JPH03294416A - 液膜法による高速真空脱ガス精錬方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、溶融金属の脱ガス精錬方法及びその装置に係
り、特に、減圧下または真空下での液膜法を開発して、
その高速処理を実現したことに特徴かめる、液膜法によ
る高速真空脱ガス精錬方法及びその装置に関するもので
るる。

（従来の技術） 真空脱ガス法には、１粒滴脱ガス法」、［吸い上げ循環
脱ガス法」、「゛真空溶解法ｊなどｔ初めとして様々な
方法が開発され、実用化でれている。

この中で、鉄鋼業において最も広く採用されているのは
、［吸い上げ循環脱ガス法」の代表でるるＲＨ法、ＤＨ
法でるる。

この他、真空タンク中で誘導加熱・溶解することｔ％像
とする真空溶解法、真空タンクの中に置いた取鍋中の溶
鋼全体を電磁力により円周方向に回転式せることを特徴
とするＡＳＥＡ法等も一部で用いられている。

この真空脱ガス法は様々な目的で用いられるか、特に除
去成分の中で、　　ＣＣ１，（Ｎ）は［Ｈ）に比べて脱
ガス反応速度が小さく、最も除去しにくい元素の一つで
ある。しかし、近年、加工性に富んだ自動車用鋼板等の
ニーズから、これら元素の鋼中濃度低減要求が一層強ま
ってきている。

（Ｃ）、（Ｎ）等の元素は、九とえば２０　ｐｐｍ位の
低濃度になると脱ガス反応速＃が極端に低下してくる。

従って［Ｃ１，（Ｎ）＜　１０ｐｐｍの鋼を製造しよう
とするような場合には、処理時間の延長か生産性にも大
きな影響を及ぼしかねない。

これらの低濃度域では、脱ガス反応速度か主にガス−メ
タル界面積に支配されることから１反応界面増加対策が
重要な課題となってくる。

このため、、ＲＨ法等では、吹込みガス量の増大。

吸い上げ管径の拡大などによって、真空槽内への流入メ
タル量の増加と、それに伴なうガス−メタル界面積増大
が図られているが、設備の巨大化。

吹込みガスの吹き抜け、スプラッシュ忙よる真空槽内へ
の地金つき量の増加、耐火物損耗量の増大などからほぼ
技術的限界に来ており、今後飛躍的な改善が期待できな
くなりつつるる。

−万、　ＡＳＥＡ法などのような磁場による攪拌を利用
した脱ガス法は、ガスを攪拌手段として用いないため、
スプラッシュ発生防止の点では有利でるる。しかし、取
鍋中の全部の溶鋼全電気エネルギーを動力源として動か
さなければならないため、大きな電力を要し、従って工
業的には比較的小石な攪拌力しか与えられない。また、
たとえ大きな電力上使用するとしても１回転磁界で水平
方向に溶融金属すなわちメタルを動か丁場合１周方向の
攪拌速度七人きくすることはできても、上下方間の攪拌
は付随的にしか起こらないため、必ずしも好ましい攪拌
とはいえない。したがって１反応に寄与する有効反応表
面積自身にそれほど増大せず。

（Ｃ）　、　［Ｎ］等の除去法としてＲＨ法やＤＨ法を
凌駕するほどの結果は得られていない。

脱ガス法には、上述の真空脱ガス法の他に１回転体上用
いて大気下で脱炭する方法が知られている。これは、一
般にカルビー転炉法と呼ばれている。この方法は１機械
回転力を用いて炉体自身を回転石せ、脱炭反応あるいは
スラグ／メタル反応の促進を図ろうとするものであるか
、大きな炉体ｔ−機械により回転させるため、設備か極
めて大がか９にな９．それゆえ回転速度を実用的なまで
に大きくすることができず、遠心鋳造法や本発明のよう
にメタルが炉壁に張り付いて回転するようなものではな
い。ざら忙、耐火物の損耗も激しい危め、結果的Ｋｆｌ
、反応プロセス炉として特質を発揮することもなく衰退
していつ几。

