JPH03295044A - Production of recording medium - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain the recording medium which can record and reproduce a large quantity of information with a probe electrode by partially changing the thickness of the recording layers on counter electrodes disposed opposite to the probe electrode. CONSTITUTION:A conductive material to constitute the counter electrodes 2 is formed on a substrate 3. The recording layer 1 is then laminated over the entire surface on the counter electrode 2. The thickness of the recording layer is thereafter partially changed, by which the recording layers 4 in common use as tracks having desired shapes are formed. The formation of the recording layers 4 in common use as the tracks is executed by partially changing the thickness of the recording layers by irradiation with an electron beam or ion beam. The film thickness of the recording layers 1 is specified to >= several Angstrom to <=100Angstrom , more preferably >= several Angstrom to <=30Angstrom . The width of the recording layers 4 in common use as the tracks is specified to >=50Angstrom and <=900Angstrom and the pitch is specified to >=80Angstrom to <=10,000Angstrom . The recording layer 1 is formed of the monomolecular films or accumulated films of an org. compd. having a group possessing a pi electron level and a group possessing a sigma electron level by an LB method.

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プローブ電極によって記録再生を行なう記録
再生装置に用いる記録媒体の製造方法に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method of manufacturing a recording medium used in a recording/reproducing apparatus that performs recording/reproducing using probe electrodes.

［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］近年、
メモリー素子の用途はコンピュータ及びその関連機器、
ビデオディスク、ディジタルオーディオディスク等のエ
レクトロニクス産業の中核をなすものであり、その開発
も活発に進んでいる。メモリー素子に要求される性能は
一般的にはｌ）高密度で、記録容量が大きい ２）記録・再生の応答速度が速い ３）エラーレートが小さい ４　消費電力が少ない ５）生産性が高く、価格が安い 等が挙げられる。[Problems to be solved by conventional techniques and inventions] In recent years,
Memory devices are used in computers and related equipment,
It forms the core of the electronics industry, producing video discs, digital audio discs, etc., and its development is actively progressing. Generally speaking, the performance required of a memory device is l) high density and large storage capacity, 2) fast response speed for recording and playback, 3) low error rate, 4) low power consumption, and 5) high productivity. For example, the price is low.

従来までは、磁性体や半導体を素材とした磁気メモリー
、半導体メモリーが主流であったが、近年レーザー技術
の進展に伴い、有機色素、フォトポリマーなとの有機薄
膜を用いた安価で高密度な記録媒体を用いた光メモリー
素子などが登場してきた。Up until now, magnetic and semiconductor memories made of magnetic materials and semiconductors have been the mainstream, but in recent years, with advances in laser technology, inexpensive and high-density memory using organic thin films such as organic dyes and photopolymers have been developed. Optical memory devices using recording media have appeared.

一方、最近導体の表面原子の電子構造を直接観測できる
走査型トンネル顕微鏡（以後ＳＴＭと略す）が開発され
（ヘルベチカ　フィジカ　アクタ、５５，７２６（１９
８２）、（Ｇ、Ｂ１ｎｎ１ｇ　ｅｔ　ａｌ、、Ｈｅ１ｖ
ｅｔｉｃａＰｈｙｓｉｃａ　Ａｃｔａ、５５，７２６（
１９８２）、））、単結晶、非晶質を問わず実空間像の
高い分解能の測定ができるようになり、しかも媒体に電
流による損傷を与えずに低電力で観測できる利点をも有
し、さらに大気中でも動作させることが可能であるため
広範囲な応用が期待されている。On the other hand, a scanning tunneling microscope (hereinafter abbreviated as STM) that can directly observe the electronic structure of surface atoms of conductors has recently been developed (Helvetica Physica Acta, 55,726 (19
82), (G, B1nn1g et al,, He1v
etica Physica Acta, 55,726 (
1982), )), it has become possible to measure real space images with high resolution regardless of whether they are single crystal or amorphous, and it also has the advantage of being able to observe with low power without damaging the medium due to current. Furthermore, since it can be operated even in the atmosphere, it is expected to have a wide range of applications.

ＳＴＭは、金属の探針（プローブ電極）と導電性物質の
間に電圧を加えてｌｎｍ程度の距離まで近づけるとトン
ネル電流が流れることを利用している。この電流は両者
の距離変化に非常に敏感であり、トンネル電流を一定に
保つように探針を走査することにより実空間の表面構造
を描（ことができると同時に表面原子の全電子雲に関す
る種々の情報をも読みとることができる。この際、面内
方向の分解能は１人程度である。従って、ＳＴＭの原理
を応用すれば十分に原子オーダー（数人）での高密度記
録再生を行なうことが可能である。この際の記録再生方
法としては１粒子線（電子線、イオン線）あるいはＸ線
等の高エネルギー電磁波及び可視・紫外光等のエネルギ
ー線を用いて適当な記録層の表面状態を変化させて記録
を行ない、ＳＴＭで再生する方法や、記録層として電圧
電流のスイッチング特性に対してメモリ効果をもつ材料
、例えばπ電子系有機化合物やカルコゲン化物類の薄膜
層を用いて、記録・再生をＳＴＭにより行なう方法等が
提案されている。STM utilizes the fact that when a voltage is applied between a metal probe (probe electrode) and a conductive substance and the probe is brought close to a distance of about 1 nm, a tunnel current flows. This current is very sensitive to changes in the distance between the two, and by scanning the probe while keeping the tunneling current constant, it is possible to draw the surface structure in real space (at the same time, it is possible to draw various information about the total electron cloud of surface atoms). In this case, the resolution in the in-plane direction is about one person.Therefore, by applying the principles of STM, it is sufficient to perform high-density recording and reproduction on the atomic order (several people). In this case, the recording and reproducing method uses high-energy electromagnetic waves such as single particle beams (electron beams, ion beams) or X-rays, and energy beams such as visible and ultraviolet light to adjust the surface condition of the recording layer Recording can be performed by changing the current and then reproduced using STM, or by using a thin film layer of a material that has a memory effect on the switching characteristics of voltage and current, such as a thin film layer of π-electron organic compounds or chalcogenides, as the recording layer. - A method of performing playback using STM has been proposed.

上記の様な記録・再生方法において、実際に多量の情報
を記録・再生するためには、プローブ電極のＸＹ力方向
記録媒体面内方向）の位置検出及び補正制御（トラッキ
ング）が必要となる。このトラッキングの方法としては
、既に記録媒体基板の原子配列を利用して、高密度かつ
高精度に行なう方法が提案されているが、位置検出その
ものも極めて高精度に行なう必要があるため、取扱上簡
便とはいい難かった。In the recording/reproducing method as described above, in order to actually record/reproduce a large amount of information, position detection and correction control (tracking) of the probe electrode in the XY force direction (direction within the surface of the recording medium) are required. As a method for this tracking, a method has already been proposed that uses the atomic arrangement of the recording medium substrate to perform high-density and high-precision tracking, but since the position detection itself also needs to be performed with extremely high precision, it is difficult to handle. It was difficult to call it simple.

