JPH03278458A - Thin photosensitive film device - Google Patents
Thin photosensitive film deviceInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、透光性基板上に受光素子が形成されてなる分
解能の優れた薄膜受光装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a thin film light receiving device with excellent resolution, in which a light receiving element is formed on a transparent substrate.
〈従来の技術〉
透光性基板上に受光素子が形成されてなる薄膜受光装置
には、例えばａ−８ｉカラーセンサや薄膜ポジションセ
ンサがある。<Prior Art> Thin film light receiving devices in which a light receiving element is formed on a transparent substrate include, for example, an A-8I color sensor and a thin film position sensor.
第１４図はａ−８ｉカラーセンサの構造の１例を示す略
断面図である。このａ−８ｉカラーセンサは、可視光に
対して透光性のあるガラス基板１１の一方の面にａ−３
ｉフオトダイオードからなる受光素子１４２ａｔ ｂ
？ ｃ、他方の面に着色した樹脂からなるＲ、Ｇ、Ｂ
のカラーフィルタ１４８ａ＋ｂ＋ｅが形成されて成る。FIG. 14 is a schematic sectional view showing an example of the structure of an a-8i color sensor. This a-8i color sensor has an a-3 on one side of a glass substrate 11 that is transparent to visible light.
i Light receiving element 142at b consisting of a photodiode
? c, R, G, B made of colored resin on the other side
color filters 148a+b+e are formed.
このようなカラーセンサでは、同図に示すように斜め入
射した光が隣接する受光素子に入射することがあり、例
えばＧフィルター１４３ｂを通過した光がＲ用受光素子
１４２ａに入射するクロストーク現象が起こる。In such a color sensor, as shown in the figure, obliquely incident light may enter an adjacent light receiving element. For example, a crosstalk phenomenon occurs in which light that has passed through the G filter 143b enters the R light receiving element 142a. happen.
そこで、このクロストークを減少させるために次の様な
方法が用いられている。Therefore, the following methods are used to reduce this crosstalk.
（１） 斜め入射し次光の横方向に移動する距離は光
の縦方向に移動する距離に比例する。これを利用したガ
ラス基板の厚みを薄くする方法。(1) The distance traveled by the obliquely incident light in the horizontal direction is proportional to the distance traveled by the light in the vertical direction. This method is used to reduce the thickness of glass substrates.
（２）横方向からの光の入射を遮ぎるための遮光フード
を光入射側の基板の垂直方向に設けて奥行きを作り、斜
方向からの光の入射を低減し、入射光のうち入射角の大
きい成分を除去する方法。(2) A light-shielding hood is installed vertically on the board on the light-incidence side to block the incidence of light from the lateral direction to create depth, reduce the incidence of light from the diagonal direction, and reduce the incidence angle of the incident light. How to remove large components of.
（３）受光素子と受光素子の間に光を感知しないデッド
スベーヌを設け、回り込んで入射してくる光がこのデッ
ドヌベーヌ部に到達するようにして、回り込む範囲の光
を検知しないようにする方法。(3) A method in which a dead vane that does not sense light is provided between the light-receiving elements, and the light that has been wrapped around and incident on the dead vane reaches this dead vane, so that the light in the wrap-around range is not detected.
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら上記の方法には以下の様な問題がアク、ク
ロストーク低減のための十分な解決策とはなっていない
。<Problems to be Solved by the Invention> However, the above method has the following problems and is not a sufficient solution for reducing noise and crosstalk.
（１）ガラス基板の厚みを薄くする方法は、センサの光
のクロストークを低減するのに最も有効であるが、生産
性を考慮した場合、光のクロストークを十分低減できる
ほど薄いガラス基板を使用することは難しい。現在、カ
ラーセンサでは、受光素子の大きさが１〜１．５−角程
度であり、基板厚みだけで光のクロストークを低減しよ
うとした場合、１００〜２００μｍ厚さのガラス基板が
必要となる。しかし、コストや技術的な取り扱いの難し
さから、実際には、厚さ４００〜５００μｍのガラス基
板が使われている。(1) The method of reducing the thickness of the glass substrate is the most effective method for reducing the optical crosstalk of the sensor, but when considering productivity, it is necessary to make the glass substrate thin enough to sufficiently reduce the optical crosstalk. Difficult to use. Currently, in color sensors, the size of the light-receiving element is about 1 to 1.5 squares, and if you try to reduce optical crosstalk just by changing the substrate thickness, you will need a glass substrate with a thickness of 100 to 200 μm. . However, due to cost and technical handling difficulties, a glass substrate with a thickness of 400 to 500 μm is actually used.
