JPH032512A - 3次元位置認識装置 - Google Patents

3次元位置認識装置

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JPH032512A
JPH032512A JP13699289A JP13699289A JPH032512A JP H032512 A JPH032512 A JP H032512A JP 13699289 A JP13699289 A JP 13699289A JP 13699289 A JP13699289 A JP 13699289A JP H032512 A JPH032512 A JP H032512A
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light beam
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JP13699289A
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Koji Ichie
更治 市江
Kazuo Kurasawa
一男 倉沢
Chiyoharu Horiguchi
千代春 堀口
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Hamamatsu Photonics KK
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Hamamatsu Photonics KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被A+++定物からの反射光を利用して被7
Illl定物の位置を3次元で認識する3次元位置認識
装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第7図に一般的な距離検出器の光学系を示す。
光源]の発光光束を投光レンズ2により、被測定物3に
集光して照射し、この反射光を受光レンズ4により、位
置検出用受光素子5に集光する。
ここで、受光レンズ4から被測定物3までの距離をり、
M線長を81受光レンズ4と位置検出用受光素子5との
間隔をfとする時、受光レンズ4の光軸中心からスポッ
ト光の重心位置までの距離Xは次の(コ)式になる。
x=f−B/L        ・・・(1)位置検出
用受光素子5により、変位置を示す(1)式の距離Xを
求めることにより、逆に距離りを求めることができる。
また、距離検出器を同図紙面と垂直で基線長方向を含む
平面上で機械的に移動させ、この2次元平面における距
離検出器の位置(X、Y)と、位置検出用受光素子5か
ら得られる変位置XとからZ軸方向の距離りが求められ
、(X、Y、Z、)の3次元位置の認識が行わ′3 れていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記従来の3次元位置認識装置において
は、距離検出器自体を(X、Y)平面上で機械的に移動
しなければならない。従って、3次元位置認識のための
1回の計測に要する時間は長くかかる。このため、従来
の装置は、静的な被UJ定物を対象にする3次元位置認
識には応用できるが、動的な被測定物を対象にする3次
元位置認識には実用上応用することが出来ないという課
題があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明はこのような課題を解消するためになされたもの
で、一方の走査手段は、反射面を少なくとも2面は有し
、回動または回転されることにより、この1面により投
光手段からの光束を被測定物上に水平または垂直に走査
すると共に、他の1面により被測定物からの反射光を受
光手段に偏向する反射体から構成され、他方の走査手段
は、投光手段からの光束を被測定物上に垂直または水平
に走査すると共に、被測定物からの反射光を受光手段に
偏向する反射体から構成されるものである。
〔作用〕
光源から発せられた光束は、反射面を2面は有する走査
手段が回動または回転されることにより水平または垂直
の1次元走査が行われ、もう一方の走査手段が回動また
は回転されることにより垂直または水平の2次元走査が
行われる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例による構成を示す斜視図であ
り、3次元の各方向は同図の(x、 yZ)座標に示さ
れる各方向により決定される。
光源11は例えば発光ダイオードから構成され、光源1
