JP3356047B2 - ウエハ周辺露光装置 - Google Patents
ウエハ周辺露光装置Info
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- exposure
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上の不要レ
ジストを現像工程で除去するために用いられるウエハ周
辺露光装置に関し、さらに詳細には、ウエハ周辺部を階
段状および環状に露光することができるウエハ周辺露光
装置に関するものである。
ジストを現像工程で除去するために用いられるウエハ周
辺露光装置に関し、さらに詳細には、ウエハ周辺部を階
段状および環状に露光することができるウエハ周辺露光
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の製造に際
しては、シリコンウエハ等の半導体ウエハ（以下、ウエ
ハという）の表面にフォトレジスト（以下レジストとい
う）を塗布して回路パターンを形成することが行われ
る。しかしながらウエハの周辺部はパターン形成領域と
してあまり利用されることはなく、レジストがポジ型レ
ジストの場合には、周辺部が露光されないため、現像後
も周辺部にレジストが残留する。この周辺部に残留した
レジストはウエハの搬送、保持の際に剥離等が発生し、
周辺機器、ウエハ表面を汚染させ歩留り低下を招く原因
となる。
しては、シリコンウエハ等の半導体ウエハ（以下、ウエ
ハという）の表面にフォトレジスト（以下レジストとい
う）を塗布して回路パターンを形成することが行われ
る。しかしながらウエハの周辺部はパターン形成領域と
してあまり利用されることはなく、レジストがポジ型レ
ジストの場合には、周辺部が露光されないため、現像後
も周辺部にレジストが残留する。この周辺部に残留した
レジストはウエハの搬送、保持の際に剥離等が発生し、
周辺機器、ウエハ表面を汚染させ歩留り低下を招く原因
となる。
【０００３】そこで、ウエハ周辺部の不要レジストを現
像工程で除去するため、パターン形成領域における露光
工程とは別に、周辺部の不要レジストを除去するウエハ
周辺露光工程が行われる。上記ウエハ周辺部を露光する
方法として従来から次の方法が用いられていた。 (1) 露光光を出射する出射端（もしくはウエハ）をウエ
ハの面に対して平行に互いに直交する方向に移動させな
がら、ウエハ周辺部に露光光を照射して、図１５（ａ）
に示すようにウエハ周辺部を階段状に露光する（以下、
この露光方法を階段状露光という）。 (2）レジストが塗布されたウエハを回転させながらウエ
ハ周辺部に露光光を照射し、図１５（ｂ）（ｃ）に示す
ようにウエハの全周もしくは一部を環状に露光する（以
下、この露光方法を環状露光という）。
像工程で除去するため、パターン形成領域における露光
工程とは別に、周辺部の不要レジストを除去するウエハ
周辺露光工程が行われる。上記ウエハ周辺部を露光する
方法として従来から次の方法が用いられていた。 (1) 露光光を出射する出射端（もしくはウエハ）をウエ
ハの面に対して平行に互いに直交する方向に移動させな
がら、ウエハ周辺部に露光光を照射して、図１５（ａ）
に示すようにウエハ周辺部を階段状に露光する（以下、
この露光方法を階段状露光という）。 (2）レジストが塗布されたウエハを回転させながらウエ
ハ周辺部に露光光を照射し、図１５（ｂ）（ｃ）に示す
ようにウエハの全周もしくは一部を環状に露光する（以
下、この露光方法を環状露光という）。
【０００４】上記(1) の階段状露光は、移動型縮小投影
露光装置（ステッパー）を用いてウエハ上に回路パター
ンを逐次露光した場合の周辺露光に採用されることが多
い。すなわち、上記逐次露光においては、１チップ分の
回路パターンをウエハ上に複数形成するため、回路パタ
ーンが形成される露光領域の周辺部分の形状は階段状と
なり、この形状は露光パターンにより様々に変化する。
このため、ウエハ周辺部には階段状に未露光部分が生
じ、不要レジスト部分の形状は階段状となる。この不要
レジストは前記したように剥離等による歩留り低下の原
因となる。そこで、上記(1) のような方法でウエハ周辺
部を階段状に露光し、ウエハ上に未露光部分が生じない
ようにする。
露光装置（ステッパー）を用いてウエハ上に回路パター
ンを逐次露光した場合の周辺露光に採用されることが多
い。すなわち、上記逐次露光においては、１チップ分の
回路パターンをウエハ上に複数形成するため、回路パタ
ーンが形成される露光領域の周辺部分の形状は階段状と
なり、この形状は露光パターンにより様々に変化する。
このため、ウエハ周辺部には階段状に未露光部分が生
じ、不要レジスト部分の形状は階段状となる。この不要
レジストは前記したように剥離等による歩留り低下の原
因となる。そこで、上記(1) のような方法でウエハ周辺
部を階段状に露光し、ウエハ上に未露光部分が生じない
ようにする。
【０００５】ところで、近年、上記階段状露光と環状露
光を併用し、図１５（ｄ）に示すように、一枚のウエハ
の周辺部の一部を階段状に露光し、他の部分を環状に露
光するウエハ周辺露光が要望されるようになってきてい
る。このような要望に答えるため、従来においては、例
えば特開平４−２９１９３８号公報に示されるようなウ
エハ周辺部を階段状に露光する露光装置と、例えば、特
開平２−１１１４号公報に示されるようなウエハ周辺部
を環状に露光する露光装置の２台の露光装置を用い、一
方の装置でウエハ周辺部の一部を例えば階段状に露光し
た後、ウエハを他方の装置まで搬送して、ウエハの周辺
部の残りの部分を環状に露光するといった２工程で周辺
部露光を行っていた。
光を併用し、図１５（ｄ）に示すように、一枚のウエハ
の周辺部の一部を階段状に露光し、他の部分を環状に露
光するウエハ周辺露光が要望されるようになってきてい
る。このような要望に答えるため、従来においては、例
えば特開平４−２９１９３８号公報に示されるようなウ
エハ周辺部を階段状に露光する露光装置と、例えば、特
開平２−１１１４号公報に示されるようなウエハ周辺部
を環状に露光する露光装置の２台の露光装置を用い、一
方の装置でウエハ周辺部の一部を例えば階段状に露光し
た後、ウエハを他方の装置まで搬送して、ウエハの周辺
部の残りの部分を環状に露光するといった２工程で周辺
部露光を行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は次のよ
うな問題点をもっていた。 （１）ウエハ周辺部を階段状に露光する露光装置と周辺
部を環状に露光する露光装置の２台の露光装置をそれぞ
れ用意する必要がある。よって、クリーンルームにおけ
る露光装置の専有床面積が増大する。 （２）ウエハを一方の露光装置に載置して、ウエハの載
置状態を検出し位置合わせを行って露光したのち、他方
の露光装置にウエハを搬送して再度ウエハの載置状態を
検出し位置合わせを行って露光する必要があり、作業工
程が増える。 （３）同一ステーションで、上記露光を行うには、ウエ
ハ周辺部を階段状に露光する露光装置を用いて、ウエハ
周辺部を環状に露光することが考えられる。しかし、回
路パターンの外縁に沿って露光する階段状露光では、高
解像度の露光精度が要求され、したがって高解像度の大
型で重たい投影レンズが使われる。このため、露光光出
射部を原則として移動させることができず、ウエハ周辺
部を検出しつつ、露光光出射部を移動させる従来の「な
らい方式」による環状露光ができない。
うな問題点をもっていた。 （１）ウエハ周辺部を階段状に露光する露光装置と周辺
部を環状に露光する露光装置の２台の露光装置をそれぞ
れ用意する必要がある。よって、クリーンルームにおけ
る露光装置の専有床面積が増大する。 （２）ウエハを一方の露光装置に載置して、ウエハの載
置状態を検出し位置合わせを行って露光したのち、他方
の露光装置にウエハを搬送して再度ウエハの載置状態を
検出し位置合わせを行って露光する必要があり、作業工
程が増える。 （３）同一ステーションで、上記露光を行うには、ウエ
ハ周辺部を階段状に露光する露光装置を用いて、ウエハ
周辺部を環状に露光することが考えられる。しかし、回
路パターンの外縁に沿って露光する階段状露光では、高
解像度の露光精度が要求され、したがって高解像度の大
型で重たい投影レンズが使われる。このため、露光光出
射部を原則として移動させることができず、ウエハ周辺
部を検出しつつ、露光光出射部を移動させる従来の「な
らい方式」による環状露光ができない。
【０００７】一方、ウエハ周辺部を階段状に露光する
際、階段の幅を小さくして、階段の数を多くしていけ
ば、露光領域を環状に近づけることができる。しかし、
この場合は、多量の座標データを入力する必要があり、
データ入力が面倒であり、また、データ数が莫大にな
り、大容量の記憶装置が必要となる。さらに、高速処理
可能なＭＰＵを使用しないと処理時間が長くなる。な
お、上記データの分解能を低くすれば、上記問題点は解
消される方向に向かうが、その代わり環状露光部分の境
界に微小な階段状形状が発生し、この境界部分からレジ
ストの剥離が発生する。
際、階段の幅を小さくして、階段の数を多くしていけ
ば、露光領域を環状に近づけることができる。しかし、
この場合は、多量の座標データを入力する必要があり、
データ入力が面倒であり、また、データ数が莫大にな
り、大容量の記憶装置が必要となる。さらに、高速処理
可能なＭＰＵを使用しないと処理時間が長くなる。な
お、上記データの分解能を低くすれば、上記問題点は解
消される方向に向かうが、その代わり環状露光部分の境
界に微小な階段状形状が発生し、この境界部分からレジ
ストの剥離が発生する。
【０００８】上記問題を解決するため、本出願人は、先
に、第１のステーションに階段状露光用の照射部を設け
るとともに、第２のステーションに環状露光用の照射部
を設け、回転ステージ上に載置されたウエハの周辺部を
第１のステーションで環状に露光したのち、回転ステー
ジを第２のステーションに移動させてウエハの周辺部を
環状に露光するウエハ周辺露光装置を提案した（特願平
８−１６１４４３号）。しかしながら、上記装置は、階
段状露光用の照射部と環状露光用の照射部を設け、第１
ステーションで階段状露光を行ったのち、回転ステージ
を第２ステーションに移動させて環状露光を行うもので
あるため、装置が大型化するといった問題があった。ま
た、従来の周辺部の環状露光は、ウエハの中心を合わせ
てから行うようになっており、そのための中心合わせの
機構が必ず設けられてきた。
に、第１のステーションに階段状露光用の照射部を設け
るとともに、第２のステーションに環状露光用の照射部
を設け、回転ステージ上に載置されたウエハの周辺部を
第１のステーションで環状に露光したのち、回転ステー
ジを第２のステーションに移動させてウエハの周辺部を
環状に露光するウエハ周辺露光装置を提案した（特願平
８−１６１４４３号）。しかしながら、上記装置は、階
段状露光用の照射部と環状露光用の照射部を設け、第１
ステーションで階段状露光を行ったのち、回転ステージ
を第２ステーションに移動させて環状露光を行うもので
あるため、装置が大型化するといった問題があった。ま
た、従来の周辺部の環状露光は、ウエハの中心を合わせ
てから行うようになっており、そのための中心合わせの
機構が必ず設けられてきた。
【０００９】本発明は上記した事情を考慮してなされた
ものであって、その目的とするところは、ウエハ周辺部
を階段状に露光する装置を用いて、ウエハ周辺部を環状
に露光することができ、ウエハの中心と回転中心とを一
致させる機構や大容量メモリを必要としない小型で安価
なウエハ周辺露光装置を提供することである。
ものであって、その目的とするところは、ウエハ周辺部
を階段状に露光する装置を用いて、ウエハ周辺部を環状
に露光することができ、ウエハの中心と回転中心とを一
致させる機構や大容量メモリを必要としない小型で安価
なウエハ周辺露光装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】ウエハを互いに直交する
２方向（以下、ＸＹ方向という）に移動させてウエハＷ
を階段状に露光する機構を用いて、ウエハの周辺部を環
状に露光するには、ウエハをＸＹ方向に移動させるＸＹ
ステージ上に回転ステージを載置し、ＸＹステージおよ
び回転ステージを次のように制御すればよい。ウエハ
Ｗ、回転ステージＲＳが例えば図２のような位置関係に
あるとし、Ｏｃ：ウエハの中心、ｒ：回転ステージＲＳ
の回転中心Ｏｒからウエハ中心Ｏｃまでの距離、Ｒ：露
光光Ｕ（露光光照射部から出射した光が照射される位
置）からウエハ中心Ｏｃまでの距離とする。回転ステー
ジＲＳは、ＸＹステージ上に設置され、互いに直交する
２方向に移動可能であると同時にウエハＷを固定する部
分は、上記回転中心Ｏｒを中心として回転可能である。
２方向（以下、ＸＹ方向という）に移動させてウエハＷ
を階段状に露光する機構を用いて、ウエハの周辺部を環
状に露光するには、ウエハをＸＹ方向に移動させるＸＹ
ステージ上に回転ステージを載置し、ＸＹステージおよ
び回転ステージを次のように制御すればよい。ウエハ
Ｗ、回転ステージＲＳが例えば図２のような位置関係に
あるとし、Ｏｃ：ウエハの中心、ｒ：回転ステージＲＳ
の回転中心Ｏｒからウエハ中心Ｏｃまでの距離、Ｒ：露
光光Ｕ（露光光照射部から出射した光が照射される位
置）からウエハ中心Ｏｃまでの距離とする。回転ステー
ジＲＳは、ＸＹステージ上に設置され、互いに直交する
２方向に移動可能であると同時にウエハＷを固定する部
分は、上記回転中心Ｏｒを中心として回転可能である。
【００１１】ウエハＷの露光開始位置をＡとすると、回
転ステージＲＳが回転中心Ｏｒを中心として１回転する
