JPH03280560A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03280560A JPH03280560A JP8216890A JP8216890A JPH03280560A JP H03280560 A JPH03280560 A JP H03280560A JP 8216890 A JP8216890 A JP 8216890A JP 8216890 A JP8216890 A JP 8216890A JP H03280560 A JPH03280560 A JP H03280560A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に発熱する半導体装置に
関する。
関する。
般に半導体装置はプリント基板などに取付けられ、電気
回路を構成するように使われる。
回路を構成するように使われる。
従来の半導体装置は第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すよ
うに、ＩＣチップ搭載部５に搭載されたＩＣチップ１の
ポンディングパッド６とリード２とがボンディングワイ
ヤ４を介して電気的に接続され、ＩＣチップ１及びＩＣ
チッグｌとリード２との電気的接続箇所か樹脂部３にて
気密封止されている。
うに、ＩＣチップ搭載部５に搭載されたＩＣチップ１の
ポンディングパッド６とリード２とがボンディングワイ
ヤ４を介して電気的に接続され、ＩＣチップ１及びＩＣ
チッグｌとリード２との電気的接続箇所か樹脂部３にて
気密封止されている。
この種の半導体装置では、ＩＣチップ１の熱を樹脂部３
の外部に放熱するために、ＩＣチップ搭載部５の下面に
熱伝導率の高い樹脂を付着してこの樹脂を通して放熱を
行うか、又は第３図に示すようにＩＣチップ搭載部５に
放熱板７を設けた構造のものが一般的である。
の外部に放熱するために、ＩＣチップ搭載部５の下面に
熱伝導率の高い樹脂を付着してこの樹脂を通して放熱を
行うか、又は第３図に示すようにＩＣチップ搭載部５に
放熱板７を設けた構造のものが一般的である。
しかしながら、熱伝導率の高い樹脂を介して放熱を行う
場合には、樹脂の強度が熱により低下してしまい、寿命
が短縮されてしまうという欠点があった。
場合には、樹脂の強度が熱により低下してしまい、寿命
が短縮されてしまうという欠点があった。
また、第３図に示す構造のものでは、放熱板７が必要と
なるため、外形寸法が大型化されてしまい、小型化する
上での支障を来たすという欠点があった。
なるため、外形寸法が大型化されてしまい、小型化する
上での支障を来たすという欠点があった。
本発明の目的は、前記課題を解決した半導体装置を提供
することにある。
することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置にお
いては、ＩＣチップと、リードと、樹脂部とを有する半
導体装置であって、 前記ＩＣチップは、ＩＣチップ搭載部に搭載されるもの
であり、 前記リードは、前記ＩＣチップのボンディングパッドに
ボンディングワイヤを介して電気的に接続されるもので
あり、 前記樹脂部は、ＩＣチップ及びＩＣチップとリードとの
電気的な接続箇所を気密封止するものであり、 さらに、前記リードは、樹脂部内のＩＣチップに向けて
延在し、非接触状態でＩＣチップの放熱を行う放熱部を
一体に有するものである。
いては、ＩＣチップと、リードと、樹脂部とを有する半
導体装置であって、 前記ＩＣチップは、ＩＣチップ搭載部に搭載されるもの
であり、 前記リードは、前記ＩＣチップのボンディングパッドに
ボンディングワイヤを介して電気的に接続されるもので
あり、 前記樹脂部は、ＩＣチップ及びＩＣチップとリードとの
電気的な接続箇所を気密封止するものであり、 さらに、前記リードは、樹脂部内のＩＣチップに向けて
延在し、非接触状態でＩＣチップの放熱を行う放熱部を
一体に有するものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す平面図、第１図
［ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
［ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
図において、本発明は、樹脂部３内のＩＣチップ１が放
出する熱を、熱伝導率の高いリード２を利用して外部に
放熱することを意図したものである。
出する熱を、熱伝導率の高いリード２を利用して外部に
放熱することを意図したものである。
すなわち、ＩＣチップ１の各ポンディングパッド６にそ
れぞれ接続される各リード２は、ＩＣチップｌが搭載さ
れたＩＣチップ搭載部５の下面まで延在し、かつその下
面に隣接して平行に配設された放熱部２ａを一体に形成
したものである。各リード２は、放熱部２ａの基部側で
ＩＣチップ１のポンディングパッド６とボンディングワ
イヤ４を介して電気的に接続され、その放熱部２ａは樹
脂部３内にＩＣチップ１と非接触状態に内装される。ま
た、各リード２の他端は樹脂部３より外部に引圧されて
いる。
れぞれ接続される各リード２は、ＩＣチップｌが搭載さ
れたＩＣチップ搭載部５の下面まで延在し、かつその下
面に隣接して平行に配設された放熱部２ａを一体に形成
したものである。各リード２は、放熱部２ａの基部側で
ＩＣチップ１のポンディングパッド６とボンディングワ
イヤ４を介して電気的に接続され、その放熱部２ａは樹
脂部３内にＩＣチップ１と非接触状態に内装される。ま
た、各リード２の他端は樹脂部３より外部に引圧されて
いる。
したがって、ＩＣチップ１が放出する熱は、リード２の
放熱部２ａにて受熱され、熱伝導率の高いリード２を通
して樹脂部３の外部に放出される。
放熱部２ａにて受熱され、熱伝導率の高いリード２を通
して樹脂部３の外部に放出される。
以上説明したように、本発明はＩＣチップからの熱を熱
伝導率の高いリードを介して放出するため、樹脂の耐久
性を高めることができる。また、既存のリードを利用し
て放熱を行うため、放熱板を別途装備する構造に比して
その外形寸法を小型化できるという効果を有する。
伝導率の高いリードを介して放出するため、樹脂の耐久
性を高めることができる。また、既存のリードを利用し
て放熱を行うため、放熱板を別途装備する構造に比して
その外形寸法を小型化できるという効果を有する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す平面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ
）は従来例を示す平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）
のＢ−Ｂ′線断面図、第３図は放熱板を装備した従来例
を示す断面図である。 １・・・ＩＣチップ ２・・・リード２ａ・・・
放熱部 ３・・・樹脂部４・・・ボンデインク
ワイヤ ５・・・ＩＣチップ搭載部
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ
）は従来例を示す平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）
のＢ−Ｂ′線断面図、第３図は放熱板を装備した従来例
を示す断面図である。 １・・・ＩＣチップ ２・・・リード２ａ・・・
放熱部 ３・・・樹脂部４・・・ボンデインク
ワイヤ ５・・・ＩＣチップ搭載部
Claims (1)
- （１）ＩＣチップと、リードと、樹脂部とを有する半導
体装置であって、 前記ＩＣチップは、ＩＣチップ搭載部に搭載されるもの
であり、 前記リードは、前記ＩＣチップのボンディングパッドに
ボンディングワイヤを介して電気的に接続されるもので
あり、 前記樹脂部は、ＩＣチップ及びＩＣチップとリードとの
電気的な接続箇所を気密封止するものであり、 さらに、前記リードは、樹脂部内のＩＣチップに向けて
延在し、非接触状態でＩＣチップの放熱を行う放熱部を
一体に有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8216890A JPH03280560A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8216890A JPH03280560A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280560A true JPH03280560A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13766903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8216890A Pending JPH03280560A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280560A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753977A (en) * | 1996-03-22 | 1998-05-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and lead frame therefor |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8216890A patent/JPH03280560A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753977A (en) * | 1996-03-22 | 1998-05-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and lead frame therefor |
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