JPH0324521A - 光変調回路 - Google Patents
光変調回路Info
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- JPH0324521A JPH0324521A JP15838389A JP15838389A JPH0324521A JP H0324521 A JPH0324521 A JP H0324521A JP 15838389 A JP15838389 A JP 15838389A JP 15838389 A JP15838389 A JP 15838389A JP H0324521 A JPH0324521 A JP H0324521A
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- circuit
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- semiconductor laser
- light
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
- G02F1/0123—Circuits for the control or stabilisation of the bias voltage, e.g. automatic bias control [ABC] feedback loops
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信における光変調回路に係り、特に分岐干
渉型光変調器(以下、外部変調器と略称する)を用いた
光変調回路に関するものである。
渉型光変調器(以下、外部変調器と略称する)を用いた
光変調回路に関するものである。
従来の外部変調器を用いた光変調回路の一例を第2図に
示し説明する。
示し説明する。
図において、21ぱ半導体レーザ、22はレンズ、23
は外部変調器、24はレンズ、25は光ファイバ、26
は外部変調器23に交流結合で入力される主信号にバイ
アス電圧を与えるバイアス供給回路、2Tぱ主信号源で
、この主信号源27はコンデンサ28を介して外部変調
器23に接続されている。29は半導体レーザ21に接
続されたバイアス供給回路である。
は外部変調器、24はレンズ、25は光ファイバ、26
は外部変調器23に交流結合で入力される主信号にバイ
アス電圧を与えるバイアス供給回路、2Tぱ主信号源で
、この主信号源27はコンデンサ28を介して外部変調
器23に接続されている。29は半導体レーザ21に接
続されたバイアス供給回路である。
このように構成された光変調回路において、変調主信号
は交流結合され、ある一定のバイアス電圧が印加されて
いる。
は交流結合され、ある一定のバイアス電圧が印加されて
いる。
上述した従来の外部変調器を用いた光変調回路では、変
調主信号は交流結合となってDシ、一定のバイアスが印
加されているため、入力変調主信号情報のマーク率が変
動し、その直流バイアスレベルが変わると外部変調器の
変調レベルが変動してし甘うという課題があった。1た
、外部変調器に入力される半導体レーザ出力光のパワー
は、半導体レーザの後方光をモニタすることによう出力
光を一定に制御している。この構成で半導体レーザから
ファイバ間の光学系軸ずれが生じた場合、光学系軸ずれ
情報は検出不可能でsbファイバに結合する光出力パワ
ーは低下してし!うという課題があった。
調主信号は交流結合となってDシ、一定のバイアスが印
加されているため、入力変調主信号情報のマーク率が変
動し、その直流バイアスレベルが変わると外部変調器の
変調レベルが変動してし甘うという課題があった。1た
、外部変調器に入力される半導体レーザ出力光のパワー
は、半導体レーザの後方光をモニタすることによう出力
光を一定に制御している。この構成で半導体レーザから
ファイバ間の光学系軸ずれが生じた場合、光学系軸ずれ
情報は検出不可能でsbファイバに結合する光出力パワ
ーは低下してし!うという課題があった。
本発明の光変調回路は、入出力部にレンズを設け、主信
号源が交流結合されている外部変調器と、この外部変調
器に結合された光ファイバ分岐部と、この光ファイバ分
岐部から一方の光出力が入力されるフォトダイオードと
、このフォトダイオードの光電流のピーク値を検出する
ピーク値検出回路と、このピーク値検出回路の出力電圧
が入力されかつ上記外部変調器に交流結合で入力される
主信号にバイアス電圧を与える第1のバイアス供給回路
と、半導体レーザと、この半導体レーザに接続される第
2のバイアス供給回路と、この第2のバイアス供給回路
に接続されるAPC制御回路を備え、上記APC制御回
路には上記フォトダイオドでモニタされた光出力パワー
情報がフィードバックされる構成としたものである。
号源が交流結合されている外部変調器と、この外部変調
器に結合された光ファイバ分岐部と、この光ファイバ分
岐部から一方の光出力が入力されるフォトダイオードと
、このフォトダイオードの光電流のピーク値を検出する
ピーク値検出回路と、このピーク値検出回路の出力電圧
が入力されかつ上記外部変調器に交流結合で入力される
主信号にバイアス電圧を与える第1のバイアス供給回路
と、半導体レーザと、この半導体レーザに接続される第
2のバイアス供給回路と、この第2のバイアス供給回路
