JPH03296309A - 光受信回路 - Google Patents

光受信回路

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JPH03296309A
JPH03296309A JP9806190A JP9806190A JPH03296309A JP H03296309 A JPH03296309 A JP H03296309A JP 9806190 A JP9806190 A JP 9806190A JP 9806190 A JP9806190 A JP 9806190A JP H03296309 A JPH03296309 A JP H03296309A
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JP
Japan
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amplifier
noise level
avalanche photodiode
bias voltage
signal
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JP9806190A
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English (en)
Inventor
Akiyoshi Mori
森 昭義
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、レーザ測距装置等の光受信回路に関するも
のである。
〔従来の技術〕
レーザ測距装置等においては、光受信回路の受光素子と
してその高感度、高速応答性により、アバランシェ・フ
ォトダイオード(以下APDと称す)が多く用いられて
いる。APDはバイアス電圧に依存する増倍率を有して
いる。
ところで、レーザ測距装置等に応用される。受光素子と
してAPDを使用した光受信回路における主な雑音源は
、背景光によるショット雑音、APDの暗電流及び増幅
器入力抵抗による熱雑音である。
この場合の、受信信号の信号対雑音比(以下S/N比と
いう)は次式のように表わされる。
ここでP、は信号光電力、 Psは背景光電力、■、は
APDの暗電流1MはAPDの増倍率、ηは量子効率。
eは電荷、hνは光子エネルギ、2はAPDの過剰雑音
指数、Bは帯域幅、RLは負荷抵抗(増幅器入力抵抗1
 hはボルツマン定数、Tは絶対温度、Fは増幅器の雑
音指数である。
式(1)かられかるように、  APDの増倍率Mの値
には、S/N比を最大にする最適値M、5、があり。
次式で表わされる。
式(2)でわかるように最適増倍率は、APDに入射す
る背景光電力のレベルによって変化する。
また、APDの増倍率Mはバイアス電圧Vによって変化
し、これらの関係は次式で与えられる。
ここでV、はブレークダウン電圧、mは定数である。
第3図は、従来の光受信回路の構成例を示す図であり9
図において、(1)は直流電源、(2)はAPD、(3
)は受信光、(4)は増幅器、(5)は基準電源、(6
)は比較器である。
直流電源(1)は、APD(2)に固定のバイアス電圧
を印加する。A P D (2)は入射した受信光(3
)の強さに比例した出力電流を発生する。増幅器(4)
は前記A P D (2)からの出力電流を電圧に変換
して増幅し、比較器(6)に出力する。また、基準電源
(5)は2光受信回路の雑音を考慮した所定のレベルの
閾値電圧を比較器(6)へ出力する。比較器(6)は、
前記増幅器(4)からの出力信号レベルと前記基準電源
(5)からの閾値電圧レベルと比較し閾値レベルを越え
る信号を2値レベルに変換し。
受信信号として次段の信号処理回路(囲路)に送出する
〔発明が解決しようとする課題〕
以上のように、従来の光受信回路では、APDに固定の
バイアス電圧を印加、すなわち固定の増倍率に設定され
ているため、APDへ入射する背景光電力が大きくなっ
た場合、ショット雑音が増大し、S/N比が低下あるい
は雑音レベルが比較器の閾値レベルを越え受信信号とし
て誤って検出する誤警報率が増大するという問題点があ
った。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、APDの増倍率が、APDに入射する背景
光電力のレベルに応じて変化しS/N比を最適値に保つ
ことができまた背景光電力のレベルが増大しても誤警報
率を一定値以下に維持できる光受信回路を得ることを目
的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る光受信回路は、増幅器からの出力信号の
雑音レベルを検出し、APDに入射した背景光によって
生じる雑音レベルが所定の値を越えないように、APD
のバイアス電圧を制御してAPDの増倍率を制御するよ
うにしたものである。
〔作用〕
この発明における光受信回路は、APDの増倍率がAP
Dに入射する背景光電力のレベルに応じて変化し、S/
N比が最適値となる値に自動的に制御され、S/N比を
最適値に保つとともに誤警報率を一定値以下に維持する
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図を用いて説明する。
第1図は、この発明による光受信回路の一実施例を示す
構成図である。
同図において、(7)はAPDにバイアス電圧を印加す
るとともに、このバイアス電圧をバイアス制御信号(8
)により可変できる直流電源、(9)は増幅器(4)か
らの出力信号の雑音レベルを検出する雑音レベル検出回
路、 (10)は雑音レベル検出回路(9)で検出した
雑音レベルが所定の値を越えないようにAPDのバイア
ス電圧を制御するよう直流電源(7)へバイアス制御信
号(8)を出力するノくイアスミ圧制御回路である。
第1図において、第3図と同一部分又は相当部には同一
符号が付しである。
APD(2)、増幅器(4)、基準電源(5)及び比較
