JPH0333042Y2

JPH0333042Y2 -

Info

Publication number: JPH0333042Y2
Application number: JP1983112119U
Authority: JP
Priority date: 1983-07-18
Filing date: 1983-07-18
Publication date: 1991-07-12
Also published as: JPS6020110U

Description

【考案の詳細な説明】この考案は、チツプ抵抗器に係り、特に、共通
のセラミツク基板等の上に複数の抵抗素子を隣接
配置した所謂多連チツプ抵抗器に関する。

第１図は、従来の多連チツプ抵抗器を示し、第
２図は第１図の−線断面を示す。長方形状に
形成されたセラミツク基板２には、その長手方向
に一定の絶縁間隔を置いてその表面及び側面部に
複数組の電極４Ａ，４Ｂが形成されているととも
に、各電極４Ａ，４Ｂ間には、第２図に示すよう
に、電極４Ａに一端、電極４Ｂに他端が重ねられ
て電気的に接続される抵抗素子６が個別に形成さ
れている。そして、抵抗素子６及び電極４Ａ，４
Ｂの一部の表面には、合成樹脂等の絶縁材料から
なる保護膜８が被覆されている次に、第３図は、この種の抵抗器のフエイスボ
ンデイングによるプリント配線板上の実装状態を
示す。即ち、プリント配線板１０の表面に形成さ
れた配線導体１２Ａ，１２Ｂの間には、チツプ抵
抗器が保護膜８をプリント配線板１０側にして半
田１４により接続されている。

この種の抵抗器では、コンパクト化を目的とし
ているため、隣接する電極４Ａ，４Ａ間、電極４
Ｂ，４Ｂ間の間隔は狭く設定されている。このた
め、半田付けした場合には、その間隔内に半田が
入り込み、電極４Ａ，４Ａ間、電極４Ｂ，４Ｂ間
に半田１４によつて短絡が生じ易く、しかも、隣
接する電極４Ａ，４Ａ間、電極４Ｂ，４Ｂ間の耐
電圧が低い。また、プリント配線板１０上に実装
した場合、保護膜８の厚さによつて各電極４Ａ，
４Ａ間、電極４Ｂ，４Ｂ間の間隙部には、大きな
空間１６が形成され、この空間１６にフエイスボ
ンデイングの際の処理液、水分等の不純物が侵入
して残留し、これがチツプ抵抗器等の特性を劣化
させる原因になる。

そこで、この考案は、電極間の空間を除くこと
により、耐電圧を向上させるとともに、半田の侵
入による短絡や不純物等の侵入による特性の劣化
を防止したチツプ抵抗器の提供を目的とする。

即ち、この考案のチツプ抵抗器は、絶縁体基板
の表面に対向して配置されるとともに前記絶縁体
基板の側面側に延長された複数の電極と、前記絶
縁体基板の表面上の前記電極間に設置された複数
の抵抗素子と、各抵抗素子とともに前記電極の一
部を選択的に覆つて前記絶縁体基板上に設置さ
れ、前記絶縁体基板の表面側及び側面側に露出さ
せた前記電極の間に絶縁部材として延長し、且
つ、電極面より突出させた保護膜とを備えたもの
である。

以下、この考案を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。

第４図は、この考案のチツプ抵抗器の実施例を
示し、第１図に示す抵抗器と同一部分には同一符
号が付してある。

このチツプ抵抗器には、絶縁体基板として例え
ばセラミツク基板２が用いられ、このセラミツク
基板２の表面には、一定の絶縁間隔を置いてその
表面に複数組の電極４Ａ，４Ｂが対向して配置さ
れており、各電極４Ａ，４Ｂはセラミツク基板２
の側面側に延長されている。そして、各電極４
Ａ，４Ｂ間には、第２図に示すように、電極４Ａ
に一端、電極４Ｂに他端が重ねられて電気的に接
続される抵抗素子６が個別に形成されている。

また、セラミツク基板２の上面には、各抵抗素
子６とともに各電極４Ａ，４Ｂの上面の一部を選
択的に覆う保護膜８が設置されている。この保護
膜８は合成樹脂等の絶縁材料によつて形成され、
その一部が電極４Ａ，４Ａ間、電極４Ｂ，４Ｂ間
のセラミツク基板２の表面及び側面側に延長さ
れ、セラミツク基板２の表面側で絶縁部１８Ａ，
１８Ｂが形成されるとともに、セラミツク基板２
の側面側で絶縁部２０Ａ，２０Ｂが形成されてい
る。また、保護膜８は、電極４Ａ，４Ｂより厚く
形成され、電極４Ａ，４Ａ間及び電極４Ｂ，４Ｂ
間の絶縁部１８Ａ，１８Ｂが各抵抗素子６の上面
側の保護膜８と平坦面を成し、しかも、絶縁部２
０Ａ，２０Ｂも電極４Ａ，４Ｂより厚く形成され
ていることから、絶縁部１８Ａ，１８Ｂ，２０
Ａ，２０Ｂは、それぞれ電極４Ａ，４Ｂの間から
その電極面を越えて厚み方向に突出している。

