JPH0328518Y2 - - Google Patents
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- JPH0328518Y2 JPH0328518Y2 JP1984114328U JP11432884U JPH0328518Y2 JP H0328518 Y2 JPH0328518 Y2 JP H0328518Y2 JP 1984114328 U JP1984114328 U JP 1984114328U JP 11432884 U JP11432884 U JP 11432884U JP H0328518 Y2 JPH0328518 Y2 JP H0328518Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は圧接形半導体装置に関する。[Detailed explanation of the idea] Industrial applications The present invention relates to a press-contact type semiconductor device.
従来の技術
従来、数100A以上の電流容量を持つサイリス
タやゲートターンオフサイリスタ(以下、GTO
と称す)等では数トン程度の圧接力でアノード、
カソード電極を外部に取出す圧接形の構造がとら
れている。しかし制御極、例えばサイリスタのセ
ンターゲート電極と外部ゲート端子を結ぶリード
線や増幅ゲート構造を持つサイリスタの補助サイ
リスタカソードと主サイリスタを結ぶリード線
は、アルミのボンデイングリード線によつて配線
されていた。ここで第3図に従来の圧接形半導体
装置の一例を示す。第3図において1は
P1N1P2N2層から成る補助GTOとP1N1P2N3層か
ら成る主GTOを同一ウエハ上に設けた増幅ゲー
ト構造のGTOである。2はモリブデンMoやタン
グステンWから成るアノード熱補償板である。こ
の熱補償板2は前記GTO1のP1層と合金されて
いる。3はドーナツ形状を有するカソード熱補償
板である。この熱補償板3は前記GTO1のN3層
表面に設けられた主カソード電極4上に配置され
ている。5は前記GTO1のP2層の中央部表面に
設けられた補助ゲート電極であり、6は前記
GTO1のN2層表面に設けられた補助カソード電
極であり、7は前記GTO1のP2層の外周部表面
に設けられた主ゲート電極である。8はアルミ等
から成る内部リード線であり、その一端は補助ゲ
ート電極5上に超音波ボンデイングされている。
内部リード線8の他端は前記熱補償板3上に配設
されたカソード銅ポスト10の破線で示す切欠溝
を通して引き出され、外部ゲート端子11に圧着
接続されている。9はアルミ等から成る内部リー
ド線であり、その一端は補助カソード電極6上に
超音波ボンデイングされている。内部リード線9
の他端は前記カソード銅ポスト10の破線で示す
切欠溝を通して引き出され、主ゲート電極7上に
超音波ボンデイングされている。尚、12はアノ
ード銅ポスト、13はセラミツク容器を示してい
る。Conventional technology Conventionally, thyristors and gate turn-off thyristors (hereinafter referred to as GTOs) have a current capacity of several hundred amperes or more.
), etc., the anode,
It has a pressure-contact structure in which the cathode electrode is taken out to the outside. However, control poles, such as lead wires connecting the center gate electrode of a thyristor and an external gate terminal, and lead wires connecting the auxiliary thyristor cathode and the main thyristor of a thyristor with an amplification gate structure, were wired using aluminum bonding lead wires. . Here, FIG. 3 shows an example of a conventional pressure contact type semiconductor device. In Figure 3, 1 is
This is a GTO with an amplification gate structure in which an auxiliary GTO consisting of two P 1 N 1 P 2 N layers and a main GTO consisting of three P 1 N 1 P 2 N layers are provided on the same wafer. 2 is an anode heat compensating plate made of molybdenum Mo or tungsten W. This thermal compensator plate 2 is alloyed with the P1 layer of the GTO 1. 3 is a cathode heat compensator plate having a donut shape. This thermal compensation plate 3 is arranged on the main cathode electrode 4 provided on the surface of the N 3 layer of the GTO 1 . 5 is an auxiliary gate electrode provided on the central surface of the P2 layer of the GTO1, and 6 is the
An auxiliary cathode electrode is provided on the surface of the N 2 layer of the GTO 1, and 7 is a main gate electrode provided on the outer peripheral surface of the P 2 layer of the GTO 1. Reference numeral 8 denotes an internal lead wire made of aluminum or the like, one end of which is ultrasonically bonded onto the auxiliary gate electrode 5.