なお、製鋼工程においては、鋳造プロセスに遠心力倉用
いたものがめり、遠心鋳造法としてよく知られている。

この遠心鋳造法は各種金属の円管等の製造法として広く
利用されている。この方法は、鋳物砂または耐火物で内
張りされた円管状の鋳型を機械回転力を用いて高速で回
転式せ、この中でそのまま金属を凝固させて円管會得よ
うとするもので、脱ガス等の反応容器として利用する４
のではない。この場合、高速回転による遠心力で溶融メ
タルは容器内壁に押し付けられるため、内壁部材の強度
を十分大きくする必要がめる。ｔｘ。

炉体自身が回転するため、極めて大がかりな設備となる
上に、密閉構造にして真空容器とすることも殆ど不可能
である。

以上のように、従来の技術でるる真空脱ガス法や回転体
の利用によって現状以上の脱ガス能力を期待することは
無理でるり、ｔｅ、これら両者の複合化全図ってもハー
ド的に難しく、新たな発想の元でプロセスを考える必要
かめる。

（発明が解決しようとする課題） 本発明では、ガスに頼らない攪拌済金利用し比高効率・
高機能の脱ガス法を提供することを目的とする。

その九め、攪拌手段として電磁力を利用する。

ｔだし、従来法におけるような単なる取鍋中溶鋼全体の
水平方向撹拌エネルギーとして利用するのではなく、精
錬しようとする溶融金属の一部會中空円筒内壁に薄い膜
状の器壁に沿った流れ？発生させるために利用し、それ
によってガス−メタル反応界面積を現行の浴面脱ガス法
（上記ＲＨ法。

ＤＨ法、　ＡＳＥＡ法等）と比べて飛曙的に向上させよ
うとするものでるる。

なお１反応容器そのものは小型化し、取鍋中溶融金属の
一部を連続的に通過させることによって。

設備の大型化を回避するとともに、小さな電気エネルギ
ーで目的全達成できるようにする。

ｔた。現行ＲＨ法やＤＨ法等の真空脱ガス法がいずれ４
バラ千式であるのに対し、連続処理可能な真空脱ガス方
式を提供する。

（！ＩＩ！［を解決する几めの手段） 本発明の要旨とする第１点は、液膜法による高速真空脱
ガス精錬方法でるる〇 これは、減圧下または真空下にめる中空円筒内壁面に、
ｆＬ下する溶融金属の液膜を形成し、この液膜に回転磁
界を付与して脱ガス処Ｊ！！ｔ−行なうことを特徴とす
る特に。

■　付与する回転磁界が楕円回転磁界でるること。

■　傾斜した中空円筒倉用いて脱ガス処理を行なうこと
。

■　凹凸を有する中空円筒内壁面にｆＩｉＩ融金属の液
膜七形我すること。

によって、よジ優れｔ税ガス効来を得ることかできる。

本発明の要旨とする第２点は、液＠法による高速真窒脱
ガスＷＩ練装置でめる。

この装置の特徴は。

■　最上部を、母溶湯上収納する取鍋またはタンディツ
シュとし、 ■　その下方部には、耐火物によって内張りされ。

かつ真空排気系に接続された円筒形状の減圧（または真
空）脱ガス反応槽を接続し。

■　減圧（または真空）脱ガス反応槽の外周部には１回
転磁界発生装置七配設するとともに。

■　減圧（壇たは真空）脱ガス灰石槽内の上部に。

取鍋（またはタンデインシュ）から流下シテ来た溶湯を
受け、かつその溶湯流れの方向ｔ−ｉ更して減圧（また
は真空）脱ガス反応槽内壁面に液膜を形成せしめる手段
を配設し。