そこで、トラッキングを簡便に行なうために、記録媒体
の基板にあらかじめ凹凸を設けることにより案内溝（ト
ラック）を形成し、そのトラックの凹状部分あるいは凸
状部分にプローブ電極を追従させることにより、トラッ
キングを行なう方法が提案されている。Therefore, in order to perform tracking easily, a guide groove (track) is formed by providing unevenness on the substrate of the recording medium in advance, and a probe electrode follows the concave or convex portion of the track. A method has been proposed.

しかし、この場合、基板にあらかじめ凹凸を形成しなけ
ればならない。基板に凹凸を形成する方法としてリソグ
ラフィー技術を用いる方法や、超微粒子の選択的蒸着を
用いる方法等が考えられている。前者の方法においては
、トラックをレジスト材料で形成する方法、基板を選択
的にエツチングしてトラックを作る方法、対向電極を選
択的エツチングあるいはリフトオフにより凹凸状に形成
し、これのトラックとする方法、等が考えられるが、何
れの方法を用いるにしても、トラック形成に複雑な行程
が必要になり、また、現状のリソグラフィー技術では０
．１ｐｍ以下の幅を持つトラックを形成することは極め
て困難である。また、後者の方法は、基板上にある種の
物質を極めて微量蒸着すると、この蒸着物質は基板表面
の微細構造を反映した選択的成長をするという性質を利
用してトラックを形成するものであり、０．１μｍ以下
のトラック幅を得ることが可能であるが、やはりこの場
合も、基板表面の前処理や蒸着など行程が複雑になると
いう問題点があった。また、上述した方法の様な場合、
トラックの高さを極めて低くしたり、あるいは高さを均
一にすることが困難であるという問題点もあった。However, in this case, it is necessary to form irregularities on the substrate in advance. As a method of forming irregularities on a substrate, a method using lithography technology, a method using selective vapor deposition of ultrafine particles, etc. have been considered. In the former method, the track is formed using a resist material, the track is formed by selectively etching the substrate, the counter electrode is formed into an uneven shape by selective etching or lift-off, and the track is formed by forming the track. However, no matter which method is used, a complicated process is required for track formation, and the current lithography technology
．． It is extremely difficult to form tracks with a width of 1 pm or less. In addition, the latter method forms tracks by taking advantage of the property that when a very small amount of a certain substance is deposited on a substrate, the deposited material grows selectively, reflecting the fine structure of the substrate surface. , it is possible to obtain a track width of 0.1 μm or less, but in this case as well, there is a problem that processes such as pretreatment of the substrate surface and vapor deposition become complicated. In addition, in cases such as the method described above,
Another problem was that it was difficult to make the height of the track extremely low or to make the height uniform.

すなわち、本発明の目的とするところは、上述した従来
技術の問題点に鑑み、プローブ電極を用いた電気的な高
密度記録・再生方法において、多量の情報の記録・再生
を容易に再現性良（簡便に実行できるようにする記録媒
体を、容易に作成することを可能にした記録媒体製造方
法を提案することである。That is, an object of the present invention is to easily record and reproduce a large amount of information with good reproducibility in an electrical high-density recording and reproduction method using probe electrodes, in view of the problems of the prior art described above. (The purpose is to propose a recording medium manufacturing method that makes it possible to easily create a recording medium that can be easily executed.

［課題を解決するための手段及び作用］本発明の特徴と
するところは、プローブ電極により素子に流れる電流を
検出する記録再生装置に用いる記録媒体の製造方法にお
いて、該プローブ電極と対向配置した対向電極上に電気
メモリー効果を有する記録層の厚みを部分的に変化させ
ることにより、記録媒体にトラックを設けるという記録
媒体製造方法である。[Means and effects for solving the problem] The present invention is characterized in that, in a method for manufacturing a recording medium used in a recording/reproducing device that detects a current flowing through an element using a probe electrode, This is a recording medium manufacturing method in which tracks are provided on a recording medium by partially changing the thickness of a recording layer having an electric memory effect on an electrode.

すなわち、本発明によれば、記録層を対向電極上に全面
に形成した後部分的に記録層の厚みを変化させてトラッ
クを形成できるため、あらかじめ基板に複雑な行程を用
いてトラックを形成する必要がな（なるため、トラック
形成が容易に行なえ、記録媒体の製造が簡単になる。そ
れと同時に、凹凸のある基板ではな（平坦な基板上に記
録層を形成すれば良いため、より良好な記録層を得るこ
とも可能となる。また、記録層自身がトラックとなるた
め、トラックの高さを非常に低くかつ制御長（形成する
ことも可能となる。That is, according to the present invention, tracks can be formed by partially changing the thickness of the recording layer after forming the recording layer on the entire surface of the counter electrode, so that the tracks can be formed in advance by using a complicated process on the substrate. This makes it easier to form tracks and makes it easier to manufacture recording media. It is also possible to obtain a recording layer. Furthermore, since the recording layer itself becomes a track, it is also possible to form a track with a very low height and a controlled length.

本発明の記録媒体製造方法として、第１図に一例を示す
。まず、第１図ａの様に基板３上に対向電極２となる導
電性材料を形成する。次に、図１ｂに示すように記録層
１を対向電極２上の全面に均一に積層する。その後に、
部分的に記録層の厚みを変化させることにより、所望の
形状にトラック兼記録層４を形成する（図１ｃ）。ただ
し、図１では記録層を除去して記録層の有・無によりト
ラックを形成しているが、記録層を部分的に除去して、
記録層の膜厚を変化させることによりトラックを形成し
てもよい。。この時、記録層の厚みを変化させる方法と
しては、■リソグラフィー技術を用いる方法、■電子ビ
ームやイオンビーム等を照射する方法等を挙げることが
できる。しかし、現状のリソグラフィー技術では１００
０Å以下の幅を持つトラックを形成することは極めて困
難であり、記録密度としては１０６〜１０１０ビツト／
ｃｍ２程度が限度である。これに対して、後者の方法に
よると、電子ビームあるいはイオンビームのビーム径を
小さく絞って希望の位置に照射し、９００Å以下の幅及
び１０００Å以下のピッチで記録層を除去することによ
って微細なトラックを形成することが可能となり、１０
１ビツト／ｃｍ２以上の記録密度を容易に達成できる。An example of the recording medium manufacturing method of the present invention is shown in FIG. First, as shown in FIG. 1a, a conductive material that will become the counter electrode 2 is formed on the substrate 3. Next, as shown in FIG. 1b, the recording layer 1 is uniformly laminated over the entire surface of the counter electrode 2. After that,
By partially changing the thickness of the recording layer, the track/recording layer 4 is formed in a desired shape (FIG. 1c). However, in Figure 1, the recording layer is removed and tracks are formed depending on the presence or absence of the recording layer, but if the recording layer is partially removed,
Tracks may be formed by changing the thickness of the recording layer. . At this time, methods for changing the thickness of the recording layer include (1) a method using lithography technology, (2) a method of irradiating with an electron beam, an ion beam, etc. However, with current lithography technology, 100
It is extremely difficult to form tracks with a width of 0 Å or less, and the recording density is 106 to 1010 bits/
The limit is about cm2. On the other hand, according to the latter method, the beam diameter of the electron beam or ion beam is narrowed down and irradiated to the desired position, and the recording layer is removed with a width of 900 Å or less and a pitch of 1000 Å or less, thereby forming fine tracks. It becomes possible to form 10
A recording density of 1 bit/cm2 or more can be easily achieved.

