JPH03241824A - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPH03241824A JPH03241824A JP3885690A JP3885690A JPH03241824A JP H03241824 A JPH03241824 A JP H03241824A JP 3885690 A JP3885690 A JP 3885690A JP 3885690 A JP3885690 A JP 3885690A JP H03241824 A JPH03241824 A JP H03241824A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction chamber
- exhaust
- exhaust system
- silane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title claims abstract description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
原料ガスにシラン系ガスを用いた減圧気相成長装置に関
し。
し。
成長膜の結晶性及び装置の安全性を向上した排気系を有
する減圧気相成長装置を提供することを目的とし。
する減圧気相成長装置を提供することを目的とし。
基板を収容し、原料ガスとしてシラン系ガスを導入して
該基板上に成膜する反応室（１）と、該反応室内を減圧
する排気系とからなり、該排気系は。
該基板上に成膜する反応室（１）と、該反応室内を減圧
する排気系とからなり、該排気系は。
該反応室内を排気するポンプ（２）、 （３）と、該ポ
ンプから排出されるガス中のシラン系ガスを吸着する除
害塔（４）と、該除害塔から排出されるガスを空気で希
釈して屋外に排出する希釈ダクト（５）とを有し。
ンプから排出されるガス中のシラン系ガスを吸着する除
害塔（４）と、該除害塔から排出されるガスを空気で希
釈して屋外に排出する希釈ダクト（５）とを有し。
該ポンプ（２）、 （３）は排気媒体に液体を使用しな
いドライ構造のものであり、該除害塔（４）は担体に水
素化物を酸化する酸化剤を被覆した充填物が充填されて
いるように構成する。
いドライ構造のものであり、該除害塔（４）は担体に水
素化物を酸化する酸化剤を被覆した充填物が充填されて
いるように構成する。
本発明は原料ガスにシラン系ガスを用いた減圧気相成長
装置に関する。
装置に関する。
近年、半導体装置の高機能化に伴い、珪素（Ｓｉ）のエ
ピタキシャル成長は結晶性の改善が要求されている。
ピタキシャル成長は結晶性の改善が要求されている。
この要求に対応して９本発明はＣＣＤ等の高密度。
高集積度デバイスの製造に利用できる。
従来の減圧気相成長装置（特に減圧エピタキシャル成長
装置）においては、成長膜の結晶性を落とす原因の一つ
である金属汚染を低減するため。
装置）においては、成長膜の結晶性を落とす原因の一つ
である金属汚染を低減するため。
Ｓｉの原料ガスは塩素等を含んだ腐食性のガスを避ける
傾向にあり、そのためにモノシラン（ＳｉＨ４）ジシラ
ン（ＳｉＪｇ）等のシラン系ガスが用いられている。
傾向にあり、そのためにモノシラン（ＳｉＨ４）ジシラ
ン（ＳｉＪｇ）等のシラン系ガスが用いられている。
この場合、装置の排気系には水スクラバとロークリポン
プと希釈ダクトが使用されるのが一般的であった。
プと希釈ダクトが使用されるのが一般的であった。
第２図は従来例による排気系を説明する模式図である。
図において、ｌは反応室、６はロータリポンプ。
７は水スクラバ、５は希釈ダクトである。
反応室１内にウェハを入れ、ウェハ上にＳｉエピタキシ
ャル成長を行う際に反応室内を排気系により減圧してい
る。
ャル成長を行う際に反応室内を排気系により減圧してい
る。
排気系はロータリポンプ６と水スクラバ７と希釈ダクト
５からなり、原料ガスを含んだ排気ガスはロータリポン
プ６により排気され、水スクラバ７により水に可溶な反
応生成物は水中に吸収されて希釈ダクト５に送られ、こ
こで空気で希釈して屋外に排出される。
５からなり、原料ガスを含んだ排気ガスはロータリポン
プ６により排気され、水スクラバ７により水に可溶な反
応生成物は水中に吸収されて希釈ダクト５に送られ、こ
こで空気で希釈して屋外に排出される。
ところが、水スクラバは排気系中のシランの除去に効目
がなく、又、ロータリポンプから反応室への油の帰還や
、水スクラバから反応室への水の帰還により、成長膜の
膜質を落としていた。
がなく、又、ロータリポンプから反応室への油の帰還や
、水スクラバから反応室への水の帰還により、成長膜の
膜質を落としていた。
従来例の排気系では油、水分の汚染を防止できず 成長
膜にシャロウビットが発生するという問題が生じていた
。
膜にシャロウビットが発生するという問題が生じていた
。
又、シランが除去しきれないので、安全上の問題もあっ
た。
た。
本発明は原料ガスにシラン系ガスを用いた成長膜の結晶
性及び装置の安全性を向上した排気系を有する減圧気相
成長装置を提供することを目的とする。
性及び装置の安全性を向上した排気系を有する減圧気相
成長装置を提供することを目的とする。
上記課題の解決は、基板を収容し、原料ガスとしてシラ
ン系ガスを導入して該基板上に成膜する反応室（１）と
、該反応室内を減圧する排気系とからなり、該排気系は
、該反応室内を排気するポンプ（２）、 （３）と、該
ポンプから排出されるガス中のシラン系ガスを吸着する
除害塔（４）と、該除害塔から排出されるガスを空気で
希釈して屋外に排出する希釈ダクト（５）とを有し、該
ポンプ（２）、 （３）は排気媒体に液体を使用しない
ドライ構造のものであり、該除害塔（４）は担体に水素
化物を酸化する酸化剤を被覆した充填物が充填されてい
ることを特徴とする減圧気相成長装置により達成される
。
ン系ガスを導入して該基板上に成膜する反応室（１）と
、該反応室内を減圧する排気系とからなり、該排気系は
、該反応室内を排気するポンプ（２）、 （３）と、該
ポンプから排出されるガス中のシラン系ガスを吸着する
除害塔（４）と、該除害塔から排出されるガスを空気で
希釈して屋外に排出する希釈ダクト（５）とを有し、該