（２）センサの面に垂直な遮光板でセンサを囲って側面
からの入射光をカットする方法を用いた場合、センサ前
方に遮光フードが突き出した分だけセンサは厚くなる。(2) If a method is used in which the sensor is surrounded by a light-shielding plate perpendicular to the surface of the sensor to block incident light from the side, the sensor becomes thicker as the light-shielding hood protrudes in front of the sensor.
このため、実際のセンサは遮光フードが無いときの２〜
３倍の厚みを持ち小型、薄型が望まれる現在の市場にお
いてはデメリットとなる。また、入射光の一部をカット
することになり、センサ感度の低下を招くことになる。For this reason, the actual sensor is
It is three times thicker, which is a disadvantage in the current market where smaller and thinner products are desired. Moreover, part of the incident light is cut off, resulting in a decrease in sensor sensitivity.
（３）斜め入射光が到達する範囲に光を感知しないデッ
ドヌベーヌを設けた場合、センサ面積は、２〜３倍と拡
大することになり、小型化の観点からデメリットとなる
。(3) If a dead nuvene that does not sense light is provided in the range where obliquely incident light reaches, the sensor area will increase by 2 to 3 times, which is a disadvantage from the viewpoint of miniaturization.
また、各方法の欠点を補うために、各方法を組み合わせ
ることも行われているが、これも十分ではない。In addition, in order to compensate for the shortcomings of each method, combinations of methods have been carried out, but this is also not sufficient.
ところで、斜め入射した光によるクロストークの問題は
透光性基板上に受光素子が形成されてなる薄膜受光装置
において広く生じる問題であり、例えば第１５図に示す
ように薄膜ポジションセンサでは、ガラス基板１１に斜
め入射した光は、ガラス基板１１の厚みのため実際とわ
ずかにずれて検出されたり、入射光がガラス基板ｌｌ内
で反射を繰り返して複数の位置から信号が検出されたり
する。By the way, the problem of crosstalk due to obliquely incident light is a problem that widely occurs in thin film light receiving devices in which a light receiving element is formed on a transparent substrate.For example, as shown in FIG. 15, in a thin film position sensor, a glass substrate The light obliquely incident on the glass substrate 11 may be detected with a slight deviation from the actual light due to the thickness of the glass substrate 11, or the incident light may be repeatedly reflected within the glass substrate 11 and signals may be detected from multiple positions.
そこで、本発明は上記従来の方法の有する欠点を解消す
ると共に、クロストークを十分に低減することを目的と
する。Therefore, an object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the above-mentioned conventional methods and to sufficiently reduce crosstalk.
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、本発明は、受光素子の形成
された透光性基板に溝を形成することにより、斜めに入
射した光によるクロストークを防止する。Means for Solving the Problems To achieve the above object, the present invention prevents crosstalk caused by obliquely incident light by forming grooves in a light-transmitting substrate on which a light receiving element is formed. .
上記溝は、複数の受光素子間でのクロストークを防止す
る場合には、受光素子の形成された透光性基板の第１の
面上の受光素子と受光素子の間に形成するか、光の入射
する面である透光性基板の第２の面上の受光素子と受光
素子の間に対応する位置に形成する。また、−の受光素
子内でのクロストークを防止する場合には、透光性基板
の第１の面上に形成された受光素子に対応する第２の面
上の領域内に−または複数の溝を形成する。When preventing crosstalk between a plurality of light receiving elements, the groove may be formed between the light receiving elements on the first surface of the light-transmitting substrate on which the light receiving elements are formed, or it may be formed between the light receiving elements. The second surface of the light-transmitting substrate, which is the surface on which the light is incident, is formed at a position corresponding to between the light-receiving elements. In addition, in order to prevent crosstalk within the light-receiving elements of - or multiple Form a groove.
