JPH0334537A

JPH0334537A - ３―ｖ族化合物半導体素子の製造方法

Info

Publication number: JPH0334537A
Application number: JP1169647A
Authority: JP
Inventors: Gokou Hatano; 波多野　吾紅; Toshihide Izumitani; 敏英泉谷; Yasuo Oba; 康夫大場
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-06-30
Filing date: 1989-06-30
Publication date: 1991-02-14
Anticipated expiration: 2013-07-09
Also published as: JP2774582B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、■−ｖ族化合物半導体素子の製造方法に係り
、より具体的には、マグネシウムでドープされたｐ型■
−ｖ族化合物半導体層を有機金合物半導体素子の製造方
法に関する。

（従来の技術）有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりｐ型■−Ｖ族
化合物半導体を作る場合、ｐ型ドーパントとして、通常
、亜鉛が用いられている。亜鉛は、ＧａＡｓ用のドーパ
ントとしては、はぼ良好なドーピング特性を示すもので
あるが、ＩｎＰ。

ＧａｌｎＡＩＰ等リンを含む■−ｖ族化合物半導体用の
ドーパントとして使用する場合には、取り込まれ率が低
いばかりでなく、活性化率も低い。

その上、拡散速度が速すぎ、制御性にも劣っている。

そこで、亜鉛に代わるｐ型ドーパントとして、ベリリウ
ムやマグネシウムを使用することが試みられている。し
かしながら、ベリリウムは、分子線エピタキシャル成長
法においては、ｐ型ドーパントとして良好な特性を示す
ものの、その有機化合物は、強い毒性を示すために、Ｍ
ＯＣＶＤ法への適用は、回避しなければならない。

マグネシウムの有機化合物は、有機ベリリウム化合物の
ような毒性の問題は少ない。そのような有機マグネシウ
ムとして、ジメチルマグネシウム、ジエチルマグネシウ
ム等のアルキルマグネシウム化合物が考えられるが、こ
れらアルキルマグネシウム化合物は、自己会合性が非常
に強＜、ＭＯＣＶＤ法に必要な有効な蒸気圧を持たない
。また、比較的蒸気圧の高いシクロペンタ環を有するビ
゛スジクロペンタジェニルマグネシウム（Ｃ１）２Ｍｇ
）が用いられているが、装置内に残留するメモリー効果
（反応管に付着したドープ源が以降の処理中に再び反応
系に入り込む）のために、ドーピングの制御が非常に困
難であり、素子に通常要求される０６１μｍ内での３桁
以上の濃度変化を実現するような急峻性は確保できない
。さらに、蒸気圧を高めるために、シクロペンタ環にメ
チル基を導入したビスメチルシクロペンタジェニルマグ
ネシウム（（ＣＨ３）　２　Ｃｐ２　Ｍｇ）　ヲ用イｔ
：ｆｌｌｌｂするが、濃度変化の充分な急峻性は得られ
ていない。

（発明が解決しようとする：［）以上述ヘタように、従来使用されていたマグネシウムの
ドープ源は、メモリー効果が高く、急峻なドーピングが
困難であった。

従って、本発明は、自己会合性が弱く、メモリー効果の
ない有機マグネシウム化合物をマグネシウムドープ源と
して用いることによって、有機金属気相成長法により制
御性に優れたｐ型ドーピングをおこなうことができる■
−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法を提供することを目
的とする。

［発明の構成〕（課題を解決するための手段）本発明による■−ｖ族化合物半導体素子の製造方法は、
マグネシウムでドープされたｐ型■−Ｖ族化合物半導体
層を有機金属気相成長により形成するに際し、マグネシ
ウムのドープ源として、（ｉ）２個以上の炭素原子を有
するアルキル基がシクロペンタ環当り１個置換したシク
ロペンタ環を有する有機マグネシウム化合物、または（
ｉ　ｉ）アルキル基がシクロペンタ環当り２個以上置換
したシクロペンタ環を有する有機マグネシウム化合物を
用いることを特徴とする。