The other end of the internal lead wire 8 is drawn out through a notch shown by a broken line in a cathode copper post 10 disposed on the heat compensating plate 3, and is crimped and connected to an external gate terminal 11. Reference numeral 9 denotes an internal lead wire made of aluminum or the like, one end of which is ultrasonically bonded onto the auxiliary cathode electrode 6. Internal lead wire 9
The other end is drawn out through the notched groove shown by the broken line in the cathode copper post 10, and is ultrasonically bonded onto the main gate electrode 7. Note that 12 represents an anode copper post, and 13 represents a ceramic container.
考案が解決しようとする問題点
上記のように構成された装置は、一般に高周波
で使用され且つ温度変化の激しい条件下で使用さ
れることが多い。このように温度変化の激しい条
件下で使用すると電極5,6,7上において内部
リード線8,9のボンデイング部分が発熱によつ
て劣化してしまい、この結果内部リード線8,9
が断線してしまう。Problems to be Solved by the Invention The device configured as described above is generally used at high frequencies and is often used under conditions of severe temperature changes. When used under such conditions with severe temperature changes, the bonding portions of the internal lead wires 8, 9 on the electrodes 5, 6, 7 deteriorate due to heat generation, and as a result, the internal lead wires 8, 9 deteriorate.
is disconnected.
本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、内
部リード線の断線事故を防止して信頼性の向上を
図つた圧接形半導体装置を提供することを目的と
している。 The present invention has been devised in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a press-contact type semiconductor device that can prevent disconnection of internal lead wires and improve reliability.
問題点を解決するための手段
本考案は、同一ウエハの中央部表面に設けられ
た補助GTOのゲート電極およびカソード電極、
これら電極から所定距離隔てた前記ウエハの外周
部表面に設けられた主GTOのゲート電極および
カソード電極から成る増幅ゲート形GTOと、導
電性を有し前記増幅ゲート形GTOのアノードに
配設されるアノード圧接板と、導電性を有し前記
主GTOのカソード電極に配設されるカソード圧
接板とを備え、これら圧接板により前記増幅ゲー
ト形GTOを所要の圧力で圧接して成る圧接形半
導体装置において、前記カソード圧接板の前記補
助GTOのゲート電極およびカソード電極に対向
する部位に凹部を設け、前記カソード圧接板の前
記主GTOのゲート電極に対向する部位に鍔部を
設け、前記カソード圧接板に前記凹部と鍔部を連
通する通路を形成し、前記凹部および鍔部に、一
端が前記補助GTOのゲート電極に接触されると
ともに他端が前記通路を介して外部に引き出され
る第1の導体と、一方が前記補助GTOのカソー
ド電極に接触されるとともに他方が前記通路を介
して前記主GTOのゲート電極に接触される第2
の導体とを配設し、前記凹部に、前記第1の導体
の一端を前記補助GTOのゲート電極に圧接せし
める第1の弾性体と、前記第2の導体の一方を前
記補助GTOのカソード電極に圧接せしめる第2
の弾性体とを収納し、前記鍔部に、前記第2の導
体の他方を前記主GTOのゲート電極に圧接せし
める第3の弾性体とを収納し、前記カソード圧接
板の主カソード電極に対向する面Bよりも前記凹
部との境界面Aを突出させて形成し、前記カソー
ド圧接板の凹部の面のうち、前記補助ゲート電極
に対向する面Cを補助ゲート電極に対向しない面
Dよりも突出させて形成したことを特徴としてい
る。Means for Solving the Problems The present invention proposes that the gate electrode and cathode electrode of the auxiliary GTO provided on the central surface of the same wafer,
An amplification gate type GTO consisting of a gate electrode and a cathode electrode of a main GTO provided on the outer peripheral surface of the wafer at a predetermined distance from these electrodes, and an amplification gate type GTO having conductivity and disposed at the anode of the amplification gate type GTO. A press-contact type semiconductor device comprising an anode press-contact plate and a cathode press-contact plate having conductivity and disposed on the cathode electrode of the main GTO, and in which the amplification gate type GTO is press-contacted with a predetermined pressure by these press-contact plates. A recess is provided in a portion of the cathode press-contacting plate facing the gate electrode and the cathode electrode of the auxiliary GTO, a flange is provided in a portion of the cathode press-contacting plate facing the gate electrode of the main GTO, and the cathode press-contacting plate A first conductor is formed in the recess and the flange, and has one end in contact with the gate electrode of the auxiliary GTO and the other end drawn out to the outside through the passage. and a second electrode, one of which is in contact with the cathode electrode of the auxiliary GTO and the other with the gate electrode of the main GTO via the passage.