に接続されるAPC制御回路を備え、上記APC制御回
路には上記フォトダイオドでモニタされた光出力パワー
情報がフィードバックされる構成としたものである。
本発明においては、変調光出力波形をモニタすることに
よう、そのピーク値が一定になるようにフィードバック
回路を構成し、入力主信号のマーク率変化に対する直流
成分の変化をバイアス供給回路を制御することによう補
償する。
よう、そのピーク値が一定になるようにフィードバック
回路を構成し、入力主信号のマーク率変化に対する直流
成分の変化をバイアス供給回路を制御することによう補
償する。
以下、図面に基づき本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明による光変調回路の一実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
図において、1は半導体レーザ、3は入出力部にレンズ
2,4を設け主信号源10が交流結合されている外部変
調器、5はこの外部変調器3に結合された光ファイバ分
岐部、6はこの光ファイバ分岐部5から一方の光出力が
入力されるフォトダイオード、TFi.抵抗、8はフォ
トダイオード6の光電流のピーク値を検出するピーク値
検出回路、9はこのピーク値検出回路8の出力電圧が入
力されかつ外部変調器3に交流結合で入力される主信号
にバイアス電圧を与えるバイアス供給回路、11ぱコン
デンサ、12は半導体レーザ1に接続されるバイアス供
給回路、13はこのバイアス供給回路12に接続される
APC ( Automatic powerCont
rol )制御回路である。
2,4を設け主信号源10が交流結合されている外部変
調器、5はこの外部変調器3に結合された光ファイバ分
岐部、6はこの光ファイバ分岐部5から一方の光出力が
入力されるフォトダイオード、TFi.抵抗、8はフォ
トダイオード6の光電流のピーク値を検出するピーク値
検出回路、9はこのピーク値検出回路8の出力電圧が入
力されかつ外部変調器3に交流結合で入力される主信号
にバイアス電圧を与えるバイアス供給回路、11ぱコン
デンサ、12は半導体レーザ1に接続されるバイアス供
給回路、13はこのバイアス供給回路12に接続される
APC ( Automatic powerCont
rol )制御回路である。
そして、APC制御回路13にはフォトダイオード6で
モニタされた光出力パワー情報がフィードバックされる
ように構或されている。
モニタされた光出力パワー情報がフィードバックされる
ように構或されている。
つぎにこの第1図に示す実施例の動作を説明する。
1ず、半導体レーザ1はバイアス供給回路12によシ発
光し、その半導体レーザ出力光は外部変調器3に入力さ
れる。1た、主信号源10からの信号はコンデンサ11
を介して外部変調器3に入力され、その変調電圧によシ
光強度変調される。
光し、その半導体レーザ出力光は外部変調器3に入力さ
れる。1た、主信号源10からの信号はコンデンサ11
を介して外部変調器3に入力され、その変調電圧によシ
光強度変調される。
そして、この外部変調器3を比力された光信号はレンズ
4を介し、光ファイバ分岐部5に入力される。この光フ
ァイバ分岐部5の出力光の一方は伝送路に送出され、他
方はフォトダイオード6に入力される。ここで、このフ
ォトダイオード6は逆バイアスが印加されて釦ウ、抵抗
Iが接続されている。そして、このフォトダイオード6
に入力される光パルスに応じたパルス電圧が得られる。
4を介し、光ファイバ分岐部5に入力される。この光フ
ァイバ分岐部5の出力光の一方は伝送路に送出され、他
方はフォトダイオード6に入力される。ここで、このフ
ォトダイオード6は逆バイアスが印加されて釦ウ、抵抗
Iが接続されている。そして、このフォトダイオード6
に入力される光パルスに応じたパルス電圧が得られる。
つぎに、このパルス電圧がピーク値検出回路8に入力さ
れ、その入力されたパルス電圧のピーク値に応じた直流
電圧を出力する。そして、この出力電圧をバイアス供給
回路9に入力し0C/DC変換し外部変調器3に印加す
る。筐た、上記パルス電圧はAPC制御回路13に入力
されて、半導体レーザ1の出力パワーを一定に補償する
ようにバイアス供給回路12によシ、半導体レーザ1の
バイアス電流を制御する。
れ、その入力されたパルス電圧のピーク値に応じた直流
電圧を出力する。そして、この出力電圧をバイアス供給
回路9に入力し0C/DC変換し外部変調器3に印加す
る。筐た、上記パルス電圧はAPC制御回路13に入力
されて、半導体レーザ1の出力パワーを一定に補償する
ようにバイアス供給回路12によシ、半導体レーザ1の
バイアス電流を制御する。
以上説明したように本発明は、変調光出力波形をモニタ
することによシ、そのピーク値が一定になるようにフィ
ードバック回路を構成し、入力主信号のマーク率変化に
対する直流成分の変化をバイアス供給回路を制御するこ
とによう補償し、安定した光パルスを出力することがで
きる効果がある。筐た、それと同時に半導体レーザから
光ファイバ分岐1での光学系の軸ずれ等の出力光パワー
の低下を補償することが可能になるという効果がある。
することによシ、そのピーク値が一定になるようにフィ
ードバック回路を構成し、入力主信号のマーク率変化に
対する直流成分の変化をバイアス供給回路を制御するこ