この時、記録密度を高めるためには、そのトラックの幅
は５０人〜９００人、ピッチとしては８０人〜１０００
人が女子ましく、より好ましく（まそれぞれ５０人〜１
５０人、８０人〜２００人である。At this time, in order to increase the recording density, the width of the track must be 50 to 900 people, and the pitch must be 80 to 1000 people.
People are feminine and more desirable (50 to 1 person each)
50 people, 80 to 200 people.

以上述べた方法では、記録層を除去する方法として電子
ビームあるいはイオンビーム照射方法を挙げたが、前記
条件を満たすトラックを形成できればこれに限定する必
要はな（、また、最初から基板上に所望の位置に部分的
に厚みを変化させて記録層を形成することによりトラッ
クを設けても良い。In the method described above, the electron beam or ion beam irradiation method is mentioned as a method for removing the recording layer, but there is no need to limit it to this as long as tracks satisfying the above conditions can be formed. Tracks may be provided by forming a recording layer with a partially changed thickness at the positions.

本発明で用いる記録層としては、電流−電圧特性におい
てメモリースイッチング現象（電気メモリー効果）を有
する材料、例えば、π電子準位をもつ群とａ電子準位の
みを有する群を併有する分子を電極上に積層した有機単
分子膜あるいはその累積膜を用いることが可能となる。The recording layer used in the present invention is made of a material that has a memory switching phenomenon (electrical memory effect) in current-voltage characteristics, for example, molecules that have both a group with a π electron level and a group with only an a electron level. It becomes possible to use an organic monomolecular film laminated thereon or a cumulative film thereof.

一般に有機材料のほとんどは絶縁性もしくは半絶縁性を
示すことから係る本発明において、適用可能なπ電子準
位を持つ群を有する有機材料は著しく多岐にわたる。Since most organic materials generally exhibit insulating or semi-insulating properties, there is a wide variety of organic materials having a group having a π-electron level that can be applied to the present invention.

本発明に好適なπ電子系を有する色素の構造として例え
ば、フタロシアニン、テトラフェニルポルフィリン等の
ポルフィリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及び
クロコニックメチン基を結合鎖として持つアズレン系色
素及びキノリン、べンゾチアゾール、ベンゾオキサゾー
ル等の２個の含窒素複素環をスクアリリウム基及びクロ
コニックメチン基により結合したシアニン系類似の色素
、またはシアニン色素、アントラセン及びピレン等の縮
合多環芳香族、及び芳香環及び複素環化合物が重合した
鎖状化合物及びジアセチレン基の重合体、さらにはテト
ラシアノキノジメタンまたはテトラチアフルバレンの誘
導体及びその類縁体及びその電荷移動錯体、またさらに
はフェロセン、トリスビピリジンルテニウム錯体等の金
属錯体化合物が挙げられる。Structures of dyes having a π-electron system suitable for the present invention include, for example, phthalocyanine, dyes having a porphyrin skeleton such as tetraphenylporphyrin, azulene dyes having squarylium groups and croconic methine groups as bonding chains, quinoline, benzothiazole, Cyanine-based similar dyes, such as benzoxazole, in which two nitrogen-containing heterocycles are bonded by a squarylium group and a croconic methine group, or cyanine dyes, fused polycyclic aromatics such as anthracene and pyrene, and aromatic and heterocyclic compounds and polymers of diacetylene groups, derivatives of tetracyanoquinodimethane or tetrathiafulvalene, analogs thereof, and charge transfer complexes thereof, and metal complexes such as ferrocene and trisbipyridine ruthenium complexes. Examples include compounds.

本発明に好適な高分子材料としては、例えばポリアクリ
ル酸誘導体等の付加重合体、ポリイミド等の縮合重合体
、ナイロン等の開環重合体、バクテリオロドプシン等の
生体高分子が挙げられる。Examples of polymeric materials suitable for the present invention include addition polymers such as polyacrylic acid derivatives, condensation polymers such as polyimide, ring-opening polymers such as nylon, and biopolymers such as bacteriorhodopsin.

有機記録層の形成に関しては、具体的には蒸着法やクラ
スターイオンビーム法等の適用も可能であるが、制御性
、容易性そして再現性から公知の従来技術の中では前述
したＬＢ法が極めて好適である。Regarding the formation of the organic recording layer, it is possible to specifically apply vapor deposition methods, cluster ion beam methods, etc., but the above-mentioned LB method is the most suitable among known conventional techniques due to its controllability, ease, and reproducibility. suitable.

このＬＢ法によれば、１分子中に疎水性部位と親水性部
位とを有する有機化合物の単分子膜またはその累積膜を
基板上に容易に形成することができ、分子オーダーの厚
みを有し、かつ大面積にわたって均一、均質な有機超薄
膜を安定に供給することができる。According to this LB method, a monomolecular film of an organic compound having a hydrophobic site and a hydrophilic site in one molecule or a cumulative film thereof can be easily formed on a substrate, and the thickness is on the order of a molecule. , and can stably supply a uniform and homogeneous ultra-thin organic film over a large area.

ＬＢ法は分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する構
造の分子において、両者のバランス（両親媒性のバラン
ス）が適度に保たれているとき、分子は水面上で親水性
基を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子
膜またはその累積膜を作成する方法である。The LB method is a molecule with a structure that has a hydrophilic site and a hydrophobic site, and when the balance between the two (amphiphilic balance) is maintained appropriately, the molecule lowers the hydrophilic group on the water surface. This is a method of creating a monomolecular film or a cumulative film thereof by utilizing the fact that monomolecular layers form toward

疎水性部位を構成する基としては、一般に広く知られて
いる飽和及び不飽和炭化水素基や縮合多環芳香族基及び
鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げられる。これ
らは各々単独またはその複数が組み合わされて疎水性部
位を構成する。Examples of the group constituting the hydrophobic moiety include various hydrophobic groups such as generally widely known saturated and unsaturated hydrocarbon groups, fused polycyclic aromatic groups, and chain polycyclic phenyl groups. These each constitute a hydrophobic site singly or in combination.