く作 用〉
第１３図は互いに直交する面での入射光の経路を示す図
である。面Ａと面Ｂは互いに直交しており、共に物質■
と物質口との境界面である。物質工から物質ロヘ面Ａに
対してθ０の角度で光が入射すると、この光は面Ａに対
してθｌの角度で物質口中へ進み面Ｂに達する。Effect> FIG. 13 is a diagram showing paths of incident light on planes that are orthogonal to each other. Surface A and surface B are perpendicular to each other, and both are substances ■
This is the interface between the material and the material mouth. When light enters the surface of the material from the material at an angle of θ0, the light travels into the material at an angle of θl relative to the surface A and reaches surface B.
この場合、物質■の屈折率をｎｌ＋物質■の屈折率をｎ
２＋面Ｂから物質Ｉへと光が出ていく角度をθ２とする
と、面Ａへの入射角θｌとの間で、ｓｉｎθｚ ＝ （
ｎｚ／ｎｔ 正−５ｉｎ” Ｏｏ （１１の関係が
成立する。この式はスネルの法則より導かれるものであ
る。この式（ＩＪより、ｎｚ／ｎｘの値に応じて特定の
入射角θ０において、入射光は面Ｂで全反射することが
わかる。さらに、（ｎ２／ｎｘ）＞２ の場合には、入
射角θ０の大きさに関係なく入射光がすべて面Ｂで全反
射することがわかる。In this case, the refractive index of substance ■ is nl + the refractive index of substance ■ is nl
If the angle at which light exits from the 2+ surface B to the substance I is θ2, then between it and the incident angle θl on the surface A, sin θz = (
nz/nt positive -5in" Oo (The relationship 11 holds true. This equation is derived from Snell's law. From this equation (IJ), at a specific incident angle θ0 depending on the value of nz/nx, It can be seen that the incident light is totally reflected on the surface B. Furthermore, when (n2/nx)>2, it can be seen that all the incident light is totally reflected on the surface B regardless of the magnitude of the incident angle θ0.
本発明は、上記光の性質を利用したものであり、例えば
第２の面上のある受光素子に対応する領域に、斜め方向
に光が入射した場合に、該入射光が透光性基板に設けら
れた溝によって全反射され。The present invention utilizes the above-mentioned properties of light, and for example, when light obliquely enters a region corresponding to a certain light-receiving element on the second surface, the incident light hits the light-transmitting substrate. It is totally reflected by the provided groove.
別の受光素子に入射することなく対応する受光素子に達
するように働く。これによって、クロストークが防止さ
れ、同時に受光素子への光の入射効率が上がる。It works so that the light reaches the corresponding light receiving element without being incident on another light receiving element. This prevents crosstalk and at the same time increases the efficiency with which light enters the light receiving element.
したがって、溝内部の屈折率が透光性基板の屈折率に比
べて小さい程、広い入射角の範囲で入射光を反射でき、
また溝の深さが深い程溝と溝の間に光を閉じ込める効果
が大きくなる。Therefore, the smaller the refractive index inside the groove is compared to the refractive index of the translucent substrate, the more incident light can be reflected over a wider range of incident angles.
Furthermore, the deeper the grooves, the greater the effect of trapping light between the grooves.
尚、溝内部に他の物質を形成しない場合には、ガラスと
空気の界面で反射が生じることとなり、ガラスの屈折率
が１，４５〜１．９程度であり、空気の屈折率が１．０
０であるので、第７図の場合には上記（ｎｚ／ｎｓ）
の条件を満たすことになり、すべての入射光が溝で全
反射される。Note that if no other substance is formed inside the groove, reflection will occur at the interface between glass and air, and the refractive index of glass is about 1.45 to 1.9, and the refractive index of air is about 1.45 to 1.9. 0
0, so in the case of Figure 7, the above (nz/ns)
This means that all the incident light is totally reflected by the groove.
く実施例〉 実施例１ 第１図は本発明の実施例１の断面図である。Example Example 1 FIG. 1 is a sectional view of Embodiment 1 of the present invention.