1からの発光光束は投光レンズ12により被測定物13
上に集光される。また、走査ミラーM およびガルバノ
メーター4は水平走査手段を■ 構成している。平板状の両面ミラーからなる走査ミラー
M1は、ガルバノメーター4の回転軸に固定されており
、この回転軸の回動と共に図の矢印の方向に回動される
。この回転軸は被測定物方向であるZ軸方向に一致して
おり、この回動により投光レンズ]2からの照射光束は
被41す定物13上において水平に走査される。
また、投光レンズ]2からの照射光束は走査ミラーM 
て反射されて固定ミラーM2により偏向され、走査ミラ
ーM3に入射される。走査ミラM3はガルバノメーター
5と共に垂直走査手段を構成している。平板状のミラー
からなる走査ミラM3はガルバノメーター5の回転軸に
固定されており、この回転軸の回動と共に図の矢印に示
す方向に回動される。この回転軸はZ軸に直交する水平
なX軸方向に一致しており、この回動により固定ミラー
M からの照射光束は走査ミラーM3に反射されて被測
定物13上において垂直に走査される。
被測定物1.3からの反射光束は走査ミラーM3で反a
dされ、固定ミラーM4によって偏向される。
固定ミラーM4はZ軸を中心にして固定ミラM2に対し
て対称に配置されており、偏向された反射光束はさらに
走査ミラーM、によって反射されて受光レンズ]6に入
射される。この受光レンズ]6は走査ミラーM1からの
反射光束を集光し、位置検出用受光素子17の受光面上
に反則光束を照射する。
位置検出用受光素子17には図示しない演算手段が接続
されており、被測定物1Bまでの距離が変化すると、位
置検出用受光素子17の受光面上における反射光束の集
光位置は、この距離の変化量に比例して変化する。そし
てこの変化量に比例した光出力電流は演算手段に与えら
れ、演算手段はこの出力信号に基づいてZ軸方向の被測
定物13までの距[(L)を演算する。また、走査ミラ
ーM3から被測定物]3上に照射される光束のX軸、Y
軸にχ・jする走査角(θ 、θ )は、ガχ    
  y ルハノメータ14.15への走査信号から知ることが出
来、この走査角と被Δ1り定物]3までの距離(L)と
から3次元の位置認識が可能になる。
第2図は位置検出用受光素子17に使用される一般的な
半導体装置検出器の構成図である。この半導体装置検出
器としては、例えば浜松ホトニクス株式会ン1製の型名
かS 1545の1次元用の半導体装置検出器が有り、
以下、この半導体装置検出器を用いた場合について説明
する。
半導体装置検出器25は、n+型型半体体層27、高抵
抗n型半導体層28と、抵抗率が均一なp型土導体層2
9とか順次に積層されることにより形成されている。n
型半導体層28およびp型土導体層2つはホトダイオー
ドを構成している。
また、n+型型半体体層27はホトダイオードに逆バイ
アスの電圧を印加するための共通電極30が設けられて
おり、p型土導体層2つの両端部には一対の電極31.
32が設けられている。
この半導体装置検出器25の共通電極30に所定の電圧
を印加し、位置SPのところに光点が入射したとすると
、位置SPの下方のpn接合部には電子−正孔対か生じ
、これにより光点の入射エネルギーに比例した光電流1
oが共通電極30からp型土導体層2つに向かって流れ
る。
ここで、電極31.32間の距離を01その間のp型土
導体層2つの抵抗をR6とじ、光点入射位置SPと電極
32との間の距離をxlその間のp型土導体層2つの抵
抗をRとすると、光電流1oは光点入射位置SPの所で
抵抗分割される。
すなわち、電極3]への電流IAおよび電極32への電
流IBは、それぞれ次式に示される。
I  =I    [R/Ro] A      Ox l  =I    [(RR)、/Rc] ・・・(2
)B      OCX また、前述のように、p型土導体層29の抵抗率は均一
に分布しているので、この(2)式は以下のように変形
される。
■ −I −X/C O 1=I    [(C−x)/C]    ・・ (3
)(3)式かられかるように、電流1  、I  をA
   I( 電極31.32から取出し、所定の演算手段によって所
定のアナログ演算処理が施されることにより、電極32
から光点入射位置SPまでの距離Xを求めることができ
る。
第3図は上記構成をした3次元位置認識装置における照
射光束の走査方法を説明するための原理図である。なお
、図面の簡略化のため、走査ミラM3とガルバノメータ
ー5からなる垂直走査手段は図から省いである。
光源11から発光された照射光束は被測定物]3上に集