間に、露光光Ｕが、相対的にウエハＷの周辺上を１回転
するようにＸＹステージを駆動制御して、ウエハＷの位
置を移動させる。このためには、回転ステージＲＳが回
転中心Ｏｒを中心としてθ°回転したとき、「ウエハの
中心Ｏｃから露光光Ｕまでの距離Ｒが常に一定である」
という条件を満たすようにウエハＷの位置をＸＹステー
ジによってに移動させればよい。すなわち、回転ステー
ジＲＳの回転中、ウエハＷの中心Ｏｃの位置が変化しな
いようにＸＹステージを駆動制御する。
転ステージＲＳが回転中心Ｏｒを中心として１回転する
間に、露光光Ｕが、相対的にウエハＷの周辺上を１回転
するようにＸＹステージを駆動制御して、ウエハＷの位
置を移動させる。このためには、回転ステージＲＳが回
転中心Ｏｒを中心としてθ°回転したとき、「ウエハの
中心Ｏｃから露光光Ｕまでの距離Ｒが常に一定である」
という条件を満たすようにウエハＷの位置をＸＹステー
ジによってに移動させればよい。すなわち、回転ステー
ジＲＳの回転中、ウエハＷの中心Ｏｃの位置が変化しな
いようにＸＹステージを駆動制御する。
【００１２】図３は図２の状態から回転ステージＲＳが
回転中心Ｏｒを中心として時計回りにθ°回転したとき
の状態を示す図である。ウエハＷはからに移動し、
露光開始時のウエハＷの中心Ｏｃは回転ステージＲＳの
回転中心Ｏｒを中心とした半径ｒの円周上を時計回りに
θ°回転移動し、Ｏｃ’の位置に来る（線分Ｏｃ−Ｏｒ
と線分Ｏｃ’−Ｏｒのなす角度はθ）。前記した「ウエ
ハの中心Ｏｃから露光光Ｕまでの距離Ｒが常に一定であ
る」という条件を満たすためには、図４に示すように、
ＸＹステージを駆動制御して、ウエハＷを固定した回転
ステージＲＳを移動させ、図３において移動したウエハ
中心Ｏｃ’を露光開始時のウエハ中心Ｏｃの位置と一致
させる必要がある。このためには、ウエハＷをから
（回転ステージＲＳは(a) から(b) に移動）に移動さ
せ、回転ステージＲＳの回転中心ＯｒをＯｒ’の位置に
移動させる。
回転中心Ｏｒを中心として時計回りにθ°回転したとき
の状態を示す図である。ウエハＷはからに移動し、
露光開始時のウエハＷの中心Ｏｃは回転ステージＲＳの
回転中心Ｏｒを中心とした半径ｒの円周上を時計回りに
θ°回転移動し、Ｏｃ’の位置に来る（線分Ｏｃ−Ｏｒ
と線分Ｏｃ’−Ｏｒのなす角度はθ）。前記した「ウエ
ハの中心Ｏｃから露光光Ｕまでの距離Ｒが常に一定であ
る」という条件を満たすためには、図４に示すように、
ＸＹステージを駆動制御して、ウエハＷを固定した回転
ステージＲＳを移動させ、図３において移動したウエハ
中心Ｏｃ’を露光開始時のウエハ中心Ｏｃの位置と一致
させる必要がある。このためには、ウエハＷをから
（回転ステージＲＳは(a) から(b) に移動）に移動さ
せ、回転ステージＲＳの回転中心ＯｒをＯｒ’の位置に
移動させる。
【００１３】図４から明らかなように、線分Ｏｃ’−Ｏ
ｒと、線分Ｏｃ−Ｏｒ’は平行であるので、線分Ｏｒ’
−Ｏｃと線分Ｏｃ−Ｏｒのなす角度、および、線分Ｏｒ
−Ｏｃと線分Ｏｃ’−Ｏｒのなす角度はともにθであ
り、Ｏｒ’は露光開始時のウエハ中心Ｏｃを中心とし
て、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒを時計回りにθ°
回転移動させた位置に移動する。結局、回転ステージＲ
Ｓが回転中心Ｏｒを中心にθ°回転するとき、露光開始
時のウエハ中心Ｏｃを中心として回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒをθ°回転させるように、ＸＹステージによ
り回転ステージＲＳを移動・制御すればよい。
ｒと、線分Ｏｃ−Ｏｒ’は平行であるので、線分Ｏｒ’
−Ｏｃと線分Ｏｃ−Ｏｒのなす角度、および、線分Ｏｒ
−Ｏｃと線分Ｏｃ’−Ｏｒのなす角度はともにθであ
り、Ｏｒ’は露光開始時のウエハ中心Ｏｃを中心とし
て、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒを時計回りにθ°
回転移動させた位置に移動する。結局、回転ステージＲ
Ｓが回転中心Ｏｒを中心にθ°回転するとき、露光開始
時のウエハ中心Ｏｃを中心として回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒをθ°回転させるように、ＸＹステージによ
り回転ステージＲＳを移動・制御すればよい。
【００１４】具体的には、次のようにして回転ステージ
ＲＳを制御する。 （１）露光開始時のウエハ中心Ｏｃの座標を原点（０，
０）として、ＸＹステージのＸ方向をＸ軸、Ｙ方向をＹ
軸とするウエハ座標系を定義する。 （２）露光開始時の回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの
座標を（Ｘｏ，Ｙｏ）とする。 （３）回転ステージＲＳが回転中心Ｏｒを中心にθ°回
転した場合のウエハ座標系における回転ステージＲＳの
回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）が次の式（１）
（２）を満たすようにＸＹステージをＸＹ方向同時に制
御・移動させる。 Ｘθ＝Ｘｏ・cos θ＋Ｙｏ・sin θ…（１） Ｙθ＝Ｙｏ・cos θ−Ｘｏ・sin θ…（２） すなわち、図５に示すように、ウエハ中心Ｏｃを原点
（０，０）としたＸＹ座標系において、ウエハ中心Ｏｃ
から距離ｒ離れ、回転中心Ｏｒとウエハ中心Ｏｃを結ぶ
直線とＸ軸のなす角度がＡのときの回転中心Ｏｒの座標
を（Ｘｏ，Ｙｏ）とすると、Ｘｏ，Ｙｏは次の式で表さ
れる。 Ｘｏ＝ｒcos Ａ Ｙｏ＝ｒsin Ａ この状態から、時計回りに角度θ回転したときの回転中
心Ｏｒの座標を（Ｘθ，Ｙθ）とすると、Ｘθ，Ｙθは
次の式で表される。 Ｘθ＝ｒcos （Ａ−θ） Ｙθ＝ｒsin （Ａ−θ） ここで、上記Ｘθ，Ｙθは次のように展開することがで
きる。 Ｘθ＝ｒcos （Ａ−θ） ＝ｒ（cos Ａ・cos θ＋sin Ａ・sin θ） ＝ｒcos Ａ・cos θ＋ｒsin Ａ・sin θ Ｙθ＝ｒsin （Ａ−θ） ＝ｒ（sin Ａ・cos θ−cos Ａ・sin θ） ＝ｒsin Ａ・cos θ−ｒcos Ａ・sin θ 前記したようにＸｏ＝ｒcos Ａ，Ｙｏ＝ｒsin Ａである
から、Ｘθ，Ｙθは前記（１）（２）式となる。上記の
ように制御することにより、回転ステージＲＳが１回転
する間に、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒはウエハ中
心Ｏｃを中心とした半径ｒの円Ｃ上を１回転する。
ＲＳを制御する。 （１）露光開始時のウエハ中心Ｏｃの座標を原点（０，
０）として、ＸＹステージのＸ方向をＸ軸、Ｙ方向をＹ
軸とするウエハ座標系を定義する。 （２）露光開始時の回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの
座標を（Ｘｏ，Ｙｏ）とする。 （３）回転ステージＲＳが回転中心Ｏｒを中心にθ°回
転した場合のウエハ座標系における回転ステージＲＳの
回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）が次の式（１）
（２）を満たすようにＸＹステージをＸＹ方向同時に制
御・移動させる。 Ｘθ＝Ｘｏ・cos θ＋Ｙｏ・sin θ…（１） Ｙθ＝Ｙｏ・cos θ−Ｘｏ・sin θ…（２） すなわち、図５に示すように、ウエハ中心Ｏｃを原点
（０，０）としたＸＹ座標系において、ウエハ中心Ｏｃ
から距離ｒ離れ、回転中心Ｏｒとウエハ中心Ｏｃを結ぶ
直線とＸ軸のなす角度がＡのときの回転中心Ｏｒの座標
を（Ｘｏ，Ｙｏ）とすると、Ｘｏ，Ｙｏは次の式で表さ
れる。 Ｘｏ＝ｒcos Ａ Ｙｏ＝ｒsin Ａ この状態から、時計回りに角度θ回転したときの回転中
心Ｏｒの座標を（Ｘθ，Ｙθ）とすると、Ｘθ，Ｙθは
次の式で表される。 Ｘθ＝ｒcos （Ａ−θ） Ｙθ＝ｒsin （Ａ−θ） ここで、上記Ｘθ，Ｙθは次のように展開することがで
きる。 Ｘθ＝ｒcos （Ａ−θ） ＝ｒ（cos Ａ・cos θ＋sin Ａ・sin θ） ＝ｒcos Ａ・cos θ＋ｒsin Ａ・sin θ Ｙθ＝ｒsin （Ａ−θ） ＝ｒ（sin Ａ・cos θ−cos Ａ・sin θ） ＝ｒsin Ａ・cos θ−ｒcos Ａ・sin θ 前記したようにＸｏ＝ｒcos Ａ，Ｙｏ＝ｒsin Ａである
から、Ｘθ，Ｙθは前記（１）（２）式となる。上記の
ように制御することにより、回転ステージＲＳが１回転
する間に、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒはウエハ中
心Ｏｃを中心とした半径ｒの円Ｃ上を１回転する。
【００１５】以上のように制御すれば、ウエハ周辺部を
階段状に露光する装置を用いて、露光光照射部を移動さ
せることなく、ウエハ周辺部を環状に露光することがで
きる。かつ、ウエハの中心と回転ステージの中心を合わ
せること無く、ウエハの周辺部の環状露光が出来るの
で、そのための中心合わせの機構を設ける必要も、中心
合わせ作業も無くすことができ、機構操作を簡素化でき
る。本発明においては、上記のように周辺部に形状上の
特異点を有し、表面にフォトレジストが塗布された半導
体ウエハの周辺部を露光するウエハ周辺露光装置を次の
ように構成する。
階段状に露光する装置を用いて、露光光照射部を移動さ
せることなく、ウエハ周辺部を環状に露光することがで
きる。かつ、ウエハの中心と回転ステージの中心を合わ
せること無く、ウエハの周辺部の環状露光が出来るの
で、そのための中心合わせの機構を設ける必要も、中心
合わせ作業も無くすことができ、機構操作を簡素化でき
る。本発明においては、上記のように周辺部に形状上の
特異点を有し、表面にフォトレジストが塗布された半導
体ウエハの周辺部を露光するウエハ周辺露光装置を次の
ように構成する。
【００１６】ウエハが載置され該ウエハを回転させる回
転ステージと、上記回転ステージを、ウエハ面に対して
平行に、かつ互いに直交する２方向に移動させるＸＹス
テージと、照射領域の形状が、ウエハに対する露光光の
直交する走査方向に対して斜め４５°の方向に伸び、照
射領域の少なくとも一端側の輪郭は直角な頂部を有し、
直角に交わる２辺が上記走査方向に対してそれぞれ平行
である露光光を上記ウエハに照射する露光光照射手段
と、回転する回転ステージの上のウエハ周縁の位置を検
出するウエハ周縁位置検出手段と、ウエハ上に印された
アライメント・マークの位置を検出するアライメントユ
ニットと、上記ウエハ周縁位置検出手段の出力およびア
ライメントユニットの出力に基づき、上記ＸＹステージ
を駆動するとともに、回転ステージを回転させる制御手
段とを設ける。
転ステージと、上記回転ステージを、ウエハ面に対して
平行に、かつ互いに直交する２方向に移動させるＸＹス
テージと、照射領域の形状が、ウエハに対する露光光の
直交する走査方向に対して斜め４５°の方向に伸び、照
射領域の少なくとも一端側の輪郭は直角な頂部を有し、
直角に交わる２辺が上記走査方向に対してそれぞれ平行
である露光光を上記ウエハに照射する露光光照射手段
と、回転する回転ステージの上のウエハ周縁の位置を検
出するウエハ周縁位置検出手段と、ウエハ上に印された
アライメント・マークの位置を検出するアライメントユ
ニットと、上記ウエハ周縁位置検出手段の出力およびア
ライメントユニットの出力に基づき、上記ＸＹステージ
を駆動するとともに、回転ステージを回転させる制御手
段とを設ける。
【００１７】また、上記制御手段に、上記ウエハ周縁位
置検出手段の出力に基づき、回転ステージの回転中心と
ウエハの中心の位置ずれ量と、ウエハ周縁の位置情報
と、ウエハ周辺部に形成されている特異点の位置を求め
る第１の演算手段と、上記アライメントユニットにより
検出されたアライメント・マークの位置座標と、上記第
１の演算手段により求めたずれ量とウエハ周縁の位置情
報と特異点の位置とに基づき、ウエハ周辺部を階段状に
露光する際のＸＹステージの位置と回転ステージの回転
角を計算する第２の演算手段と、予め設定されたウエハ
のエッジからの露光幅と、上記第１の演算手段により求
めたずれ量とウエハ周縁の位置情報と特異点の位置とに
基づき、上記式に基づきウエハ周辺部を環状に露光する
際の、回転ステージの回転中心の位置座標を算出する第
３の演算手段とを設ける。そして、上記第２、第３の演
算手段の出力に基づき、上記回転ステージの位置と回転
角を所定値に制御して、上記ウエハに上記露光光照射手
段からの露光光を照射して、ウエハ周辺部を階段状また
は環状に露光する。
置検出手段の出力に基づき、回転ステージの回転中心と
ウエハの中心の位置ずれ量と、ウエハ周縁の位置情報
と、ウエハ周辺部に形成されている特異点の位置を求め
る第１の演算手段と、上記アライメントユニットにより
検出されたアライメント・マークの位置座標と、上記第
１の演算手段により求めたずれ量とウエハ周縁の位置情
報と特異点の位置とに基づき、ウエハ周辺部を階段状に
露光する際のＸＹステージの位置と回転ステージの回転
角を計算する第２の演算手段と、予め設定されたウエハ
のエッジからの露光幅と、上記第１の演算手段により求
めたずれ量とウエハ周縁の位置情報と特異点の位置とに
基づき、上記式に基づきウエハ周辺部を環状に露光する
際の、回転ステージの回転中心の位置座標を算出する第
３の演算手段とを設ける。そして、上記第２、第３の演
算手段の出力に基づき、上記回転ステージの位置と回転
角を所定値に制御して、上記ウエハに上記露光光照射手
段からの露光光を照射して、ウエハ周辺部を階段状また
は環状に露光する。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例のウエハ周
