同軸共振器 |
| US07/547,919 US5175520A (en) | 1989-07-04 | 1990-07-03 | High frequency coaxial resonator |
| GB9014841A GB2233832B (en) | 1989-07-04 | 1990-07-04 | A high-frequency coaxial resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173263A JPH0338101A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 高周波同軸共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338101A true JPH0338101A (ja) | 1991-02-19 |
Family
ID=15957207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1173263A Pending JPH0338101A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 高周波同軸共振器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5175520A (ja) |
| JP (1) | JPH0338101A (ja) |
| GB (1) | GB2233832B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3293200B2 (ja) * | 1992-04-03 | 2002-06-17 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器 |
| DE4319242A1 (de) * | 1993-06-09 | 1994-12-15 | Siemens Matsushita Components | Keramikresonator für Mikrowellen-Keramikfilter |
| JP3254866B2 (ja) * | 1993-12-21 | 2002-02-12 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器およびその製造方法 |
| US5684439A (en) * | 1995-10-10 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Half wave ceramic filter with open circuit at both ends |
| US5828275A (en) * | 1996-02-20 | 1998-10-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric filter including an adjusted inner electrode and a coupling electrode being level with an open end of a molded member |
| GB9620053D0 (en) * | 1996-09-26 | 1996-11-13 | Rolls Royce Plc | Method and apparatus for measurement |
| US6326854B1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-12-04 | Nortel Networks Limited | Coaxial resonator and oscillation circuits featuring coaxial resonators |
| US6297704B1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-10-02 | Nortel Networks Corporation | Oscillation circuits featuring coaxial resonators |
| US20030119457A1 (en) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Standke Randolph E. | Filter technique for increasing antenna isolation in portable communication devices |
Citations (1)
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Also Published As
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