光されるのであるが、実線で示される位置に走査ミラー
M1が在る場合には、光源11から発光された照射光束
は実線で示される光路をたどって走査ミラーM1で反射
される。さらに、光束は実線の光路をたどって固定ミラ
ーM2で反射された後、被lpJ宝物13上の照射位置
s1をスポット光の形で照射する。また、被測定物13
からの反射光は実線の光路をたどって固定ミラーM4で
反射された後、さらに走査ミラーM、で反射され、受光
レンズ16により位置検出用受光素子17の受光面上に
集光される。
ここで、走査ミラーM1が回動して2点鎖線で示される
M ′の位置になると、光源11から発光された照射光
束は2点鎖線で示される光路をたどって走査ミラーM1
で反射される。さらに、光束は2点鎖線の光路をたどっ
て固定ミラーM2で反射された後、被測定物13上の照
射位置s2をスポット光の形で照射する。照射位置S2
からの反射光は2点鎖線の光路をたどって固定ミラーM
 で反射され、さらに、走査ミラーM ′で反射された
後、受光レンズ]6により位置検出用受光素子17の受
光面上に照射される。
このように本走査方法によれば、照射光束を被a1す宝
物]3上において照射IM、置S から82まで偏向さ
せても、被iuす宝物]3までの距離が一定であれば、
位置検出用受光素子17の受光面上に集光される照射光
束の集光位置は変化しない。
第4図は、上記構成の3次元位置認識装置を用いた光学
系における距離検出の原理を説明するための図であり、
第1図に示された装置を(X、Z)平面上から見た図で
ある。なお、図面を簡略化するため、走査ミラーM3と
ガルバノメーター5からなる垂直走査手段は図から省い
である。また、被測定物13か基■距離り。にあるとき
、位置検出用受光素子17の受光面に集光される照射光
束の集光位置は、位置検出用受光素子17の電気的中心
位置、つまり、得られる2つの光電流IA] 1 ’ +3の各値が等しくなる入射位置に合致するように
設定しである。
ここで、被δ1り宝物]3がΔL移動し、2点鎖線で示
される位置13′に来た時、被測定物13からの反射光
は2点鎖線で示される光路をたどって固定ミラーM4で
反射され、さらに、走査ミラM で反射される。走査ミ
ラーM1で反射された光束は、受光レンズ16により位
置検出用受光素子]7の受光面上において電気的中心位
置からΔXすれた位置に集光される。また、三角測量の
原理において、投光レンズ12および受光レンズ]6の
位置は、走査ミラーM  、M  によって点線で示さ
れるレンズ12′、16’の位置と等価になる。このた
め、三角測量における基線長Bは等価位置にある各レン
ズ12’、16’の光軸間の距離に相当する。
受光レンズ16と位置検出用受光素子]7の受光部との
間隔をfとすると前述した(1)式(X=f’−B/L
)が成り立ち、距離の変位量ΔLと位置検出用受光索子
]7の受光面上における集光位置の変位量ΔXとの間に
は、以下の(4)式が成り立つ。
Δx=f−B・ +1/ (Lo−八L)]/L ) 
  ・・・(4) 位置検出用受光素子]7の受光面上における変位量ΔX
は、得られる信号光電流I  、I  に基B づいて所定のアナログ演算が実行されることにより求め
られる。そして、求められたΔXにより、ΔL移動した
後の被A+++宝物コ3′までの距離り。
ΔLが(4)式から求められる。
従って、被測定物13上に集光された光束の照射点を表
す3次元位置データ(X、Y、Z)は、2つの偏向角θ
 、θ から、以下の(5)〜X       3/ (7)式を用いて求めることができる。
Z=L           ・・・(5)Y=L−t
anθ、     −(6)X=L−tanθ、   
   ・’(7)このように本実施例によれば、光源1
1から照射される光束は、水平走査手段を構成する走査
ミラーM、が回動されることにより被測定物13」ニに
おいて水平走査、つまりX軸方向に走査される。
さらに、垂直走査手段を構成する走査ミラーM3が回動
されることにより照射光束は被測定物13上において垂
直走査、つまりY軸方向に走査される。この結果、上記
実施例による装置は、動的な被測定物を対象にする3次
元位置認識にも適用することが可能になる。
また、位置検出用受光索子17上における照射光束の集
光位置は、被測定物13までの距離が変化した時にのみ
、この距離の変化量に対応して移動する。このため、位
置検出検出用受光素子17の受光面積は最少の面積に抑
制することが可能になり、提供される装置は小形化され
、かつ、安価になる。
第5図は本発明の他の一実施例による3次元位置認識装
置の構成を示す斜視図である。