辺露光装置の概略構成を示す図である。同図において、
ＲＳは回転ステージであり、回転ステージＲＳ上にはウ
エハ搬送系ＷＣＶにより搬送されるウエハＷが載置さ
れ、真空チャック等により固定される。この際、ウエハ
の中心と回転ステージの中心の中心合わせを行う事はし
ない。
辺露光装置の概略構成を示す図である。同図において、
ＲＳは回転ステージであり、回転ステージＲＳ上にはウ
エハ搬送系ＷＣＶにより搬送されるウエハＷが載置さ
れ、真空チャック等により固定される。この際、ウエハ
の中心と回転ステージの中心の中心合わせを行う事はし
ない。
【００１９】図６は上記ウエハＷの露光領域とアライメ
ント・マークを示す図であり、ウエハＷは同図（ａ）
（ｂ）に示すように、ウエハＷの結晶方向を示すオリエ
ンテーションフラットＯＦ（以下オリフラという）やノ
ッチＮと称される周辺形状を有しており、回路パターン
は上記オリフラＯＦやノッチＮを基準にして形成され
る。このため、ウエハＷの周辺部を階段状に露光する際
は、上記オリフラＯＦやノッチＮを基準にして粗な位置
合わせを行った後、ウエハ上に印されたアライメントマ
ークＷＡＭＩ，ＷＡＭ２を基準にして精密な位置合わせ
を行い露光する。
ント・マークを示す図であり、ウエハＷは同図（ａ）
（ｂ）に示すように、ウエハＷの結晶方向を示すオリエ
ンテーションフラットＯＦ（以下オリフラという）やノ
ッチＮと称される周辺形状を有しており、回路パターン
は上記オリフラＯＦやノッチＮを基準にして形成され
る。このため、ウエハＷの周辺部を階段状に露光する際
は、上記オリフラＯＦやノッチＮを基準にして粗な位置
合わせを行った後、ウエハ上に印されたアライメントマ
ークＷＡＭＩ，ＷＡＭ２を基準にして精密な位置合わせ
を行い露光する。
【００２０】図１に戻り、Ｍは上記回転ステージＲＳを
回転させる回転駆動機構であり、回転駆動機構ＭはＸＹ
方向（Ｘは例えば同図の左右方向、Ｙは例えば同図の前
後方向）に移動するＸＹステージＸＹＳ上に取り付けら
れており、ＸＹステージＸＹＳがＸＹステージ駆動機構
ＳＤにより駆動されると、上記回転ステージＲＳは、上
記回転駆動機構ＭとともにＸＹ方向に移動する。なお、
ＸＹステージＸＹＳとＸＹステージ駆動機構ＳＤは一体
となっていてもよい。ＬＨ１は露光用光源であり、紫外
線を照射するランプ、集光鏡、インテグレータレンズ、
コンデンサレンズ、フィルタ、および、シャッタ駆動機
構ＳＣ１により駆動されるシャッタＳＨ１等から構成さ
れ、露光用光源ＬＨ１から放出される露光光は、シャッ
タＳＨ１が開いているとき、光ファイバＬＦ１を介して
露光光出射部ＬＯ１に与えられる。そして、露光光出射
部ＬＯ１から放射される露光光によりウエハＷは後述す
るようにその周辺部が階段状および環状に露光される。
回転させる回転駆動機構であり、回転駆動機構ＭはＸＹ
方向（Ｘは例えば同図の左右方向、Ｙは例えば同図の前
後方向）に移動するＸＹステージＸＹＳ上に取り付けら
れており、ＸＹステージＸＹＳがＸＹステージ駆動機構
ＳＤにより駆動されると、上記回転ステージＲＳは、上
記回転駆動機構ＭとともにＸＹ方向に移動する。なお、
ＸＹステージＸＹＳとＸＹステージ駆動機構ＳＤは一体
となっていてもよい。ＬＨ１は露光用光源であり、紫外
線を照射するランプ、集光鏡、インテグレータレンズ、
コンデンサレンズ、フィルタ、および、シャッタ駆動機
構ＳＣ１により駆動されるシャッタＳＨ１等から構成さ
れ、露光用光源ＬＨ１から放出される露光光は、シャッ
タＳＨ１が開いているとき、光ファイバＬＦ１を介して
露光光出射部ＬＯ１に与えられる。そして、露光光出射
部ＬＯ１から放射される露光光によりウエハＷは後述す
るようにその周辺部が階段状および環状に露光される。
【００２１】図７は上記露光光出射部ＬＯ１の構成の一
例を示す図であり、露光光出射部ＬＯ１は同図（ａ）に
示すようにレンズＬ１、Ｌ２を備えており、光ファイバ
ＬＦ１から放射される光をレンズＬ１，Ｌ２により集光
してウエハＷ上に照射する。なお、露光光出射部はレン
ズの替わりにミラーで構成してもよい。ここで、露光光
出射部ＬＯ１の照射領域の形状は、光ファイバＬＦ１の
端面形状の相似形となる。図７（ｂ）は上記露光光出射
部ＬＯ１に露光光を供給する光ファイバＬＦ１の端面形
状を示す図であり、光ファイバＬＦ１は同図に示すよう
に、斜め４５°の方向に配置されている。このため、露
光光出射部ＬＯ１の照射領域も同図（ｂ）に示す形状と
なる。露光光出射部ＬＯ１の照射領域を上記形状とする
ことにより、露光量が均一な階段状露光処理を行うこと
ができると共に、一回の走査によって処理できる範囲を
広くすることができ照射時間を短縮することができる
（詳細については、先に出願した特願平８−１０２４３
９号参照）。
例を示す図であり、露光光出射部ＬＯ１は同図（ａ）に
示すようにレンズＬ１、Ｌ２を備えており、光ファイバ
ＬＦ１から放射される光をレンズＬ１，Ｌ２により集光
してウエハＷ上に照射する。なお、露光光出射部はレン
ズの替わりにミラーで構成してもよい。ここで、露光光
出射部ＬＯ１の照射領域の形状は、光ファイバＬＦ１の
端面形状の相似形となる。図７（ｂ）は上記露光光出射
部ＬＯ１に露光光を供給する光ファイバＬＦ１の端面形
状を示す図であり、光ファイバＬＦ１は同図に示すよう
に、斜め４５°の方向に配置されている。このため、露
光光出射部ＬＯ１の照射領域も同図（ｂ）に示す形状と
なる。露光光出射部ＬＯ１の照射領域を上記形状とする
ことにより、露光量が均一な階段状露光処理を行うこと
ができると共に、一回の走査によって処理できる範囲を
広くすることができ照射時間を短縮することができる
（詳細については、先に出願した特願平８−１０２４３
９号参照）。
【００２２】図１に戻り、ＡＵはアライメントユニット
であり、アライメントユニットＡＵにより後述するよう
に、ウエハＷの露光領域の位置合わせを行う。図８はア
ライメントユニットＡＵの構成の一例を示す図であり、
アライメントユニットＡＵは同図に示すように、非露光
光を照射する非露光光照射装置ＬＬ１、ハーフミラーＨ
Ｍ、レンズＬ３，Ｌ４、およびＣＣＤ等の受像素子ＩＭ
Ｓから構成される。そして、非露光光照射装置ＬＬ１か
ら照射される非露光光をハーフミラーＨＭを介してウエ
ハＷ上に照射し、その反射光をハーフミラーＨＭ→レン
ズＬ４→レンズＬ３を介して受像素子ＩＭＳで受像す
る。
であり、アライメントユニットＡＵにより後述するよう
に、ウエハＷの露光領域の位置合わせを行う。図８はア
ライメントユニットＡＵの構成の一例を示す図であり、
アライメントユニットＡＵは同図に示すように、非露光
光を照射する非露光光照射装置ＬＬ１、ハーフミラーＨ
Ｍ、レンズＬ３，Ｌ４、およびＣＣＤ等の受像素子ＩＭ
Ｓから構成される。そして、非露光光照射装置ＬＬ１か
ら照射される非露光光をハーフミラーＨＭを介してウエ
ハＷ上に照射し、その反射光をハーフミラーＨＭ→レン
ズＬ４→レンズＬ３を介して受像素子ＩＭＳで受像す
る。
【００２３】図１に戻り、ＬＳはＣＣＤラインセンサで
あり、ＣＣＤラインセンサＬＳは、例えば図９に示すよ
うに、平行な非露光光を放射する光源ＬＬ２と、該光源
ＬＬ２から放射される光を受光するＣＣＤアレイＣＬか
ら構成される。そして、上記光源ＬＬ２から放射される
光はウエハＷの周縁で一部遮光され、周縁の外側を通る
光がＣＣＤアレイＣＬにより受光される。すなわち、Ｃ
ＣＤアレイＣＬのどのピクセルが光を検出したかにより
ウエハＷの周縁の位置を検出することができる。なお、
ＬＳはＣＣＤラインセンサに限られるものではなく、受
光される光量の変化によってウエハＷの周縁を検出でき
るものであればなんでもよい。したがって、ウエハＷを
一回転させたときのＣＣＤアレイの出力変化を観測する
ことにより、ウエハＷのオリフラＯＦの位置（もしくは
ノッチＮの位置）、および、ウエハＷの中心と回転ステ
ージＲＳの回転中心Ｏｒとのずれ量を検出することがで
きる。なお、上記ずれ量の算出は例えば特開平３−１０
８３１５号公報に開示された方法を使用することができ
る。
あり、ＣＣＤラインセンサＬＳは、例えば図９に示すよ
うに、平行な非露光光を放射する光源ＬＬ２と、該光源
ＬＬ２から放射される光を受光するＣＣＤアレイＣＬか
ら構成される。そして、上記光源ＬＬ２から放射される
光はウエハＷの周縁で一部遮光され、周縁の外側を通る
光がＣＣＤアレイＣＬにより受光される。すなわち、Ｃ
ＣＤアレイＣＬのどのピクセルが光を検出したかにより
ウエハＷの周縁の位置を検出することができる。なお、
ＬＳはＣＣＤラインセンサに限られるものではなく、受
光される光量の変化によってウエハＷの周縁を検出でき
るものであればなんでもよい。したがって、ウエハＷを
一回転させたときのＣＣＤアレイの出力変化を観測する
ことにより、ウエハＷのオリフラＯＦの位置（もしくは
ノッチＮの位置）、および、ウエハＷの中心と回転ステ
ージＲＳの回転中心Ｏｒとのずれ量を検出することがで
きる。なお、上記ずれ量の算出は例えば特開平３−１０
８３１５号公報に開示された方法を使用することができ
る。
【００２４】図１０は上記したウエハ周辺露光装置の構
成を示す図であり、同図はウエハＷの周辺部を露光する
際の回転ステージＲＳと露光光出射部ＬＯ１等の位置関
係を示しており、図１に示したものと同一のものには同
一の符号が付されている。図１０において、ＬＯ１は露
光光出射部、ＡＵはアライメントユニット、ＬＳはＣＣ
Ｄラインセンサであり、露光光出射部ＬＯ１、アライメ
ントユニットＡＵ、ＣＣＤラインセンサＬＳは図示しな
い枠体に位置調整可能に取り付けられ、同図に示すよう
に配置される。
成を示す図であり、同図はウエハＷの周辺部を露光する
際の回転ステージＲＳと露光光出射部ＬＯ１等の位置関
係を示しており、図１に示したものと同一のものには同
一の符号が付されている。図１０において、ＬＯ１は露
光光出射部、ＡＵはアライメントユニット、ＬＳはＣＣ
Ｄラインセンサであり、露光光出射部ＬＯ１、アライメ
ントユニットＡＵ、ＣＣＤラインセンサＬＳは図示しな
い枠体に位置調整可能に取り付けられ、同図に示すよう
に配置される。
【００２５】ＲＳは回転ステージ、Ｍは回転ステージを
駆動する回転駆動機構、ＸＹＳはＸＹステージであり、
回転駆動機構ＭはＸＹステージＸＹＳ上に取り付けられ
ており、同図の矢印方向に移動する。ウエハの周辺部を
階段状に露光する際には、回転ステージＲＳの回転を停
止し、ＸＹステージＸＹＳによりウエハＷをＸＹ方向に
移動させながら露光光出射部ＬＯ１から露光光をウエハ
Ｗの周辺部に照射する。また、ウエハの周辺部を環状に
露光する場合には、前記したようにウエハＷの中心から
出射光までの距離が常に一定になるように、ＸＹステー
ジＸＹＳの位置を制御しながら回転ステージＲＳを回転
させる。
駆動する回転駆動機構、ＸＹＳはＸＹステージであり、
回転駆動機構ＭはＸＹステージＸＹＳ上に取り付けられ
ており、同図の矢印方向に移動する。ウエハの周辺部を
階段状に露光する際には、回転ステージＲＳの回転を停
止し、ＸＹステージＸＹＳによりウエハＷをＸＹ方向に
移動させながら露光光出射部ＬＯ１から露光光をウエハ
Ｗの周辺部に照射する。また、ウエハの周辺部を環状に
露光する場合には、前記したようにウエハＷの中心から
出射光までの距離が常に一定になるように、ＸＹステー
ジＸＹＳの位置を制御しながら回転ステージＲＳを回転
させる。
【００２６】図１１は制御装置Ｃｎｔにおける演算手段
の構成を示す図であり、制御装置Ｃｎｔは、第１、第
２、第３の演算手段Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３とメモリＭｅｍを
備えている。メモリＭｅｍには予め、ＸＹステージＸＹ
Ｓの移動方向に対する直交座標系と露光光出射部ＬＯ
１、アライメントユニットＡＵ、ＣＣＤラインセンサＬ
Ｓの座標が設定・記憶されている。第１の演算手段Ｂ１
はＣＣＤアレイＣＬの出力に基づき、ウエハ周縁の位置
と、ウエハ周辺部に形成されている特異点（オリフラＯ
ＦもしくはノッチＮ）の位置と、回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒとウエハの中心Ｏｃとの位置ずれ量ｒとを計
算する。第２の演算手段Ｂ２は、アライメントユニット
ＡＵにより検出されたアライメント・マークの位置座標
と、上記第１の演算手段Ｂ２により求めたずれ量ｒとウ
エハ周縁の位置情報とオリフラＯＦ（もしくはノッチ
Ｎ）の位置とに基づき、ウエハＷの周辺部を階段状に露
光する際のＸＹステージＸＹＳの位置と回転ステージＲ
Ｓの回転角を計算する。第３の演算手段は、予め設定さ
れたウエハＷの周縁からの露光幅ｋと、上記第１の演算
手段により求めたずれ量ｒとウエハ周縁の位置情報とオ
リフラＯＦ（もしくはノッチＮ）の位置情報とに基づ
き、ウエハ周辺部を環状に露光する際の回転ステージＲ
Ｓの回転中心Ｏｒの位置座標を算出する。また、メモリ
Ｍｅｍには、ＣＣＤアレイＣＬにより検出された周縁位
置情報、第１の演算手段Ｂ１により求めたウエハの中心
Ｏｃの位置ずれ量ｒと、ウエハ周辺部に形成されている
特異点（オリフラＯＦもしくはノッチＮ）の位置、予め
設定される露光幅ｋ、第３の演算手段により求めた回転
ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位置座標等が記憶され
る。
の構成を示す図であり、制御装置Ｃｎｔは、第１、第
２、第３の演算手段Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３とメモリＭｅｍを
備えている。メモリＭｅｍには予め、ＸＹステージＸＹ
Ｓの移動方向に対する直交座標系と露光光出射部ＬＯ
１、アライメントユニットＡＵ、ＣＣＤラインセンサＬ