a first elastic body that presses one end of the first conductor to the gate electrode of the auxiliary GTO in the recess, and a first elastic body that connects one end of the second conductor to the cathode electrode of the auxiliary GTO. The second
a third elastic body for press-contacting the other side of the second conductor to the gate electrode of the main GTO, and a third elastic body for press-contacting the other side of the second conductor to the gate electrode of the main GTO, and facing the main cathode electrode of the cathode press-contact plate. A boundary surface A with the concave portion is formed to protrude from a surface B of the cathode press-contacting plate, and a surface C of the concave portion of the cathode press-contacting plate that faces the auxiliary gate electrode is made larger than a surface D that does not face the auxiliary gate electrode. It is characterized by being formed in a protruding manner.
作 用
上記のように構成された装置において、第1の
導体の一端が第1の弾性体によつて補助GTOの
ゲート電極に圧接されるので、補助GTOのゲー
ト電極は第1の導体を介して外部に引き出され
る。また、第2の導体の一方が第2の弾性体によ
つて補助GTOのカソード電極に圧接されるとと
もに、第2の導体の他方が第3の弾性体によつて
主GTOのゲート電極に圧接される。この為補助
GTOのカソード電極と主GTOのゲート電極は第
2の導体によつて接続状態に保持される。このよ
うに電極はすべて圧接接続されるので、装置の内
部にはリード線が不要となる。Operation In the device configured as described above, one end of the first conductor is pressed against the gate electrode of the auxiliary GTO by the first elastic body, so that the gate electrode of the auxiliary GTO is connected to the gate electrode of the auxiliary GTO via the first conductor. and pulled out to the outside. Further, one of the second conductors is pressed against the cathode electrode of the auxiliary GTO by a second elastic body, and the other of the second conductor is pressed against the gate electrode of the main GTO by a third elastic body. be done. Subsidy for this purpose
The cathode electrode of the GTO and the gate electrode of the main GTO are held connected by a second conductor. Since all the electrodes are connected by pressure contact in this way, there is no need for lead wires inside the device.
実施例
以下、図面を参照しながら本考案の一実施例を
説明する。第1図bは圧接しようとする半導体素
子の構造を示している。この図において101は
P1N1P2N2層から成る補助GTOとP1N1P2N3層か
ら成る主GTOを同一ウエハ上に設けた増幅ゲー
ト形GTOである。このGTO101のP2層の中央
部表面には補助ゲート電極105が設けられてい
る。この電極105から所定距離隔てた外周の
N2層表面には補助カソード電極106が設けら
れている。この電極106から所定距離隔てた外
周のN3層表面には主カソード電極104が設け
られている。この電極104から所定距離隔てた
外周のP2層表面には主ゲート電極107が設け
られている。増幅ゲート形GTO101はP1層側
でモリブデンMoやタングステンWから成るアノ
ード熱補償板102と合金されている。このよう
に構成されたGTO101の表面の各電極の配線
を圧接によつて接続した実施例を第1図aに示
し、その組立図を第2図に示す。これらの図にお
いて、124は前記アノード熱補償板102に配
設された圧接板、例えばアノード銅ポストであ
る。103は前記GTO101の主カソード電極
104に対向して配設されたモリブデンMoやタ
ングステンWから成るカソード熱補償板である。
110はカソード熱補償板103を介して前記
GTO101の主カソード電極104に圧接され
る圧接板、例えばカソード銅ポストである。この
カソード銅ポスト110の前記補助ゲート電極1
05および補助カソード電極106に対向する部
位には凹部130が設けられている。カソード銅
ポスト110の前記主ゲート電極107に対向す
る部位には鍔部131が設けられている。カソー
ド銅ポスト110には面A〜面Gが設けられてい
る。このポスト110の面Aと面Bはカソード熱
補償板103の厚さより小さい段差を有し、面A
の外周部径はカソード熱補償板103の内周径よ
りわずかに小さくして形成されている。この為組
立て時にカソード熱補償板103の位置決めが容
易に行なえる。カソード銅ポスト110の面Cは
面Dより内側に、且つ突出して設けられている。
この面Cは補助ゲート電極105を圧接するとき
の基準面となる。面Bはカソード熱補償板103
を介して主カソード電極104に圧接される主面
であり、なめらかに形成される。面Dは補助カソ
ード電極106および主ゲート電極107を圧接
するときの基準面となる。カソード銅ポスト11
0には、その上部から面Dまでの間、凹部130
から半径方向に同一巾で切欠き溝132が設けら
れている。この切欠き溝132は、補助カソード
電極106と主ゲート電極107を橋絡するため
の橋絡リング118の渡り部118′および一端
が補助ゲート電極105に接触されるゲート圧接
リング119のリード部120を通すための溝で
ある。カソード銅ポスト110の鍔部131の面
D上には外周皿バネ111が設けられ、凹部13
0の面D上には内周皿バネ113が設けられ、面
C上にはコイルバネ114が設けられている。こ
れらバネ111,113および114は前記
GTO101がアノード銅ポスト124、カソー
ド銅ポスト110によつて圧接されたとき所定の
圧力が加わるよう設定しておく。前記コイルバネ
114上にはテフロン等の絶縁物から成り、切欠
部115aを有するゲートポストガイドリング1
15が配設されている。このガイドリング115
はカソード銅ポスト110の面Gによつて位置決
めが容易になされる。前記内周皿バネ113上に
は、テフロン等の絶縁物から成り、切欠部117
aを有する内周絶縁ポストガイドリング117が
配設されている。このガイドリング117はカソ
ード銅ポスト110の面Fによつて位置決めが容
易になされる。前記外周皿バネ111上にはテフ
ロン等の絶縁物から成り、切欠部116aを有す
る外周絶縁ポストガイドリング116が配設され
ている。このガイドリング116はカソード銅ポ
スト110の面Eによつて位置決めが容易になさ
れる。前記ガイドリング116,117上には導
電性の薄板から成る橋絡リング118が配置され
ている。この橋絡リング118は図示の如く内周
部と外周部を渡り部118′によつて橋絡した形
状に形成されており、渡り部118′は前記ガイ
ドリング117の切欠部117a、カソード銅ポ
スト110の切欠き溝132および前記ガイドリ
ング116の切欠部116aを通る。前記橋絡リ
ング118上の前記主ゲート電極107に対向す
る位置には、導電性部材から成り、切欠部121
aを有する外周圧接リング121が配置されてい
る。前記橋絡リング118上の前記補助カソード
電極106に対向する位置には、導電性部材から
成り、切欠部122aを有する内周圧接リング1
22が配置されている。前記補助ゲート電極10
5に対向する位置のゲートポストガイドリング1
15には導電性を有する部材から成るゲート圧接
リング119が嵌入されている。このリング11
9のリード部120は前記ガイドリング115の
切欠部115a、内周圧接リング122の切欠部
122a、前記ガイドリング117の切欠部11
7a、カソード銅ポスト110の切欠き溝13
2、前記ガイドリング116の切欠部116aお
よび外周圧接リング121の切欠部121aを順
次通して引き出され、ケースのセラミツク126
に設けられたゲート引出しパイプ127に嵌入さ
れ圧着される。Embodiment Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1b shows the structure of a semiconductor element to be pressed together. In this figure, 101 is
This is an amplification gate type GTO in which an auxiliary GTO consisting of two P 1 N 1 P 2 N layers and a main GTO consisting of three P 1 N 1 P 2 N layers are provided on the same wafer. An auxiliary gate electrode 105 is provided on the central surface of the P 2 layer of this GTO 101 . of the outer periphery separated from this electrode 105 by a predetermined distance.
An auxiliary cathode electrode 106 is provided on the surface of the N2 layer. A main cathode electrode 104 is provided on the outer surface of the N 3 layer at a predetermined distance from this electrode 106 . A main gate electrode 107 is provided on the outer surface of the P 2 layer at a predetermined distance from this electrode 104 . The amplification gate type GTO 101 is alloyed with an anode thermal compensation plate 102 made of molybdenum Mo or tungsten W on the P1 layer side. An embodiment in which the wiring of each electrode on the surface of the GTO 101 constructed in this manner is connected by pressure welding is shown in FIG. 1a, and an assembled diagram thereof is shown in FIG. 2. In these figures, reference numeral 124 denotes a pressure contact plate disposed on the anode heat compensating plate 102, for example, an anode copper post. Reference numeral 103 denotes a cathode heat compensator plate made of molybdenum Mo or tungsten W and disposed opposite to the main cathode electrode 104 of the GTO 101.