（作用）本発明者らが種々の有機マグネシウム化合物についてお
こなった研究によれば、ＣＩ）２　Ｍｇのメモリー効果
は、有機マグネシウム化合物に共通の本質的な問題では
ないことが多くの有機マグネシウム化合物を用いたドー
ピングにより確認された。なかでも、（１）２個以上の
炭素原子を有するアルキル基がシクロペンタ環当り１個
置換したシクロペンタ環を有する有機マグネシウム化合
物、または（ｉ　ｉ）アルキル基がシクロペンタ環当り
２個以上置換したシクロペンタ環を有する有機マグネシ
ウム化合物は、メモリー効果が確認されず、良好なドー
ピング特性を示した。

ＣｐｚＭｇのメモリー効果は、反応管壁への吸着に起因
するものと考えられるが、上記２種の有機マグネシウム
化合物のアルキル置換基による分子の立体効果を利用し
て、反応管壁への吸着が抑制され、メモリー効果が回避
される。

かくして、本発明では、マグネシウムでドープされたｐ
型■−ｖ故事導体層を形成する際に、マグネシウムのド
ープ源として、（ｉ）２個以上の炭素原子を有するアル
キル基がシクロペンタ環当り１個置換したシクロペンタ
環を有する有機マグネシウム化合物、または（ｉ　ｉ）
アルキル基がシクロペンタ環当り２個以上置換したシク
ロペンタ環を有する有機マグネシウム化合物を用いるこ
とにより、急峻なドーピングを再現性よくおこなうこと
ができる。

（実施例）以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。

第１図は、本発明の■−ｖ族化合−物半導体装置を製造
するために使用されるマルチチャンバ方式のＭ　ＯＣＶ
　Ｄ装置を示している。この装置は、石英製の反応管１
１．１２および１３を有し、それぞれの上部に位置する
ガス導入口から必要な原料ガスが取り入れ・られる。こ
れら反応管１１．１２および１３は一つのチャンバ１４
にその上蓋を貫通して垂直に取り付けられている。基板
１５は、グラファイト製サセプタ１６上に設置され、各
反応管１１．１２．１３の開口に対向するように配置さ
れて外部の高周波コイル１７により高温に加熱される。

サセプタ１６は、石英製ホルダ１８に取り付けられ、磁
性流体シールを介した駆動軸１つにより各反応管１１．
１２．１３の下を例えば０．１秒程度の高速度で移動で
きるようになっている。駆動は、外部に設置したコンピ
ュータ制御されたモータによりおこなわれる。サセプタ
１６の中央部には、熱電対２０が置かれ、基板直下の温
度をモニタする。そのコード部分は、回転による捩れを
防止するためにスリップリングが用いられている。反応
ガスは、上部噴出口２１からの水素ガスのダウンフロー
の速い流れにより押し出され、互いの混合が極力抑制さ
れて排気口２２からロータリーポンプにより排気される
。

このようなＭＯＣＶＤ装置を用いることにより、各反応
管１１．１２．１３を通して所望の原料ガスを流し、基
板１５をコンピュータ制御されたモータで移動させるこ
とにより、任意の積層周期、任意の組成をもって多層構
造を基板１５上に作製することができる。この方式では
、ガス切り換え方式では得られない鋭い濃度変化が容易
に実現できる。また、この方式では、急峻なヘテロ界面
を作るために反応ガスを高速で切り換える必要がないた
め、原料ガスであるＮＨ３やＰＨ，の分解速度が遅いと
いう問題をガス流速を低く設定することにより解決する
ことができる。

さて、この第１図に示すＭＯＣＶＤ装置を用い、第２図
ないし第８図に示す■−Ｖ族化合物半導体素子を作製し
た。用いた原料は、■族金属の有機化合物としてトリメ
チルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡ）、トリエチルホウ素（ＴＥＢ）、）リメチルイン
ジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族水素化物としてホスフィ
ン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）、アンモニア（Ｎ
Ｈ３）を使用し、ドープ源としてはシラン（ＳｉＨ４）
、およびマグネシウムドープ源として、（ｉ−Ｃ３ＨＢ
　）２　Ｃｐ２　Ｍｇまたは（（ＣＨ３）２　Ｃｐ）２
　Ｍｇを使用した。

第２図は、上記方法により、基板温度７５０℃、反応管
内圧力２５　Ｔｏｒｒ、成長速度３μｍ／時、反応管内
流速７０ｃｍ／秒で作製した■−Ｖ族化合物半導体素子
の概略断面図である。この素子は、ｐ型ＧａＡｓ基板（
１ｘ　１０１９ｃ　ｍ−３）を有し、その上に、ｐ型Ｇ
ａＡｓバッファ層３２　（０，５μｍ、１ｘ１０１８ａ
ｍ−３）　、ｐ型Ｉ　ｎ　Ｏ，ｒ　（Ｇ　ａ　ｌ−、Ｋ
ＡＩＸ）０．Ｓ２層３３　（１μｍ、１ｘｌＯ１８ｃｍ
−３）ｎ型１　ｎａ＠（Ｇ　ａ、−％　Ａ　Ｉ　Ｘ　）
。、Ｓ−Ｐ層３４（１μｍ１１ｘｌＯ１７ｃｍ−３）が
形成され、層３４の上に、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層３
５　（２μｍ、１ｘ１０１７　ｃｍ　−３）が形成され
ている。素子両面にはそれぞれオーミック電極３６およ
び３７が形成されている。これらオーミック電極は、電
源３８に接続されるものである。

得られたウェハをへき開し、ダイオードを作製したとこ
ろ、アイデイアリティーファクターは１にほど近く、良
好なＩ−Ｖ特性を示した。また、ｐｎ接合界面付近のＭ
ｇのＳＩＭＳ分析をおこなったところ、９層中では一定
濃度であり、ｎ層への拡散はみられず、接合界面では１
００人中に１０３以上の急峻な濃度変化が見られた。キ
ャリア濃度は、９層中で１　ｘ　１０１８の一定値が確
保できた。

第３図は、本発明の方法によって製造された半導体レー
ザ装置の概略構造を示す断面図である。

このレーザ装置は、ｎ型ＧａＡｓ基板４１を有し、この
基板４１上には、ｎ型ＧａＡｓバッファ層４２およびｎ
型１ｎＧａＰバッファ層４３が形成されている。バッフ
ァ層５３上には、ｎ型１　ｎＧａＡＩＰ系クラッド層４
４、Ｉ　ｎＧａＰ活性層４５、およびｐ型１ｎＧａＡＩ
Ｐ系りラッド層４６．４７．４８からなるダブルへテロ
接合構造部が形成されている。ここで、クラッド層４７
は、低Ａｔ組成であり、エツチング停止層として作用す
る。

また、クラッド層４８は、ストライプ状に加工されてお
り、これによりｐ型りラッド層にストライプ状リブが形
成されている。クラッド層４８上には、ｐ型１ｎＧａＡ
ＩＰ系中間バンドギャップ層４９が形成されている。ダ
ブルへテロ接合部の側面には、ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層
５１が形成され、その上には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層５２が形成されている。さらに、コンタクト層５２の
上面に金属電極５３が被着形成され、基板４１の下面に
金Ｆ［極５４が被着形成されている。この構造では、電
流狭搾は、中間バンドギャップ層４９と電流阻止層５１
によりおこなわれ、先導波は、ストライプ状のメサに形
成されたクラッド層４８によりおこなわれる。

こうして得られたウェハをへき関して共振器長２５０μ
ｍのレーザ素子を作製したところ、しきい値電＊４０ｍ
Ａ、微分量子効率片面当り２０％と良好な特性が得られ
た。光出力は、駆動電流にしたがって１０ｍＷ以上まで
直線的に増大し、キンクのない良好な電流−光出力特性
を示した。また遠視野像、近視野像ともに単峰であり、
良好なモード制御が行なわれていることが分かった。動
作電圧は２．１ｖと低く、さらに、１００００時間とい
うきわめて長寿命が得られた。このように、良好なドー
ピングを制御性よく行なうことにより、低しきい値、高
出力および高信頼性を同時に達成するような半導体レー
ザを再現性よく得ることができた。

第４図は、上記と同様、本発明の方法によって得た半導
体レーザ装置の断面図であり、電流狭搾をｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層５０により行なっている点が第３図のレー
ザ装置具なっている。