とによう補償し、安定した光パルスを出力することがで
きる効果がある。筐た、それと同時に半導体レーザから
光ファイバ分岐1での光学系の軸ずれ等の出力光パワー
の低下を補償することが可能になるという効果がある。
第1図は本発明による光変調回路の一実施例を示すブロ
ック図、第2図は従来の光変調回路の一例を示すブロッ
ク図である。 1●・・・半導体レーザ、2・・・・レンズ、3・・・
・分岐干渉型光変調器、4・・・・レンズ、5●●・●
光ファイバ分岐部、6・・●●フォトダイオード、8・
・・・ピーク値検出回路、9・・・・バイアス供給回路
、10・・・号源、12・・・・バイアス供給回路、1
・・APC制御回路。
ック図、第2図は従来の光変調回路の一例を示すブロッ
ク図である。 1●・・・半導体レーザ、2・・・・レンズ、3・・・
・分岐干渉型光変調器、4・・・・レンズ、5●●・●
光ファイバ分岐部、6・・●●フォトダイオード、8・
・・・ピーク値検出回路、9・・・・バイアス供給回路
、10・・・号源、12・・・・バイアス供給回路、1
・・APC制御回路。
Claims (1)
- 入出力部にレンズを設け主信号源が交流結合されている
分岐干渉型光変調器と、この分岐干渉型光変調器に結合
された光ファイバ分岐部と、この光ファイバ分岐部から
一方の光出力が入力されるフォトダイオードと、このフ
ォトダイオードの光電流のピーク値を検出するピーク値
検出回路と、このピーク値検出回路の出力電圧が入力さ
れかつ前記分岐干渉型光変調器に交流結合で入力される
主信号にバイアス電圧を与える第1のバイアス供給回路
と、半導体レーザと、この半導体レーザに接続される第
2のバイアス供給回路と、この第2のバイアス供給回路
に接続されるAPC制御回路を備え、前記APC制御回
路には前記フォトダイオードでモニタされた光出力パワ
ー情報がフィードバックされる構成となつていることを
特徴とする光変調回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1158383A JP2518403B2 (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 光変調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1158383A JP2518403B2 (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 光変調回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0324521A true JPH0324521A (ja) | 1991-02-01 |
JP2518403B2 JP2518403B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=15670518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1158383A Expired - Lifetime JP2518403B2 (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 光変調回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2518403B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006126796A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Aisin Seiki Co Ltd | マッハツェンダ型光変調器の駆動方法及び光変調装置 |
JP2008231791A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 集水器の落し口回転カバー構造 |
JP2009079389A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 雨水取出器 |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP1158383A patent/JP2518403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006126796A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Aisin Seiki Co Ltd | マッハツェンダ型光変調器の駆動方法及び光変調装置 |
JP2008231791A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 集水器の落し口回転カバー構造 |
JP2009079389A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 雨水取出器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2518403B2 (ja) | 1996-07-24 |
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