０　減圧（ｔたは真空）脱ガス反応槽の下方部に。

減圧（または真空）脱ガス反応槽で液膜を形成しながら
流下して来た溶湯を収納貯溜する受容器を続続して。

■　取鍋（またはタンディツシュ）との接続部から受容
器までの全体を気密構造とした。

ことにある。特に。

■　減圧（または真空）脱ガス反応槽の内壁面に凹凸【
設けること。

０　取鍋（またはタンディツシュ）から流下して来た溶
湯を受け、かつその溶湯流れの方向を変更して減圧（ま
たは真空）脱ガス反応槽内壁面に液膜を形成せしめる手
段が、減圧（または真空）脱ガス反応槽を水平方向に対
して傾斜芒せること、及び／又は、耐火物製の円盤ある
いは円錐体あるいは樋でおること。

■　上記■の傾斜角度上任意に変更可能でろること。

によって、より優れ几脱ガス効果金得ることができるよ
うになる。加えて。

０　溶湯を貯溜する受容器の外周部に、低周波誘導加熱
コイルを配役するとともに１合金鉄原料及び精錬フラッ
クス添加手段ｔｆ＆けること、によって、受容器中の溶
＠を加熱し、１ｗ錬フラックスを添加して、この誘導加
熱に伴なう攪拌効果を利用しながら、脱硫処理あるいは
介在物除去処理ｔ、また。併せて合金鉄を添加して目弊
成分を有する鉄合金等の裂造七連続的に実施することか
できる。

以下に１本発明の詳細全作用とともに述べる。

（作用） 本発明では、処理しようとする浴融金属の一部が１回転
磁界により中空円筒内壁を引きずられるようにして回転
し、かつ流下するため、この内壁に張り付いたような薄
膜が形成される。その結果。

脱ガス反応界面積は飛躍的に増加し、この液膜を真空処
理することによって、連続的に、かつ不納物濃度の極め
て低い溶融金属の製造が可能となる。

このような本発明の方法で用いる！ＪｆｒＩａｉｅ、あ
るいは本発明に係る装置は、比較的小さな真窒ｆｆ錬反
応装置とすることが可能である。本発明扛、、ｗｉ効率
かつ高侵能の税ガス精錬方法並びに脱ガス精錬装置上提
供しようとするものである。

以下では１本発明のイメージを具体的なものとする几め
に１本発明に係る製雪と方法ｔいっしょに詳述する。（
鷹１図及び第２図参照）本発明に係る精黄装置は以下の
５点の基本的早成部分よＶなる。

ａ、［母＠湯９を収納する取鍋またはタンデイッシュ１
］ ｂ、「耐火物１２によって内張りされ、かつ気密構造を
有する円筒形状の睨ガス反応槽２または２’ＪＣ９［悦
ガス反応槽２またはτから受容器５にわたる系全減圧ま
次は真空とする之めの排気装置Ｊ ｄ、［脱ガス反応槽２または２′内會通過する溶拳金属
すなわちメタルが、薄膜状になって内壁に張り付きなが
ら回転しつつ下降して竹〈ための反応槽２１之は２′の
外周部に投げられ九回転伝界発生装［４Ｊ ｓ、　　ｌ−説ガス反応後のメタル全収納する受容器ま
たに取−５」 円筒形状の脱ガス反応槽の全開的配置ｔは、垂直式のも
のでも適度の傾斜を有する水平に近いものでもいずれで
も可能でるる０図ＩＶ−相当する垂直式２の場合に、上
流側から流れてくるメタルｔ　−組構方向まｆｃは、斜
め下方に向きｔ−変え、器壁に直接メタル液ｌ５１９　
ｋ形成せしめるような耐火物製の補助構底部分か必要で
るる。（例えば、第１図の耐火物製円盤６） 母溶湯９ｉ収納する取鍋′１次はタンディツシュ１け反
応も憧２の上ｔＭ、（ロ）に配置ちれており、ま友メタ
ルの流（支）量制御全行なうための装置７が下方に設け
ら几ている。−万、脱ガス反応後のメタルを収納する受
答器ま友ｄ受鋼用の取−５は反応槽２の下流側に配ｌｆ
嘔れるとともに、タンディツシュｌ１反応種２．取礪５
それぞれは脱着用能でかつ気密構造になっている連結部
８．８′でつながっている。