光源4]から発せられた光束は投光レンズ42により被
at++宝物43上に集光される。照射光束は直角プリ
ズム型の多面ミラーM5の一面で反射されて偏向し、走
査ミラーM6に入射される。走査ミラーM6はガルバノ
メータ44と共に垂直走査手段を構成している。走査ミ
ラーM6はガルバノメータ44の回転軸に固定されてお
り、この回転軸は被測定物方向であるZ軸方向に直交す
る水平なX軸方向に配置されている。そして、この回転
軸が図の矢印に示される方向に回動されることにより、
走査ミラーM6に入射された光束は被測定物43上にお
いて垂直に走査される。
走査ミラーM6て反射された光束はポリゴンミラーM7
に入射される。ポリゴンミラーM7およびザーボモータ
45は水平走査手段を構成している。ポリゴンミラーM
7はザーボモータ45の回転軸に固定されており、この
回転軸は垂直方向であるY軸方向に配置されている。そ
して、この回転軸が図の矢印に示される方向に回転され
ることにより、ポリゴンミラーM7に入射された光束は
被測定物43上において水平に走査される。ポリゴンミ
ラーM7で反射された光束は平板状の固定ミラーである
ビームスプリッタM8に入射され、被d1す足動43上
へ反射される。また、このビームスプリッタM8は僅か
な光束を透過させ、この後方に配置された図示しない受
光レンズにより集光される。さらに、集光された光束は
図示しない位置検出用受光素子に照射され、この位置検
出用受光素子に接続された図示しない演算手段により、
被測定物43へ照射される光束のX軸、Y軸に対する偏
角(θ 、θ )が求められる。
y 被測定物43からの反射光束は全反射ミラーである固定
ミラーM9に反射されて偏向され、再びポリゴンミラー
M7に入射される。固定ミラーM はZ軸を中心にして
ビームスプリッタM8に対して対称に配置されている。
ポリゴンミラーM に入射された光束は走査ミラーM6
に反射され、走査ミラーM6によって反射された光束は
多面ミラーM5により偏向される。偏向された光束は受
光レンズ46により集光されて位置検出用受光素子47
の受光面上に照射される。この位置検出用受光素子47
は前述した実施例と同様な第2図に示される半導体装置
検出器から構成されている。位置検出用受光素子47は
図示しない演算手] 6 段に接続されており、この位置検出用受光素子47から
出力される光出力電流に基づき、演算手段は被ΔIII
宝物43までの距離(L)を演算する。
そして、上述した偏角(θ 、θ )とこの距離y (L)とから(x、y、z)の3次元位置認識か行われ
る。
第6図は上記構成の3次元位置認識装置における走査方
法の原理を示す図である。なお、図面の簡略化のため、
走査ミラーM6およびガルバノメタ44から構成される
垂直走査手段並びに多面ミラーM5は図から省略しであ
る。
ポリゴンミラーM7は図の矢印に示される方向に高速で
回転されており、前述した実施例における平板ミラーを
ガルバノメータで振る装置よりも照射光束の走査は高速
化されている。光源41からの光束は投光レンズ42に
より集光され、ポリゴンミラーM7に入射される。ポリ
ゴンミラM7に入射された照射光束はビームスプリッタ
M8により偏向され、被測定物43上に照射される。ま
た、ビームスプリッタM8に入射された光束の一部は作
かに透過され、ビームスプリッタM8の後方に配置され
た受光レンズ48によって位置検出用受光索子49上に
集光される。この位置検出用受光索子49は、位置検出
用受光素子47の一次元検出用と異なり、二次元検出用
の半導体装置検出器から構成されている。
被1Jlll定物43からの反射光束は固定ミラーM9
によって偏向され、ポリゴンミラーM7に入射されて反
射される。反射された光束は受光レンズ46に入a・J
され、集光されて位置検出用受光素子47上に照射され
る。本実施例における光源41からの照fAJ光束の走
査方法においても、前述した実施例と同様に、被測定物
43までの距離が変化しない場合には、照射光束が水平
および垂直走査されても位置検出用受光索子47上に集
光される照η・j光束の集光位置は変化しない。
また、被測定物43までの距離検出方法も、前述した実
施例とほぼ同様である。つまり、位置検出用受光索子4
7上に集光される照射光束の変位量ΔXを光出力電流1
  、I  から演算し、前述B の(4)式から被測定物43までの距離(L)を求める
ことにより行われる。従って、本実施例においても、被
測定物43上に集光された光束の照射点を表す3次元位
置データ(X、Y、Z)は、2つの偏角(θ 、θ )