また、本発明の方法によって第５図に示す構造のレーザ
装置も同様に製造できる。

第６図ないし第８図は、本発明の方法により製造された
他の化合物半導体素子の断面図を示すものである。これ
ら素子はＧａＡ　ＩＢＮＰ系材料系材酸されている。こ
れら素子を作製するために、基板温度８５０ないし１１
５０℃、圧力０．３気圧、原料ガスの総流量１リットル
／分、成長速度１μｍ／時となるようにガス流量を調整
した。具体的な各原料ガスの流量は、ＴＥＢ１ｘｌＯ＝
モル／分、ＴＭＡ５ｘｌＯ−’モル／分、ＴＭＧ　５　
ｘｌｏ−７モル／分、ホスフィン５ｘｌＯ−４モル／分
、アンモニア１ｘｌＯ−３モル／分であった。なお、Ｇ
ａＡＩＮ／ＢＰ超格子層を作製する際の代表的な積層周
期は２０人、窒化物層とホウ化物層の暑さの比は１：１
であり、以下の実施例では、特段の指摘がない限り、こ
の値に設定した。これ以外の値でも実施できるが、発光
層のＢＰに対するＧａＡＩＮの層厚の比が１より小さく
なると、バンド構造が直接遷移型から間接遷移型に変化
し、発光効率が低下する。また、積層周期についても上
記値に限るものではないが、５０入を越えると、電子、
正孔の局在が顕著になり、導電性が低下するので、５０
λ以下の周期に設定することが望ましい。

さて、第６図には、別の半導体レーザ装置の断面が示さ
れている。このレーザ装置は、ｎ型ＧａＰ基板７１を有
し、その上に、ｎ型ＧａＰバッファ層７２、ｎ型ＢＰバ
ッファ層７３が形成されている。バッファ層７３上には
ｎ型ＧａＸＡ１１−ｘＮ／ＢＰ多層膜クラッド層７４、
アンドープＧａｘＡｌ、ＸＮ／ＢＰ多層膜活性層７５、
およびｐ型Ｇａ　Ｘ　Ａ　１１−Ｘ　Ｎ　／　Ｂ　Ｐ多
層クラッド層７６からなるダブルへテロ接合部が形成さ
れている。なお、クラッド層７６上にはその中央部にス
トライプ状部を残すようにｎ型ＢＰ電流阻止層７７が形
成されている。電流阻止層７７上およびクラッド層７６
のストライプ状露出面を覆ってｐＦ！：！ＢＰコンタク
ト層７８が形成されている。さらに、コンタクト層７８
の上面には金属電極７９が、および基板７１の下面には
金属電極８０が、それぞれ被着形成されている。この構
造では、コンタクト層７８の下方凸部の周辺に電流阻止
層７７を形成しているので、電流狭搾及び先導波が自己
整合的に実現できる。

さて、第６図のレーザ装置は、次のように製造する。第
１図のＭＯＣＶＤ装置を用いて、前述の条件で、まず、
ｎ型ＧａＰ基板７１（Ｓｉドープ、ｌＸ１０１８ｃｍ−
３）上に、ｎ型ＧａＰバ・ソファ層７２（Ｓｔ　　ドー
プ、１ｘｌＯ１８ｃｍ−３１μｍ）、ｎ型ＢＰバッファ
層７３（Ｓｉドープ、ｌＸ１０１７ｃｍ−３１μｍ）、
ｎ型Ｇ　ａ、、、Ａ　Ｉ、、６Ｎ　／　Ｂ　Ｐ多層膜ク
ラッド層７４（Ｓｉドープ、Ｉ　Ｘ　Ｉ　Ｑ　１８ｃ　
ｍ−３１ｕ　ｍ　）　、アンドープＧ　ａ　ｏ、ｑ　Ａ
　Ｉ　Ｏ，ｇ　Ｎ　／ＢＰ多層活性層７５　（０，１μ
ｍ）　、およびｐ型Ｇ　ａ　ｏ、４　Ａ　ｌ　ａ、　６
　Ｎ　／　Ｂ　Ｐ多層膜クラッド層７６（Ｍｇドープ、
ｌＸ１０１８ｃｍ−３１μｍ）のダブルへテロウェハを
成長させた。続いて、クラッド層７６上に、シランガス
の熱分解および写真蝕刻により、幅５μｍのストライブ
状に５ｔ０２膜マスクを形成し、ｎ型ＢＰ電流阻止層７
７（Ｓｉドープ、１ｘｌＯ１８ｃｍ−３１μｍ）をクラ
ッド層７６の上面のみにＭＯＣＶＤ法により選択成長さ
せた後、５ｉ０２膜を除去した。ついで、電流阻止層７
７上およびストライブ状に残されたクラッド層７６上に
ｐ型ＢＰコンタクト層７８（Ｍｇドープ、１ｘ１０１８
ｃｍ−３１μｍ）を成長させｔ二。