反応槽２．取鍋５を連結後、排気装置３により脱ガス反
応槽２内を必要とする圧力まで排気し。

しかる後、取鍋またはタンディツシュ１の下方に設けら
れたメタル流出量制御弁ｌ電１いてメタル？＋９１！出
させる。同時に１回転磁界発生装置４の電源全投入し１
反応槽２の円周方向に回転する磁界を発生させる。第２
図に相当し１反応槽２が傾斜した配置となっている装置
反応槽２′の場合には。

−度反応槽２′に落下したメタルは回転磁界に引きずら
れて円周方向に回転運動する。

必要とする回転速度は、少なくともメタルが器壁虻張り
つい定状態を保てる速度でめればよく。

脱ガス反応槽２ま７’Ｃは２′の径が大きい程回転速度
は小さくて済む。また１反応槽の内径は脱ガス反応表面
積にも深くかかわり、大きい程反応表面積は増大するこ
とになるが、一方では１反応槽の内径を大きくするとそ
の外周部に設けられる回転磁界発生コイルノ４ならびに
電源容量等も犬きくなり。

設備コストの増加を招く几め、経済的にはこれら全勘案
して決定することか望ましい。実用的には。

反応槽の直径は０．５ｍ〜３ｍ程度とし、檜の長さ全生
産速度や必要精錬目的に応じて決定すればよい。

さらに１本発明方法の場合、脱ガス反応表面積は単に脱
ガス反応槽２または２′の内径だけで決まるのではなく
１反応槽の内壁に形成されるメタル液膜層１９の厚み１
回転しながら流下していくメタルの反応槽内滞留時間が
関係する。

したかって、脱ガス反応槽２または２′が垂直配電の場
合には滞留時間の変更可能幅か小さく、この点から傾斜
方向配置が好ましい。加えて、傾斜方向配置の場合、傾
斜角度と回転速度の組み合せによって反応表面積、並び
に滞留時間すなわち反応時間を任意に選ぶことができ、
Ｉ？！ｔＫ反応槽の傾斜角度変更が必要に応じてできる
ような可動方式としておけば嘔らに好都合でるる。

脱ガス反応槽２またＦｉ２’内で液膜１９となり１反応
比表面積が著しく増大し几メタルは、減圧または真空雰
囲気に曝されることによって、脱炭・脱窒あるいは脱水
素などの脱ガス反応速度か大きくなり、短時間で（Ｃ）
、（Ｎ）、（Ｈ）１１１度の低いメタルとなることがで
きる。

一方、メタル液膜層１９の厚みが厚過ぎると、減圧また
は真空雰囲気に接していない反応槽内壁近傍にあるメタ
ルのガス／メタル間反応が進行しにくくなるので、メタ
ル液膜膜厚は薄い方が好ましい。ｔた。メタル液膜層１
９内の勧賞移動速度を大きくシ、液膜表面の更新を促進
する観点からは。

液膜層内に乱れを生じさせることが有効でめジ、脱ガス
反応槽２ま次は２′の内壁に適当な凹凸上膜けたり、耐
火物内面断面形状を非円形とするか。

磁界発生装置４の極相を非対象として得られる楕円回転
磁界とすることも有効な手段となる。ただし、この場合
、耐火物１２の溶損速度はやや大Ｓくなる傾向かめるた
め、溶損されにくい耐火物全使用するべきである。

脱ガス反応槽２またＦｉ２／の端部に達し次メタルは１
丁でに脱ガス処理が完了しているので１反応槽の下ｆＩ
ｔｌＩにるる受容器５に溜めて回収する。なお、この過
糧で一部メタルの温度低下が起ることかめる。この場合
には温度低下を補償するため。