一方、親水性部位の構成要素として最も代表的なものは
、例えばカルボキシル基、エステル基、酸アミド基、イ
ミド基、ヒドロキシル基、さらにはアミノ基（１，２，
３級及び４級）等の親水性基等が挙げられる。これらも
各々単独またはその複数が組み合わされて上記分子の親
水性部分を構成する。On the other hand, the most typical constituent elements of the hydrophilic site are, for example, carboxyl groups, ester groups, acid amide groups, imide groups, hydroxyl groups, and even amino groups (1, 2,
Examples include hydrophilic groups such as tertiary and quaternary). These also constitute the hydrophilic portion of the above molecule either singly or in combination.

これらの疎水性基と親水性基をバランス良（併有し、か
つ適度な大きさを持つπ電子系を有する有機分子であれ
ば、水面上で単分子膜を形成することが可能であり、本
発明に対して極めて好適な材料となる。If an organic molecule has a well-balanced combination of these hydrophobic groups and hydrophilic groups and a π-electron system with an appropriate size, it is possible to form a monomolecular film on the water surface. This is an extremely suitable material for the present invention.

具体例としては、例えば下記の如き分子等が挙げられる
。Specific examples include the following molecules.

〈有機材料ン ［Ｉ］　クロコニックメチン色素 （以下余白） ここでＲ１は前述のσ電子準位をもつ群に相当したもの
で、しかも水面上で単分子膜を形成しやすくするために
導入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは５≦ｎ≦
３０が好適である。<Organic material [I] Croconic methine dye (below, blank space) Here, R1 corresponds to the group with the above-mentioned σ electron level, and was introduced to facilitate the formation of a monomolecular film on the water surface. long-chain alkyl group, the number of carbon atoms n is 5≦n≦
30 is preferred.

［１１］スクアリリウム色素 ［Ｉ］で挙げた化合物のクロコニックメチン基を下記の
構造を持つスクアリリウム基で置き換えた化合物。[11] Squarylium dye A compound in which the croconic methine group of the compound listed in [I] is replaced with a squarylium group having the following structure.

［ＩＩ＋　］ ポルフィ リ ン系色素化合物 ２） ＣＨ３ ０−ＣＨ２−Ｃ−ＣＨ３，−ＱＣ，Ｈ ＼ ＣＨ。[II+] Porphy Li dye compounds 2) CH3 0-CH2-C-CH3,-QC,H \ CH.

Ｃｌｌ２ＮＨＣ３Ｈ。Cll2NHC3H.

Ｍ　＝　）１２．Ｃｕ、Ｎｉ、ＡＰ−ＣＩ２希土類金属
イオン −Ｃ（ＣＨ３）３゜ 及び Ｒ＝ＯＣＨ（ＣＯＯＨ）Ｃ，Ｉ２．、、　　５≦ｎ≦２
５Ｍ　＝　Ｉ２　　Ｃｕ、　　Ｎｉ、　　Ｚｎ、　　Ａ
ｌ４−ＣＢ及び希土類金属イオン ［ＩＶ　］ 縮合多環芳香族化合物 Ｒ＝ＣｎＨａｒｌ−＋　　　　　５　≦ｎ≦２５Ｍ　＝
　Ｈａ、　　Ｃｕ、　　Ｎｉ、　　Ｚｎ、　　Ａ１１−
Ｃ１２及び希土類金属イオン Ｒは単分子膜を形成しやす（するために導入されたもの
で、ここで挙げた置換基に限るものではない。又、Ｒ１
−Ｒ４，Ｒは前述したσ電子準位をもつ群に相当してい
る。M = )12. Cu, Ni, AP-CI2 rare earth metal ion -C(CH3)3° and R=OCH(COOH)C,I2. ,, 5≦n≦2
5M = I2 Cu, Ni, Zn, A
l4-CB and rare earth metal ion [IV] Condensed polycyclic aromatic compound R=CnHarl-+ 5≦n≦25M=
Ha, Cu, Ni, Zn, A11-
C12 and the rare earth metal ion R were introduced to facilitate the formation of a monomolecular film, and are not limited to the substituents listed here.Also, R1
-R4,R corresponds to the group having the above-mentioned σ electron level.

［Ｖ］ジアゼチレン化合物 ＣＨ，→ＣＨ，吋Ｃ＝（ニー（：＝　ｃ−＋　ＣＨｚ＋
−ＴＸＯ≦ｎ、β≦２０ 但しｎ十β〉１０ Ｘは親木基で一般的には−ＣＯＯＨが用いられるが−Ｏ
Ｈ，−ＣＯＮＨ，等も使用できる。[V] Diazetylene compound CH, →CH, 吋C=(nee(:= c−+ CHz+
-TXO≦n, β≦20, however, n+β>10
H, -CONH, etc. can also be used.

［ＶＩ］その他 キンキチェニル ２） 〈有機高分子材料〉 ［Ｉ］付加重合体 １）ポリアクリル酸 ポリアクリル酸エステル アクリル酸コポリマー ［ＩＩ］縮合重合体 ポリカーボネート ［ＩＩＩ　］開環重合体 ｌ）ポリエチレンオキシド ４） アクリル酸エステルコポリマー ５） ポリビニルアセテート ６） 酢酸ビニルコポリマー ここで、Ｒ１は水面上で単分子膜を形成し易（するため
に導入された長鎖アルキル基で、その炭素数ｎは５≦ｎ
≦３０が好適である。[VI] Other quinquichenyl 2) <Organic polymer materials> [I] Addition polymer 1) Polyacrylic acid polyacrylic ester acrylic acid copolymer [II] Condensation polymer polycarbonate [III] Ring-opening polymer l) Polyethylene oxide 4 ) Acrylic acid ester copolymer 5) Polyvinyl acetate 6) Vinyl acetate copolymer Here, R1 is a long-chain alkyl group introduced to easily form a monomolecular film on the water surface, and its carbon number n is 5≦n.
≦30 is suitable.

また、Ｒ６は短鎖アルキル基であり、炭素数ｎは１≦ｎ
≦４が好適である。重合度ｍは１００≦ｍ≦５０００が
好適である。Further, R6 is a short-chain alkyl group, and the number of carbon atoms n is 1≦n
≦4 is suitable. The degree of polymerization m is preferably 100≦m≦5000.

以上、具体例として挙げた化合物は基本構造のみであり
、これら化合物の種々の置換体も本発明において好適で
あることは言うにおよばない。The compounds mentioned above as specific examples are only basic structures, and it goes without saying that various substituted products of these compounds are also suitable in the present invention.

尚、上記以外でもＬＢ法に適している有機材料、有機高
分子材料であれば、本発明に好適なのは言うまでもない
。例えば近年研究が盛んになりつつある生体材料（例え
ばバクテリオロドプシンやチトクロームＣ）や合成ポリ
ペプチド（ＰＢＬＧ）等も適用が可能である。It goes without saying that any organic material or organic polymer material other than those mentioned above is also suitable for the present invention as long as it is suitable for the LB method. For example, biomaterials (for example, bacteriorhodopsin and cytochrome C) and synthetic polypeptides (PBLG), which have been actively researched in recent years, can also be applied.