110 is the above-mentioned via the cathode heat compensation plate 103.
This is a press-contact plate that is press-contacted to the main cathode electrode 104 of the GTO 101, such as a cathode copper post. The auxiliary gate electrode 1 of this cathode copper post 110
A recess 130 is provided at a portion facing the auxiliary cathode electrode 106 and the auxiliary cathode electrode 106 . A flange portion 131 is provided at a portion of the cathode copper post 110 that faces the main gate electrode 107 . The cathode copper post 110 is provided with surfaces A to G. Surface A and surface B of this post 110 have a step smaller than the thickness of the cathode heat compensator 103, and surface A
The outer diameter of the cathode heat compensating plate 103 is slightly smaller than the inner diameter of the cathode heat compensating plate 103. Therefore, the cathode heat compensating plate 103 can be easily positioned during assembly. The surface C of the cathode copper post 110 is provided inside and protrudes from the surface D.
This plane C becomes a reference plane when pressing the auxiliary gate electrode 105. Surface B is the cathode heat compensation plate 103
This is the main surface that is pressed into contact with the main cathode electrode 104 via the main cathode electrode 104, and is formed smoothly. Surface D serves as a reference surface when the auxiliary cathode electrode 106 and the main gate electrode 107 are pressed together. Cathode copper post 11
0 has a recess 130 between its top and surface D.
A cutout groove 132 is provided with the same width in the radial direction. This cutout groove 132 is formed by a bridge portion 118 ′ of a bridging ring 118 for bridging the auxiliary cathode electrode 106 and the main gate electrode 107 and a lead portion 120 of the gate pressure contact ring 119 whose one end is in contact with the auxiliary gate electrode 105 . It is a groove for passing. An outer disc spring 111 is provided on the surface D of the flange 131 of the cathode copper post 110, and the recess 13
0, an inner disc spring 113 is provided on the surface D, and a coil spring 114 is provided on the surface C. These springs 111, 113 and 114 are
Settings are made so that a predetermined pressure is applied when the GTO 101 is pressed against the anode copper post 124 and the cathode copper post 110. On the coil spring 114 is a gate post guide ring 1 made of an insulator such as Teflon and having a notch 115a.
15 are arranged. This guide ring 115
is easily positioned by the surface G of the cathode copper post 110. On the inner disc spring 113, there is a notch 117 made of an insulating material such as Teflon.
An inner circumference insulating post guide ring 117 having a diameter is provided. This guide ring 117 can be easily positioned by the surface F of the cathode copper post 110. An outer insulating post guide ring 116 made of an insulating material such as Teflon and having a notch 116a is disposed on the outer disc spring 111. This guide ring 116 can be easily positioned by the surface E of the cathode copper post 110. A bridging ring 118 made of a conductive thin plate is disposed on the guide rings 116, 117. As shown in the figure, this bridging ring 118 is formed in a shape in which the inner circumferential part and the outer circumferential part are bridged by a crossing part 118'. 110 and the notch 116a of the guide ring 116. A notch 121 made of a conductive material is provided on the bridging ring 118 at a position facing the main gate electrode 107.
An outer circumferential pressure contact ring 121 having a diameter is disposed. At a position on the bridging ring 118 facing the auxiliary cathode electrode 106, there is an inner press ring 1 made of a conductive member and having a notch 122a.
22 are arranged. The auxiliary gate electrode 10
Gate post guide ring 1 located opposite to 5
A gate pressure ring 119 made of a conductive member is fitted into the gate 15 . This ring 11
The lead portions 120 of No. 9 are the cutout portion 115a of the guide ring 115, the cutout portion 122a of the inner pressure contact ring 122, and the cutout portion 11 of the guide ring 117.
7a, notch groove 13 of cathode copper post 110
2. The ceramic 126 of the case is pulled out through the notch 116a of the guide ring 116 and the notch 121a of the outer pressure ring 121 in order.
It is fitted and crimped into the gate pull-out pipe 127 provided in the.