受容器５の外周に低周波誘導加熱コイル２５七設け。

溶メタルの加熱を行えばよい。低周波音用いる理由は、
メタルの加熱を行うとともに強い攪拌力を利用して真空
脱ガスに継続する他の精錬を同時に行なうためである。

すなわち、精錬フラックス會添加・攪拌して脱硫や介在
物除去処理を速やかに行ない、また、併せて任意量の合
金鉄上添加・混合して目標成分のメタルとする成分変更
容易な連続的精錬を可能とするものである。勿論、脱炭
反応七更に進行嘔せる上でも有効である。

メタル受容器５の底部にはメタル流出量制御弁１７′か
あり、ノズル１Ｏｔ−介してその下方部に設けられた鋳
型Ｉ例えば連＃機ＴｌｃｗＩ込むことができる。

また、別の受容器に一旦必要量だけ抜き取ってから、別
の場所で一造してもよい。式らに、この受容器５ｉ取鍋
そのものとし１間を久処理することも可能である。

脱ガス反応槽２または２′ならびにメタル受容器５の外
周部は真空を保持できるように機械的強度とともに気密
性【考慮し、ま比高熱用反応器でもるるという観点から
耐熱性も必要となる。一方。

磁界発生用のコイル１４．２５Ｆｉその外側に設けると
ともに１反応槽及び受容器の本体は、磁束の透過性、磁
束による発熱防止などの点から非磁性材料音用いる必要
がめる。最も好ましいのは気密性のめるセラミックスで
るる。

（実施例） 実施例−１ 本実施例で使用した装置は、第１図に相当する。

すなわち、下部に溶鋼流出弁を備え皮取鍋中に。

溶鋼成分値がそれぞれ（Ｃ）：０．０４％、　（Ｍｎｌ
　：　０．２％、　（０１：０．０３５％−（Ｓｔｌな
らびに（Ａｌｌ　：　ｔｒ、　。

Ｃ８）　：　０．０２５％、　（Ｎｌ　：　２５ｐｐｍ
　（ＤＨｆｌｍ　６００　ｋｇに収納し、この取鍋に接
続する下方部には内径５００ｍｍφ、高さ４０００ｍｍ
のＭ、Ｏ製の円筒管を垂直に置き、さらにその外ｌｌ１
ｔ−陶磁器製の円筒管で徨った。また、この陶磁器製円
筒管の外周部九回転磁界コイル會配設した。

取鍋から流出し次溶鋼が方向上転じてＭ、Ｏ１１１円筒
管の内壁に当るよう、溶鋼流出弁の真下に耐火物製の円
盤製置い友。さらに、ＭｇＯ製円筒管の下方にはそれに
接続する外周部か陶磁器製、内ｙＡかＭ、Ｏ製の受容器
を置き、その最外周部にＦｉ１５０Ｈｚの誘導加熱コイ
ルを配置し友。中間部の円筒管の一部には排気用ダクト
が設けられており、真空排気ポンプに接続している。各
接合部はバンキング等により十分気密性が保持できるよ
うになっている。

以上の装置において、まず取鍋の溶１１［量弁から下方
の空間を真空排気ポンプにより約１０−ｌｍｍＨｇまで
排気し、しかる後、取鍋下部の＠鋼流田弁を開いて溶鋼
を流下させつつ１次に中間部の円筒管外周のコイルに通
電して回転磁場をかけ１回転速度３０ｒｐｍでメタルを
回転させながら下方に流れるようにし友。このとき、最
下端の受容器に設けた誘導加熱コイルには通電しなかつ
几０結果を第３図に示す。

受容器内の処理後メタル中〔Ｃ′３は５０　ｐｐｒｎ　
、ま几（Ｎｌは１２　ｐｐｍでめり次。

また、最下端の受容器に設けた誘導加熱コイルに通電し
てそこに溜ったメタルを加熱攪拌し次点以外は上記と全
く同じ方法で処理したところ、処理後のメタル中ＬＣ’
ｌは２５　ｐｐｍ、（Ｎ）は１ｏ　ｐｐｍでめつ几。