および距1iiIll(L)に基y づいて前述の(5)〜(7)式の演算を行うことにより
求めることか出来る。
このように本実施例においても、光源4]から照fAJ
される光束は、垂直走査手段を構成するミラMeが回動
されることにより被測定物43上において垂直走査、つ
まりY軸方向に走査される。
さらに、水平走査手段を構成するポリゴンミラM7か回
転されることにより水平走査、つまりX軸方向に走査さ
れる。この結果、本実施例による装置は、前述した実施
例と同様に、動的な被41す宝物を対象にする3次元位
置認識に適用することが1■能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、光源から発せられ
た光束は、反U;t ’mを2面は有する走査子1つ 段が回動または回転されることにより水平または垂直の
1次元走査が行1)れ、もう一方の走査手段が回動また
は回転されることにより垂直または水平の2次元走査が
行われる。
このため、光源から照射される光束の走査性は高速化さ
れ、3次元位置認識に要する時間は短縮化される。この
結果、従来、3次元位置認識が困難であった動的な被測
定物をも対象にすることが可能な装置が提供されるとい
う効果を有する。
ある。
1し・・光源、]2・・投光レンズ、13・・・被測定
物、]、4.,1.5・・ガルノ1ノメータ、16・・
・受光レンズ、17・・位置検出用受光素子、MI ’
 M3・・走査ミラー、M、M4・・・一対の固定ミラ
【図面の簡単な説明】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光源と、この光源から発せられる光束を被測定物上
    に集光する投光手段と、前記被測定物からの反射光を受
    光して集光する受光手段と、この受光手段により集光さ
    れた光束の集光位置を検出する位置検出用受光素子と、
    この位置検出用受光素子の出力信号に基づき前記被測定
    物上に集光された前記光束の照射点までの距離を演算す
    る演算手段とを備えて構成される3次元位置認識装置に
    おいて、 前記投光手段からの光束を水平および垂直に偏向走査す
    る水平走査手段および垂直走査手段を更に備え、 この水平走査手段または垂直走査手段のうちの一方の走
    査手段は、反射面を少なくとも2面は有し、回動または
    回転されることにより、この2面のうちの1面により前
    記投光手段からの光束を前記被測定物上に水平または垂
    直に走査すると共に、他の1面により前記被測定物から
    の反射光を前記受光手段に偏向する反射体から構成され
    、 他方の走査手段は、前記投光手段からの光束を前記被測
    定物上に垂直または水平に走査すると共に、前記被測定
    物からの反射光を前記受光手段に偏向する反射体から構
    成された ことを特徴とする3次元位置認識装置。 2、水平走査手段は、被測定物方向を中心にして回動自
    在に設けられた平板状の両面ミラーから構成され、一方
    の面により投光手段からの光束を被測定物上に水平に走
    査すると共に、他方の面によりこの被測定物からの反射
    光を受光手段に偏向し、 垂直走査手段は、水平方向を中心にして回動自在に設け
    られた平板状のミラーから構成され、前記投光手段から
    の光束を前記被測定物上に垂直に走査すると共に、前記
    被測定物からの反射光を前記受光手段に偏向する ことを特徴とする請求項1記載の3次元位置認識装置。 3、水平走査手段は、垂直方向を中心にして回転自在に
    設けられたポリゴンミラーから構成され、投光手段から
    の光束を被測定物上に水平に走査すると共に、この被測
    定物からの反射光を受光手段に偏向し、 垂直走査手段は、水平方向を中心にして回動自在に設け
    られた平板状のミラーから構成され、前記投光手段から
    の光束を前記被測定物上に垂直に走査すると共に、前記
    被測定物からの反射光を前記受光手段に偏向する ことを特徴とする請求項1記載の3次元位置認識装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190130454A (ko) * 2018-05-14 2019-11-22 주식회사 에스오에스랩 라이다 장치
US10591598B2 (en) 2018-01-08 2020-03-17 SOS Lab co., Ltd Lidar device
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