ポンプ（２）、 （３）は排気媒体に液体を使用しない
ドライ構造のものであり、該除害塔（４）は担体に水素
化物を酸化する酸化剤を被覆した充填物が充填されてい
ることを特徴とする減圧気相成長装置により達成される
。
本発明は反応室の排気にメカニカルブースタポンプやド
ライポンプ等の油を使わないポンプを用いて反応室への
油や水の帰還をなくして成長膜の結晶性を向上し、又除
害塔の充填剤は酸化剤を付着した担体で。シランを酸化
してその表面に吸着除去するようにしたものである。
ライポンプ等の油を使わないポンプを用いて反応室への
油や水の帰還をなくして成長膜の結晶性を向上し、又除
害塔の充填剤は酸化剤を付着した担体で。シランを酸化
してその表面に吸着除去するようにしたものである。
第１図は実施例による排気系を説明する模式図である。
図において、ｌは反応室、２はメカニカルブースタポン
プ、３はドライポンプ、４は除害塔、５は希釈ダクトで
ある。
プ、３はドライポンプ、４は除害塔、５は希釈ダクトで
ある。
反応室ｌ内にウェハを入れ、ウェハ上にＳｉエピタキシ
ャル成長を行う際に反応室内を排気系により減圧してい
る。
ャル成長を行う際に反応室内を排気系により減圧してい
る。
排気系はメカニカルブースタポンプ２とモレキュラシー
プ等を用いたドライポンプ３と除害塔４と希釈ダクト５
とからなる。
プ等を用いたドライポンプ３と除害塔４と希釈ダクト５
とからなる。
シランガスを含んだ排気ガスはメカニカルブースタポン
プ２とドライポンプ３により排気され。
プ２とドライポンプ３により排気され。
除害塔４によりシランは吸収除去されて希釈ダクト４に
送られ、ここで空気で希釈して屋外に排出される。
送られ、ここで空気で希釈して屋外に排出される。
ここで、充填剤は以下に示すものを使用した。
担体の材質の例：アルミナ
担体の大きさの例：５ａ＋＋ｎ径の球
水素化物の酸化剤の例： Ｆｅ２０ａ
酸化剤の被覆厚さの例：１００μｍ
吸着酸化過程の化学式：
％式％
なお、実施例では排気系を構成する各装置間の配管はす
べてステンレス鋼管で行っている。
べてステンレス鋼管で行っている。
次に、実施例の効果を示す数値例を従来例と対比して例
示する。
示する。
Ｓｉ基板上に下記の同一条件で厚さ μｍのＳｉエピ膜
を成長し、成長膜のシャロウビット数を測定して両者の
比較を行った。
を成長し、成長膜のシャロウビット数を測定して両者の
比較を行った。
成長条件
原料ガス： ５１２Ｈ８１５０ＳＣＣＭ。
希釈ガス： ８２ １００ ＳＬＭ。
成長温度：９００°Ｃ。
ガス圧カニ ５ Ｔｏｒｒ。
成長膜のシャロウビット数（ｃｍ−２）は次のように実
施例は従来例に比し１桁減少した。
施例は従来例に比し１桁減少した。
実施例：５００
従来例： ｓｏｏ。
実施例ではＳｉエピ膜の成長について説明したが。
シラン系ガスを使用する成膜１例えば二酸化珪素膜、窒
化珪素膜等の成長に本発明を適用しても発明の効果は変
わらない。
化珪素膜等の成長に本発明を適用しても発明の効果は変
わらない。
以上説明したように本発明によれば、原料ガスにシラン
系ガスを用いた成長膜の結晶性及び装置の安全性を向上
した排気系を有する減圧気相成長装置が得られた。
系ガスを用いた成長膜の結晶性及び装置の安全性を向上
した排気系を有する減圧気相成長装置が得られた。
第１図は実施例による排気系を説明する模式図。
第２図は従来例による排気系を説明する模式図である。
図において。
■は反応室。
２はメカニカルブースタポンプ。
３はドライポンプ。
４は除害塔。
５は希釈ダクト
第 １
図
イ差未例のＳ氏図
第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板を収容し、原料ガスとしてシラン系ガスを導入し
て該基板上に成膜する反応室（１）と、該反応室内を減
圧する排気系とからなり、 該排気系は、該反応室内を排気するポンプ（２）、（３
）と、該ポンプから排出されるガス中のシラン系ガスを
吸着する除害塔（４）と、該除害塔から排出されるガス
を空気で希釈して屋外に排出する希釈ダクト（５）とを
有し、 該ポンプ（２）、（３）は排気媒体に液体を使用しない
ドライ構造のものであり、 該除害塔（４）は担体に水素化物を酸化する酸化剤を被
覆した充填物が充填されていることを特徴とする減圧気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2038856A JP2539067B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2038856A JP2539067B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 減圧気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241824A true JPH03241824A (ja) | 1991-10-29 |
| JP2539067B2 JP2539067B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=12536848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2038856A Expired - Lifetime JP2539067B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2539067B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980341A (en) * | 1988-02-26 | 1990-12-25 | The General Electric Company, P.L.C. | Method of fabricating grain boundary Josephson junction |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5998293A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-06 | 能美防災工業株式会社 | 半導体工場などにおける警報および制御装置 |
