JPH03286591A - ファイン回路における短絡防止構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、微細ファイン（高密度）回路の短絡を防止
する短絡防止構造に関する。

「従来の技術とその課題」 従来の回路としては第３図に示す構造のものが知られて
いる。

この図に示す回路ｌは、ポリイミドよりなるベースフィ
ルム２の上面に金属箔３を積層し、更にこの積層した金
属箔３をエツチング処理することにより形成されるもの
であって、その隣接する回路の間隔は例えば５０μｍ程
度に設定されている。

ところで、上記のように構成される回路では、近年−層
のファイン化か進み、３０〜５０μｍ程度の回路間隔の
ものの出現も予想されるようになっており、このような
回路のファイン化に応じてマイグレーションによる回路
間の短絡か起こるといった不具合も発生していた。

この発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって
、回路の間隔を小さく設定した場合であっても、隣接す
る回路同士が、マイグレーションにより短絡することが
未然に防止できるファイン回路における短絡防止構造の
提供を目的とする。

「課題を解決するための手段」 上記目的を達成するために、本発明では、ベースフィル
ム（１０）の表面に、回路（１２）を構成する金属箔（
１３）を積層し、更に前記ベースフィルムの表面に、前
記回路のパターンに対応した凸部（１１）を形成し、前
記金属箔を前記ベースフィルムニ形成された凸部の上方
面に配置させるようにしている。

「作用」 この発明によれば、回路を構成する金属箔が、ベースフ
ィルムに形成された凸部の上方面に配置されていること
から、該ベースフィルムの凸部間に位置する凹部により
、隣接する回路間における、ベースフィルムの表面に沿
った距離、つまり回路間の距離を実質的に長くすること
ができる。

「実施例」 本発明の一実施例を第１図及び第２図（Ａ）〜第２図（
Ｄ）を参照して説明する。

本発明の特徴は、第１図に示すように、符号ＩＯで示す
ベースフィルムの表面に、回路のパターンに対応した凸
部１１が該ベースフィルム１０と一体に形成され、この
凸部１１の上方面に回Ｂ１２を構成する金属箔１３を配
置した点にある。

つまり、ベースフィルム１０の凸部１１間に形成された
凹部１４により、隣接する回路１２間におけるベースフ
ィルムの表面に沿った距離（符号Ｍで示す）が、このよ
うな凸部１１の形成されていない従来の回路と比較して
大きくなるという構成が実現される。

次に、上記第１図に示すような回路を形成させるための
工程について第２図（Ａ）〜第２図（Ｄ）を参照して説
明する。

（−）エツチングレジストの形成 第２図（Ａ）に示すように、ポリイミドにより形成され
たベースフィルム１０の上面に、銅箔ニより形成された
金属箔１３を積層させ、更にこの金属箔１３の上面に回
路パターンに応じたエツチング、レジスト１５を設ける
。

に）エツチング 第２図（Ｂ）に示すように、前記工程（−）にてエツチ
ングレジスト１５が形成された基板をエツチング液に投
入して、前記エツチングレジスト１５が形成された箇所
以外の金属箔１３を部分的に溶解除去し、これによって
、所定の回路１２を形成する。

（三）剥離 第２図（Ｃ）に示すように、前記工程に）にて回路１２
か形成された基板を剥離液に投入して、該回路１２の上
方面に設けられているエツチングレジスト１５を溶解除
去する。

なお、前記剥離液としては水酸化ナトリウムなどが使用
される。

（四）ベースフィルムのエツチング 第２図（Ｄ）に示すように、前記工程（三）にてエツチ
ングレジスト１５が除去された基板を、ベースフィルム
エツチング液に投入し、これによって該ベースフィルム
１０がベースフィルムエツチング液に接触している部分
、つまり金属箔１３の間に位置するベースフィルム１０
をエツチングする。

これにより、前記金属箔１３の間に凹部１４が形成され
、結果として、前記金属箔１３がベースフィルム１０の
凸部１１上方面に位置することになる。

なお、前記ポリイミドのベースフィルム１０をエツチン
グするエツチング液としては、特公昭６１−４８５０号
公報に示されるように、エタ／−ル、ｎ−プロパツール
、インプロパツールまたはこれらの組み合わせからなる
群から遺ばれたアルコールが４５〜９８重量％の割合で
含有され、更に、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
アルカリ金属水酸化物、アンモニウム水酸化物等の塩基
性化合物が０．０５〜５０　重量％の割合で含有される
ものが使用される。

そして、前記工程（四）においてベースフィルム１０を
エツチングすることにより形成された基板は、第２図（
Ｄ）に示すように、結果として、金属箔１３により構成
される回路１２か、ベースフィルム１０のエツチングに
より形成された凸部１１上に配置されることになるので
、隣接する回路１２間におけるベースフィルムの表面に
沿った距離（符号Ｍで示す：第１図参照）が長くなり、
これによって、マイグレーションにより生ずる回路の短
絡か発生しにくくなるという効果が得られる。

なお、本実施例では、（三）に示すエラチンブレジス１
−１５の剥離工程と、（四）に示すヘースフィルム１０
のエツチング工程とを個別に行うようにしたが、これに
限定されず、ベースフィルム１０のエツチング液に含有
される水酸化ナトリウムにより、ベースフィルム１０の
一部とともにエツチングレジスト１５をも除去し１これ
によって（三）と（四）との処理を同時に行うようにし
ても良い。

「発明の効果」 以上詳細に説明したように、この発明によれば、回路を
構成する金属箔が、ベースフィルムに形成された凸部の
上方面に配置されていることから、該ベースフィルムの
凸部間に位置する凹部により、隣接する回路間における
ベースフィルムの表面に沿った距離が実質的に長くなり
、これによって、マイグレーションにより生ずる回路の
短絡を未然に防止することができる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第２図（Ｄ）は本発明の一実施例を示す図であ
って、第１図はその断面図、第２図（Ａ）〜第２図（Ｄ
）は第１図に示すファイン回路を製造するための工程図
、第３図は従来のファイン回路を示す断面図である。 １０・・・・・・ベースフィルム、１１・・・・・・凸
部、・・・・・・回路、１３・・・・金属箔、１４・・
・・・・凹部、・・・・・・エツチングレジスト。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　ベースフィルム（１０）の表面に、回路（１２）を構
   成する金属箔（１３）が積層されてなり、 前記ベースフィルムの表面には、前記回路のパターンに
   対応した凸部（１１）が形成され、前記金属箔は、前記
   ベースフィルムに形成された凸部上方面に配置されてい
   ることを特徴とするファイン回路における短絡防止構造
   。