上記のように構成された装置を組立てる場合
は、まずカソード熱補償板103をカソード銅ポ
スト110の面B上に載置し、その上にアノード
熱補償板102と一体化されたGTO101をカ
ソード面がケースの内側にくるよう設置する。こ
のときテフロン等の絶縁物から成るアノードガイ
ド123を用いて位置を固定し、外周圧接リング
121とアノードガイド123を嵌合させる。こ
れによつてカソード銅ポスト110に設けられた
各種リングは容易に位置決めされる。次にアノー
ド銅ポスト124およびカソード銅ポスト110
を各々外側から圧接する。これによつてGTO1
01の補助ゲート電極105はコイルバネ114
によつてゲート圧接リング119に圧接され、ゲ
ート引き出しパイプ127と接続状態になる。ま
た内周皿バネ113によつて橋絡リング118が
内周圧接リング122に、該リング122が補助
カソード電極106に各々圧接される。さらに外
周皿バネ111によつて橋絡リング118が外周
圧接リング121に、該リング121が主ゲート
電極107に各々圧接される。この為補助カソー
ド電極106と主ゲート電極107は橋絡リング
118によつて接続状態となる。 When assembling the device configured as described above, first place the cathode heat compensator plate 103 on the surface B of the cathode copper post 110, and place the GTO 101 integrated with the anode heat compensator plate 102 thereon on the cathode surface. Install it so that it is inside the case. At this time, the anode guide 123 made of an insulating material such as Teflon is used to fix the position, and the outer circumferential press ring 121 and the anode guide 123 are fitted together. This allows the various rings provided on the cathode copper post 110 to be easily positioned. Next, the anode copper post 124 and the cathode copper post 110
are pressed from the outside. With this, GTO1
The auxiliary gate electrode 105 of 01 is a coil spring 114
The gate pressure contact ring 119 is pressed against the gate pressure contact ring 119 and connected to the gate extraction pipe 127. Further, the bridging ring 118 is pressed against the inner pressure contact ring 122 by the inner disc spring 113, and the ring 122 is pressed against the auxiliary cathode electrode 106, respectively. Furthermore, the bridging ring 118 is pressed against the outer pressure contact ring 121 by the outer circumference disc spring 111, and the ring 121 is pressed against the main gate electrode 107, respectively. Therefore, the auxiliary cathode electrode 106 and the main gate electrode 107 are connected by the bridging ring 118.
以上のように増幅ゲート形GTO101の電極
はすべて圧接によつて接続されるので、内部リー
ド線およびそのボンデイング部を除去することが
でき、これによつて発熱による断線事故を防ぐこ
とができる。また、カソード銅ポスト110の各
部面A〜面Gを設けたので、組立て時の各部材の
位置決めが容易に行なえるとともに組立て精度が
向上する。すなわち、
(1) 面Aは面Bより突出させて設けているので、
カソード熱補償板103の位置決めが精度良
く、容易に行なえる。 As described above, since all the electrodes of the amplification gate type GTO 101 are connected by pressure welding, the internal lead wires and their bonding parts can be removed, thereby preventing disconnection accidents due to heat generation. Further, since each of the surfaces A to G of the cathode copper post 110 is provided, each member can be easily positioned during assembly, and assembly accuracy is improved. That is, (1) Since surface A is provided to protrude from surface B,
Positioning of the cathode heat compensating plate 103 can be performed easily and accurately.
(2) 凹部130の面Dと面Cに段差を設けるとと
もに面Gを設けたので、ゲートポストガイドリ
ング115の位置決めが精度良く、容易に行な
える。(2) Since a step is provided between the surfaces D and C of the recess 130 and the surface G is provided, the positioning of the gate post guide ring 115 can be performed easily and accurately.
(3) 凹部130の面Fを利用して内周絶縁ポスト
ガイドリング117の位置決めを容易に且つ精
度良く行なえる。(3) The inner peripheral insulating post guide ring 117 can be positioned easily and accurately by using the surface F of the recess 130.
(4) 鍔部131の面Eを利用して外周絶縁ポスト
ガイドリング116の位置決めを容易に且つ精
度良く行なえる。(4) The outer insulating post guide ring 116 can be positioned easily and accurately by using the surface E of the flange 131.
さらに外周絶縁ポストガイドリング116によ
つて外周圧接リング121の位置決めが、内周絶
縁ポストガイドリング117によつて内周圧接リ
ング122の位置決めが各々容易に且つ精度良く
行なえる。 Further, the outer circumferential insulating post guide ring 116 allows the outer circumferential press ring 121 to be positioned easily and the inner circumferential insulating post guide ring 117 to position the inner circumferential press ring 122 easily and accurately.