これらのπ電子準位を有する化合物の電気メモノー効果
は、数１０ｇｍ以下の膜厚のもので観測されているが、
記録・再生時にプローブ電極と対向電極間に流れるトン
ネル電流を用いるため、プローブ電極と対向電極間にト
ンネル電流が流れるよう両者間の距離を近づけなければ
ならないので、本発明の記録層の膜厚は、数Å以上１０
０Å以下、好ましくは、数Å以上３０Å以下である。The electric Menot effect of compounds with these π-electron levels has been observed in films with a thickness of several tens of gm or less,
Since a tunnel current flowing between the probe electrode and the counter electrode is used during recording and reproduction, the distance between the probe electrode and the counter electrode must be shortened so that the tunnel current flows between the probe electrode and the counter electrode. Therefore, the film thickness of the recording layer of the present invention is , several Å or more 10
The thickness is 0 Å or less, preferably several Å or more and 30 Å or less.

本発明において、上記の如き有機材料が積層された薄膜
を支持するための基板としては、表面が平滑であれば、
どの様な材料を用いても良いが、前述したトラック形成
法によっである程度利用できる基板材料は限定される。In the present invention, as a substrate for supporting a thin film on which organic materials such as those described above are laminated, as long as the surface is smooth,
Although any material may be used, the substrate materials that can be used are limited to some extent by the track forming method described above.

本発明で用いられる基板電極の材料も高い導電性を有す
るものであればよ（、例えばＡｕ、　Ｐｔ。The material of the substrate electrode used in the present invention may be any material as long as it has high conductivity (for example, Au, Pt, etc.).

Ａｇ、　Ｐｄ、　Ａｉ’、　Ｉｎ、　Ｓｎ、　Ｐｂ、　
Ｗなどの金属やこれらの合金、さらにはグラファイトや
シリサイド、またさらにはＩＴＯなどの導電性酸化物を
始めとして数多（の材料が挙げられ、これらの本発明へ
の適用が考えられる。係る材料を用いた電極形成法とし
ても従来公知の薄膜技術で十分である。ただし、基板上
に直接形成される電極材料は表面がＬＢ膜形成の際、絶
縁性の酸化物をつ（らない導電材料、例えば貴金属やＩ
ＴＯなどの酸化物導電体を用いることが望ましく、なお
かつ何れの材料を用いるにしてもその表面が平滑である
ことが好ましい。Ag, Pd, Ai', In, Sn, Pb,
There are many materials including metals such as W, alloys thereof, graphite, silicide, and even conductive oxides such as ITO, and these materials can be considered to be applied to the present invention. Conventionally known thin film technology is sufficient for the electrode formation method using the LB film.However, the electrode material that is directly formed on the substrate is made of a conductive material that does not contain insulating oxides when forming the LB film on the surface. , for example, precious metals and I
It is preferable to use an oxide conductor such as TO, and whatever material is used, it is preferable that the surface is smooth.

また、プローブ電極の材料は、導電性を示すものであれ
ば何を用いてもよ（、例えばＰｔ、　Ｐｔ−Ｉｒ、Ｗ、
　Ａｕ、　Ａｇ等が挙げられる。プローブ電極の先端は
、記録・再生・消去の分解能を上げるためできるだけ尖
らせる必要がある。本発明では、針状の導電性材料を電
界研磨法を用い先端形状を制御して、プローブ電極を作
製しているが、プローブ電極の作製方法及び形状は何ら
これに限定するものではない。Furthermore, any material can be used for the probe electrode as long as it exhibits conductivity (e.g., Pt, Pt-Ir, W,
Examples include Au and Ag. The tip of the probe electrode needs to be as sharp as possible to increase the resolution of recording, playback, and erasure. In the present invention, a probe electrode is produced by controlling the shape of the tip of a needle-shaped conductive material using an electropolishing method, but the method and shape of the probe electrode are not limited thereto.

さらにはプローブ電極の本数も一本に限る必要もな（、
位置検出用と記録・再生用とを分ける等、複数のプロー
ブ電極を用いても良い。Furthermore, there is no need to limit the number of probe electrodes to one (
A plurality of probe electrodes may be used, such as one for position detection and one for recording/reproduction.

次に、本発明の記録媒体を用いる記録・再生装置を第２
図のブロック図を用いて説明する。第２図中、５は記録
媒体に電圧を印加するためのプローブ電極であり、この
プローブ電極から記録層１に電圧を印加することによっ
て記録・再生を行なう。対象となる記録媒体は、ＸＹス
テージ１２上に載置される。１０はプローブ電流増幅器
で、９はプローブ電流を読み取りプローブ電極の高さが
定になるように圧電素子を用いた微動機構６．７を制御
するサーボ回路である。１１はプローブ電極５と対向電
極２との間に記録・消去用のパルス電圧を印加するため
の電源である。Next, the recording/reproducing apparatus using the recording medium of the present invention is installed in a second stage.
This will be explained using the block diagram shown in the figure. In FIG. 2, reference numeral 5 denotes a probe electrode for applying a voltage to the recording medium, and recording and reproduction are performed by applying a voltage to the recording layer 1 from this probe electrode. The target recording medium is placed on the XY stage 12. 10 is a probe current amplifier, and 9 is a servo circuit that reads the probe current and controls a fine movement mechanism 6.7 using a piezoelectric element so that the height of the probe electrode is constant. Reference numeral 11 denotes a power source for applying a pulse voltage for recording and erasing between the probe electrode 5 and the counter electrode 2.

パルス電圧を印加するときプローブ電流が急激に変化す
るためサーボ回路９は、その間出力電流が一定になるよ
うに、ＨＯＬＤ回路をＯＮにするように制御している。Since the probe current changes rapidly when the pulse voltage is applied, the servo circuit 9 controls the HOLD circuit to be turned on so that the output current remains constant during that time.

８はＸＹ力方向プローブ電極５を移動制御するためのＸ
Ｙ走査駆動回路である。１３と１４は、あらかじめ１Ｏ
−１ｌＡ程度のプローブ電流が得られるようにプローブ
電極５と記録媒体との距離を粗動割筒したり、プローブ
電極と基板とのＸＹ方向相対変位を太き（とる（微動制
御機構の範囲外）のに用いられる。8 is an X for controlling the movement of the probe electrode 5 in the XY force direction.
This is a Y scan drive circuit. 13 and 14 are 1O in advance
In order to obtain a probe current of about -1lA, the distance between the probe electrode 5 and the recording medium is coarsely adjusted, and the relative displacement between the probe electrode and the substrate in the XY direction is increased (outside the range of the fine movement control mechanism). ) is used for.

これらの各機器は、全てマイクロコンピュータ１５によ
り中央制御されている。また１６は表示装置を表してい
る。All of these devices are centrally controlled by a microcomputer 15. Further, 16 represents a display device.