これに対して、本設備を用い１反応槽外周部に設けた回
転磁界用ならびに受答器外周部に設げ次加熱攪拌用コイ
ルに一切通電せずに、上記と同条件で上部の堰鍋中溶鋼
を最下端の受答器に移し替えた場合、処理後のメタル中
［Ｃ］は１５０　ｐｐｍ【Ｎ）に２０　ｐｐｍでめつ之
。

以上のように１本発明の方法を実施することにより、従
来レベルに最も近いと想足される最後（３番目、直上）
の例と比べて、はるかに優れ九脱炭を行なうことができ
友。

実施例−２ 実施例−１と同じ第１図の装置？用い、同じ成分値の溶
鋼？、同一条件で真空脱炭処理した。この場合、ＣＰ間
部の円筒管ではメタルの回転速度が３０ｒｐｍとなるよ
うに磁場上かけ、ｔた最下端の受容器ではＣａ０−Ｃａ
Ｆ、　−Ａｌ、　Ｏｓからなる精錬フラツクス１．５に
９ｉ添加し次。処理前半ではこの受容器外周のコイルに
通電せず、処理後半では通電を行なった。コイルに通電
しなかつｆｃ前半でＦｉ溶鋼中の（Ｓｌ値に変化か見ら
れなかったが、コイルに通電上行なった後半では受容器
に溜つ几溶鋼中の（Ｓ）値に変化が認められ、処理後の
〔Ｓ〕値は最終的に０．００９％まで低下した。

実施例−３ 本実施例で用いた装置は第２図に相当する０丁なわち、
実施例−１の垂直型中間部の円筒管′ｔ−横向きとし、
その勾配ｔ２／１００〜４０／１００の範囲で変化させ
られるようにし、また中間部円筒管外周コイルの磁場を
変化石せてメタルの回転速度を３０〜５００ｒｐｍの範
囲にと９．真空脱炭処理全行なった。

得られた結果は第３図に示す通９でるり、中間部円筒管
の反応槽勾配か同一の場合にメタルの回転速度が大きい
程、回転速度が同一の場合は反応槽の勾配が小さい糧、
受容器に溜つ九溶鋼中〔Ｃ〕慣は低い値となった。

この第３図かられかることは、普通の回転磁界を楕円回
転磁界とすることにより１反応槽勾配をできる限り水平
に近付けることにより、さらに。

中空円筒内壁面に凹凸を付与することによって。

脱ガス反応が促進され、〔Ｃ〕値の低減が図れることで
るる。

実施例−４ 実施例−３において、中間部円筒管内部の耐火物表面に
不規則な突起（凹凸）を２０ケ所設けた。

この場合、液膜には乱れが生じ、不規則な運勧會するこ
とが確認でき友。同じ処理条件、すなわち同一メタル回
転速度、同一円筒管反応槽勾配で得たＥＣ）　ｆｌｔｉ
、突起部を設けた場合の方が低かった。

（発明の効果） 本発明の実施により１次のような効果が得られる。

まず、＊融金属メタルを液膜として薄膜化するため、脱
ガス反応比表面積が大幅に増大する。その結果、脱ガス
反応速度が格段に大きくなり、（Ｃ〕。

（Ｎ）、　（Ｈ）等の濃度の著しく低い高純度メタルを
短時間で得ることができるようになる。

一方、連続脱ガス処理が可能となるため、転炉から溶鋼
上タンディツシュに受けたのち、ＲＨ法やＤＨ法等の別
の工程を経由せずに、直接本発明を経てそのまま連続鋳
造へ繋ぐことができる。これによって、ごく単純な工程
で高純度鋳片を製造できるようになり、同時に、設備が
縮小化されて。