Ｓの座標が設定・記憶されている。第１の演算手段Ｂ１
はＣＣＤアレイＣＬの出力に基づき、ウエハ周縁の位置
と、ウエハ周辺部に形成されている特異点（オリフラＯ
ＦもしくはノッチＮ）の位置と、回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒとウエハの中心Ｏｃとの位置ずれ量ｒとを計
算する。第２の演算手段Ｂ２は、アライメントユニット
ＡＵにより検出されたアライメント・マークの位置座標
と、上記第１の演算手段Ｂ２により求めたずれ量ｒとウ
エハ周縁の位置情報とオリフラＯＦ（もしくはノッチ
Ｎ）の位置とに基づき、ウエハＷの周辺部を階段状に露
光する際のＸＹステージＸＹＳの位置と回転ステージＲ
Ｓの回転角を計算する。第３の演算手段は、予め設定さ
れたウエハＷの周縁からの露光幅ｋと、上記第１の演算
手段により求めたずれ量ｒとウエハ周縁の位置情報とオ
リフラＯＦ（もしくはノッチＮ）の位置情報とに基づ
き、ウエハ周辺部を環状に露光する際の回転ステージＲ
Ｓの回転中心Ｏｒの位置座標を算出する。また、メモリ
Ｍｅｍには、ＣＣＤアレイＣＬにより検出された周縁位
置情報、第１の演算手段Ｂ１により求めたウエハの中心
Ｏｃの位置ずれ量ｒと、ウエハ周辺部に形成されている
特異点（オリフラＯＦもしくはノッチＮ）の位置、予め
設定される露光幅ｋ、第３の演算手段により求めた回転
ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位置座標等が記憶され
る。
【００２７】そして、ウエハ周辺部を階段状に露光する
には、制御装置Ｃｎｔは上記第２演算手段Ｂ２の出力に
基づき、ＸＹステージＸＹＳの位置と、上記回転ステー
ジＲＳの回転角を所定値に制御して、上記ウエハに上記
露光光照射手段からの露光光を照射する。また、ウエハ
周辺部を環状に露光するには、上記第３の演算手段Ｂ３
により求めた回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位置座
標をメモリＭｅｍに記憶し、回転ステージ駆動機構Ｍに
設けられたエンコーダ（図示せず）が出力する回転ステ
ージＲＳの回転角θを読み込み、該回転角θに対応した
回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位置座標をメモリＭ
ｅｍから読み出し、ＸＹステージＸＹＳの位置と、上記
回転ステージＲＳの回転角を所定値に制御して、上記ウ
エハに上記露光光照射手段からの露光光を照射する。
には、制御装置Ｃｎｔは上記第２演算手段Ｂ２の出力に
基づき、ＸＹステージＸＹＳの位置と、上記回転ステー
ジＲＳの回転角を所定値に制御して、上記ウエハに上記
露光光照射手段からの露光光を照射する。また、ウエハ
周辺部を環状に露光するには、上記第３の演算手段Ｂ３
により求めた回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位置座
標をメモリＭｅｍに記憶し、回転ステージ駆動機構Ｍに
設けられたエンコーダ（図示せず）が出力する回転ステ
ージＲＳの回転角θを読み込み、該回転角θに対応した
回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位置座標をメモリＭ
ｅｍから読み出し、ＸＹステージＸＹＳの位置と、上記
回転ステージＲＳの回転角を所定値に制御して、上記ウ
エハに上記露光光照射手段からの露光光を照射する。
【００２８】以下、本実施例によるウエハ周辺部の露光
について説明する。図１２、図１３はウエハ周辺部を露
光する場合の本実施例のウエハ周辺露光装置の動作を説
明する図であり、同図を参照しながら本実施例における
ウエハ周辺露光について説明する。 Ａ．ウエハ周辺部の階段状露光 前記図１５（ａ）に示したようにウエハ周辺部を階段状
に露光する場合は、オリフラＯＦやノッチＮを基準にし
て粗な位置合わせを行った後、ウエハ上に印されたアラ
イメントマークＷＡＭ１，ＷＡＭ２を基準にして、精密
な位置合わせを行ない露光が行われる。以下の説明では
主としてオリフラ付きウエハの周辺部の露光について説
明するが、ノッチ付きのウエハでも同様に実施すること
ができる。また、後述するウエハ周辺部の環状露光と組
み合わせ、一部分を階段状に露光し、他の部分を環状の
露光してもよい。
について説明する。図１２、図１３はウエハ周辺部を露
光する場合の本実施例のウエハ周辺露光装置の動作を説
明する図であり、同図を参照しながら本実施例における
ウエハ周辺露光について説明する。 Ａ．ウエハ周辺部の階段状露光 前記図１５（ａ）に示したようにウエハ周辺部を階段状
に露光する場合は、オリフラＯＦやノッチＮを基準にし
て粗な位置合わせを行った後、ウエハ上に印されたアラ
イメントマークＷＡＭ１，ＷＡＭ２を基準にして、精密
な位置合わせを行ない露光が行われる。以下の説明では
主としてオリフラ付きウエハの周辺部の露光について説
明するが、ノッチ付きのウエハでも同様に実施すること
ができる。また、後述するウエハ周辺部の環状露光と組
み合わせ、一部分を階段状に露光し、他の部分を環状の
露光してもよい。
【００２９】(1) 周縁検出 ＸＹステージ駆動機構ＳＤによりＸＹステージＸＹＳを
駆動して、回転ステージＲＳを図１２（ａ）に示す位置
に移動させ、前記図１に示したウエハ搬送系ＷＣＶによ
り搬送されたウエハＷを受け取る。ウエハＷは回転ステ
ージＲＳの所定位置に載置され、真空チャック等により
固定される。なお、上記搬送時のウエハＷの位置には若
干のバラツキがあり、このバラツキによりウエハＷの中
心Ｏｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒは必ずしも一
致せず、若干のズレが生ずるが中心合わせを行うことは
しない。
駆動して、回転ステージＲＳを図１２（ａ）に示す位置
に移動させ、前記図１に示したウエハ搬送系ＷＣＶによ
り搬送されたウエハＷを受け取る。ウエハＷは回転ステ
ージＲＳの所定位置に載置され、真空チャック等により
固定される。なお、上記搬送時のウエハＷの位置には若
干のバラツキがあり、このバラツキによりウエハＷの中
心Ｏｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒは必ずしも一
致せず、若干のズレが生ずるが中心合わせを行うことは
しない。
【００３０】ＸＹステージ駆動機構ＳＤによりＸＹステ
ージＸＹＳを駆動して、回転ステージＲＳを図１２
（ｂ）に示す位置に移動させ、ウエハＷを一回転させ
る。ウエハＷの回転中、ウエハＷの周縁位置がＣＣＤラ
インセンサＬＳにより検出される。ＣＣＤラインセンサ
ＬＳにより求められたウエハＷの周縁位置情報は図１に
示した制御装置Ｃｎｔに送られ、制御装置Ｃｎｔに設け
られたメモリＭｅｍに記憶される。制御装置Ｃｎｔは、
上記メモリＭｅｍに記憶されたウエハＷの周縁位置情報
からウエハＷの中心Ｏｃと回転ステージＲＳの回転中心
Ｏｒとのずれ量ｒを求めるとともに、ウエハＷのオリフ
ラＯＦ（もしくはノッチＮ）の位置を求めて記憶する。
上記ずれ量ｒとは、ウエハＷの中心Ｏｃの座標情報、お
よび、ウエハＷの中心Ｏｃと回転ステージＲＳの回転中
心Ｏｒとの距離情報である。
ージＸＹＳを駆動して、回転ステージＲＳを図１２
（ｂ）に示す位置に移動させ、ウエハＷを一回転させ
る。ウエハＷの回転中、ウエハＷの周縁位置がＣＣＤラ
インセンサＬＳにより検出される。ＣＣＤラインセンサ
ＬＳにより求められたウエハＷの周縁位置情報は図１に
示した制御装置Ｃｎｔに送られ、制御装置Ｃｎｔに設け
られたメモリＭｅｍに記憶される。制御装置Ｃｎｔは、
上記メモリＭｅｍに記憶されたウエハＷの周縁位置情報
からウエハＷの中心Ｏｃと回転ステージＲＳの回転中心
Ｏｒとのずれ量ｒを求めるとともに、ウエハＷのオリフ
ラＯＦ（もしくはノッチＮ）の位置を求めて記憶する。
上記ずれ量ｒとは、ウエハＷの中心Ｏｃの座標情報、お
よび、ウエハＷの中心Ｏｃと回転ステージＲＳの回転中
心Ｏｒとの距離情報である。
【００３１】(2) 露光位置への移動 上記算出データを基に、オリフラＯＦが図１２に示すＸ
Ｙ座標系のＸ軸と平行になるまで、回転駆動機構Ｍを駆
動して回転ステージＲＳを回転させる。なお、ウエハＷ
にノッチが設けられている場合には、ノッチＮとウエハ
Ｗの中心を結ぶ直線がＹ軸と平行になるまで回転ステー
ジＲＳを回転させる。先に述べたように、ウエハＷの周
辺部を露光する際には、露光領域の位置合わせを２段階
で行なう。第一にオリフラＯＦやノッチＮを基準にした
位置合わせであり、第二にアライメントマークを基準に
した位置合わせである。回路パターンはオリフラＯＦや
ノッチＮに対して所定の位置に形成されているが、ウエ
ハ周辺露光工程の前工程であるパターン形成工程の精度
によっては、上記パターンの形成位置のオリフラＯＦや
ノッチＮに対する位置関係に誤差が生じるので、精度よ
く階段状露光を実現するためには、アライメントマーク
を基準に露光領域の位置合わせが必要だからである。
Ｙ座標系のＸ軸と平行になるまで、回転駆動機構Ｍを駆
動して回転ステージＲＳを回転させる。なお、ウエハＷ
にノッチが設けられている場合には、ノッチＮとウエハ
Ｗの中心を結ぶ直線がＹ軸と平行になるまで回転ステー
ジＲＳを回転させる。先に述べたように、ウエハＷの周
辺部を露光する際には、露光領域の位置合わせを２段階
で行なう。第一にオリフラＯＦやノッチＮを基準にした
位置合わせであり、第二にアライメントマークを基準に
した位置合わせである。回路パターンはオリフラＯＦや
ノッチＮに対して所定の位置に形成されているが、ウエ
ハ周辺露光工程の前工程であるパターン形成工程の精度
によっては、上記パターンの形成位置のオリフラＯＦや
ノッチＮに対する位置関係に誤差が生じるので、精度よ
く階段状露光を実現するためには、アライメントマーク
を基準に露光領域の位置合わせが必要だからである。
【００３２】制御装置Ｃｎｔは前記ずれ量ｒと、予め制
御装置Ｃｎｔ内に記憶されているウエハＷ上のアライメ
ント・マークＷＡＭ１（前記図６参照）の位置情報に基
づき、回転ステージＲＳの移動量を求めて、ＸＹステー
ジ駆動機構ＳＤにより回転ステージＲＳを移動させ、図
１２（ｃ）の実線で示すように、ウエハＷ上に印された
アライメント・マークＷＡＭ１（前記図６参照）がアラ
イメントユニットＡＵの視野内に入るようにする。な
お、先に述べたパターン形成位置の誤差は、アライメン
ト・マークが該視野から外れるほどには大きくないの
で、アライメント・マークＷＡＭ１をアライメントユニ
ットＡＵの視野内に入れるための角度方向の補正は、す
でになされていることになる。次に、アライメントユニ
ットＡＵの非露光光照射装置ＬＬ１（前記図８参照）か
ら非露光光を放射し、受像素子ＩＭＳでアライメント・
マークＷＡＭ１の位置座標を検出して記憶する。
御装置Ｃｎｔ内に記憶されているウエハＷ上のアライメ
ント・マークＷＡＭ１（前記図６参照）の位置情報に基
づき、回転ステージＲＳの移動量を求めて、ＸＹステー
ジ駆動機構ＳＤにより回転ステージＲＳを移動させ、図
１２（ｃ）の実線で示すように、ウエハＷ上に印された
アライメント・マークＷＡＭ１（前記図６参照）がアラ
イメントユニットＡＵの視野内に入るようにする。な
お、先に述べたパターン形成位置の誤差は、アライメン
ト・マークが該視野から外れるほどには大きくないの
で、アライメント・マークＷＡＭ１をアライメントユニ
ットＡＵの視野内に入れるための角度方向の補正は、す
でになされていることになる。次に、アライメントユニ
ットＡＵの非露光光照射装置ＬＬ１（前記図８参照）か
ら非露光光を放射し、受像素子ＩＭＳでアライメント・
マークＷＡＭ１の位置座標を検出して記憶する。
【００３３】制御装置Ｃｎｔは、ＸＹステージ駆動機構
ＳＤにより回転ステージＲＳをアライメント・マークＷ
ＡＭ１とＷＡＭ２の距離に相当する量だけＸ方向に移動
させ、図１２（ｃ）の二点鎖線で示すように、ウエハＷ
上に印されたアライメント・マークＷＡＭ２がアライメ
ントユニットＡＵの視野内に入るようにする。ついで、
アライメントユニットＡＵの非露光光照射装置ＬＬ１
（前記図８参照）から非露光光を放射し、受像素子ＩＭ
Ｓでアライメント・マークＷＡＭ２の位置座標を検出し
て記憶する。
ＳＤにより回転ステージＲＳをアライメント・マークＷ
ＡＭ１とＷＡＭ２の距離に相当する量だけＸ方向に移動
させ、図１２（ｃ）の二点鎖線で示すように、ウエハＷ
上に印されたアライメント・マークＷＡＭ２がアライメ
ントユニットＡＵの視野内に入るようにする。ついで、
アライメントユニットＡＵの非露光光照射装置ＬＬ１
（前記図８参照）から非露光光を放射し、受像素子ＩＭ
Ｓでアライメント・マークＷＡＭ２の位置座標を検出し
て記憶する。
【００３４】上記検出されたアライメント・マークＷＡ
Ｍ１，ＷＡＭ２の位置座標と記憶されている両アライメ
ント・マークの位置情報に基づき、制御装置Ｃｎｔは回
転ステージＲＳの回転量と移動量とを算出し、ウエハＷ
上のアライメント・マークＷＡ１，ＷＡ２が予め設定さ
れた位置に位置するように回転ステージＲＳを回転させ
るとともに、ＸＹステージＸＹＳを駆動して回転ステー
ジＲＳを移動させる。上記の操作を、ウエハＷ上のアラ
イメント・マークＷＡＭ１，ＷＡＭ２の実際の位置と、
設定位置の差が所定値以内になるまで繰り返し、差が所
定値以内になったら上記非露光光照射装置ＬＬ１からの
非露光光の放射を停止する。なお、アライメントマーク
ＷＡＭ１，ＷＡＭ２は、パターンと所定の位置関係にあ
ればよいので、パターンの周囲にあるスクライブライン
の交差点のような形状に特徴を有する所定の２点をアラ
イメントマークとしてもよい。
Ｍ１，ＷＡＭ２の位置座標と記憶されている両アライメ