その後、通常の電極取り付は方法により、コンタクＩ・
Ｋｆｔ　７８上にＡ　ｕ　／　Ｚ　ｎ電極７つを、そし
て基板７１の下面にＡ　ｕ　／　Ｇ　ｅ電極８０を被着
形成することによって第６図の構造のレーザ用ウェハを
得た。

得られたウェハをへき開して共振器長３００μｍのレー
ザ素子を作製したところ、液体窒素温度で、パルス幅１
００μ秒のパルス動作にて緑色光レーザ発振を確認した
。その際、しきい値電流密度は、約５０ｋＡ／ｃｍ２を
示した。また、１００時間以上安定に動作した。

第７図は、第６図の半導体素子の変形例である。

第６図と同様のダブルへテロ接合部のクラッド層７６は
、凸型に加工され、等偏曲に横方向の屈折率差を付ける
ことにより横モード制御を行なうものである。クラッド
層７６上には、凸部の少なくとも一部を除いてｎ型ＢＰ
電流阻止層７７が形成されている。その他の構造は、第
６図のものと同様である。第７図の構造では、第２導電
型クラッド層７６凸部の周辺に電流阻止層７７を形成し
ているので、電流狭搾および屈折率型先導波が自己整合
的に実現できる。

第７図の素子を作製するには、第１図のＭＯＣＶＤ装置
を用い、第６図の素子作製条件と同じ条件で、同様のダ
ブルへテロウェハを成長させた後、クラッド層７６上に
、シランガスの熱分解と写真蝕刻により幅５μｍのスト
ライブ状に５ｉ０２膜マスクを形成し、クラッド層７６
をエツチングして幅３μｍのストライプ状メサを形成し
た。ついで、゛ｎ型ＢＰ電流阻止Ｆｔ１７７（Ｓｉドー
プ、１ｘ１０１８ｃｍ−３１μｍ）をクラッド層７６の
上面のみにＭＯＣＶＤ法により選択成長させた。しかる
後、５ｉ０２膜を除去し、ｐ型ＢＰコンタクト層７８（
Ｍｇドープ、１ｘ１０１８ｃｍ−３１，５μｍ）を成長
させた。その後、電極取り付けをおこなって、第７図に
示す構造のレーザ用つニ／Ｘを得た。

得られたウェハをへき開して共振器長３００μｍのレー
ザ素子を作製したところ、液体窒素温度で、パルス幅１
００μ秒のパルス動作にて緑色光レーザ発振を確認した
。その際、しきい値電流密度は、約７０　ｋ　Ａ　／　
ｃ　ｍ　２を示した。しきい値電流密度はやや高いが、
単一峰の遠視野像が確認され、良好な横モード制御がお
こなわれていることが判明した。また、１００時間以上
安定に動作した。

第８図は、本発明の方法によって製造される発光素子（
ＬＥＤ）の断面図である。ｐ型ＧａＰ基板９１上に、ｐ
型ＧａＰバッファ層９２、ｐ型ＢＰバッファ層９３が順
次形成され、この上にｐ型Ｇ　ａ　Ａ　Ｉ　Ｎ　／　Ｂ
　Ｐ超格子層９４、アンドープのＧａ　Ａ　Ｉ　Ｎ　／
　Ｂ　Ｐ超格子層９５、ｎ型ＧａＡＩＮ／ＢＰ超格子層
９６が順次積層形成され、さらにこの上にｎ型ＧａＮコ
ンタクト層９７が形成されている。素子ウェハの両面に
オーミック電極９８．９９が形成されている。このＬＥ
Ｄも上記と同様に製造することができる。