また、圧電素子を用いた移動制ｉ卸における機械的性能
を下記に示す。In addition, the mechanical performance in movement control using piezoelectric elements is shown below.

Ｚ方向微動制御範囲　：　０．　ｌｎｍ　〜Ｉ　ＩＬｍ
Ｚ方向粗動制御範囲　：　１０ｎｍ〜ｌＯｍｍＸＹ方向
走査範囲　　：　Ｏ，ｌｎｍ　−１４ｍＸＹ方向粗動制
御範囲：　１０ｎｍ〜１０ｍｍ計測、制御許容誤差　・
＜Ｏ，ｌｎｍ（微動制御時）計測、制御許容誤差　：＜
ｌｎｍ（粗動制御時）［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って説明する。Z direction fine movement control range: 0. lnm ~I ILm
Z direction coarse movement control range: 10nm to lOmm XY direction scanning range: O, lnm -14m XY direction coarse movement control range: 10nm to 10mm Measurement, control tolerance ・
<O, lnm (during fine movement control) measurement and control tolerance: <
lnm (during coarse movement control) [Example] The present invention will be described below according to an example.

［実施例１］ 光学研磨したガラス基板（基板３）を中性洗剤及びトリ
クレンを用いて洗浄した後、下引き層としてＣｒを真空
蒸着（抵抗加熱）法により厚さ５０人堆積させ、更にＡ
ｕを同法により４００人蒸材料、対向電極２を形成した
。[Example 1] After cleaning an optically polished glass substrate (substrate 3) using a neutral detergent and trichloride, Cr was deposited as an undercoat layer to a thickness of 50 mm using a vacuum evaporation (resistance heating) method.
A counter electrode 2 was formed using 400 steamed materials using the same method.

次に、スクアリリウム−ビス−６−オクチルアズレン（
以下５ＯＡＺと略す）を濃度０．２ｍｇ／ｍｐで忍かし
たクロロポルム溶液を２０℃の水相上に展開し、水面上
に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待ち係る単分子膜
の表面圧を２０ｍＮ／ｍまで高め、さらにこれを一定に
保ちながら前記の対向電極を形成した基板を水面に横切
るように速度５ｍｍ／分で静かに浸漬し、さらに引き上
げて、２層のＹ形単分子膜の累積を行ない、前記対向電
極２上に２層の累積膜を形成して、記録層ｌとした。Next, squarylium-bis-6-octyl azulene (
A chloroporm solution containing 5OAZ) at a concentration of 0.2 mg/mp was spread on an aqueous phase at 20°C to form a monomolecular film on the water surface. Waiting for the evaporation of the solvent, the surface pressure of the monomolecular film was increased to 20 mN/m, and while keeping this constant, the substrate on which the counter electrode was formed was gently immersed across the water surface at a speed of 5 mm/min. Further, the Y-shaped monomolecular film was pulled up to accumulate two layers, and a two-layer cumulative film was formed on the counter electrode 2 to form a recording layer 1.

次に、記録層１上にビーム径４０人、加速電圧１００Ｋ
Ｖ　、ビーム電流５　ｐＡテ電子ビームを１５０人ピッ
チ、長さ１１００ｐに渡って順次照射することにより、
記録層である５ＯＡＺを部分的に除去して、幅約１００
人の記録層からなるトラックを形成した。Next, a beam diameter of 40 people and an acceleration voltage of 100K are placed on the recording layer 1.
By sequentially irradiating an electron beam with a beam current of 5 pA over a length of 1100p at a pitch of 150 people,
The recording layer 5OAZ was partially removed to create a width of about 100mm.
A track consisting of human recording layers was formed.

また、この時電子ビームのドーズ量が約Ｉ　Ｃ／Ｃｍ２
になる様に走査速度を調節した。Also, at this time, the dose of the electron beam is approximately I C/Cm2
The scanning speed was adjusted so that

以上の様な方法により作成した記録媒体に、第２図に示
した記録・再生装置を用いて記録・再生、消去の実験を
行なった。ただし、プローブ電極５として電界研磨法に
よって作成した白金／ロジウム製のプローブ電極を用い
ており、このプローブ電極５は記録層１に電圧を印加で
きるように、圧電素子により、その距離（Ｚ）が制御さ
れている。さらに上記機能を持ったままプローブ電極５
が面内（ｘ、ｙ）方向にも移動制御できるように微動制
御機構系が設計されている。Recording/reproducing and erasing experiments were conducted on the recording medium prepared by the method described above using the recording/reproducing apparatus shown in FIG. However, a platinum/rhodium probe electrode made by electropolishing is used as the probe electrode 5, and the distance (Z) is set by a piezoelectric element so that a voltage can be applied to the recording layer 1. controlled. Furthermore, the probe electrode 5 has the above function.
The fine movement control mechanism system is designed so that the movement can be controlled also in the in-plane (x, y) direction.

また、プローブ電極５は直接記録・再生・消去を行なう
ことができる。また、記録媒体は高精度のＸＹステージ
１２の上に置かれ、任意の位置に移動させることができ
る。よって、この移動制御機構によりプローブ電極５で
任意の位置のトラック上に記録・再生及び消去を行なう
ことができる。Further, the probe electrode 5 can directly perform recording, reproduction, and erasing. Further, the recording medium is placed on a high-precision XY stage 12 and can be moved to any position. Therefore, this movement control mechanism allows the probe electrode 5 to perform recording, reproduction, and erasing on a track at an arbitrary position.

前述した５ＯＡＺ　２層を累積した記録層１を持つ記録
媒体を記録・再生装置にセットした。この時、トラック
の長さ方向と記録・再生装置のＹ方向がほぼ平行となる
様に設置した。次に、プローブ電極５と記録媒体の対向
電極２との間に＋１．５　Ｖの電圧を印加し、記録層１
に流れる電流をモニターしながらプローブ電極５と対向
電極２の凸状部分との距離（Ｚ）を調整した。この時、
プローブ電極５と対向電極２との距離Ｚを制御するため
のプローブ電流ｒｐを１０−’Ａ≧ｒｐ≧１０−”　Ａ
になるように設定した。次に、距離Ｚを一定に保ちなが
ら、プローブ電極５をＸ方向、すなわちトラックを横切
る方向に走査させ、記録媒体にトラックが形成されてい
ることを確認した後、プローブ電極５を任意のトラック
（記録層）上で保持した。次に、プローブ電極と対向電
極の距離Ｚを一定に保ちながら、プローブ電極をＹ方向
に走査させた。この時、前述した方法によりトラッキン
グを行なうことにより、任意のトラック上をこれから外
れることなくプローブ電極５を走査させることが可能で
あることがわかった。The recording medium having recording layer 1, which is a stack of two 5OAZ layers described above, was set in a recording/reproducing apparatus. At this time, the recording/reproducing apparatus was installed so that the length direction of the track and the Y direction of the recording/reproducing apparatus were substantially parallel. Next, a voltage of +1.5 V is applied between the probe electrode 5 and the opposing electrode 2 of the recording medium, and the recording layer 1
The distance (Z) between the probe electrode 5 and the convex portion of the counter electrode 2 was adjusted while monitoring the current flowing through the electrode. At this time,
The probe current rp for controlling the distance Z between the probe electrode 5 and the counter electrode 2 is 10-'A≧rp≧10-''A
I set it to be. Next, while keeping the distance Z constant, the probe electrode 5 is scanned in the X direction, that is, in the direction across the track, and after confirming that a track is formed on the recording medium, the probe electrode 5 is moved to an arbitrary track ( recording layer). Next, the probe electrode was scanned in the Y direction while keeping the distance Z between the probe electrode and the counter electrode constant. At this time, it has been found that by performing tracking using the method described above, it is possible to scan the probe electrode 5 over any desired track without deviating from it.