設備費も削減することとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明に係る装置のうちで垂直型の場合の説
明断面図。 ＷＸ２図は１本発明に係る装置のうちで傾斜型の場合の
説明断面図。 第３図は、脱ガス反応槽における回転磁界の回転速度と
受は容器中に得られた溶鋼の〔Ｃ）＃度との関係を示す
図である。 ｌｔｊ取鍋またはタンディツシュ、２＃ｉ脱ガス反応槽
（垂直ｆｉ）、２’は脱ガス反応槽（傾斜Ｍｊり、３は
排気装置、４は回転磁界発生装置、５はメタル受容器ま
たは取鍋、６は耐火物製円盤または円錐体、７はメタル
流出量制御製蓋、８．８’は機密構造連結部、９Ｉ／′
ｉ母溶湯、　１０はノズル、１２＃：を耐大物、１３は
排気ダクト、１４は回転磁界発生コイル。 １７　、１７’はメタル流出量制御台、１９は液膜（層
）。 ２０Ｆｉモールド、２２は非磁性外皮、２５Ｆｉ低周波
誘導加熱攪拌コイル。 ８９

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）減圧下または真空下にある中空円筒内壁面に、流
   下する溶融金属の液膜を形成し、該液膜に回転磁界を付
   与して脱ガス処理を行なうことを特徴とする液膜法によ
   る高速真空脱ガス精錬方法。
2. （２）付与する回転磁界が楕円回転磁界であることを特
   徴とする、特許請求の範囲第１項記載の液膜法による高
   速真空脱ガス精錬方法。
3. （３）傾斜した中空円筒を用いて脱ガス処理を行なうこ
   とを特徴とする、特許請求の範囲第１項及び第２項のい
   ずれか１項に記載の液膜法による高速真空脱ガス精錬方
   法。
4. （４）凹凸を有する中空円筒内壁面に溶融金属の液膜を
   形成することを特徴とする、特許請求の範囲第１項から
   第３項までのいずれか１項に記載の液膜法による高速真
   空脱ガス精錬方法。
5. （５）最上部を、母容湯を収納する取鍋またはタンデイ
   ツシユとし、その下方部には、耐火物によつて内張りさ
   れ、かつ真空排気系に接続された円筒形状の減圧または
   真空脱ガス反応槽を接続して、該減圧または真空脱ガス
   反応槽の外周部には回転磁界発生装置を配設すると共に
   、該減圧または真空脱ガス反応槽内の上部に、前記取鍋
   またはタンデイツシユから流下して来た前記溶湯を受け
   、かつ該溶湯流れの方向を変更して該減圧または真空脱
   ガス反応槽内壁面に液膜を形成せしめる手段を配設し、
   さらに、前記減圧または真空脱ガス反応槽の下方部に、
   該減圧または真空脱ガス反応槽で液膜を形成しながら流
   下した来た前記溶湯を収納貯溜する受容器を接続して、
   前記取鍋またはタンデイッシュとの接続部から該受容器
   までの全体を気密構造としたことを特徴とする、液膜法
   による高速真空脱ガス精錬装置。
6. （６）減圧または真空脱ガス反応槽の内壁面に凹凸を設
   けたことを特徴とする、特許請求の範囲第５項記載の液
   膜法による高速真空脱ガス精錬装置。
7. （７）取鍋またはタンデイッシュから流下した来た溶湯
   を受け、かつ該溶湯流れの方向を変更して減圧または真
   空脱ガス反応槽内壁面に液膜を形成せしめる手段が、該
   減圧または真空脱ガス反応槽を水平方向に対して傾斜さ
   せること、及び／又は、耐火物製の円盤あるいは円錐体
   あるいは樋であることを特徴とする、特許請求の範囲第
   ５項及び第６項のいずれか１項に記載の液膜法による高
   速真空脱ガス精錬装置。
8. （８）傾斜角度を任意に変更可能であることを特徴とす
   る、特許請求の範囲第７項記載の液膜法による高速真空
   脱ガス精錬装置。
9. （９）溶湯を貯溜する受容器の外周部に、低周波誘導加
   熱コイルを配設すると共に、合金鉄原料及び精錬フラッ
   クス添加手段を設けたことを特徴とする、特許請求の範
   囲第５項から第８項までのいずれか１項に記載の液膜法
   による高速真空脱ガス精錬装置。