ント・マークの位置情報に基づき、制御装置Ｃｎｔは回
転ステージＲＳの回転量と移動量とを算出し、ウエハＷ
上のアライメント・マークＷＡ１，ＷＡ２が予め設定さ
れた位置に位置するように回転ステージＲＳを回転させ
るとともに、ＸＹステージＸＹＳを駆動して回転ステー
ジＲＳを移動させる。上記の操作を、ウエハＷ上のアラ
イメント・マークＷＡＭ１，ＷＡＭ２の実際の位置と、
設定位置の差が所定値以内になるまで繰り返し、差が所
定値以内になったら上記非露光光照射装置ＬＬ１からの
非露光光の放射を停止する。なお、アライメントマーク
ＷＡＭ１，ＷＡＭ２は、パターンと所定の位置関係にあ
ればよいので、パターンの周囲にあるスクライブライン
の交差点のような形状に特徴を有する所定の２点をアラ
イメントマークとしてもよい。
【００３５】上記アライメントの手法としては、先に出
願した特願平９−１６２１２０号に示される手法を用い
ることができ、例えば上記アライメント・マークＷＡＭ
１，ＷＡＭ２を結ぶ線分とＸ軸方向の傾きθを求め、該
傾きθが所定の値以内になるように回転ステージＲＳを
回転させて、移動させている。制御装置Ｃｎｔは、前記
したずれ量ｒに基づき回転ステージＲＳの移動量を算出
し、図１３（ｄ）に示すように露光光出射部ＬＯ１から
の出射光がウエハＷの階段状露光開始位置を照射するよ
うに、回転ステージＲＳを移動させる。
願した特願平９−１６２１２０号に示される手法を用い
ることができ、例えば上記アライメント・マークＷＡＭ
１，ＷＡＭ２を結ぶ線分とＸ軸方向の傾きθを求め、該
傾きθが所定の値以内になるように回転ステージＲＳを
回転させて、移動させている。制御装置Ｃｎｔは、前記
したずれ量ｒに基づき回転ステージＲＳの移動量を算出
し、図１３（ｄ）に示すように露光光出射部ＬＯ１から
の出射光がウエハＷの階段状露光開始位置を照射するよ
うに、回転ステージＲＳを移動させる。
【００３６】(3) 露光 露光用光源ＬＨ１のシャッタＳＨ１（前記図１参照）を
開き、露光光出射部ＬＯ１から露光光をウエハＷの周辺
部に照射し階段状露光を開始する。図１４はウエハＷの
周辺部を階段状に露光する際の露光手順の一例を示す図
である。図１４に示すように、ＸＹステージＸＹＳによ
りウエハＷをＸＹ方向に逐次移動させ、まず、同図
（ａ）に示す部分を露光する。ついで、ウエハＷを９０
度回転させて、同様に、同図（ｂ）に示す部分を露光す
る。制御装置Ｃｎｔは上記図１４に示すように、予め記
憶されている階段状露光領域に沿って回転ステージＲＳ
をＸＹ方向に移動させ、ウエハＷの周辺部を階段状に露
光する。図１３（ｅ）は上記階段状露光を行っている状
態を示しているなお、ＸＹステージＸＹＳの移動領域が
広い場合、あるいは、階段状露光領域が狭い場合であっ
て、ウエハＷを回転させずに露光できる場合には、必ず
しも前記したようにウエハＷを９０度毎回転させた後露
光しなくてもよい。
開き、露光光出射部ＬＯ１から露光光をウエハＷの周辺
部に照射し階段状露光を開始する。図１４はウエハＷの
周辺部を階段状に露光する際の露光手順の一例を示す図
である。図１４に示すように、ＸＹステージＸＹＳによ
りウエハＷをＸＹ方向に逐次移動させ、まず、同図
（ａ）に示す部分を露光する。ついで、ウエハＷを９０
度回転させて、同様に、同図（ｂ）に示す部分を露光す
る。制御装置Ｃｎｔは上記図１４に示すように、予め記
憶されている階段状露光領域に沿って回転ステージＲＳ
をＸＹ方向に移動させ、ウエハＷの周辺部を階段状に露
光する。図１３（ｅ）は上記階段状露光を行っている状
態を示しているなお、ＸＹステージＸＹＳの移動領域が
広い場合、あるいは、階段状露光領域が狭い場合であっ
て、ウエハＷを回転させずに露光できる場合には、必ず
しも前記したようにウエハＷを９０度毎回転させた後露
光しなくてもよい。
【００３７】Ｂ．ウエハ周辺部の環状露光 〔１〕ノッチ付きウエハの環状露光 ノッチ付きウエハの環状露光を行う場合は、ノッチＮを
無視してウエハＷを円板と見なし一定幅で露光する。露
光開始位置はどこでもよい。 (1) 周縁検出 前記Ａ．（１）と同様に、回転ステージＲＳを図１２
（ａ）に示す位置に移動させ、前記図１に示したウエハ
搬送系ＷＣＶにより搬送されたウエハＷを受け取り、ウ
エハＷを回転ステージＲＳの所定位置に載置して、真空
チャック等により固定する。なお、ウエハの中心と回転
ステージの回転中心とがずれていても、中心合わせを行
なうことはしない。次いで、ＸＹステージ駆動機構ＳＤ
によりＸＹステージＸＹＳを駆動して、回転ステージＲ
Ｓを図１２（ｂ）に示す位置に移動させ、ウエハＷを一
回転させ、ＣＣＤラインセンサＬＳにより求められたウ
エハＷの周縁位置情報を制御装置Ｃｎｔに設けられたメ
モリＭｅｍに記憶する。
無視してウエハＷを円板と見なし一定幅で露光する。露
光開始位置はどこでもよい。 (1) 周縁検出 前記Ａ．（１）と同様に、回転ステージＲＳを図１２
（ａ）に示す位置に移動させ、前記図１に示したウエハ
搬送系ＷＣＶにより搬送されたウエハＷを受け取り、ウ
エハＷを回転ステージＲＳの所定位置に載置して、真空
チャック等により固定する。なお、ウエハの中心と回転
ステージの回転中心とがずれていても、中心合わせを行
なうことはしない。次いで、ＸＹステージ駆動機構ＳＤ
によりＸＹステージＸＹＳを駆動して、回転ステージＲ
Ｓを図１２（ｂ）に示す位置に移動させ、ウエハＷを一
回転させ、ＣＣＤラインセンサＬＳにより求められたウ
エハＷの周縁位置情報を制御装置Ｃｎｔに設けられたメ
モリＭｅｍに記憶する。
【００３８】制御装置Ｃｎｔは、上記メモリＭｅｍに記
憶されたウエハＷの周縁位置情報からウエハＷの中心Ｏ
ｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとのずれ量ｒを求
めるとともに、ノッチＮの位置を特異点として検出し記
憶する。上記ずれ量ｒとは、ウエハＷの中心Ｏｃの座標
情報、および、ウエハＷの中心Ｏｃと回転ステージＲＳ
の回転中心Ｏｒとの距離情報である。なお、前記したよ
うに制御装置Ｃｎｔには、ＸＹステージＸＹＳの移動方
向に対する直交座標系が設定されており、また、ウエハ
Ｗの環状に露光する露光幅ｋが予め設定され記憶されて
いる。
憶されたウエハＷの周縁位置情報からウエハＷの中心Ｏ
ｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとのずれ量ｒを求
めるとともに、ノッチＮの位置を特異点として検出し記
憶する。上記ずれ量ｒとは、ウエハＷの中心Ｏｃの座標
情報、および、ウエハＷの中心Ｏｃと回転ステージＲＳ
の回転中心Ｏｒとの距離情報である。なお、前記したよ
うに制御装置Ｃｎｔには、ＸＹステージＸＹＳの移動方
向に対する直交座標系が設定されており、また、ウエハ
Ｗの環状に露光する露光幅ｋが予め設定され記憶されて
いる。
【００３９】(2) 露光位置への移動 上記算出データを基に、露光光出射部ＬＯ１から露光光
が出射される位置にウエハＷの周辺部が位置するよう
に、ＸＹステージＸＹＳを駆動し、回転ステージＲＳに
載置されたウエハＷを移動させる。この移動制御は、前
記した直交座標系（ＸＹステージＸＹＳの移動方向に対
応する直交座標系）における露光光照射位置と露光幅ｋ
の情報に基づいて行われる。ウエハを露光光出射位置に
対し接近または離すことによって、ウエハの環状露光幅
ｋは変更される。また、上記座標系において、算出した
前記ずれ量ｒに基づきウエハ中心Ｏｃを座標系の原点と
する。
が出射される位置にウエハＷの周辺部が位置するよう
に、ＸＹステージＸＹＳを駆動し、回転ステージＲＳに
載置されたウエハＷを移動させる。この移動制御は、前
記した直交座標系（ＸＹステージＸＹＳの移動方向に対
応する直交座標系）における露光光照射位置と露光幅ｋ
の情報に基づいて行われる。ウエハを露光光出射位置に
対し接近または離すことによって、ウエハの環状露光幅
ｋは変更される。また、上記座標系において、算出した
前記ずれ量ｒに基づきウエハ中心Ｏｃを座標系の原点と
する。
【００４０】(3) 回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座
標の計算 ウエハ中心Ｏｃを原点とするウエハ座標系において、上
記ずれ量ｒに基づき、光開始時の回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒの座標（Ｘｏ，Ｙｏ）を記憶する。回転ステ
ージＲＳが回転中心Ｏｒを中心にθ°回転した場合の、
上記座標系における回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）
を前記した下記の式（１）（２）により計算する。 Ｘθ＝Ｘｏ・cos θ＋Ｙｏ・sin θ （１） Ｙθ＝Ｙｏ・cos θ−Ｘｏ・sin θ （２） 制御装置Ｃｎｔにおいて行われる上記計算式による演算
結果である回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標デー
タを制御装置ＣｎｔのメモリＭｅｍに記憶する。
標の計算 ウエハ中心Ｏｃを原点とするウエハ座標系において、上
記ずれ量ｒに基づき、光開始時の回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒの座標（Ｘｏ，Ｙｏ）を記憶する。回転ステ
ージＲＳが回転中心Ｏｒを中心にθ°回転した場合の、
上記座標系における回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）
を前記した下記の式（１）（２）により計算する。 Ｘθ＝Ｘｏ・cos θ＋Ｙｏ・sin θ （１） Ｙθ＝Ｙｏ・cos θ−Ｘｏ・sin θ （２） 制御装置Ｃｎｔにおいて行われる上記計算式による演算
結果である回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標デー
タを制御装置ＣｎｔのメモリＭｅｍに記憶する。
【００４１】(4) 露光 露光光出射部ＬＯ１から露光光（図２における露光光
Ｕ）をウエハＷに照射し、回転ステージＲＳを回転させ
露光開始位置Ａ（図２）から露光を開始する。露光中、
回転ステージＲＳの回転角度θを回転駆動機構Ｍのエン
コーダ（図示せず）により検出し、上記角度θに対応す
る記憶しておいた回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座
標（Ｘθ，Ｙθ）データの位置までＸＹステージＸＹＳ
をＸＹ方向同時に移動させることにより、回転ステージ
ＲＳの回転中心Ｏｒの位置を移動制御する。なお、ウエ
ハＷの回転数は１回に限らず、ウエハＷを複数回回転さ
せ、ウエハ周辺部を複数回露光してもよい。
Ｕ）をウエハＷに照射し、回転ステージＲＳを回転させ
露光開始位置Ａ（図２）から露光を開始する。露光中、
回転ステージＲＳの回転角度θを回転駆動機構Ｍのエン
コーダ（図示せず）により検出し、上記角度θに対応す
る記憶しておいた回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座
標（Ｘθ，Ｙθ）データの位置までＸＹステージＸＹＳ
をＸＹ方向同時に移動させることにより、回転ステージ
ＲＳの回転中心Ｏｒの位置を移動制御する。なお、ウエ
ハＷの回転数は１回に限らず、ウエハＷを複数回回転さ
せ、ウエハ周辺部を複数回露光してもよい。
【００４２】〔２〕オリフラ付きウエハの環状露光 前記図１５（ｂ）に示すようにオリフラＯＦが設けられ
たウエハの周辺部を環状露光する場合は、ウエハＷの円
周部のみを以下のようにして露光する。なお、直線部分
であるオリフラＯＦ部分については、階段状露光で説明
したように、ＸＹステージＸＹＳをアライメントマーク
を基準にして直線的に移動させて露光する。 (1)周縁検出 前記Ａ．（１）と同様に、ウエハＷを回転ステージＲＳ
の所定位置に載置して、真空チャック等により固定す
る。次いで、ＸＹステージ駆動機構ＳＤによりＸＹステ
ージＸＹＳを駆動して、回転ステージＲＳを図１２
（ｂ）に示す位置に移動させ、ウエハＷを一回転させ、
ＣＣＤラインセンサＬＳにより求められたウエハＷの周
縁位置情報を制御装置Ｃｎｔに設けられたメモリＭｅｍ
に記憶する。
たウエハの周辺部を環状露光する場合は、ウエハＷの円
周部のみを以下のようにして露光する。なお、直線部分
であるオリフラＯＦ部分については、階段状露光で説明
したように、ＸＹステージＸＹＳをアライメントマーク
を基準にして直線的に移動させて露光する。 (1)周縁検出 前記Ａ．（１）と同様に、ウエハＷを回転ステージＲＳ
の所定位置に載置して、真空チャック等により固定す
る。次いで、ＸＹステージ駆動機構ＳＤによりＸＹステ
ージＸＹＳを駆動して、回転ステージＲＳを図１２
（ｂ）に示す位置に移動させ、ウエハＷを一回転させ、
ＣＣＤラインセンサＬＳにより求められたウエハＷの周
縁位置情報を制御装置Ｃｎｔに設けられたメモリＭｅｍ
に記憶する。
【００４３】制御装置Ｃｎｔは、上記メモリＭｅｍに記
憶されたウエハＷの周縁位置情報からウエハＷの中心Ｏ
ｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとのずれ量ｒを求
めるとともに、オリフラＯＦの位置を特異点として検出
し記憶する。上記ずれ量ｒとは、ウエハＷの中心Ｏｃの
座標情報、および、ウエハＷの中心Ｏｃと回転ステージ
ＲＳの回転中心Ｏｒとの距離情報である。なお、前記し
たように制御装置Ｃｎｔには、ＸＹステージＸＹＳの移
動方向に対する直交座標系が設定されており、また、ウ
エハＷの環状に露光する露光幅ｋが予め設定され記憶さ
れている。
憶されたウエハＷの周縁位置情報からウエハＷの中心Ｏ
ｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとのずれ量ｒを求
めるとともに、オリフラＯＦの位置を特異点として検出
し記憶する。上記ずれ量ｒとは、ウエハＷの中心Ｏｃの
座標情報、および、ウエハＷの中心Ｏｃと回転ステージ
ＲＳの回転中心Ｏｒとの距離情報である。なお、前記し
たように制御装置Ｃｎｔには、ＸＹステージＸＹＳの移
動方向に対する直交座標系が設定されており、また、ウ
エハＷの環状に露光する露光幅ｋが予め設定され記憶さ
れている。
【００４４】(2)露光位置への移動 上記算出データを基に、露光光出射部ＬＯ１から露光光
が出射される位置にウ、回転ステージＲＳに載置された
ウエハＷを移動させるとともに回転させる。上記露光開
始位置とは、オリフラＯＦの両端部のいずれか一方の端
であることが望ましい。この移動制御は、前記した直交
座標系（ＸＹステージＸＹＳの移動方向に対応する直交
座標系）における露光光照射位置と露光幅ｋの情報と、
露光開始位置の上記特異点からの角度情報（特異点から
の角度情報の算出については、例えば特開平２−１１４
６２８号公報等参照）に基づいて行われる。また、上記
座標系において、算出した前記ずれ量ｒに基づきウエハ
中心Ｏｃを座標系の原点とする。
が出射される位置にウ、回転ステージＲＳに載置された
ウエハＷを移動させるとともに回転させる。上記露光開
始位置とは、オリフラＯＦの両端部のいずれか一方の端
であることが望ましい。この移動制御は、前記した直交
座標系（ＸＹステージＸＹＳの移動方向に対応する直交
座標系）における露光光照射位置と露光幅ｋの情報と、
露光開始位置の上記特異点からの角度情報（特異点から
の角度情報の算出については、例えば特開平２−１１４
６２８号公報等参照）に基づいて行われる。また、上記
座標系において、算出した前記ずれ量ｒに基づきウエハ
中心Ｏｃを座標系の原点とする。
【００４５】(3) 回転ステージＲＳの中心Ｏｒの座標の
計算 ウエハ中心Ｏｃを原点とするウエハ座標系において、上
記ずれ量ｒに基づき、光開始時の回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒの座標（Ｘｏ，Ｙｏ）を記憶する。回転ステ
ージＲＳが回転中心Ｏｒを中心にθ°回転した場合の、
上記座標系における回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）
を前記した下記の式（１）（２）により計算する。 Ｘθ＝Ｘｏ・cos θ＋Ｙｏ・sin θ （１） Ｙθ＝Ｙｏ・cos θ−Ｘｏ・sin θ （２） 制御装置Ｃｎｔにおいて行われる上記計算式による演算
結果である、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標デ
ータを制御装置ＣｎｔのメモリＭｅｍに記憶する。
計算 ウエハ中心Ｏｃを原点とするウエハ座標系において、上
記ずれ量ｒに基づき、光開始時の回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒの座標（Ｘｏ，Ｙｏ）を記憶する。回転ステ
ージＲＳが回転中心Ｏｒを中心にθ°回転した場合の、
上記座標系における回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）
を前記した下記の式（１）（２）により計算する。 Ｘθ＝Ｘｏ・cos θ＋Ｙｏ・sin θ （１） Ｙθ＝Ｙｏ・cos θ−Ｘｏ・sin θ （２） 制御装置Ｃｎｔにおいて行われる上記計算式による演算
結果である、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標デ
ータを制御装置ＣｎｔのメモリＭｅｍに記憶する。
【００４６】(4) 露光 露光光出射部ＬＯ１から露光光（図２における露光光
Ｕ）をウエハＷに照射し、回転ステージＲＳを回転さ
せ、露光開始位置（オリフラ両端部のいずれか一方端）
から露光を開始する。露光中、回転ステージＲＳの回転
角度θを回転駆動機構Ｍのエンコーダ（図示せず）によ
り検出し、上記角度θに対応する記憶しておいた回転ス
テージＲＳの回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）データ
の位置までＸＹステージＸＹＳをＸＹ方向同時に移動さ
せることにより、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位
置を移動制御する。回転ステージＲＳは、ウエハＷの露
光終了位置が露光されるまで回転し、移動する。なお、
ウエハＷの周辺部の露光回数は１回に限らず、ウエハ周
辺部を複数回露光してもよい。直線部であるオリフラＯ
Ｆ部の露光は、前記した階段状露光の手法により、直線
状に露光する。
Ｕ）をウエハＷに照射し、回転ステージＲＳを回転さ
せ、露光開始位置（オリフラ両端部のいずれか一方端）
から露光を開始する。露光中、回転ステージＲＳの回転
角度θを回転駆動機構Ｍのエンコーダ（図示せず）によ
り検出し、上記角度θに対応する記憶しておいた回転ス
テージＲＳの回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）データ
の位置までＸＹステージＸＹＳをＸＹ方向同時に移動さ
せることにより、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位
置を移動制御する。回転ステージＲＳは、ウエハＷの露
光終了位置が露光されるまで回転し、移動する。なお、
ウエハＷの周辺部の露光回数は１回に限らず、ウエハ周
辺部を複数回露光してもよい。直線部であるオリフラＯ
Ｆ部の露光は、前記した階段状露光の手法により、直線
状に露光する。
【００４７】〔３〕オリフラＯＦ（もしくはノッチＮ）
が設けられたウエハＷの部分露光（爪取り）。前記図１
５（ｃ）に示したようにオリフラＯＦ（もしくはノッチ
Ｎ）が設けられたウエハＷの周辺部の一部を環状露光す
る場合は、以下のように行う。 (1) 周縁検出 前記Ａ．（１）と同様に、ウエハＷを回転ステージＲＳ
の所定位置に載置して、真空チャック等により固定す
る。次いで、ＸＹステージ駆動機構ＳＤによりＸＹステ
ージＸＹＳを駆動して、回転ステージＲＳを図１２
（ｂ）に示す位置に移動させ、ウエハＷを一回転させ、
ＣＣＤラインセンサＬＳにより求められたウエハＷの周
縁位置情報を制御装置Ｃｎｔに設けられたメモリＭｅｍ
に記憶する。
が設けられたウエハＷの部分露光（爪取り）。前記図１
５（ｃ）に示したようにオリフラＯＦ（もしくはノッチ
Ｎ）が設けられたウエハＷの周辺部の一部を環状露光す
る場合は、以下のように行う。 (1) 周縁検出 前記Ａ．（１）と同様に、ウエハＷを回転ステージＲＳ
の所定位置に載置して、真空チャック等により固定す
る。次いで、ＸＹステージ駆動機構ＳＤによりＸＹステ
ージＸＹＳを駆動して、回転ステージＲＳを図１２
（ｂ）に示す位置に移動させ、ウエハＷを一回転させ、
ＣＣＤラインセンサＬＳにより求められたウエハＷの周
縁位置情報を制御装置Ｃｎｔに設けられたメモリＭｅｍ
に記憶する。
【００４８】制御装置Ｃｎｔは、上記メモリＭｅｍに記
憶されたウエハＷの周縁位置情報からウエハＷの中心Ｏ
ｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとのずれ量ｒを求
めるとともに、オリフラＯＦもしくはノッチＮの位置を
特異点として検出し記憶する。上記ずれ量ｒとは、ウエ
ハＷの中心Ｏｃの座標情報、および、ウエハＷの中心Ｏ
ｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとの距離情報であ
る。なお、前記したように制御装置Ｃｎｔには、ＸＹス
テージＸＹＳの移動方向に対する直交座標系が設定され
ており、また、ウエハＷの環状に露光する露光幅ｋと特
異点（オリフラＯＦもしくはノッチＮ）を基準とした部
分露光部の角度情報が予め設定され記憶されている。
憶されたウエハＷの周縁位置情報からウエハＷの中心Ｏ
ｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとのずれ量ｒを求
めるとともに、オリフラＯＦもしくはノッチＮの位置を
特異点として検出し記憶する。上記ずれ量ｒとは、ウエ
ハＷの中心Ｏｃの座標情報、および、ウエハＷの中心Ｏ
ｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとの距離情報であ
る。なお、前記したように制御装置Ｃｎｔには、ＸＹス
テージＸＹＳの移動方向に対する直交座標系が設定され
ており、また、ウエハＷの環状に露光する露光幅ｋと特
異点（オリフラＯＦもしくはノッチＮ）を基準とした部
分露光部の角度情報が予め設定され記憶されている。
【００４９】(2) 露光位置への移動 上記算出データを基に、露光光出射部ＬＯ１から露光光
が出射される位置にウエハＷの周辺部の部分露光開始位
置が位置するように、ＸＹステージＸＹＳを駆動し、回
転ステージＲＳに載置されたウエハＷを移動させるとと
もに回転させる。上記部分露光開始位置とは、角度情報
により設定された部分露光領域の両端部であることが望
ましい。この移動制御は、前記した直交座標系（ＸＹス
テージＸＹＳの移動方向に対応する直交座標系）におけ
る露光光照射位置と露光幅ｋの情報と、露光開始位置の
上記特異点からの角度情報（特異点からの角度情報の算
出については、例えば特開平２−１１４６２８号公報等
参照）に基づいて行われる。また、上記座標系におい
て、算出した前記ずれ量ｒに基づきウエハ中心Ｏｃを座
標系の原点とする。
が出射される位置にウエハＷの周辺部の部分露光開始位
置が位置するように、ＸＹステージＸＹＳを駆動し、回
転ステージＲＳに載置されたウエハＷを移動させるとと
もに回転させる。上記部分露光開始位置とは、角度情報
により設定された部分露光領域の両端部であることが望
ましい。この移動制御は、前記した直交座標系（ＸＹス
テージＸＹＳの移動方向に対応する直交座標系）におけ
る露光光照射位置と露光幅ｋの情報と、露光開始位置の
上記特異点からの角度情報（特異点からの角度情報の算
出については、例えば特開平２−１１４６２８号公報等
参照）に基づいて行われる。また、上記座標系におい
て、算出した前記ずれ量ｒに基づきウエハ中心Ｏｃを座
標系の原点とする。
【００５０】(3) 回転ステージＲＳの中心Ｏｒの座標の
計算 ウエハ中心Ｏｃを原点とするウエハ座標系において、上
記ずれ量ｒに基づき、光開始時の回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒの座標（Ｘｏ，Ｙｏ）を記憶する。回転ステ
ージＲＳが回転中心Ｏｒを中心にθ°回転した場合の、
上記座標系における回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）
を前記した下記の式（１）（２）により計算する。 Ｘθ＝Ｘｏ・cos θ＋Ｙｏ・sin θ （１） Ｙθ＝Ｙｏ・cos θ−Ｘｏ・sin θ （２） 制御装置Ｃｎｔにおいて行われる上記計算式による演算
結果である回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標デー
タを制御装置ＣｎｔのメモリＭｅｍに記憶する。
計算 ウエハ中心Ｏｃを原点とするウエハ座標系において、上
記ずれ量ｒに基づき、光開始時の回転ステージＲＳの回
転中心Ｏｒの座標（Ｘｏ，Ｙｏ）を記憶する。回転ステ
ージＲＳが回転中心Ｏｒを中心にθ°回転した場合の、
上記座標系における回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）
を前記した下記の式（１）（２）により計算する。 Ｘθ＝Ｘｏ・cos θ＋Ｙｏ・sin θ （１） Ｙθ＝Ｙｏ・cos θ−Ｘｏ・sin θ （２） 制御装置Ｃｎｔにおいて行われる上記計算式による演算
結果である回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標デー
タを制御装置ＣｎｔのメモリＭｅｍに記憶する。
【００５１】(4) 露光 露光光出射部ＬＯ１から露光光（図２における露光光
Ｕ）をウエハＷに照射し、回転ステージＲＳを回転さ
せ、部分露光開始位置（部分露光領域の両端のいずれか
一方端）から露光を開始する。露光中、回転ステージＲ
Ｓの回転角度θを回転駆動機構Ｍのエンコーダ（図示せ
ず）により検出し、上記角度θに対応する記憶しておい
た回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙ
θ）データの位置までＸＹステージＸＹＳをＸＹ方向同
時に移動させることにより、回転ステージＲＳの回転中
心Ｏｒの位置を移動制御する。回転ステージＲＳは、ウ
エハＷの部分露光終了位置（部分露光領域の他方端）が
露光されるまで回転し、移動する。なお、ウエハＷの部
分露光領域の露光回数は１回に限らず、複数回露光して
もよい。なお、複数回露光する場合は、部分露光領域の
略中央から露光を開始し両端部まで往復するようにウエ
ハＷを回転・移動させてもよい。また、予め複数の露光
幅ｋを設定しておき、特定区域の露光幅を部分的に変え
て露光してもよい。直線部であるオリフラＯＦ部の露光
は、前記した階段状露光の手法により、直線状に露光す
る。
Ｕ）をウエハＷに照射し、回転ステージＲＳを回転さ
せ、部分露光開始位置（部分露光領域の両端のいずれか
一方端）から露光を開始する。露光中、回転ステージＲ
Ｓの回転角度θを回転駆動機構Ｍのエンコーダ（図示せ
ず）により検出し、上記角度θに対応する記憶しておい
た回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙ
θ）データの位置までＸＹステージＸＹＳをＸＹ方向同
時に移動させることにより、回転ステージＲＳの回転中
心Ｏｒの位置を移動制御する。回転ステージＲＳは、ウ
エハＷの部分露光終了位置（部分露光領域の他方端）が
露光されるまで回転し、移動する。なお、ウエハＷの部
分露光領域の露光回数は１回に限らず、複数回露光して
もよい。なお、複数回露光する場合は、部分露光領域の
略中央から露光を開始し両端部まで往復するようにウエ
ハＷを回転・移動させてもよい。また、予め複数の露光
幅ｋを設定しておき、特定区域の露光幅を部分的に変え
て露光してもよい。直線部であるオリフラＯＦ部の露光
は、前記した階段状露光の手法により、直線状に露光す
る。
【００５２】Ｃ．ウエハ周辺部の一部を階段状に露光
し、他の部分を環状に露光 前記図１５（ｄ）に示すように、ウエハ周辺部の一部を
階段状に露光し、他の部分を環状に露光する場合は、上
記したＡで説明したようにウエハＷの周辺部を階段状に
露光するとともに、Ｂで説明したようにウエハＷの周辺
部を環状に露光する。この場合、階段状露光もしくは環
状露光する際にウエハＷの周縁検出が行われ、オリフラ
ＯＦ、ノッチＮ等の位置が特異点として検出されウエハ
Ｗの中心Ｏｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとのず
れ量ｒとともに制御位置Ｃｎｔに記憶されているので、
環状露光おしくは階段状露光する際には、上記データを
そのまま利用することができる。
し、他の部分を環状に露光 前記図１５（ｄ）に示すように、ウエハ周辺部の一部を
階段状に露光し、他の部分を環状に露光する場合は、上
記したＡで説明したようにウエハＷの周辺部を階段状に
露光するとともに、Ｂで説明したようにウエハＷの周辺
部を環状に露光する。この場合、階段状露光もしくは環
状露光する際にウエハＷの周縁検出が行われ、オリフラ
ＯＦ、ノッチＮ等の位置が特異点として検出されウエハ
Ｗの中心Ｏｃと回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒとのず
れ量ｒとともに制御位置Ｃｎｔに記憶されているので、
環状露光おしくは階段状露光する際には、上記データを
そのまま利用することができる。
【００５３】以上の実施例では、回転ステージＲＳの回
転角度θに対応する回転中心Ｏｒの座標を予め計算して
座標データとして制御装置Ｃｎｔに記憶しておき、露光
時、回転ステージＲＳの回転角度θを検出して、その角
度に対応する回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒ座標を読
み出して、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位置の移
動・制御を行う場合について説明したが、逐次、回転ス
テージＲＳの回転中心Ｏｒの位置座標を計算するように
構成してもよい。すなわち、露光時、回転ステージＲＳ
を回転させながら、回転ステージＲＳの回転角度θを回
転駆動機構Ｍのエンコーダにより検出し、逐次座標Ｏｒ
（Ｘθ，Ｙθ）を計算し、回転ステージＲＳの回転中心
Ｏｒがその位置座標にくるようにＸＹステージＸＹＳの
移動を制御する。なお、この方法を実施するには、高速
の演算処理装置が必要となる。
転角度θに対応する回転中心Ｏｒの座標を予め計算して
座標データとして制御装置Ｃｎｔに記憶しておき、露光
時、回転ステージＲＳの回転角度θを検出して、その角
度に対応する回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒ座標を読
み出して、回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの位置の移
動・制御を行う場合について説明したが、逐次、回転ス
テージＲＳの回転中心Ｏｒの位置座標を計算するように
構成してもよい。すなわち、露光時、回転ステージＲＳ
を回転させながら、回転ステージＲＳの回転角度θを回
転駆動機構Ｍのエンコーダにより検出し、逐次座標Ｏｒ
（Ｘθ，Ｙθ）を計算し、回転ステージＲＳの回転中心
Ｏｒがその位置座標にくるようにＸＹステージＸＹＳの
移動を制御する。なお、この方法を実施するには、高速
の演算処理装置が必要となる。
【００５４】なお、実際には、θ＝０〜３６０°の間
で、いくつかの回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標
（Ｘθ，Ｙθ）を計算して回転ステージＲＳを移動させ
ることになるので、厳密な意味では環状ではなく、多角
形状に露光することになるが、実際上環状に近似できる
まで座標Ｏｒ（Ｘθ，Ｙθ）を細かくとれば（例えば、
θ＝０．１°として３６００角形で円を近似）問題はな
い。また、上記回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）の算
出は、ウエハＷを露光位置に移動させる時間を利用して
行えば、計算時間がスループットに影響することはな
い。
で、いくつかの回転ステージＲＳの回転中心Ｏｒの座標
（Ｘθ，Ｙθ）を計算して回転ステージＲＳを移動させ
ることになるので、厳密な意味では環状ではなく、多角
形状に露光することになるが、実際上環状に近似できる
まで座標Ｏｒ（Ｘθ，Ｙθ）を細かくとれば（例えば、
θ＝０．１°として３６００角形で円を近似）問題はな
い。また、上記回転中心Ｏｒの座標（Ｘθ，Ｙθ）の算
出は、ウエハＷを露光位置に移動させる時間を利用して
行えば、計算時間がスループットに影響することはな
い。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては以
下の効果を得ることができる。 （１）ウエハ周辺部を階段状に露光する露光装置と周辺
部を環状に露光する露光装置の２台の露光装置を用意す
ることなく、１台の装置でウエハ周辺部を階段状および
環状に露光することができる。このため、装置の専有面
積を小さくすることができるとともに、装置の低廉化を
図ることができる。 （２）ウエハ周辺部の一部を階段状に露光し、他の一部
を環状に露光する場合、ウエハを移送する必要がなく、
また、ウエハの周縁検出を１度行えばよいので、スルー
プットを向上させることができる。 （３）ウエハ周辺部を階段状に露光する露光装置を用い
て、大容量のメモリを使用することなく、ウエハ周辺部
を環状に露光することができる。 （４）ウエハの中心と回転ステージの中心を合わせるこ
と無くウエハの周辺部の環状露光が出来るので、そのた
めの中心合わせの機構を設ける必要も、中心合わせ作業
も無くすことができ、機構、操作を簡素化できる。
下の効果を得ることができる。 （１）ウエハ周辺部を階段状に露光する露光装置と周辺
部を環状に露光する露光装置の２台の露光装置を用意す
ることなく、１台の装置でウエハ周辺部を階段状および
環状に露光することができる。このため、装置の専有面
積を小さくすることができるとともに、装置の低廉化を
図ることができる。 （２）ウエハ周辺部の一部を階段状に露光し、他の一部
を環状に露光する場合、ウエハを移送する必要がなく、
また、ウエハの周縁検出を１度行えばよいので、スルー
プットを向上させることができる。 （３）ウエハ周辺部を階段状に露光する露光装置を用い
て、大容量のメモリを使用することなく、ウエハ周辺部
を環状に露光することができる。 （４）ウエハの中心と回転ステージの中心を合わせるこ
と無くウエハの周辺部の環状露光が出来るので、そのた
めの中心合わせの機構を設ける必要も、中心合わせ作業
も無くすことができ、機構、操作を簡素化できる。
【図１】本発明の実施例のウエハ周辺露光装置の概略構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】ウエハ周辺部の環状露光を説明する図（露光開
始位置にある状態）である。
始位置にある状態）である。
【図３】ウエハ周辺部の環状露光を説明する図（回転ス
テージがθ°回転した状態）である。
テージがθ°回転した状態）である。
【図４】ウエハ周辺部の環状露光を説明する図（回転ス
テージを移動させた状態）である。
テージを移動させた状態）である。
【図５】式、（１）（２）の算出根拠を説明する図であ
る。
る。
【図６】ウエハの露光領域とアライメント・マークを示
す図である。
す図である。
【図７】露光光出射部の構成の一例を示す図である。
【図８】アライメントユニットの構成の一例を示す図で
ある。
ある。
【図９】ＣＣＤラインセンサの構成の一例を示す図であ
る。
る。
【図１０】ウエハ周辺露光装置の具体的構成例を示す図
である。
である。
【図１１】制御装置の構成を示す図である。
【図１２】本発明の実施例のウエハ周辺露光装置の動作
を説明する図である。
を説明する図である。
【図１３】本発明の実施例のウエハ周辺露光装置の動作
を説明する図である。
を説明する図である。
【図１４】ウエハ周辺部を階段状に露光する際の露光手
順の一例を示す図である。
順の一例を示す図である。
【図１５】ウエハ周辺部の露光領域を説明する図であ
る。
る。
ＬＨ１ 露光用光源 ＳＨ１ シャッタ ＳＣ１ シャッタ駆動機構 ＬＦ１ 光ファイバ ＬＯ１ 露光光出射部 Ｗ 半導体ウエハ ＷＡＭ アライメント・マーク ＲＳ 回転ステージ Ｍ 回転ステージ駆動機構 ＸＹＳ ＸＹステージ ＳＤ ＸＹステージ駆動機構 ＷＣＶ ウエハ搬送系 ＡＵ アライメントユニット ＬＳ ＣＣＤラインセンサ Ｃｎｔ 制御装置 Ｌ１〜Ｌ４ レンズ ＬＬ１ 非露光光照射装置 ＨＭ ハーフミラー ＩＭＳ 受像素子 ＣＬ ＣＣＤアレイ ＬＬ２ 光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−217886（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−162120（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−275073（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−108315（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−291938（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハが載置され該ウエハを回転させる
回転ステージと、 上記回転ステージを、ウエハ面に対して平行に、かつ互
いに直交する２方向に移動させるＸＹステージと、 照射領域の形状が、ウエハに対する露光光の直交する走
査方向に対して斜め４５°の方向に伸び、照射領域の少
なくとも一端側の輪郭は直角な頂部を有し、直角に交わ
る２辺が上記走査方向に対してそれぞれ平行である露光
光を上記ウエハに照射する露光光照射手段と、 回転する回転ステージの上のウエハ周縁の位置を検出す
るウエハ周縁位置検出手段と、 ウエハ上に印されたアライメント・マークの位置を検出
するアライメントユニットと、 上記ウエハ周縁位置検出手段の出力およびアライメント
ユニットの出力に基づき、上記ＸＹステージを駆動する
とともに、回転ステージを回転させる制御手段とを備
え、周辺部に形状上の特異点を有し、表面にフォトレジ
ストが塗布された半導体ウエハの周辺部を露光するウエ
ハ周辺露光装置であって、 上記制御手段は、上記ウエハ周縁位置検出手段の出力に
基づき、回転ステージの回転中心とウエハの中心との位
置ずれ量と、ウエハ周縁の位置情報と、ウエハ周辺部に
形成されている特異点の位置を求める第１の演算手段
と、 上記アライメントユニットにより検出されたアライメン
ト・マークの位置座標と、上記第１の演算手段により求
めたずれ量とウエハ周縁部の位置情報と特異点の位置と
に基づき、ウエハ周辺部を階段状に露光する際のＸＹス
テージの位置と回転ステージの回転角を計算する第２の
演算手段と、 予め設定されたウエハの周縁からの露光幅と、上記第１
の演算手段により求めたずれ量とウエハ周縁の位置情報
と特異点の位置とに基づき、ウエハ周辺部を環状に露光
する際に、ウエハの中心から露光光までの距離を常に一
定にするために必要な回転ステージの回転中心の位置座
標を算出する第３の演算手段とを備え、 上記第２、第３の演算手段の出力に基づき、上記回転ス
テージの位置と回転角を所定値に制御して、上記ウエハ
に上記露光光照射手段からの露光光を照射して、ウエハ
周辺部を階段状または環状に露光することを特徴とする
ウエハ周辺露光装置。 - 【請求項２】 ウエハが載置され該ウエハを回転させる
回転ステージと、 上記回転ステージを、ウエハ面に対して平行に、かつ互
いに直交する２方向に移動させるＸＹステージと、 照射領域の形状が、ウエハに対する露光光の直交する走
査方向に対して斜め４５°の方向に伸び、照射領域の少
なくとも一端側の輪郭は直角な頂部を有し、直角に交わ
る２辺が上記走査方向に対してそれぞれ平行である露光
光を上記ウエハに照射する露光光照射手段と、 回転する回転ステージの上のウエハ周縁の位置を検出す
るウエハ周縁位置検出手段と、 ウエハ上に印されたアライメント・マークの位置を検出
するアライメントユニットと、 上記ウエハ周縁位置検出手段の出力およびアライメント
ユニットの出力に基づき、上記ＸＹステージを駆動する
とともに、回転ステージを回転させる制御手段とを備
え、周辺部に形状上の特異点を有し、表面にフォトレジ
ストが塗布された半導体ウエハの周辺部を露光するウエ
ハ周辺露光装置であって、 上記制御手段は、上記ウエハ周縁位置検出手段の出力に
基づき、回転ステージの回転中心とウエハ中心とのずれ