尚、圧接される半導体素子は、増幅ゲート形
GTO101に限らず増幅ゲート形サイリスタで
あつても良い。また、第1〜第3の弾性体はコイ
ルバネや皿バネに限らず他の弾性体を用いても良
い。さらにカソード圧接板の凹部と鍔部を連通す
る通路は、実施例において切欠き溝132を面D
の高さまで形成していたが、橋絡リング118の
渡り部118′およびゲート圧接リング119の
リード部120を通せる範囲であればこれに限定
されない。 Note that the semiconductor element to be pressure-welded is of the amplification gate type.
It is not limited to GTO101, but may be an amplification gate type thyristor. Further, the first to third elastic bodies are not limited to coil springs or disc springs, but other elastic bodies may be used. Further, in the embodiment, the passage connecting the recessed part and the flange of the cathode pressure contact plate is formed by cutting the notch groove 132 into the plane D.
However, the height is not limited to this as long as the transition portion 118' of the bridging ring 118 and the lead portion 120 of the gate pressure contact ring 119 can be passed through.
考案の効果
以上のように本考案によれば、次のような効果
が得られる。すなわち、
(1) 半導体素子の電極はすべて圧接によつて接続
されるので、強固な構造になるとともに内部リ
ード線およびそのボンデイング部を除去するこ
とができ、これによつて発熱による断線事故を
防ぐことができる。Effects of the invention As described above, according to the invention, the following effects can be obtained. In other words, (1) All electrodes of the semiconductor element are connected by pressure welding, resulting in a strong structure and the internal lead wires and their bonding parts can be removed, thereby preventing disconnection accidents due to heat generation. be able to.
(2) カソード圧接板に凹部および鍔部を設けると
ともに、これら凹部および鍔部に第1および第
2の導体を配設したので、カソード熱補償板の
位置決めが容易に且つ精度良く行なえる。(2) Since the cathode pressure contact plate is provided with a recess and a flange, and the first and second conductors are disposed in these recesses and the flange, the cathode heat compensating plate can be positioned easily and accurately.
(3) カソード圧接板を基準にして各部の位置決め
がなされるので、組立て時の位置決めが容易に
行なわれるとともに位置決め精度が向上する。(3) Since each part is positioned based on the cathode pressure contact plate, positioning during assembly is facilitated and positioning accuracy is improved.
第1図a,bおよび第2図はともに本考案の一
実施例を示し、第1図aは断面図、第1図bは圧
接される半導体素子の断面図、第2図は要部の分
解斜視図、第3図は従来の圧接形半導体装置の一
例を示す断面図である。
101…増幅ゲート形GTO、103…カソー
ド熱補償板、104…主カソード電極、105…
補助ゲート電極、106…補助カソード電極、1
07…主ゲート電極、110…カソード銅ポス
ト、111…外周皿バネ、113…内周皿バネ、
114…コイルバネ、115…ゲートポストガイ
ドリング、116…外周絶縁ポストガイドリン
グ、117…内周絶縁ポストガイドリング、11
8…橋絡リング、119…ゲート圧接リング、1
21…外周圧接リング、122…内周圧接リン
グ、124…アノード銅ポスト、127…ゲート
引き出しパイプ、130…凹部、131…鍔部、
132…切欠き溝。
Figures 1a, b and 2 both show an embodiment of the present invention, with Figure 1a being a sectional view, Figure 1b being a sectional view of a semiconductor element to be pressure-welded, and Figure 2 showing the main parts. The exploded perspective view and FIG. 3 are cross-sectional views showing an example of a conventional press-contact type semiconductor device. 101...Amplification gate type GTO, 103...Cathode heat compensation plate, 104...Main cathode electrode, 105...
Auxiliary gate electrode, 106...Auxiliary cathode electrode, 1
07...Main gate electrode, 110...Cathode copper post, 111...Outer disc spring, 113...Inner disc spring,
114... Coil spring, 115... Gate post guide ring, 116... Outer periphery insulated post guide ring, 117... Inner periphery insulated post guide ring, 11
8...Bridging ring, 119...Gate pressure contact ring, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 21... Outer circumference pressure contact ring, 122... Inner circumference pressure contact ring, 124... Anode copper post, 127... Gate extraction pipe, 130... Recessed part, 131... Flange part,
132...Notch groove.