実施例１は、ガラス基板１１の一方の面にスパッタ法に
より作製されたＩ Ｔ ０９ Ｓ ｎ Ｏｘ等の透明導
電膜と、プラズマＣＶＤにより作製されたｐ−ｉ −ｎ
構造のａ −Ｓ ｉフォトダイオードと、蒸着により作
製されたＡｌｅ Ｎｉ等の金属電極とからなる受光素子
１２ ＆、 １２ ｂ、１２ ｃが形成され、他方の
面に着色したエポキシ樹脂を印刷したＲ、Ｇ、Ｂカラー
フィルター１３ａ。Example 1 includes a transparent conductive film such as IT09SnOx produced by sputtering on one surface of a glass substrate 11, and a p-i-n film produced by plasma CVD.
Light-receiving elements 12 & 12 b, 12 c are formed, each consisting of an a-Si photodiode with a structure and a metal electrode made of Al-Ni or the like produced by vapor deposition. , G, B color filters 13a.
１３ｂ、１８ｃが形成され、Ｒ，Ｇ、Ｂカラーフィ／Ｖ
ター＋３ａｖ １８ｂｔ １８ｃの間に凹形の溝１
４が形成され九ａ−８ｔカラーセンサーである。溝１４
は同一基板上に作製した複数個のカラーセンサを切り離
す際ダイシング加工によジ同時に形成し、ガラス基板１
】に垂直に深く形成しｆｃ。13b, 18c are formed, R, G, B color phy/V
concave groove 1 between tar+3av 18bt 18c
4 is formed and is a 9A-8T color sensor. Groove 14
is formed at the same time by dicing when separating multiple color sensors fabricated on the same substrate, and the glass substrate 1
] Form deeply perpendicular to fc.
実施例１のａ−８ｔカラーセンサでは、側光ばＧフィル
ター１３ｂに斜めに入射した光は、一部界面で反射され
、残りはフィルター内に入射する。この入射光はフィル
ター内で緑以外の光が吸収されて緑の光となりガラス基
板ｌｌ内に入射する。ガラス基板の可視光域での屈折率
Ｕｉ１．６．エポキシフィルターの屈折率は約１．６、
空気の屈折率は１．０であるので、入射光はフィルター
とガラスの界面でほぼ直進して溝１４に達し、溝１４の
空気とガラスの界面で全反射し、他の素子に入射するこ
となくＧ用受光素子１２ｂに入射する。In the a-8t color sensor of Example 1, part of the light incident obliquely on the side-light G filter 13b is reflected at the interface, and the rest enters the filter. In this incident light, light other than green light is absorbed within the filter to become green light and enter the glass substrate 11. The refractive index Ui of the glass substrate in the visible light range is 1.6. The refractive index of the epoxy filter is approximately 1.6.
Since the refractive index of air is 1.0, the incident light travels almost straight at the interface between the filter and the glass, reaches the groove 14, is totally reflected at the interface between the air and the glass in the groove 14, and enters other elements. without incident on the G light receiving element 12b.
このように、実施例１のカラーセンサは光のクロストー
クを低減し、光の閉じ込めにより感度の上昇を実現する
。In this manner, the color sensor of Example 1 reduces optical crosstalk and achieves increased sensitivity due to optical confinement.
実施例２ 第２図は実施例２の断面図である。Example 2 FIG. 2 is a sectional view of Example 2.
実施例２は、ガラス基板１１の一方の面に複数の薄膜多
結晶Ｓｉ フォトダイオードの受光素子２２ ＆、
２２ ｂｙ ２２ ｃが形成され、他方の面に受光素子
２２ ａｔ ２２ ｂ＋ ２２ ｃを区切るように凹形
の溝１４が形成されてなるエリアセンサである。In the second embodiment, a plurality of thin film polycrystalline Si photodiode light receiving elements 22 &,
22 by 22 c, and a concave groove 14 is formed on the other surface to separate the light receiving elements 22 at 22 b+ 22 c.
実施例２では入射光はフィルターを通過しない以外は実
施例１と同様にふるまう。Example 2 behaves similarly to Example 1 except that the incident light does not pass through the filter.
実施例８ 第３図は実施例３の断面図である。Example 8 FIG. 3 is a sectional view of Example 3.