量と、ウエハ周縁の位置情報と、ウエハ周辺部に形成さ
れている特異点の位置を求める第１の演算手段と、 上記アライメントユニットにより検出されたアライメン
ト・マークの位置座標と、上記第１の演算手段により求
めたずれ量とウエハ周縁の位置情報と特異点の位置とに
基づき、ウエハ周辺部を階段状に露光する際のＸＹステ
ージの位置と回転ステージの回転角を計算する第２の演
算手段と、 予め設定されたウエハのエッジからの露光幅と、上記第
１の演算手段により求めたずれ量とウエハ周縁の位置情
報と特異点の位置とに基づき、ウエハ周辺部を環状に露
光する際の、ウエハの中心を原点とするウエハ座標系に
おける露光開始時の回転ステージの回転中心の位置座標
（Ｘｏ，Ｙｏ）を求めるとともに、ウエハがθ°回転し
たときの上記座標系における上記回転ステージの中心の
座標（Ｘθ，Ｙθ）を次の式で算出する第３の演算手段
とを備え、 Ｘθ＝Ｘｏ・cos θ＋Ｙｏ・sin θ Ｙθ＝Ｙｏ・cos θ−Ｘｏ・sin θ 上記第２の演算手段の出力に基づき、上記回転ステージ
の位置と回転角を所定値に制御して、上記ウエハに上記
露光光照射手段からの露光光を照射して、ウエハ周辺部
を階段状露光し、 回転ステージがθ°回転するとき、ＸＹステージを駆動
して回転ステージの中心を上記第３の演算手段による結
果の座標位置に移動しつつ、上記ウエハに上記露光光照
射手段からの露光光を照射して、ウエハ周辺部を環状に
露光することを特徴とするウエハ周辺露光装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02714598A JP3356047B2 (ja) | 1997-11-26 | 1998-02-09 | ウエハ周辺露光装置 |
| TW087116820A TW392205B (en) | 1997-11-26 | 1998-10-09 | Device for exposing the peripheral area of a semiconductor wafer |
| EP98122394A EP0920053B1 (en) | 1997-11-26 | 1998-11-25 | Device for exposing the peripheral area of a semiconductor wafer |
| DE69824372T DE69824372T2 (de) | 1997-11-26 | 1998-11-25 | Vorrichtung zur Exposition der peripheren Fläche eines Halbleiter-Wafers |
| KR1019980050998A KR19990045608A (ko) | 1997-11-26 | 1998-11-26 | 웨이퍼 주변 노광장치 |
| US09/200,477 US6052173A (en) | 1997-11-26 | 1998-11-27 | Device for exposing the peripheral area of a wafer |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-324440 | 1997-11-26 | ||
| JP32444097 | 1997-11-26 | ||
| JP02714598A JP3356047B2 (ja) | 1997-11-26 | 1998-02-09 | ウエハ周辺露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219894A JPH11219894A (ja) | 1999-08-10 |
| JP3356047B2 true JP3356047B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=26365047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02714598A Expired - Fee Related JP3356047B2 (ja) | 1997-11-26 | 1998-02-09 | ウエハ周辺露光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6052173A (ja) |
| EP (1) | EP0920053B1 (ja) |
| JP (1) | JP3356047B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990045608A (ja) |
| DE (1) | DE69824372T2 (ja) |
| TW (1) | TW392205B (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6529274B1 (en) * | 1999-05-11 | 2003-03-04 | Micron Technology, Inc. | System for processing semiconductor products |
| US6495312B1 (en) * | 2001-02-01 | 2002-12-17 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for removing photoresist edge beads from thin film substrates |
| US6618118B2 (en) | 2001-05-08 | 2003-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Optical exposure method, device manufacturing method and lithographic projection apparatus |
| EP1256848A3 (en) * | 2001-05-08 | 2003-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Optical exposure method and lithographic projection apparatus |
| JP4019651B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2007-12-12 | ウシオ電機株式会社 | 周辺露光装置 |
| JP3820946B2 (ja) * | 2001-09-17 | 2006-09-13 | ウシオ電機株式会社 | 周辺露光装置 |
| WO2003032081A1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-04-17 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for optically defining an exposure exclusion region on a photosensitive workpiece |
| JP3823805B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2006-09-20 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置 |
| JP4302373B2 (ja) | 2002-07-25 | 2009-07-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 導光装置 |
| CN1508631A (zh) * | 2002-12-19 | 2004-06-30 | Asml | 器件制造方法和所制出的器件以及计算机程序和光刻装置 |
| KR100536596B1 (ko) * | 2003-03-25 | 2005-12-14 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 가장자리 노광 장치 |
| KR100550352B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판의 노광방법 및 이를 이용하는 노광 장치 |
| KR20070048650A (ko) * | 2004-08-31 | 2007-05-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치 맞춤 방법, 처리 시스템, 기판의 투입 재현성 계측방법, 위치 계측 방법, 노광 방법, 기판 처리 장치, 계측방법 및 계측 장치 |
| US7074710B2 (en) * | 2004-11-03 | 2006-07-11 | Lsi Logic Corporation | Method of wafer patterning for reducing edge exclusion zone |
| JP4642543B2 (ja) | 2005-05-09 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 周縁露光装置、塗布、現像装置及び周縁露光方法 |
| US7342642B2 (en) * | 2005-06-20 | 2008-03-11 | Asml Netherlands B.V. | Pre-aligning a substrate in a lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured by the manufacturing method |
| JP4923936B2 (ja) | 2006-10-13 | 2012-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法 |
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| CN115018834B (zh) * | 2022-08-08 | 2022-10-25 | 山东光岳九州半导体科技有限公司 | 一种半导体晶片图像对准方法 |
| CN116958143B (zh) * | 2023-09-20 | 2023-12-22 | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 | 一种晶圆风险曝光区域的识别方法、***和存储介质 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4899195A (en) * | 1988-01-29 | 1990-02-06 | Ushio Denki | Method of exposing a peripheral part of wafer |
| US5204224A (en) * | 1988-09-26 | 1993-04-20 | Ushio Denki | Method of exposing a peripheral part of a wafer |
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| JP3237522B2 (ja) * | 1996-02-05 | 2001-12-10 | ウシオ電機株式会社 | ウエハ周辺露光方法および装置 |
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-
1998
- 1998-02-09 JP JP02714598A patent/JP3356047B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-09 TW TW087116820A patent/TW392205B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-11-25 DE DE69824372T patent/DE69824372T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-25 EP EP98122394A patent/EP0920053B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-26 KR KR1019980050998A patent/KR19990045608A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-11-27 US US09/200,477 patent/US6052173A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11219894A (ja) | 1999-08-10 |
| US6052173A (en) | 2000-04-18 |
| EP0920053B1 (en) | 2004-06-09 |
| EP0920053A3 (en) | 2000-03-22 |
| KR19990045608A (ko) | 1999-06-25 |
| DE69824372T2 (de) | 2005-06-16 |
| DE69824372D1 (de) | 2004-07-15 |
| TW392205B (en) | 2000-06-01 |
| EP0920053A2 (en) | 1999-06-02 |
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