次に、プローブ電極をトラック上で走査させながら、５
０人ピッチで情報の記録を行、なった。Next, while scanning the probe electrode on the track,
I recorded the information at zero pitch and it turned out.

かかる情報の記録は、プローブ電極５を＋側、対向電極
２を一側にして、電気メモリー材料（５ＯＡＺ−ＬＢ膜
２層）が低抵抗状態（ＯＮ状態）に変化する様に、第３
図に示すしきい値電圧Ｖｔｈ−ｏ＋＝以上の三角波パル
ス電圧を印加した。その後、プローブ電極を記録開始点
に戻し、再びトラック上を走査させた。その結果、記録
ビットにおいては０．７ｍＡ程度のプローブ電流が流れ
、ＯＮ状態となっていることが示された。以上の再生実
験において、ピットエラーレートは３　Ｘ　１０”’で
あった。To record this information, set the probe electrode 5 on the + side and the counter electrode 2 on one side, and set the third electrode so that the electric memory material (two layers of 5OAZ-LB film) changes to a low resistance state (ON state).
A triangular pulse voltage equal to or higher than the threshold voltage Vth-o+ shown in the figure was applied. Thereafter, the probe electrode was returned to the recording start point and scanned over the track again. As a result, a probe current of about 0.7 mA flowed in the recording bit, indicating that it was in an ON state. In the above playback experiment, the pit error rate was 3 x 10"'.

なお、プローブ電極を電気メモリー材料がＯＮ状態から
ＯＦＦ状態に変化するしきい値電圧ＶｔｈｏｒＦ以上の
ＩＯＶに設定し、再び配録位置をトレースした結果、全
ての記録状態が消去され叶Ｆ状態に遷移したことも確認
した。In addition, as a result of setting the probe electrode to an IOV higher than the threshold voltage VthorF at which the electric memory material changes from the ON state to the OFF state and tracing the placement position again, all recorded states are erased and the state transitions to the F state. I also confirmed that.

なお、５ＯＡＺ　１層あたりの厚さは、小角Ｘ線回折７
去により求めたところ、約１５人であった。The thickness per layer of 5OAZ is determined by small-angle X-ray diffraction 7
According to the survey, there were about 15 people.

［実施例２〕 実施例１において、電子ビーム胛射のピッチを８０人と
した他は全く同様にして、記録媒体を作成した。この時
、トラックの幅は約５０人であった。[Example 2] A recording medium was produced in exactly the same manner as in Example 1, except that the pitch of electron beam radiation was changed to 80 people. At this time, the width of the truck was about 50 people.

かかる記録媒体を用い実施例１と同様にして記録・再生
実験を行なったところ、ピットエラーレートはｌ　Ｘ　
１０−’であり、消去も可能であった。When recording and reproducing experiments were conducted using such a recording medium in the same manner as in Example 1, the pit error rate was lX
10-', and erasing was also possible.

（実施例３］ 実施例１と全（同様に、ガラス基板上に対向電極を形成
した後に、ポリイミドＬＢ膜を２層累積し記録層１を形
成した。なお、ポリイミド１層膜の形成方法は以下の通
りである。(Example 3) In the same manner as in Example 1, after forming a counter electrode on a glass substrate, two layers of polyimide LB film were accumulated to form recording layer 1. The method for forming the single polyimide film was as follows. It is as follows.

ポリアミック酸（分子量約２０万）を濃度ｌＸ１０−ｓ
％（ｇ／ｇ）で溶かしたジメチルアセトアミド溶液を、
水温２０℃の純粋の水相上に展開し、水面上に単分子膜
を形成した。この単分子膜の表面圧を２５ｍＮ／ｍまで
高め、更にこれを一定に保ちながら、前記基板を水面に
横切るように５　ｍｍ７分で移動させて浸漬、引き上げ
を行ない、Ｙ型単分子膜の累積を行なった。更にこれら
の膜を３００℃で１０分加熱を行なうことによりポリイ
ミドにした。なお、ポリイミド１層あたりの厚さは、エ
リプソメトリ−法により約４人と求められた。Polyamic acid (molecular weight approximately 200,000) at a concentration of 1 x 10-s
% (g/g) of dimethylacetamide solution,
It was spread on a pure water phase at a water temperature of 20°C to form a monomolecular film on the water surface. The surface pressure of this monomolecular film was increased to 25 mN/m, and while keeping this constant, the substrate was immersed and pulled up by moving it across the water surface for 5 mm and 7 minutes, and the Y-shaped monomolecular film was accumulated. I did this. Further, these films were heated at 300° C. for 10 minutes to form polyimide. The thickness of each polyimide layer was determined to be about 4 by ellipsometry.

以上のように形成したポリイミドから成る記録層にビー
ム径５００人、加速電圧４０ＫＶ、ビーム電流１４ｐＡ
でＡｕイオンを１０００人ピッチ、長さ１１００ｕに渡
って順次照射することにより、記録層であるポリイミド
を部分的に除去して、幅約５００人の記録層からなるト
ラックを形成した。この時、Ａｕイオンのドーズ量が１
×１０′６個／ｃｍ２になる様に走査速度を調節した。A recording layer made of polyimide formed as described above was coated with a beam diameter of 500 mm, an accelerating voltage of 40 KV, and a beam current of 14 pA.
By successively irradiating Au ions over a length of 1100 μ at a pitch of 1000, the polyimide recording layer was partially removed to form a track consisting of a recording layer with a width of approximately 500 μ. At this time, the dose of Au ions is 1
The scanning speed was adjusted so that the number of particles was x10'6/cm2.

この記録媒体についても実施例１と同様に、記録・再生
、消去の実験を行なったところ、ピットエラーレートは
Ｉ　Ｘ　１０−’であり、消去も可能であった。Similar to Example 1, recording/reproducing and erasing experiments were conducted on this recording medium, and the pit error rate was I x 10-', and erasing was also possible.