以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本
発明はこれら実施例に限定されるべきものではない。例
えば、上記実施例では、Ｍｇのドープ源として（ｉ　−
Ｃ３ＨＢ　）２　Ｃｐ２　Ｍｇまたは（（ＣＨ３）２　
Ｃｐ）２　Ｍｇを使用したが、有機マグネシウム化合物
（ｉ）として、（Ｃ２Ｈ５）２　Ｃｐ２　Ｍｇｑ　　（
ｔ−Ｃ４Ｈｅ　）２　Ｃｐ２　Ｍｇ等を、また有機マグ
ネシウム化合物（ｉ　ｉ）として、（（ＣＨ３）３　Ｃ
ｐ）２　Ｍｇ、（（ＣＨ３）４　Ｃｐ）２　Ｍｇ、（（
ＣＨ３）ｓ　ｅｐ）２　Ｍｇ、さらにはこれら化合物の
メチル基をエチル基、イソプロピル基等高次のアルキル
基に置き換えた（（ＣｚＨｓ）２ｃｐ）ｚＭｇ、（（Ｃ
３Ｈ８）２Ｃｐ）２Ｍｇ等も使用できる。

また、本発明は、ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系、ＧａＡｌ系、
ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＧａＡｌＡ
ｓ系、Ｉ　ｎＧａＡｓ系、ＩｎＡｌＡｓ系その他各種の
■−ｖ族化合物半導体材料で構成される半導体レーザ、
ＬＥＤ、ＦＥＴ、ＨＢＴ等柾々の素子の作製に適用でき
る。

さらに、ＭＯＣＶＤ原料としては、Ｇａ原料としてトリ
エチルガリウム（ＴＥＧ）　、ＡＩ原料としてトリエチ
ルアルミニウム（ＴＥＡ）　、Ｂ原料としてトリメチル
ホウ素（ＴＭＢ）あるいはジボラン（Ｂ２Ｈ６）を使用
しても全く同様に実施できる。またＮ原料としてもしド
ラジンのほかに、Ｇａ　（Ｃ２Ｈｓ　）　　・ＮＨ３、
Ｇａ　（ＣＨ３）３Ｎ・　（ＣＨ３）３等窒素を含むア
ダクトである有機金属化合物も利用できる。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である
。

［発明の効果〕以上述べたように、本発明によりＭＯＣＶＤ法によりマ
グネシウムでドープされたｐ型■−Ｖ族化合物半導体層
を有機゛金属気相成長により形成するに際し、マグネシ
ウムのドープ源として２個以上の炭素原子を有するアル
キル基がシクロペンタ環当り１個置換したシクロペンタ
環を有する有機マグネシウム化合物、またはアルキル基
がシクロペンタ環当り２個以上置換したシクロペンタ環
を有する有機マグネシウム化合物を用いることにより、
急峻なマグネシウムドーピングが制御性よくおこなえ、
低しきい値、高出力、高信頼性を同時に達成する■−Ｖ
族化合物半導体素子を再現性よく製造することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を実施する上で好適な有機金属気相成
長装置を示す図、第２図ないし第８図は、本発明の方法
によって製造されたそれぞれ異なる■−Ｖ族化合物半導
体素子を示す図。１１．１２．１３・・・反応管、１５，３１゜４１．７
１．９１・・・基板

Claims

【特許請求の範囲】

（１）マグネシウムでドープされたｐ型III−Ｖ族化合
物半導体層を有機金属気相成長により形成する工程を含
むIII−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法において、マ
グネシウムのドープ源として、２個以上の炭素原子を有
するアルキル基がシクロペンタ環当り１個置換したシク
ロペンタ環を有する有機マグネシウム化合物を用いるこ
とを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法
。
（２）マグネシウムでドープされたｐ型III−Ｖ族化合
物半導体層を有機金属気相成長により形成する工程を含
むIII−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法において、マ
グネシウムのドープ源として、アルキル基がシクロペン
タ環当り２個以上置換したシクロペンタ環を有する有機
マグネシウム化合物を用いることを特徴とするIII−Ｖ
族化合物半導体素子の製造方法。