このように隣接する電極４Ａ，４Ａ間、電極４
Ｂ，４Ｂ間に保護膜８の一部を選択的に延長させ
て絶縁部１８Ａ，１８Ｂ，２０Ａ，２０Ｂを形成
したので、第５図に示すように、プリント配線板
１０上に実装した場合、第３図に示すように、隣
接する一方の電極４Ａ，４Ａ間の空間１６は絶縁
部１８Ａで埋まるとともに、隣接する他方の電極
４Ｂ，４Ｂ間に生じていた空間１６が絶縁部１８
Ｂによつて埋まることになる。このため、電極４
Ａ，４Ａ間、電極４Ｂ，４Ｂ間の耐電圧を高くで
きるとともに、半田１４の侵入による短絡を防止
でき、従来、空間部に生じていたフエイスボンデ
イングの処理液、水分、その他の不純物の侵入及
び残留が無くなるため、特性劣化が防止でき、安
定した電気的特性を長期に亘つて維持できる。

また、セラミツク基板２の側面側の一方の電極
４Ａ，４Ａ間には保護膜８の延長によつて絶縁部
２０Ａが設置され、また、他方の電極４Ｂ，４Ｂ
間には保護膜８の延長によつて絶縁部２０Ｂが設
置され、しかも、各絶縁部２０Ａ，２０Ｂは、各
電極４Ａ，４Ｂの電極面より突出しているので、
絶縁部１８Ａ，１８Ｂと相俟つて、隣接した電極
４Ａ，４Ａ間、電極４Ｂ，４Ｂ間の耐電圧を向上
させることができるとともに、半田による短絡が
防止できる。

そして、各絶縁部１８Ａ，１８Ｂ，２０Ａ，２
０Ｂは、抵抗素子６の上面に設置される保護膜８
の延長によつて形成できるので、抵抗素子６の保
護とともに、各電極４Ａ，４Ａ間、電極４Ｂ，４
Ｂ間の絶縁を特別な工程を要することなく、同一
工程で処理できる。

なお、絶縁部１８Ａ，１８Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ
は、保護膜８とは別の絶縁部材で形成し、保護膜
８を延長させた形態としてもよく、同様の効果が
期待できる。

以上説明したように、この考案によれば、次の
ような効果が得られる。

(a) 抵抗素子とともに電極の表面の一部を選択的
に覆う保護膜を絶縁体基板の表面及び側面側に
露出する電極の間に絶縁部材として延長し、か
つ、電極面より突出させたので、従来、電極間
に生じていた空間が絶縁部材によつて除くこと
ができ、電極間の耐電圧を高めることができる
とともに、半田による短絡や不純物の侵入が防
止されるため、信頼性の向上とともに安定した
電気的な特性を維持できる。

(b) また、電極間の絶縁部材は保護膜を延長して
形成したので、保護膜の形成と同時に電極間の
絶縁を行うことができ、特別な処理工程を要し
ないので、電極間の耐電圧が高くかつ信頼性の
高いチツプ抵抗器を安価に製造できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は多連チツプ抵抗器を示す斜視図、第２
図は第１図に示した多連チツプ抵抗器の−線
断面図、第３図は第１図に示した多連チツプ抵抗
器の実装状態を示す斜視図、第４図はこの考案の
チツプ抵抗器の実施例を示す斜視図である。第５
図は第４図に示したチツプ抵抗器の実装状態を示
す斜視図である。２……セラミツク基板（絶縁体基板）、４Ａ，
４Ｂ……電極、６……抵抗素子、８……保護膜、
１８Ａ，１８Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ……絶縁部（絶
縁部材）。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】絶縁体基板の表面に対向して配置されるととも
に前記絶縁体基板の側面側に延長された複数の電
極と、前記絶縁体基板の表面上の前記電極間に設置さ
れた複数の抵抗素子と、各抵抗素子とともに前記電極の一部を選択的に
覆つて前記絶縁体基板上に設置され、前記絶縁体
基板の表面側及び側面側に露出させた前記電極の
間に絶縁部材として延長し、且つ、電極面より突
出させた保護膜とを備えたことを特徴とするチツ
プ抵抗器。