以上述べてきた実施例中では、トラック形成時に、記録
層を全面に形成してから除去するという方法を用いたが
、これに限定することはなく、最初から記録層の厚みの
変化を設けながら形成しても構わない。また、記録層除
去の方法も、電子ビーム照射やイオンビーム照射に限る
必要はない。また、トラックの形状についても直線状の
ものについて述べてきたが、これに限ることはなく、螺
旋状、円状等地の形態であっても全く構わない。また、
記録層の形成にＬＢ法を使用してきたが、極めて薄く均
一な膜が作成できる成膜法であればＬＢ法に限らず使用
可能であり、具体的にはＭＢＥやＣＶＤ法等の成膜法が
挙げられる。さらに基板材料やその形状も本発明は何ら
限定するものではない。さらには、本実施例にお−いて
はプローブ電極を１本としたが、記録・再生用のものと
トラッキング用のものを各々分けて２本以上としても良
い。In the embodiments described above, when forming tracks, a method was used in which the recording layer was formed on the entire surface and then removed, but the method is not limited to this, and the thickness of the recording layer is varied from the beginning It doesn't matter if you form it. Furthermore, the method for removing the recording layer is not limited to electron beam irradiation or ion beam irradiation. Moreover, although the shape of the track has been described as being linear, it is not limited to this, and may have a spiral shape, a circular shape, or the like. Also,
Although the LB method has been used to form the recording layer, any film forming method that can create an extremely thin and uniform film is not limited to the LB method, and specifically, film forming methods such as MBE and CVD methods can be used. can be mentioned. Furthermore, the present invention does not limit the substrate material or its shape in any way. Furthermore, although one probe electrode is used in this embodiment, two or more probe electrodes may be used, one for recording/reproducing and one for tracking.

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明に依れば、 ■光記録に比べて、はるかに高密度な記録が可能な全（
新しい記録媒体において、その製造行程を簡易化するこ
とが可能となる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, ■A total
It becomes possible to simplify the manufacturing process for new recording media.

■単分子膜の累積によって記録層及びトラックを形成す
るため、分子オーダー（数人〜数１０人）による膜厚制
御が容易に実現でき、トラックの高さを分子オーダーに
できた。(2) Since the recording layer and the track are formed by the accumulation of monomolecular films, it is possible to easily control the film thickness on the order of a molecule (several to several tens of people), and the height of the track can be made on the order of a molecule.

■平滑な基板上に記録層を形成すれば良いため、より良
好な記録層を得ることができ、また、再現性が高い。(2) Since it is sufficient to form the recording layer on a smooth substrate, a better recording layer can be obtained and the reproducibility is high.

といったような効果がある。There are effects like this.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図ａ〜Ｃは本発明に用いた記録媒体製造方法の一例
を示す図である。 第２図は本発明で用いた記録・再生装置の構成のブロッ
ク図である。 第３図は本発明の記録媒体に記録を行なう際に加えるパ
ルス信号波形である。 １・・・記録層　　　　　２・・・対向電極３・・・基
板　　　　　　４・・・トラック兼記録層５・・・プロ
ーブ電極 ６・・・ＸＹ方向微動制御機構 ７・・・２方向微動制御機構 ８・・・ＸＹ方向走査駆動回路 ９・・・サーボ回路　　　１ｏ・・・プローブ電流増幅
器１１・・・パルス電源　　　１２・・・ＸＹステージ
１３・・・粗動機構　　　　１４・・・粗動駆動回路１
５・・・マイクロコンピュータ １６・・・表示装置FIGS. 1A to 1C are diagrams showing an example of a recording medium manufacturing method used in the present invention. FIG. 2 is a block diagram of the configuration of the recording/reproducing apparatus used in the present invention. FIG. 3 shows a pulse signal waveform applied when recording on the recording medium of the present invention. 1... Recording layer 2... Counter electrode 3... Substrate 4... Track/recording layer 5... Probe electrode 6... XY direction fine movement control mechanism 7... Two direction fine movement control mechanism 8 ... XY direction scanning drive circuit 9 ... Servo circuit 1o ... Probe current amplifier 11 ... Pulse power supply 12 ... XY stage 13 ... Coarse movement mechanism 14 ... Coarse movement drive circuit 1
5...Microcomputer 16...Display device

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、プローブ電極により素子に流れる電流を検出する記
録再生装置に用いる記録媒体であって、該プローブ電極
と対向配置した対向電極上の電気メモリー効果を有する
記録層の厚みを部分的に変化させることにより、記録媒
体にトラックを設けることを特徴とする記録媒体の製造
方法。 ２、記録層を対向電極上の全面に積層した後、電子ビー
ムあるいはイオンビーム照射により部分的に該記録層の
厚みを変化させることにより、トラックを形成する請求
項（１）に記載の記録媒体の製造方法。 ３、記録層の膜厚を数Å以上１００Å以下とする請求項
（１）に記載の記録媒体の製造方法。 ４、記録層の膜厚を数Å以上３０Å以下とする請求項（
１）に記載の記録媒体の製造方法。 ５、トラックの幅を、５０Å以上９００Å以下とする請
求項（１）に記載の記録媒体の製造方法。 ６、トラックのピッチを、８０Å以上１０００Å以下と
する請求項（１）に記載の記録媒体の製造方法。 ７、記録層が、有機化合物の単分子膜または該単分子膜
を累積した累積膜を有している請求項（１）に記載の記
録媒体の製造方法。 ８、単分子膜または、累積膜をＬＢ法によって成膜する
請求項（７）に記載の記録媒体の製造方法。 ９、有機化合物が分子中にπ電子準位を持つ群とσ電子
準位を持つ群とを有する請求項（７）に記載の記録媒体
の製造方法。[Claims] 1. A recording medium used in a recording/reproducing device that detects a current flowing through an element using a probe electrode, wherein the thickness of a recording layer having an electric memory effect on a counter electrode disposed opposite to the probe electrode is A method for manufacturing a recording medium, characterized in that tracks are provided on the recording medium by partially changing the recording medium. 2. The recording medium according to claim 1, wherein the recording layer is laminated on the entire surface of the counter electrode, and then the thickness of the recording layer is partially changed by electron beam or ion beam irradiation to form tracks. manufacturing method. 3. The method for manufacturing a recording medium according to claim (1), wherein the recording layer has a thickness of several angstroms or more and 100 angstroms or less. 4. Claim in which the thickness of the recording layer is from several Å to 30 Å (
1) The method for producing a recording medium according to item 1). 5. The method for manufacturing a recording medium according to claim 1, wherein the width of the track is 50 Å or more and 900 Å or less. 6. The method for manufacturing a recording medium according to claim 1, wherein the track pitch is 80 Å or more and 1000 Å or less. 7. The method for producing a recording medium according to claim 1, wherein the recording layer has a monomolecular film of an organic compound or a cumulative film of the monomolecular films. 8. The method for manufacturing a recording medium according to claim 7, wherein a monomolecular film or a cumulative film is formed by the LB method. 9. The method for producing a recording medium according to claim 7, wherein the organic compound has a group having a π electron level and a group having a σ electron level in the molecule.