実施例３は実施例１と同じ構造のカラーセンサを、透光
性樹脂３２でモールドして保護膜を形成したものである
。尚、透光性樹脂３２の屈折率と透光性基板３１の屈折
率は透光性基板の屈折率の方が大きくかつ２つの屈折率
の差が大きくなるような組合せを選ぶ。In Example 3, a color sensor having the same structure as Example 1 is molded with a transparent resin 32 to form a protective film. Note that the combination of the refractive index of the transparent resin 32 and the refractive index of the transparent substrate 31 is selected such that the refractive index of the transparent substrate is larger and the difference between the two refractive indexes is large.
実施例４ 第４図は実施例４の断面図である。Example 4 FIG. 4 is a sectional view of Example 4.
実施例４は、ガラス基板１１の一方の面にａ−８ｉ＋ｐ
−１−ｎフォトダイオードからなる連続した膜の受光素
子４２が形成され、他方の面に溝１４が形成されてなる
ポジションセンサである。溝１４が形成されることによ
って、溝で仕切られた領域内に入射光が閉じ込められて
入射光が実質的に分割され、デジタル信号出力に対する
分解能が向上する。Example 4 has a-8i+p on one surface of the glass substrate 11.
This is a position sensor in which a continuous film light receiving element 42 made of -1-n photodiodes is formed, and a groove 14 is formed on the other surface. By forming the grooves 14, the incident light is confined within the area partitioned by the grooves, thereby substantially dividing the incident light, thereby improving the resolution of the digital signal output.
実施例５ 第５図は実施例５の断面図である。Example 5 FIG. 5 is a sectional view of Example 5.
実施例５は、ガラス基板１１の一方の面にａ−８ｉフオ
トダイオードからなる複数の受光素子１２が形成され、
他方の面にエポキシ樹脂からなるカラーフィルター１３
が形成され、受光素子１２の各素子間に溝１４が形成さ
れてなるａ−８ｉカラーセンサである。In the fifth embodiment, a plurality of light receiving elements 12 made of A-8I photodiodes are formed on one surface of a glass substrate 11,
Color filter 13 made of epoxy resin on the other side
This is an a-8i color sensor in which a groove 14 is formed between each element of the light receiving element 12.
実施例６ 第６図は実施例６の断面図である。Example 6 FIG. 6 is a sectional view of Example 6.
実施例６は、受光素子６２のプレイと受光素子６２の各
素子間にある溝１４が形成されたガラス基板１１に、フ
ィルター６３の形成されたガラス基板１１が、透光性接
着剤６４によって貼り合わされた光センサ装置である。In the sixth embodiment, a glass substrate 11 on which a filter 63 is formed is attached to a glass substrate 11 on which a groove 14 is formed between the play of the light receiving element 62 and each element of the light receiving element 62 using a transparent adhesive 64. A combined optical sensor device.
実施例６の構造は、受光素子とフィルターとの作製温度
が異なり同一基板上に形成するのが困難な場合等に適し
ている。The structure of Example 6 is suitable for cases where it is difficult to form the light receiving element and the filter on the same substrate because the manufacturing temperatures are different.
実施例７ 第７図は実施例７の断面図である。Example 7 FIG. 7 is a sectional view of Example 7.
実施例７は、透光性基板であるガラス基板ｌｌ上に、ス
パッタ、蒸着などによりＡｒ、Ｎｉなどからなる電流取
り出し用の金属電極７２ａ＋ ｂが形成され、この上
にプラズマＣＶＤ法によりａ−８ｔ：Ｈからなる１層７
３，１層７４．ｎ層７５が積層され、さらに裏面電極７
６としてＡ ｌｓ Ｎ ｉなどからなる金属電極がスパ
ッタ、蒸着などにより形成されてなるＰ Ｓ Ｄ （ｐ
ｏｓ １ｔｉｏｎｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｄｅｔｅｃｔｏ
ｒ）である。本実施例ではガラス基板１１の受光素子が
形成された面とは反対の面上に複数の深い凹形の溝１４
が形成されている。In Example 7, metal electrodes 72a+b for current extraction made of Ar, Ni, etc. are formed on a glass substrate 11, which is a transparent substrate, by sputtering, vapor deposition, etc. :1 layer 7 consisting of H
3.1 layer 74. An n layer 75 is laminated, and a back electrode 7
6, a PSD (p
os 1tion sensitive detect
r). In this embodiment, a plurality of deep concave grooves 14 are formed on the surface of the glass substrate 11 opposite to the surface on which the light receiving element is formed.
is formed.
本実施例のＰＳＤでは、上記溝１４により斜め入射した
光は溝１４の側面で反射され、溝と溝の間に閉じ込めら
れて、光の斜め入射やガラス基板１１内での多重反射に
よって隣接受光部への入射を阻止される。In the PSD of this embodiment, the light that is obliquely incident on the groove 14 is reflected on the side surface of the groove 14 and is trapped between the grooves, and adjacent light is received due to the oblique incidence of the light and multiple reflections within the glass substrate 11. is prevented from entering the area.
また、位置Ｘに入射した光は、その位置で光電流工０を
生成し、この光電流Ｉｏは金属電極７２ａ、７２ｂより
取り出されるが、このときｐ層が抵抗層であるため、こ
の抵抗率′ｆ：Ｊ、金属電極７２ａ、７２ｂ間の距離を
し、金属電極？２ａ、７２ｂから取り出す電流をＩＡｔ
ＩＢとすると、抵抗値に反比例して
となる。そしてこれら検出電流の比からアナログ的に受
光ポイントが算出される。以上のように動作することで
本実施例のＰＳＤは、測定精度を溝１４の間隔で決定す
ることができ、斜め入射による位置ズレ、ボケ等のない
位置の分解能の高い薄膜ポジシランセンサとして働く。In addition, the light incident on position 'f: J, the distance between the metal electrodes 72a and 72b, and the distance between the metal electrodes 72a and 72b. The current taken out from 2a and 72b is IAt
If IB, it is inversely proportional to the resistance value. Then, the light receiving point is calculated in an analog manner from the ratio of these detected currents. By operating as described above, the PSD of this embodiment can determine the measurement accuracy based on the interval between the grooves 14, and works as a thin film positive-silane sensor with high position resolution without positional deviation or blurring due to oblique incidence. .
尚、第１Ｉ図に本ＰＳＤの簡単な等価回路を示す。また
、以上は一次元のものについて示したが、第１２図の模
式図に示すような金属電極７２ａ＋ ｂｔ Ｃ１ｄを有
する二次元のＰＳＤの場合にも縦横に溝を形成すること
で同様に測定精度の高いＰＳＤを作製できる。Incidentally, FIG. 1I shows a simple equivalent circuit of this PSD. Furthermore, although the above has been described for a one-dimensional PSD, the measurement accuracy can be similarly improved by forming grooves in the vertical and horizontal directions in the case of a two-dimensional PSD having metal electrodes 72a+btC1d as shown in the schematic diagram of FIG. A high PSD can be produced.
実施例８ 第８図は実施例８の斜視図である。Example 8 FIG. 8 is a perspective view of Example 8.
実施例８は、凹型の溝１４の形成されたガラス基板ｌｌ
上にスパッタやＣＶＤによジＩＴＯ。Example 8 is a glass substrate ll in which a concave groove 14 is formed.
Di-ITO is applied on top by sputtering or CVD.
５ｎ０２などの透明電極８２が形成され、この上にプラ
ズマＣＶＤ法によりａ−８ｉ：Ｈのｐ −ｉ −ｎ層か
らなる受光層８３が形成され、さらに裏面電極８４とし
て分割したＡＩやＮ１などの金属電極が形成されてなる
ポジションセンサである。A transparent electrode 82 such as 5n02 is formed, and a light-receiving layer 83 consisting of an a-8i:H p-i-n layer is formed thereon by plasma CVD. This is a position sensor formed with metal electrodes.
本実施例では受光層８３Ｆｉ、１つであるが、分割され
た裏面電極８４により実質的に複数の受光素子が形成さ
れており、光の入射した位置の裏面電極８４から信号が
取り出されて位置が検出される。本実施例の溝１４は分
割された裏面電極８４のｘｉと電極の間に対応する位置
に形成されておジ、受光素子間での光のクロス） −り
を防いでいる。In this embodiment, there is only one light-receiving layer 83Fi, but a plurality of light-receiving elements are substantially formed by the divided back electrodes 84, and a signal is extracted from the back electrode 84 at the position where light is incident. is detected. The groove 14 in this embodiment is formed at a position corresponding to the xi of the divided back electrode 84 and the electrode to prevent light from crossing between the light receiving elements.
実施例９ 第９図は実施例９の断面図である。Example 9 FIG. 9 is a sectional view of Example 9.
実施例９は、凹型の溝１４の形成されたガラヌ基板ｌｌ
上にＸ方向に分割されたＩＴＯ。Example 9 is a galanu substrate ll in which a concave groove 14 is formed.
ITO divided in the X direction on top.
Ｓ・０・などの透明電極からな矛輸用電極９２がスパッ
タやＣＶＤにより形成され、この上にプラズマＣｖＤに
よりａ−８ｉ：Ｈのｐ−ｉｎ層からなる受光層９３が形
成され、さらにこの上にＹ方向に分割されたＡｌｔＮｉ
などの金属電極からなるＹ軸周電極９４が形成されてな
るＸ方向とＹ方向にマｔｌックス状に形成された電極で
位置検出が行われるポジションセンサである。本実施例
では光の入射した位置を通るＸ動用電極９２、Ｙ軸用を
極９４がら信号が検出され、その交点として位置が検出
される。A transparent electrode 92 made of a transparent electrode such as S. AltNi divided in Y direction on top
This is a position sensor in which position detection is performed using electrodes formed in a matrix in the X and Y directions, including Y-axis circumferential electrodes 94 made of metal electrodes. In this embodiment, a signal is detected from the X-axis electrode 92 and the Y-axis electrode 94 passing through the position where the light is incident, and the position is detected as the intersection of the two.
本実施例の溝】４はＸ動用電極９２、Ｙ軸周電極９４の
それぞれの各を極間に対応する位置に形成されて、受光
層９３に入射する光のクロストークを防いでいる。In this embodiment, grooves 4 are formed at positions corresponding to the gaps between the X-axis electrodes 92 and the Y-axis circumferential electrodes 94, respectively, to prevent crosstalk of light incident on the light-receiving layer 93.
実施例１Ｏ 第１０図は実施例１０の断面図である。Example 1O FIG. 10 is a sectional view of Example 10.
実施例１０は実施例８のポジションセンサにおいて、分
割された裏面電極８４に対応するガラス基板】１上の位
置に、数種類のフィルター８５をモザイク模様に形成し
たものである。Embodiment 10 is a position sensor according to Embodiment 8, in which several types of filters 85 are formed in a mosaic pattern at positions on the glass substrate 1 corresponding to the divided back electrodes 84.
本実施例では、特定のフィルター８５に入射した光は溝
１４によりその進路が限定されて、対応する離面電極８
４領域に入射し、他の裏面電極８４領域に入射すること
がない。In this embodiment, the path of the light incident on a specific filter 85 is limited by the groove 14, and
The light is incident on the four regions, and does not enter on the other back electrode 84 regions.
〈発明の効果〉
本発明では、溝を形成するという簡単な方法で、受光素
子へ入射する光の透光性基板によるクロストークを防ぎ
、さらに光の閉じ込め効果によって薄膜受光装置の感度
を実質的に増加させることができる。また、従来のよう
に薄膜受光装置の形状を不必要に大きくすることもない
。<Effects of the Invention> In the present invention, by the simple method of forming grooves, crosstalk of light incident on the light receiving element due to the transparent substrate is prevented, and furthermore, the sensitivity of the thin film light receiving device is substantially reduced by the light confinement effect. can be increased to Further, the shape of the thin film light receiving device does not become unnecessarily large as in the conventional case.
第１図は本発明の実施例１の断面図、
第２図は実施例２の断面図、
第３図は実施例３の断面図、
第４図は実施例４の断面図、
第５図は実施例５の断面図、
第６図は実施例６の断面図、
第７図Ｆｉ実施例７の断面図、
第８図は実施例８の斜視図、
第９図は実施例９の斜視図、
第ｉｏ図は実施例１Ｏの断面図、
第１１図は実施例７の等価回路図、
第１２図は二次元ＰＳＤの模式図、
第１３図は入射光の経路図、
第１４図は従来のカラーセンサの断面図、第１５図は従
来の薄膜ポジションセンサの断面図である。
１１・・・ガラス基板
ｔ２ｖ １２ａｔ １２ｂｚ １２ｃｔ ２２
ａｔ ２２ｂｙ２２ｃ、４２．６２・・・受光素子
１４・・・溝 ７３・・・９層 ７４・・・１層７
５・・・ｎ層 ８３．９３・・・受光層第
１３図
第１５図
「Fig. 1 is a sectional view of Embodiment 1 of the present invention, Fig. 2 is a sectional view of Embodiment 2, Fig. 3 is a sectional view of Embodiment 3, Fig. 4 is a sectional view of Embodiment 4, and Fig. 5. is a sectional view of Example 5, FIG. 6 is a sectional view of Example 6, FIG. 7 is a sectional view of Fi Example 7, FIG. 8 is a perspective view of Example 8, and FIG. 9 is a perspective view of Example 9. Figure io is a cross-sectional view of Example 1O, Figure 11 is an equivalent circuit diagram of Example 7, Figure 12 is a schematic diagram of a two-dimensional PSD, Figure 13 is a path diagram of incident light, and Figure 14 is A sectional view of a conventional color sensor, and FIG. 15 is a sectional view of a conventional thin film position sensor. 11...Glass substrate t2v 12at 12bz 12ct 22
at 22by22c, 42.62... Light receiving element 14... Groove 73... 9 layers 74... 1 layer 7
5...n layer 83.93...light-receiving layer Fig. 13 Fig. 15
Claims (1)
れ、上記透光性基板の第２の面から上記受光素子に光が
入射する薄膜受光装置において、上記透光性基板の第１
または第２の面の上記複数の受光素子の受光素子と受光
素子の間に相当する位置に溝が形成されていることを特
徴とする薄膜受光装置。 ２、透光性基板の第１の面上に受光素子が形成され、上
記透光性基板の第２の面から上記受光素子に光が入射す
る薄膜受光装置において、上記透光性基板の第２の面上
の上記受光素子に対応する領域内に溝が形成されている
ことを特徴とする薄膜受光装置。[Claims] 1. A thin film light receiving device in which a plurality of light receiving elements are formed on a first surface of a light transmitting substrate, and light is incident on the light receiving elements from a second surface of the light transmitting substrate. , the first of the above-mentioned light-transmitting substrates
Alternatively, a thin film light-receiving device characterized in that a groove is formed on the second surface at a position corresponding to between the light-receiving elements of the plurality of light-receiving elements. 2. In a thin film light receiving device in which a light receiving element is formed on a first surface of a light transmitting substrate, and light is incident on the light receiving element from a second surface of the light transmitting substrate, the light receiving element is formed on a first surface of the light transmitting substrate. 2. A thin film light receiving device characterized in that a groove is formed in a region corresponding to the light receiving element on the second surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140631A JPH03278458A (en) | 1990-03-08 | 1990-05-30 | Thin photosensitive film device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5877190 | 1990-03-08 | ||
| JP2-58771 | 1990-03-08 | ||
| JP2140631A JPH03278458A (en) | 1990-03-08 | 1990-05-30 | Thin photosensitive film device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03278458A true JPH03278458A (en) | 1991-12-10 |
Family
ID=26399784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2140631A Pending JPH03278458A (en) | 1990-03-08 | 1990-05-30 | Thin photosensitive film device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03278458A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009093623A1 (en) * | 2008-01-22 | 2009-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2016033979A (en) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | Imaging device, imaging system, and manufacturing method for imaging device |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP2140631A patent/JPH03278458A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009093623A1 (en) * | 2008-01-22 | 2009-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2009200477A (en) * | 2008-01-22 | 2009-09-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| US8324079B2 (en) | 2008-01-22 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US8610152B2 (en) | 2008-01-22 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2016033979A (en) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | Imaging device, imaging system, and manufacturing method for imaging device |
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