器(6)の動作は、第3図と同様である。
ところで、受信信号の雑音レベルは式(1)より次式で
表わされる。
また前述のようにAPDの像倍率Mには、受信信号のS
/N比を最良に保つために、背景光電力のレベルに応じ
た最適値M6111があり1式(2)で与えられる。
APDのバイアス電圧を制御して、背景光電力のレベル
に応じて最適増倍率Mastとなるようにした場合の雑
音レベルNookは7式(2)と式(4)からとなり、
増幅器の入力抵抗による熱雑音で決まり。
背景光電力のレベルに依存せず、一定となる。
このとき増幅器(4)の出力信号の雑音レベルは次式で
表わされる。
2        RL ここでGは増幅器(4)の利得である。従って、増幅器
(4)の出力の雑音レベルを雑音レベル検出回路(9)
で検出して1バイアス制御回路(10)及び直流電源°
(7)で、前記雑音レベルの上限を式(6)で表わされ
る値に制御するようA P D (2)のバイアス電圧
を制御すれば、APD(2)は入射する背景光電力のレ
ベルに応じて最適増倍率となるよう制御される。
また、上述のように制御した場合、受信信号の誤警報率
は、背景光電力のレベルが増大しても雑音レベルが所定
の値に制限されるため、一定値以下に維持されることに
なる。
また9式(8)かられかるようにYsap、は増幅器(
4)の温度Tに依存するので、雑音レベルの上限を制限
する値も増幅器(4)の温度に対応して変化させること
が望ましい。
第2図は、この場合の光受信回路の一実施例を示す構成
図である。第2図において、第1図と同一部分又は相当
部分には同一符号が付しである。
温度検出器(11)を増幅器(4)に近接して配置して
、増幅器(4)の温度を検出し、バイアス電圧制御回路
(10)は、この増幅器(4)の温度変化に対応して、
雑音レベルの上限を制限する値を変化させることにより
、温度変動に対しても常に最適な状態に維持することが
できる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、APDの増倍率がA
PDに入射する背景光電力のレベルに応じて変化し、S
N比が最適値となる値に自動的に制御されるので、AP
Dに入射する背景光電力のレベルが変わっても光受信回
路のSN比を最適値に保つとともに、誤警報率を一定値
以下にてきレーザ測距装置等の性能改善に大きく寄与す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による光受信回路の一実施例の構成を
示す図、第2図はこの発明による光受信回路の他の実施
例の構成を示す図、第3図は従来の光受信回路の構成を
示す図である。 図において、(1)は直流電源、(2)はアバランシェ
・フォトダイオード、(3)は受信光、(4)は増幅器
、(5)は基準電源、(6)は比較器、(7)は直流電
源、(8)はバイアス制御信号、(9)は雑音レベル検
出回路、 (10)はバイアス電圧制御回路(11)は
温度検出器である。 なお2図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 L。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)受信光を光電変換するアバランシェ・フォトダイ
    オードと、このアバランシェ・フォトダイオードにバイ
    アス電圧を印加するとともにこのバイアス電圧をバイア
    ス制御信号により可変できる直流電源と、前記アバラン
    シェ・フォトダイオードからの出力電流を電圧信号に変
    換して増幅する増幅器と、この増幅器からの出力信号の
    雑音レベルを検出する雑音レベル検出回路と、前記アバ
    ランシェ・フォトダイオードに入射した背景光によつて
    生じる前記増幅器からの出力信号の雑音レベルが所定の
    値を越えないように前記アバランシェ・フォトダイオー
    ドのバイアス電圧を制御して前記アバランシェ・フォト
    ダイオードの増倍率を制御するように前記直流電源へバ
    イアス制御信号を出力するバイアス電圧制御回路を、基
    準電圧を発生する基準電源と、この基準電源の出力電圧
    と、前記増幅器からの出力信号電圧との差を2値信号に
    変換する比較器とを備えた光受信回路。
  2. (2)前記バイアス電圧制御回路は、前記増幅器からの
    出力信号の雑音レベルの上限を制限する値を、受信信号
    の信号対雑音比が実質的に最適値となる前記アバランシ
    ェ・フォトダイオードの増倍率が得られるバイアス電圧
    を前記アバランシェ・フォトダイオードに印加した場合
    に発生する前記増幅器の出力信号の雑音レベルとしたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の光受信
    回路。
  3. (3)前記バイアス電圧制御回路は、前記増幅器からの
    出力信号の雑音レベルの上限を制御する値を、実質的に
    次式により求められる値としたことを特徴とする特許請
    求の範囲第(1)項記載の光受信回路。 V_n=(x+2/x)^1^/^2(4kTBF/R
    _L)^1^/2・R_L・GここでV_nは前記増幅
    器からの出力信号の雑音レベル、xは前記アバランシェ
    ・フォトダイオードの過剰雑音指数、kはボルツマン定
    数、Tは増幅器の温度、Bは増幅器の帯域幅、Fは増幅
    器の雑音指数、R_Lは増幅器の入力抵抗、Gは増幅器
    の利得である。
  4. (4)前記バイアス電圧制御回路は、前記増幅器の温度
    変化に対応して、前記増幅器からの出力信号の雑音レベ
    ルの上限を制御する値を変化させるようにしたことを特
    徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の光受信回路。
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