Claims (1)
ト電極および補助カソード電極、これら電極から
所定距離隔てた前記ウエハの外周部表面に設けら
れた主ゲート電極および主カソード電極とを有し
て成る半導体素子と、導電性を有し前記半導体素
子のアノードに配設されるアノード圧接板と、導
電性を有し前記半導体素子の主カソード電極に配
設されるカソード圧接板とを備え、これら圧接板
により前記半導体素子を所要の圧力で圧接して成
る圧接形半導体装置において、前記カソード圧接
板の前記補助ゲート電極および補助カソード電極
に対向する部位に凹部を設け、前記カソード圧接
板の前記主ゲート電極に対向する部位に鍔部を設
け、前記カソード圧接板に前記凹部と鍔部を連通
する通路を形成し、前記凹部および鍔部に、一端
が前記補助ゲート電極に接触されるとともに他端
が前記通路を介して外部に引き出される第1の導
体と、一方が前記補助カソード電極に接触される
とともに他方が前記通路を介して前記主ゲート電
極に接触される第2の導体とを配設し、前記凹部
に、前記第1の導体の一端を前記補助ゲート電極
に圧接せしめる第1の弾性体と、前記第2の導体
の一方を前記補助カソード電極に圧接せしめる第
2の弾性体とを収納し、前記鍔部に、前記第2の
導体の他方を前記主ゲート電極に圧接せしめる第
3の弾性体とを収納し、前記カソード圧接板の主
カソード電極に対向する面Bよりも前記凹部との
境界面Aを突出させて形成し、前記カソード圧接
板の凹部の面のうち、前記補助ゲート電極に対向
する面Cを補助ゲート電極に対向しない面Dより
も突出させて形成したことを特徴とする圧接形半
導体装置。 A semiconductor device comprising an auxiliary gate electrode and an auxiliary cathode electrode provided on the central surface of the same wafer, and a main gate electrode and main cathode electrode provided on the outer peripheral surface of the wafer at a predetermined distance from these electrodes. an anode press-contact plate having conductivity and disposed on the anode of the semiconductor element; and a cathode press-contact plate having conductivity and disposed on the main cathode electrode of the semiconductor element; In the press-contact type semiconductor device in which the semiconductor element is press-connected with a predetermined pressure, a recess is provided in a portion of the cathode press-contact plate facing the auxiliary gate electrode and the auxiliary cathode electrode, and a recess is provided in the main gate electrode of the cathode press-contact plate. A flange is provided at opposing portions, a passage is formed in the cathode press-contact plate to communicate the recess and the flange, one end of which is in contact with the auxiliary gate electrode, and the other end of which is in contact with the auxiliary gate electrode. and a second conductor, one of which is brought into contact with the auxiliary cathode electrode and the other of which is brought into contact with the main gate electrode through the passage. A first elastic body that brings one end of the first conductor into pressure contact with the auxiliary gate electrode, and a second elastic body that brings one end of the second conductor into pressure contact with the auxiliary cathode electrode are housed in the recess, A third elastic body for press-contacting the other of the second conductors to the main gate electrode is housed in the flange, and the boundary with the recess is closer to the surface B of the cathode press-contacting plate facing the main cathode electrode. The surface A is formed to protrude, and among the surfaces of the recessed portion of the cathode pressure contact plate, the surface C facing the auxiliary gate electrode is formed to protrude more than the surface D not facing the auxiliary gate electrode. Pressure contact type semiconductor device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11432884U JPS6130256U (en) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | Pressure contact type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11432884U JPS6130256U (en) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | Pressure contact type semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6130256U JPS6130256U (en) | 1986-02-24 |
JPH0328518Y2 true JPH0328518Y2 (en) | 1991-06-19 |
Family
ID=30673349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11432884U Granted JPS6130256U (en) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | Pressure contact type semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6130256U (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57111040A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | Pressure contact type semiconductor device |
JPS5757561B2 (en) * | 1975-12-08 | 1982-12-06 | Shinnippon Seitetsu Kk |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54175278U (en) * | 1978-05-29 | 1979-12-11 | ||
JPS5855650Y2 (en) * | 1979-04-14 | 1983-12-20 | 株式会社明電舎 | semiconductor equipment |
JPS5757561U (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP11432884U patent/JPS6130256U/en active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5757561B2 (en) * | 1975-12-08 | 1982-12-06 | Shinnippon Seitetsu Kk | |
JPS57111040A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | Pressure contact type semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6130256U (en) | 1986-02-24 |
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