| JPS60125233A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 排ガスの高度処理方法 |
| JPS61293549A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-24 | Osaka Oxygen Ind Ltd | 半導体工業における排ガス処理剤 |
| JPS62222630A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応処理装置 |
| JPS63266813A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及びそれに使用する処理装置 |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP2038856A patent/JP2539067B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5998293A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-06 | 能美防災工業株式会社 | 半導体工場などにおける警報および制御装置 |
| JPS60125233A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 排ガスの高度処理方法 |
| JPS61293549A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-24 | Osaka Oxygen Ind Ltd | 半導体工業における排ガス処理剤 |
| JPS62222630A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応処理装置 |
| JPS63266813A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法及びそれに使用する処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980341A (en) * | 1988-02-26 | 1990-12-25 | The General Electric Company, P.L.C. | Method of fabricating grain boundary Josephson junction |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2539067B2 (ja) | 1996-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7462376B2 (en) | CVD method for forming silicon nitride film | |
| US6899767B2 (en) | Method of cleaning processing chamber of semiconductor processing apparatus | |
| EP0638923B1 (en) | Low temperature etching in cold-wall CVD systems | |
| JP5028755B2 (ja) | 半導体処理装置の表面処理方法 | |
| US20060040054A1 (en) | Passivating ALD reactor chamber internal surfaces to prevent residue buildup | |
| JPH0293071A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| US8080109B2 (en) | Film formation apparatus and method for using the same | |
| KR950014461A (ko) | 박막형성방법 | |
| KR20020008395A (ko) | 화학 증착 시스템 및 방법 | |
| US20060288935A1 (en) | Film formation method and apparatus for semiconductor process | |
| US20070289609A1 (en) | Method for cleaning a process chamber | |
| JPH07249618A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61117841A (ja) | シリコン窒化膜の形成方法 | |
| JPH0339198B2 (ja) | ||
| JPH0260210B2 (ja) | ||
| JPH04157161A (ja) | クリーニング方法 | |
| JPH03241824A (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| JPH0637074A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| JPH04155827A (ja) | クリーニング方法 | |
| JP2010192736A (ja) | 原子層成長装置および方法 | |
| JPS6243132A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH02106927A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3173698B2 (ja) | 熱処理方法及びその装置 | |
| JP3108466B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2002289615A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |