JPH0326121A - 周波数変調パネルの非実装時の変調度制御回路 - Google Patents
周波数変調パネルの非実装時の変調度制御回路Info
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- JPH0326121A JPH0326121A JP16119689A JP16119689A JPH0326121A JP H0326121 A JPH0326121 A JP H0326121A JP 16119689 A JP16119689 A JP 16119689A JP 16119689 A JP16119689 A JP 16119689A JP H0326121 A JPH0326121 A JP H0326121A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔｛既 要〕
ディジタル多重無線装置の変調度制御回路、特に副信号
処理パネルの差し込み時における副信号のレベル制１卸
回路に関し、 副信号処理パネルが装置に差し込まれたとき、主信号の
特性劣化が発生しないような変調度制御回路を提供する
ことを目的とし、 外部からの音声等を増幅した副信号を出力する副信号処
理パネルと、外部からの主信号を前記副信号処理パネル
からの副信号と共に主信号位相変調器に加えることによ
り変調信号を送出する周波数変調パネルにおいて、前記
周波数変調パネルの副信号の接続点において、一端は直
流電圧を印加しかつ他端は前記接続．点を介して前記副
信号処理パネルの内部でアースを行い、前記副信号処理
パネルが周波数変調パネルに接続されているか否かの検
知を行ったバイ了ス電圧を出力すると共に、副信号処理
パネルを周波数変調パネルに接続した際に接続点に生じ
た急激な電位茅変化が吸収する制御を行うバイアス制御
手段と，前記バイアス制御手段からのバイアス電圧が加
えＣ“ノれることにより抵抗値の可変制御を行う抵抗可
変手段と、前記抵抗司変手段に接続されてお的、前記副
信号処理パネルが実装１へれていない場０・において前
記電圧制御水晶発振器に加わるｊ｛τ．力電圧が小さく
なるように増幅する増幅度可変手段とを有した変調度制
御手段を設けた構或にする。
処理パネルの差し込み時における副信号のレベル制１卸
回路に関し、 副信号処理パネルが装置に差し込まれたとき、主信号の
特性劣化が発生しないような変調度制御回路を提供する
ことを目的とし、 外部からの音声等を増幅した副信号を出力する副信号処
理パネルと、外部からの主信号を前記副信号処理パネル
からの副信号と共に主信号位相変調器に加えることによ
り変調信号を送出する周波数変調パネルにおいて、前記
周波数変調パネルの副信号の接続点において、一端は直
流電圧を印加しかつ他端は前記接続．点を介して前記副
信号処理パネルの内部でアースを行い、前記副信号処理
パネルが周波数変調パネルに接続されているか否かの検
知を行ったバイ了ス電圧を出力すると共に、副信号処理
パネルを周波数変調パネルに接続した際に接続点に生じ
た急激な電位茅変化が吸収する制御を行うバイアス制御
手段と，前記バイアス制御手段からのバイアス電圧が加
えＣ“ノれることにより抵抗値の可変制御を行う抵抗可
変手段と、前記抵抗司変手段に接続されてお的、前記副
信号処理パネルが実装１へれていない場０・において前
記電圧制御水晶発振器に加わるｊ｛τ．力電圧が小さく
なるように増幅する増幅度可変手段とを有した変調度制
御手段を設けた構或にする。
（産業上の利用分野〕
本発明｛・よ、ディジクル多重無線装置の変調度制御回
路、特に副信号処Ｔ１パネルの差し込み時における副信
号のレベル制御回路に関１る。
路、特に副信号処Ｔ１パネルの差し込み時における副信
号のレベル制御回路に関１る。
？従来の技拝〕｝
第４図は従来例（・）一実施例のｌｌＩｊ′ｌ路構成を
′；ｊクす図である。図中、１は周波数変調・″ニネル
、２ ｆ；ｌ： ，：ｔ． ｛’？．ｉ号位相変＃ＪＲ
器、３は電圧制御水晶発振器、まノ、；、５は副信号増
幅器５１を有し，た剰信号処理パネルである。
′；ｊクす図である。図中、１は周波数変調・″ニネル
、２ ｆ；ｌ： ，：ｔ． ｛’？．ｉ号位相変＃ＪＲ
器、３は電圧制御水晶発振器、まノ、；、５は副信号増
幅器５１を有し，た剰信号処理パネルである。
ディジタル無線装■においては、パルス変調された所謂
ＰＣＭデータの土信号と、音声信号等の増幅＋−，た副
信萼を司汀［制御水晶発振器３に加えて得らねた被変調
周波数信号とを主信号位相変調器２６こ加え、主信号を
副信号６、′よる位相変調を行，た変調信号を出力する
ようにしている。
ＰＣＭデータの土信号と、音声信号等の増幅＋−，た副
信萼を司汀［制御水晶発振器３に加えて得らねた被変調
周波数信号とを主信号位相変調器２６こ加え、主信号を
副信号６、′よる位相変調を行，た変調信号を出力する
ようにしている。
このような場合、Ｊ′！′１波数変調パネル１が前記デ
ィジタル無線装置に差し込むとき、接続点八に電位差を
生じる。この接続ｙＦ．ｚ、八の電位差があるため、電
圧制御水晶発振器３に加わる過度電圧となり、従って電
圧制御水晶発振器３の出力位相に急激なる変動を生し、
これにより主信号位相変調器２の出力の位相が瞬時にお
いて大きな変動を生じる原因になる。
ィジタル無線装置に差し込むとき、接続点八に電位差を
生じる。この接続ｙＦ．ｚ、八の電位差があるため、電
圧制御水晶発振器３に加わる過度電圧となり、従って電
圧制御水晶発振器３の出力位相に急激なる変動を生し、
これにより主信号位相変調器２の出力の位相が瞬時にお
いて大きな変動を生じる原因になる。
従って、変調信号に位相変動が生しるために受信系での
復調に影響を受け、受信するとき例えばビソトエラーが
発するという問題がある。
復調に影響を受け、受信するとき例えばビソトエラーが
発するという問題がある。
本発明は、周波数変調処理パネルが装置に差し込まれた
とき、主信号の特性劣化が発生しないような変調度制御
回路を提供することを目的とする［課題を解決するため
の手段］ 本発明では第１図に示すように、外部からの音声等を増
幅した副信号を出力する副信号処理バネル５と、外部か
らの主信号を前記副信号処理パネル５からの副信号と共
に主信号位相変調器２に加えることにより変調信号を送
出する周波数変調バネルＪにおいて、前記周波数変調パ
ネル玉の副信号の接続力におし・て、一端は直瀦電圧を
印加しかつ他端は前記接続点を介しでｊ１１１記副信号
処理バ不ル５の内部でアースろ“行い、前記副信号処理
ペイ５ル５が周波数変調バネノ）・１に接続されている
か否かの検知を行ったバイアス電圧を出力すると共に、
副信号処理バネル５をｌ，；Ｊ波数変調バネル１に接続
した際に接続点に生じた急激な電位差変化が吸収する制
御を行うバイアス制′４？ｊＪＩ′ｆ−段４３と、前記
ハイアス制御手段４３からＩ２）バイアス電圧が加えら
れることにより抵抗値の可変制御を行・う抵抗可変手段
４１と、ｍ記抵抗可変千段４Ｉに接続されており，，前
記副信号処理バネル５が実装されでし・ない場合Ｃこお
いて前記電圧制御水晶発ｊ＆器３に加わる出力電圧が小
さくなるように増幅する増幅度何変手段４２と、を有し
７た変調度制御千段４を設４ノた横或乏するものである
。
とき、主信号の特性劣化が発生しないような変調度制御
回路を提供することを目的とする［課題を解決するため
の手段］ 本発明では第１図に示すように、外部からの音声等を増
幅した副信号を出力する副信号処理バネル５と、外部か
らの主信号を前記副信号処理パネル５からの副信号と共
に主信号位相変調器２に加えることにより変調信号を送
出する周波数変調バネルＪにおいて、前記周波数変調パ
ネル玉の副信号の接続力におし・て、一端は直瀦電圧を
印加しかつ他端は前記接続点を介しでｊ１１１記副信号
処理バ不ル５の内部でアースろ“行い、前記副信号処理
ペイ５ル５が周波数変調バネノ）・１に接続されている
か否かの検知を行ったバイアス電圧を出力すると共に、
副信号処理バネル５をｌ，；Ｊ波数変調バネル１に接続
した際に接続点に生じた急激な電位差変化が吸収する制
御を行うバイアス制′４？ｊＪＩ′ｆ−段４３と、前記
ハイアス制御手段４３からＩ２）バイアス電圧が加えら
れることにより抵抗値の可変制御を行・う抵抗可変手段
４１と、ｍ記抵抗可変千段４Ｉに接続されており，，前
記副信号処理バネル５が実装されでし・ない場合Ｃこお
いて前記電圧制御水晶発ｊ＆器３に加わる出力電圧が小
さくなるように増幅する増幅度何変手段４２と、を有し
７た変調度制御千段４を設４ノた横或乏するものである
。
本発明では第１図に示す如く、、電圧制御水晶発振器３
の入力側に設けた変調度制御千段４において、バイアス
制御千段４３の一端に直流電圧を印加しかつ他端を接続
点を介して副信号処理バネル５の内部においてアースを
し、またバイアス制御千段４３により前記副信号処理パ
ネル５が周波数変調バネル１に接続されているか否かの
検知動作を行ったバイアス電圧を出力するとともに、副
信号処理バネル５を周波数変調パネル■に接続したとき
接続点に生じる急激な電位差の変化が吸収されるように
制御を行い、更にこのバイアス電圧を抵抗可変手段４１
に加えて副信号路の抵抗を変化させて増幅可変千段４２
に接続するようにしている。
の入力側に設けた変調度制御千段４において、バイアス
制御千段４３の一端に直流電圧を印加しかつ他端を接続
点を介して副信号処理バネル５の内部においてアースを
し、またバイアス制御千段４３により前記副信号処理パ
ネル５が周波数変調バネル１に接続されているか否かの
検知動作を行ったバイアス電圧を出力するとともに、副
信号処理バネル５を周波数変調パネル■に接続したとき
接続点に生じる急激な電位差の変化が吸収されるように
制御を行い、更にこのバイアス電圧を抵抗可変手段４１
に加えて副信号路の抵抗を変化させて増幅可変千段４２
に接続するようにしている。
従って、この抵抗可変千段４ｌの抵抗の変化により増幅
度可変千段４２の増幅度を可変できるため、副信号処理
バネル５が装置に差し込まれたときにおいて生じる急激
な位相変動を抑圧し、受信信号の特性劣化が発生しない
ような変調度制御回路の提供が可能となる。
度可変千段４２の増幅度を可変できるため、副信号処理
バネル５が装置に差し込まれたときにおいて生じる急激
な位相変動を抑圧し、受信信号の特性劣化が発生しない
ような変調度制御回路の提供が可能となる。
第２図は本発明の一実施例の回路横或を示す図である。
図中、１は周波数変調パネルであり、従来例と同一の主
信号位相変調器２と電圧制御水晶発振器３及び変調制御
部４ａからなる回路である。
信号位相変調器２と電圧制御水晶発振器３及び変調制御
部４ａからなる回路である。
なおこの変調制御部４ａは本発明の変調度制御千段４に
対応しており、その回路構或は可変抵抗手段４ｌとして
の可変抵抗４１ａ，固定抵抗器Ｒ１と、増幅度可変千段
４２としての増幅器４２ａ，固定抵抗器Ｒ２と、バイア
ス制御千段４３としての固定抵抗器Ｒ３Ｒ，および静電
容量Ｃ，よりなる制御回路４３ａを有した回路である。
対応しており、その回路構或は可変抵抗手段４ｌとして
の可変抵抗４１ａ，固定抵抗器Ｒ１と、増幅度可変千段
４２としての増幅器４２ａ，固定抵抗器Ｒ２と、バイア
ス制御千段４３としての固定抵抗器Ｒ３Ｒ，および静電
容量Ｃ，よりなる制御回路４３ａを有した回路である。
なお５は従来例と同一の副信号増幅器５１を有した副信
号処理パネルである。更に接続点Ａは音声等の入力側と
なる接続点、接続点Ｂは一端を制御回路４３ａに接続し
かつ他端をアースすることによりハイアス電圧を生戒ず
る接続点である。
号処理パネルである。更に接続点Ａは音声等の入力側と
なる接続点、接続点Ｂは一端を制御回路４３ａに接続し
かつ他端をアースすることによりハイアス電圧を生戒ず
る接続点である。
副信号処理バネル５が周波数変調バネル１から抜かれて
いる場合、副信号処理バネル５から変調制御部４ａへの
接続が接続点Ａと接続点Ｂで断たれる。接続点ｌ３が断
たれると、制御回路４３ａに加えられている直流電圧よ
り固定抵抗器Ｒ４と固定抵抗器Ｒ３を介して流れるバイ
アス電流が流れなくなって可変抵抗４１ａの抵抗値は無
限大のオゾン状態になり、これにより増幅器４２ａの増
幅度Ａは低下するようなる。即ち、接続点Ａを介して電
圧制御水晶発振器３に加わる人力のレベルを低下させて
接続点Ａと接続点Ｂの断にする事によって生しる異常電
圧の発生を抑さえている。
いる場合、副信号処理バネル５から変調制御部４ａへの
接続が接続点Ａと接続点Ｂで断たれる。接続点ｌ３が断
たれると、制御回路４３ａに加えられている直流電圧よ
り固定抵抗器Ｒ４と固定抵抗器Ｒ３を介して流れるバイ
アス電流が流れなくなって可変抵抗４１ａの抵抗値は無
限大のオゾン状態になり、これにより増幅器４２ａの増
幅度Ａは低下するようなる。即ち、接続点Ａを介して電
圧制御水晶発振器３に加わる人力のレベルを低下させて
接続点Ａと接続点Ｂの断にする事によって生しる異常電
圧の発生を抑さえている。
また一方、副信号処理バネル５が挿入されると変調制御
部４ａへの接続が復旧し、直流電圧から固定抵抗器Ｒ４
と固定抵抗器Ｒ，にバイアス電流が流れ、可変抵抗４１
ａは制御回路４３ａからの直流ハイアスにより通常の抵
抗値となり、増幅器４２ａの増幅度Ａは正常値に戻り変
調制御部４ａからは正常な値の信号が出力される。従っ
て主信号位相変調器２からは正常な変調信号が出力され
る。
部４ａへの接続が復旧し、直流電圧から固定抵抗器Ｒ４
と固定抵抗器Ｒ，にバイアス電流が流れ、可変抵抗４１
ａは制御回路４３ａからの直流ハイアスにより通常の抵
抗値となり、増幅器４２ａの増幅度Ａは正常値に戻り変
調制御部４ａからは正常な値の信号が出力される。従っ
て主信号位相変調器２からは正常な変調信号が出力され
る。
この過程で制御回路４３ａは、固定抵抗器Ｒ，と固定抵
抗器Ｒ４と静電容量Ｃ１よりなる遅延要素を持っており
、非常に細いパルスを吸収するようにしてある。これに
より瞬時変動に対して追従しないようにして回路動作の
安定化を図っている。
抗器Ｒ４と静電容量Ｃ１よりなる遅延要素を持っており
、非常に細いパルスを吸収するようにしてある。これに
より瞬時変動に対して追従しないようにして回路動作の
安定化を図っている。
なお、第３図は本発明の一実施例回路のタイムチャート
を示す図である。図示するように、周波数変調パネル１
の抜き取り時の増幅度Ａ１は、Ｒ． 一方周波数変調バネルｌの挿入時の増幅度Ａ２は、Ｒ，
ＶＲ 即ち、Ａｚ＞Ａ＋が得られる。
を示す図である。図示するように、周波数変調パネル１
の抜き取り時の増幅度Ａ１は、Ｒ． 一方周波数変調バネルｌの挿入時の増幅度Ａ２は、Ｒ，
ＶＲ 即ち、Ａｚ＞Ａ＋が得られる。
以上説明したように本発明によれば、副信号路の抵抗を
制ｊ卸回路を用いて可変させることにより、副信号処理
パネルが装置に差し込まれたときの主信号の特性劣化の
発生しないように制御することが可能となり、安定な周
波数変調度制御回路が実現できる。
制ｊ卸回路を用いて可変させることにより、副信号処理
パネルが装置に差し込まれたときの主信号の特性劣化の
発生しないように制御することが可能となり、安定な周
波数変調度制御回路が実現できる。
第１図は本発明の原理構威を示す回路図、第２図は本発
明の一実施例の回路構成を示す図、第３図は本発明の一
実施例回路のタイムチャートを示す図、 第４図は従来例の一実施例の回路構戒を示す図、ある。 図において、 ■は周波数変調パネル、 ２は主信号位相変調器、 ３は電圧制御水晶発振器、 ４は変調度制御手段、 ４１は抵抗可変手段、 ４２は増幅度可変手段、 ４３はバイアス制御手段、 ５は副信号処理パネル、 を示す。 本発明の一実施例のＩｌ！ｌＩｌ３構威を示す図第２図 時間ｔ−ｐ 本発明の一実施例回路のタイムチャートを示す図第 ３
図 本発明の原理構戊を示す図 従来例の一実施例の回路構威を示す図 第４図
明の一実施例の回路構成を示す図、第３図は本発明の一
実施例回路のタイムチャートを示す図、 第４図は従来例の一実施例の回路構戒を示す図、ある。 図において、 ■は周波数変調パネル、 ２は主信号位相変調器、 ３は電圧制御水晶発振器、 ４は変調度制御手段、 ４１は抵抗可変手段、 ４２は増幅度可変手段、 ４３はバイアス制御手段、 ５は副信号処理パネル、 を示す。 本発明の一実施例のＩｌ！ｌＩｌ３構威を示す図第２図 時間ｔ−ｐ 本発明の一実施例回路のタイムチャートを示す図第 ３
図 本発明の原理構戊を示す図 従来例の一実施例の回路構威を示す図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 外部からの音声等を増幅した副信号を出力する副信号処
理パネル（５）と、外部からの主信号を前記副信号処理
パネル（５）からの副信号と共に主信号位相変調器（２
）に加えることにより変調信号を送出する周波数変調パ
ネル（１）において、前記周波数変調パネル（１）の副
信号の接続点において、一端は直流電圧を印加しかつ他
端は前記接続点を介して前記副信号処理パネル（５）の
内部でアースを行い、前記副信号処理パネル（５）が周
波数変調パネル（１）に接続されているか否かの検知を
行ったバイアス電圧を出力すると共に、副信号処理パネ
ル（５）を周波数変調パネル（１）に接続した際に接続
点に生じた急激な電位差変化が吸収する制御を行うバイ
アス制御手段（４３）と、前記バイアス制御手段（４３
）からのバイアス電圧が加えられることにより抵抗値の
可変制御を行う抵抗可変手段（４１）と、 前記抵抗可変手段（４１）に接続されており、前記副信
号処理パネル（５）が実装されていない場合において前
記電圧制御水晶発振器（３）に加わる出力電圧が小さく
なるように増幅する増幅度可変手段（４２）と、 を有した変調度制御手段（４）を設けたことを特徴とす
る周波数変調パネルの非実装時の変調度制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16119689A JPH0326121A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 周波数変調パネルの非実装時の変調度制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16119689A JPH0326121A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 周波数変調パネルの非実装時の変調度制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0326121A true JPH0326121A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15730413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16119689A Pending JPH0326121A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 周波数変調パネルの非実装時の変調度制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0326121A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5810526A (en) * | 1995-07-18 | 1998-09-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Lubricant application apparatus in a gravure engraving machine |
| US6690032B1 (en) | 1999-07-22 | 2004-02-10 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and method of manufacture thereof, and electronic instrument |
| US6720944B1 (en) | 1998-07-27 | 2004-04-13 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing same, projector and electronic apparatus |
| US6741315B1 (en) | 1999-08-27 | 2004-05-25 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
| US6894758B1 (en) | 1999-03-08 | 2005-05-17 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and manufacturing method thereof |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP16119689A patent/JPH0326121A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5810526A (en) * | 1995-07-18 | 1998-09-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Lubricant application apparatus in a gravure engraving machine |
| US6720944B1 (en) | 1998-07-27 | 2004-04-13 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing same, projector and electronic apparatus |
| US6894758B1 (en) | 1999-03-08 | 2005-05-17 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and manufacturing method thereof |
| US6690032B1 (en) | 1999-07-22 | 2004-02-10 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and method of manufacture thereof, and electronic instrument |
| US6741315B1 (en) | 1999-08-27 | 2004-05-25 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and electronic apparatus |
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